JP2003287773A

JP2003287773A - 反射型電気光学装置、および電子機器

Info

Publication number: JP2003287773A
Application number: JP2002366715A
Authority: JP
Inventors: Toru Futamura; 徹二村
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-01-23
Filing date: 2002-12-18
Publication date: 2003-10-10

Abstract

(57)【要約】【課題】凹凸形成層の下層側の状態を均一化しておく
ことにより、フォトリグラフィ技術を利用して凹凸形成
層を形成する際に、凹凸形状にばらつきが発生しない反
射型電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】反射型電気光学装置のＴＦＴアレイ基板
（１０）において、光反射膜（８ａ）に凹凸パターン
（８ｇ）を付与するための凹凸形成層（１３ａ）は、感
光性樹脂（１３）に対するハーフ露光、現像、および加
熱により形成される。ここで、凹凸形成層（１３ａ）の
下層側では、高低差解消膜（３ｆ）によって、高低差、
段差が解消されているので、感光性樹脂（１３）に対す
る露光を好適に行うことができる。また、高低差が解消
されているので、感光性樹脂（１３）の厚さばらつきが
小さいので、凹凸形状のばらつきが小さい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反射型電気光学装
置、およびそれを用いた電子機器に関するものである。
さらに詳しくは、反射型電気光学装置の画素構成に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶装置などの電気光学装置は、各種機
器の直視型の表示装置として用いられている。このよう
な電気光学装置のうち、例えば、画素スイッチング用の
非線形素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス
型の液晶装置では、図２５および図２６に示すように、
電気光学物質としての液晶５０を挟持するＴＦＴアレイ
基板１０および対向基板２０のうち、ＴＦＴアレイ基板
１０の方には、画素スイッチング用のＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ／ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）３０と、このＴＦＴ３０に電気的に接続するＩＴＯ
膜などの透明導電膜からなる画素電極９ａとが形成され
ている。

【０００３】また、液晶装置のうち、反射型のもので
は、対向基板２０の側から入射してきた外光を対向基板
２０の方に向けて反射するための光反射膜８ａが画素電
極９ａの下層側に形成されており、対向基板２０側から
入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基
板２０側から出射された光によって画像を表示する（反
射モード）。

【０００４】但し、反射型の液晶装置において、光反射
膜８ａで反射された光の方向性が強いと、画像をみる角
度で明るさが異なるなどの視野角依存性が顕著に出てし
まう。そこで、液晶装置を製造する際、層間絶縁膜４、
あるいはその表面に形成した表面保護膜１４の表面に、
アクリル樹脂などといった感光性樹脂を塗布した後、フ
ォトリソグラフィ技術を用いて、凹凸形成層１３ａを形
成することにより、光反射膜８ａの表面に光散乱用の凹
凸パターン８ｇを付与している。

【０００５】ここに示す例では、図２７に示すように、
感光性樹脂１３に対して露光マスク２００を介してハー
フ露光し、感光性樹脂１３の厚さ方向の途中まで感光さ
せた後、現像し、さらに加熱して感光性樹脂１３を溶融
させることにより、なだらかな膜厚変化に対応する凹凸
を表面に備えた凹凸形成層１３ａを形成したので、凹凸
形成層１３ａの上層に直接、光反射膜８ａを形成してあ
る。

【０００６】すなわち、感光性樹脂１３にハーフ露光を
行うと、感光性樹脂１３は、厚さ方向の途中位置まで露
光されるだけであるため、感光性樹脂１３を現像する
と、露光された部分は凹部１３ｂが形成される一方、露
光されなかった部分は厚いままである。従って、感光性
樹脂１３を現像した後、感光性樹脂１３に対して加熱処
理を行って、感光性樹脂１３を溶融させると、感光性樹
脂１３は、膜厚がなだらかに変化し、この膜厚変化に対
応して、表面になだらかな凹凸を備えた凹凸形成層１３
ａとなる。従って、凹凸形成層１３ａの上層に直接、光
反射膜８ａを形成しても、光反射膜８ａの表面には、エ
ッジのない、なだらかな凹凸パターン８ｇが付与され
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
液晶装置では、凹凸形成層１３ａの下層側に、各種配線
やＴＦＴ３０を構成する導電膜、例えば、走査線３ａ、
容量線３ｂ、データ線６ａ、ドレイン電極６ｂなどが形
成されているため、それらを構成する導電膜の有無によ
って高低差が形成されている。すなわち、画素領域内
に、半導体膜１ａの延設部分１ｆ、容量線３ｂ、ドレイ
ン電極６ｂが多層に形成されている第１領域１０ａと、
ドレイン電極６ｂは形成されているが、半導体膜１ａの
延設部分１ｆや容量線３ｂが形成されていない第２領域
１０ｂと、半導体膜１ａの延設部分１ｆ、容量線３ｂ、
ドレイン電極６ｂのいずれもが形成されていない第３領
域１０ｃとが存在し、これらの各領域には、導電膜の形
成層数の差に相当する高低差がある。このため、図２７
に示すように、感光性樹脂１３に対する露光を行う際、
段差の高所部分と低所部分との間では光源からの距離が
相違するため、フォーカスずれが発生し、露光ムラが発
生するという問題点がある。

【０００８】また、感光性樹脂１３に対する露光を行う
際、下層側に導電膜がある領域（第１領域１０ａ、第２
領域１０ｂ）と、下層側に導電膜がない領域（第３領域
１０ｃ）との間には導電膜からの反射光の有無や強度に
起因する露光ムラが発生するという問題点がある。

【０００９】このような露光ムラが発生すると、低所部
分では、凹凸形成層１３ａの凹部１３ｂが浅くなってし
まうなど、凹凸形成層１３ａを目論見どおりに形成でき
ず、光反射膜８ａの表面に所望の凹凸パターンを形成で
きないので、好ましくない。

【００１０】なお、凹凸形成層１３ａを完全露光して凹
凸形成層１３ａを所定パターンで残し、凹凸形成層１３
ａの有無によって光反射膜８ａの表面に凹凸パターン８
ｇを付与する場合があり、このような場合には、凹凸形
成層１３ａにエッジが発生するので、凹凸形成層１３ａ
の上層にもう１層、流動性の高い感光性樹脂層からなる
上層絶縁膜を塗布、形成した後、その上層側に光反射膜
８ａを形成するが、このような場合でも、凹凸形成層１
３ａの下層側に高低差があると、露光ムラが発生する。

【００１１】また、高低差がある領域に感光性樹脂を塗
布すると、図２７に示すように、平坦化作用によって高
い領域には感光性樹脂が薄く形成される一方、低い領域
には感光性樹脂が厚く形成される。このため、露光およ
び現像の後、感光性樹脂１３を加熱、溶融させて、なだ
らかな凹凸を表面に備えた凹凸形成層１３ａを形成する
際、高い領域では感光性樹脂が薄いため、樹脂の垂れが
小さいので、比較的大きな凹凸が形成される。これに対
して、低い領域では感光性樹脂が厚いため、樹脂の垂れ
が大きいので、凹凸が小さくなってしまい、凹凸の大き
さがばらつくという問題点がある。

【００１２】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
凹凸形成層の下層側の状態を均一化しておくことによ
り、フォトリグラフィ技術を利用して凹凸形成層を形成
する際に、凹凸形状にばらつきが発生しない反射型電気
光学装置、および電子機器を提供することにある。併せ
て、反射領域の段差解消により、反射部セルギャップ均
一性が向上し、コントラスト等の表示品位を向上できる
反射型電気光学装置、および電子機器を提供することに
ある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、電気光学物質を挟持する基板上には、
各画素毎に少なくとも、一つ又は複数の配線に電気的に
接続する画素スイッチング用のアクティブ素子と、光反
射膜とを有し、該光反射膜の下層側のうち、当該光反射
膜と平面的に重なる領域に、前記光反射膜の表面に所定
の凹凸パターンを付与する凹凸形成層が形成された反射
型電気光学装置において、前記凹凸形成層の下層側で当
該凹凸形成層と平面的に重なる領域には、前記アクティ
ブ素子を形成する導電膜の有無によって形成される高低
差を解消するための高低差解消膜が形成され、当該高低
差解消膜は、前記配線を構成する導電膜、前記アクティ
ブ素子を構成する導電膜、および絶縁膜のうちの少なく
とも一層から形成されてなることを特徴とする。

【００１４】反射型の電気光学装置において、各種配線
やアクティブ素子を構成する導電膜の形成層数に差があ
ると、その膜厚に相当する高低差、段差が形成される
が、本発明では、導電膜の形成層数が少ない領域に高低
差解消膜が形成されており、この高低差解消膜によっ
て、凹凸形成層の下層側では高低差、高低差が解消され
ている。従って、感光性樹脂に対する露光を行って凹凸
形成層を形成する際、高所部分と低所部分との間に顕著
な高低差がないため、露光ムラが発生しない。また、高
低差がある領域に感光性樹脂を塗布すると、高い領域に
は感光性樹脂が薄く形成される一方、低い領域には感光
性樹脂が厚く形成されるため、露光および現像の後、感
光性樹脂を加熱、溶融させて、なだらかな凹凸を表面に
備えた凹凸形成層を形成する際、高い領域では感光性樹
脂が薄いため、樹脂の垂れが小さいので、比較的大きな
凹凸が形成される傾向にあるが、本発明では、このよう
な問題も解消することができる。それ故、凹凸形成層を
目論見どおりに形成できるので、光反射膜の表面に所望
の凹凸パターンを形成することができる。また、高低差
解消膜は、配線を構成する導電膜、アクティブ素子を構
成する導電膜、あるいは絶縁膜から形成されているた
め、高低差解消膜を形成するにあたって製造工程を追加
する必要がない。さらに、画素電極の下層側に高低差が
あると液晶などの電気光学物質層の層厚が領域毎に異な
ることになるが、本発明では、高低差が解消されている
ので、表示品位が向上するという利点もある。

【００１５】本発明において、前記高低差解消膜は、前
記配線を構成する導電膜、前記アクティブ素子を構成す
る導電膜、および絶縁膜のうちの少なくとも一層から形
成されてなることが好ましい。このように構成すると、
導電膜が存在する領域と、存在しない領域とがあって、
露光の際、導電膜から反射してくる光の有無や強度ばら
つきによって露光ムラが発生する傾向にあっても、本発
明では、画素の略全体にわたって導電膜が形成されてい
るので、露光ムラが発生しない。また、導電膜が存在す
る領域と、存在しない領域とでは、熱の伝達性に差があ
って、温度ばらつきが発生しやすいが、導電膜を略全体
に形成しておけば、温度ばらつきを圧縮できるので、感
光性樹脂の硬化速度を均一化できる。それ故、凹凸形成
層を目論見どおりに形成できるので、光反射膜の表面に
所望の凹凸パターンを形成することができる。また、高
低差解消膜は、配線、あるいはアクティブ素子を構成す
る導電膜と同層に形成されているため、高低差解消膜を
形成するにあたって製造工程を追加する必要がない。

【００１６】本発明において、前記高低差解消膜は、例
えば、前記アクティブ素子を形成する導電膜の形成層数
が少ない領域に対して選択的に形成されていることによ
り、前記高低差を解消している。

【００１７】本発明において、前記アクティブ素子が前
記配線としての走査線およびデータ線に接続する薄膜ト
ランジスタである場合には、前記高低差解消膜として、
例えば、前記走査線と同層に同時形成された導電膜、あ
るいは前記データ線と同層に同時形成された導電膜のう
ちの少なくとも一方が形成される。

【００１８】また、本発明において、前記アクティブ素
子が前記配線としての走査線およびデータ線に接続する
薄膜トランジスタであり、かつ、前記画素には蓄積容量
を構成するための容量線が通っている場合には、前記高
低差解消膜として、例えば、前記走査線と同層の導電
膜、前記容量線と同層の導電膜、あるいは前記データ線
と同層の導電膜のうちの少なくとも一層が形成される。

【００１９】本発明において、前記高低差解消膜は、前
記配線、あるいは前記アクティブ素子を構成する導電膜
から分離して島状に形成されていることが好ましい。こ
のように構成すると、他の層と高低差解消膜が平面的に
重なっている領域に寄生容量が発生するのを防止するこ
とができる。

【００２０】また、本発明において、前記高低差解消膜
は、前記配線、あるいは前記アクティブ素子を構成する
導電膜から延設されている構成であってもよい。例え
ば、容量部の上電極を延設して前記高低差解消膜とする
構成であってもよい。

【００２１】さらに本発明の別の形態では、電気光学物
質を挟持する基板上には、各画素毎に少なくとも、一つ
又は複数の配線に電気的に接続する画素スイッチング用
のアクティブ素子と、光反射膜とが形成され、該光反射
膜の下層側で当該光反射膜と平面的に重なる領域には前
記光反射膜の表面に所定の凹凸パターンを付与する凹凸
形成層が形成された反射型電気光学装置において、前記
凹凸形成層の下層側で当該凹凸形成層と平面的に重なる
領域には、電気的に他の領域から絶縁された島状パター
ンが形成され、該島状パターンは、前記配線を構成する
導電膜、および前記アクティブ素子を構成する導電膜の
うちの少なくとも一層から形成されていることを特徴と
する。

【００２２】本発明において、前記凹凸形成層が、なだ
らかな膜厚変化に対応する凹凸を表面に備えた感光性樹
脂からなる場合があり、この場合には、前記光反射膜の
表面には、前記凹凸形成層の表面に形成された凹凸が反
映されて前記凹凸パターンが形成される。このような形
態は、感光性樹脂に対する露光マスクを介してのハーフ
露光、および現像によって前記凹凸形成層を形成するこ
とにより実現できる。

【００２３】本発明において、前記凹凸形成層は、所定
のパターンに選択的に形成された感光性樹脂からなる場
合があり、この場合には、前記光反射膜の表面には、前
記凹凸形成層の有無に対応して前記凹凸パターンが形成
される。このような形態は、感光性樹脂に対する露光マ
スクを介しての露光、および現像によって前記凹凸形成
層を形成することにより実現できる。

【００２４】ここで、凹凸形成層にエッジがある場合に
は、前記凹凸形成層の上層に上層絶縁膜を形成する。こ
のように構成すると、前記光反射膜の表面には、前記凹
凸形成層が構成する凹凸が当該上層絶縁膜を介して反映
されて前記凹凸パターンが形成されることになる。

【００２５】本発明において、電気光学装置を全反射型
として構成する場合には、前記凹凸形成層は、前記画素
の略全域にわたって形成されることになる。

【００２６】これに対して、本発明に係る電気光学装置
を半透過・反射型として構成する場合には、前記光反射
膜に光透過窓を形成した構成とすればよい。この場合、
光透過率の低下を防ぐために、前記光透過窓の領域に前
記高低差解消膜、あるいは前記島状パターンを形成しな
いことが望ましい。このように構成すると、光透過窓の
領域で露光ムラがあったとしても、この領域には感光性
樹脂による凹凸形状を形成する必要がないので、何ら問
題は生じない。

【００２７】本発明において、前記電気光学物質は、例
えば、液晶である。

【００２８】本発明を適用した電気光学装置は、モバイ
ルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表
示装置として用いることができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。

【００３０】［実施の形態１］（反射型電気光学装置の基本的な構成）図１は、本発明
を適用した電気光学装置を各構成要素とともに対向基板
の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ′断
面図である。図３は、電気光学装置の画像表示領域にお
いてマトリクス状に形成された複数の画素における各種
素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明
に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な
程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異な
らしめてある。

【００３１】図１および図２において、本形態の反射型
の電気光学装置１００は、シール材５２によって貼り合
わされたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間
に、電気光学物質としての液晶５０が挟持されており、
シール材５２の形成領域の内側領域には、遮光性材料か
らなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２
の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、および実
装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形
成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線
駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１
０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走
査線駆動回路１０４の間をつなぐための複数の配線１０
５が設けられており、更に、周辺見切り５３の下などを
利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられるこ
ともある。また、対向基板２０のコーナー部の少なくと
も１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板
２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０６
が形成されている。

【００３２】なお、データ線駆動回路１０１および走査
線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成す
る代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡ
Ｂ（テープオートメイテッド、ボンディング）基板を
ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群に対
して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続す
るようにしてもよい。なお、電気光学装置１００では、
使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッ
ドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モー
ド等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノー
マリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相
差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置されるが、
ここでは図示を省略してある。また、電気光学装置１０
０をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２
０において、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極（後述
する。）に対向する領域にＲＧＢのカラーフィルタをそ
の保護膜とともに形成する。

【００３３】このような構造を有する電気光学装置１０
０の画像表示領域１０ａにおいては、図３に示すよう
に、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されてい
るとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素電
極９ａ、およびこの画素電極９ａを駆動するための画素
スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信
号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ
線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数
のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよ
うにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線
３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、
走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍ
をこの順に線順次で印加するように構成されている。画
素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続さ
れており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期
間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａか
ら供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に
所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極
９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号
Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の
対向電極２１との間で一定期間保持される。

【００３４】ここで、液晶５０は、印加される電圧レベ
ルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、
光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイ
トモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこ
の液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリー
ブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射
光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大してい
く。その結果、全体として電気光学装置１００からは画
素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを
持つ光が出射される。

【００３５】なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・
・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９ａと
対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量
６０を付加することがある。このような構成を採用する
ことにより、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電
圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量
６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は
改善され、コントラスト比の高い電気光学装置１００が
実現できる。なお、蓄積容量６０を形成する方法として
は、図３に例示するように、蓄積容量６０を形成するた
めの配線である容量線３ｂとの間に形成する場合、ある
いは前段の走査線３ａとの間に形成する場合もいずれで
あってもよい。

【００３６】（ＴＦＴアレイ基板の構成）図４は、本形
態の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接す
る複数の画素群の平面図である。図５は、図４に示すＴ
ＦＴアレイ基板の画素群から走査線、データ線、容量線
などの配線、およびＴＦＴ３０を構成する導電膜のみを
抜き出して示す平面図であり、この図では、本形態の特
徴的な部分を太線で示してある。図６は、電気光学装置
の画素の一部を図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断
したときの断面図である。

【００３７】図４および図５において、ＴＦＴアレイ基
板１０上には、複数の透明なＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴ
ｉｎＯｘｉｄｅ）膜からなる画素電極９ａがマトリク
ス状に形成されており、これら各画素電極９ａに対して
画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続してい
る。また、画素電極９ａの縦横の境界に沿って、データ
線６ａ、走査線３ａ、および容量線３ｂが形成され、Ｔ
ＦＴ３０は、データ線６ａおよび走査線３ａに対して接
続している。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホ
ール１５を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに
電気的に接続し、走査線３ａは、その突出部分がＴＦＴ
３０のゲート電極を構成している。なお、蓄積容量６０
は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための
半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したものを下電極と
し、この下電極４１に容量線３ｂが上電極として重なっ
た構造になっている。

【００３８】このように構成した画素領域のＡ−Ａ′線
における断面は、図６に示すように、ＴＦＴアレイ基板
１０の基体たる透明な基板１０′の表面に、厚さが３０
０ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からな
る下地保護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表
面には、厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜
１ａが形成されている。半導体膜１ａの表面には、厚さ
が約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート
絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚
さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａが形成されて
いる。半導体膜１ａのうち、走査線３ａに対してゲート
絶縁膜２を介して対峙する領域がチャネル領域１ａ′に
なっている。このチャネル領域１ａ′に対して一方側に
は、低濃度ソース領域１ｂおよび高濃度ソース領域１ｄ
を備えるソース領域が形成され、他方側には、低濃度ド
レイン領域１ｃおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備える
ドレイン領域が形成されている。

【００３９】走査線３ａの表面側には、厚さが３００ｎ
ｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４
が形成されている。層間絶縁膜４の表面には、厚さが３
００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、この
データ線６ａは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクト
ホール１５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接
続している。層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａと同
時形成されたドレイン電極６ｂが形成され、このドレイ
ン電極６ｂは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホ
ール１６を介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接
続している。また、データ線６ａおよびドレイン電極６
ｂの表面には、厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍのシリコ
ン窒化膜からなる表面保護膜１４が形成されている。

【００４０】表面保護膜１４の表面には、透光性の感光
性樹脂からなる凹凸形成層１３ａが形成されている。ま
た、凹凸形成層１３ａの表面には、アルミニウム膜など
からなる光反射膜８ａが形成されている。従って、光反
射膜８ａの表面には、凹凸形成層１３ａが構成する凹凸
が反映されて凹凸パターン８ｇが形成されている。

【００４１】また、光反射膜８ａの上層にはＩＴＯ膜か
らなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａ
は、光反射膜８ａの表面に直接、積層され、画素電極９
ａと光反射膜８ａとは電気的に接続されている。また、
画素電極９ａは、凹凸形成層１３ａ、表面保護膜１４、
および層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール１７
を介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。

【００４２】ここで、ドレイン電極６ｂは、ＴＦＴ３０
の高濃度ソース領域１ｅと重なる位置から容量線３ｂと
交差して画素領域の略中央にまで延びており、ドレイン
電極６ｂと画素電極９ａは、画素領域の略中央でコンタ
クトホール１７を介して電気的に接続している。

【００４３】画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜か
らなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２
は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜で
ある。

【００４４】なお、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設
部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２ａと同
時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して容量線３ｂが
上電極として対向することにより、蓄積容量６０が構成
されている。

【００４５】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のよ
うにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、およ
び低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオ
ンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していても
よい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの
一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込
み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を
形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

【００４６】また、本形態では、ＴＦＴ３０のゲート電
極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個の
み配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に
２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々
のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。
このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいは
トリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネ
ルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防
止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これら
のゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフ
セット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定
したスイッチング素子を得ることができる。

【００４７】（凹凸パターンの詳細構成）図６に示すよ
うに、ＴＦＴアレイ基板１０において、光反射膜８ａの
表面には、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パター
ン８ｇが形成されており、本形態では、図４に示すよう
に、凹部８ｃ、およびそれを構成する凹凸形成層１３ａ
の凹部１３ｂを円形の平面形状で表してある。但し、凹
部８ｃ、および凹凸形成層１３ａの凹部１３ｂの平面形
状については、円角に限らず、楕円形や角形など、種々
の形状のものを採用することができる。

【００４８】このような凹凸パターン８ｇを構成するに
あたって、本形態のＴＦＴアレイ基板１０では、光反射
膜８ａの下層側のうち、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに
相当する領域には、透光性の感光性樹脂１３からなる凹
凸形成層１３ａが厚く形成されている一方、凹部８ｃに
相当する領域には、凹凸形成層１３ａの薄い凹部１３ｂ
が形成され、その上層側に形成される光反射膜８ａの表
面に光散乱用の凹凸パターン８ｇを付与している。

【００４９】ここで、凹凸形成層１３ａは、表面はエッ
ジのない、なだらかな形状になっている。このため、凹
凸形成層１３ａの上層に光反射膜８ａを直接、積層して
も、光反射膜８ａの表面にはエッジのない、なだらかな
形状の凹凸パターン８ｇが形成されている。

【００５０】このような凹凸形成層１３ａは、後述する
ように、ポジタイプの感光性樹脂１３を塗布した後、こ
の感光性樹脂１３に対して、露光マスクを介してのハー
フ露光、現像、および加熱を行ったものである。従っ
て、凹凸パターン８ｇの凹部８ｃに相当する領域では、
凹凸形成層１３ａを構成する感光性樹脂１３が厚さ方向
の途中位置まで露光、現像される結果、感光性樹脂１３
が完全に除去されずに薄く残った凹部１３ｂになってい
る。これに対して、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当
する領域では、凹凸形成層１３ａを構成する感光性樹脂
１３が露光されず、厚いまま残っている。また、ハーフ
露光、現像した後の感光性樹脂１３に対しては加熱処理
が施されているため、この加熱処理によって、感光性樹
脂１３が溶融する結果、凹凸形成層１３ａは、角張った
部分がなく、エッジのない、なだらかな形状になってい
る。

【００５１】ここで、ＴＦＴアレイ基板１０では、画素
１００ａ内に、半導体膜１ａの延設部分１ｆ、容量線３
ｂ、ドレイン電極６ｂが多層に形成されている第１領域
１０ａと、ドレイン電極６ｂは形成されているが、半導
体膜１ａの延設部分１ｆや容量線３ｂが形成されていな
い第２領域１０ｂと、半導体膜１ａの延設部分１ｆ、容
量線３ｂ、ドレイン電極６ｂのいずれもが形成されてい
ない第３領域１０ｃとが存在し、これらの領域のうち、
第３領域１０ｃには、容量線３ｂや走査線３ｂと同層の
高低差解消膜３ｆが２箇所、島状に形成されている。す
なわち、本形態では、容量線３ｂを挟む両側２箇所（容
量線３ｂおよびドレイン電極６ｂのいずれもが形成され
ていない領域）に高低差解消膜３ｆが形成されている。
このため、容量線３ｂおよびドレイン電極６ｂの有無に
起因する高低差は、高低差解消膜３ｆによって解消され
ている。また、第１領域１０ａと、第２領域１０ｂおよ
び第３領域１０ｃとは、半導体膜１ａ（延設部分１ｆ）
の膜厚に相当する高低差しかなく、この高低差は著しく
小さいので、第１領域１０ａ、第２領域１０ｂ、および
第３領域１０ｃには高低差がほとんどない。

【００５２】（対向基板の構成）なお、対向基板２０で
は、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画素電極９
ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリク
ス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光
膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる
対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の
上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成さ
れ、この配向膜２２は、ポリイミド膜に対してラビング
処理が施された膜である。

【００５３】（本形態の作用・効果）このように構成し
た半透過・反射型の電気光学装置１００では、画素電極
９ａの下層側に光反射膜８ａが形成されているため、対
向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側
で反射し、対向基板２０側から出射された光によって画
像を表示する（反射モード）。

【００５４】ここで、ＴＦＴアレイ基板１０では、走査
線３ａと同層の容量線３ｂ並びにゲート電極、ＴＦＴ３
０を構成する半導体膜１ａ、その延設部分１ｆ、データ
線６ａと同層のドレン電極６ｂが選択的に形成されてい
るため、これらの導電膜の形成層数に差があると、その
膜厚に相当する高低差が形成される。しかるに本形態で
は、導電膜の形成層数が少ない領域、すなわち、第３領
域１０ｃには、走査線３ａおよび容量線３ｂと同層の高
低差解消膜３ｆが形成され、この高低差解消膜３ｆによ
って、凹凸形成層１３ａの下層側では高低差が解消され
ている。従って、後述する工程において、感光性樹脂１
３に対する露光を行って凹凸形成層１３ａを形成する
際、第１領域１０ａ、第２領域１０ｂ、および第３領域
１０ｃのいずれの領域においても、感光性樹脂１３に対
して露光ムラが発生しない。

【００５５】また、高低差がある領域に感光性樹脂１３
を塗布すると、高い領域には感光性樹脂１３が薄く形成
される一方、低い領域には感光性樹脂１３が厚く形成さ
れる。このため、露光および現像の後、感光性樹脂を加
熱、溶融させて、なだらかな凹凸を表面に備えた凹凸形
成層１３ａを形成する際、高い領域では感光性樹脂１３
が薄いため、樹脂の垂れが小さいので、比較的大きな凹
凸が形成され、低い領域では感光性樹脂１３が厚いた
め、樹脂の垂れが大きいので、小さな凹凸が形成される
傾向にあるが、本形態では、このような問題も解消する
ことができる。

【００５６】また、導電膜が存在する領域と、存在しな
い領域とがあると、露光の際、導電膜から反射してくる
光の有無や強度によって露光ムラが発生するが、本形態
では、画素１００ａの略全体にわたって導電膜が形成さ
れているので、この点からいっても、露光ムラが発生し
ない。また、導電膜が存在する領域と、存在しない領域
とでは、熱の伝達性に差があって、温度ばらつきが発生
しやすいが、導電膜を略全体に形成しておけば、温度ば
らつきを圧縮できるので、感光性樹脂１３の硬化速度を
均一化できる。

【００５７】それ故、本形態によれば、凹凸形成層１３
ａを目論見どおりに形成できるので、光反射膜８ａの表
面に所望の凹凸パターン８ｇを形成することができる。

【００５８】しかも、画素電極９ａの下層側に高低差が
あると液晶５０の層厚が領域毎に異なることになるが、
本形態では、高低差が解消されているので、表示品位が
向上するという利点もある。

【００５９】また、本形態では、高低差解消膜３ｆを形
成するといっても、走査線３ａおよび容量線３ｂと同層
であるため、高低差解消膜３ｆを走査線３ａおよび容量
線３ｂと同時に形成することができ、新たな工程を追加
する必要がない。

【００６０】さらにまた、本形態において、凹凸形成層
１３ａは、それ自身、膜厚がなだらかに変化し、それに
より表面になだらかな凹凸を備えているため、凹凸形成
層１３ａの表面に、凹凸形成層１３ａのエッジを消すた
めの上層絶縁膜を形成しなくても、光反射膜８ａの表面
には、エッジのない、なだらかな光散乱用の凹凸パター
ン８ｇを付与することができる。よって、後述するよう
に、感光性樹脂１３に対する露光、現像を１回、行って
凹凸形成層１３ａを形成するだけで、光反射膜８ａの表
面になだらかな表面形状を備えた光散乱用の凹凸パター
ンを付与することができるので、電気光学装置１００の
生産効率を向上することができる。

【００６１】さらに、本形態において、画素電極９ａ
は、光反射膜８ａの上層に積層されているため、品位の
高い画像を表示することができる。すなわち、光反射膜
８ａとしては、金属膜が用いられる一方、対向基板２０
側にはＩＴＯ膜などの透明導電膜によって対向電極２１
が形成される。従って、異種材料の電極間に液晶５０を
配置すると、液晶５０に分極配向が発生するおそれがあ
るが、ＩＴＯ膜からなる画素電極９ａを光反射膜８ａの
上層に形成し、同一材料の電極間に液晶５０を配置すれ
ば、液晶５０に分極配向が発生するのを防止することが
できるので、表示した画像の品位を高めることができ
る。

【００６２】（ＴＦＴの製造方法）このような構成の電
気光学装置１００の製造工程のうち、ＴＦＴアレイ基板
１０の製造工程を、図７ないし図１０を参照して説明す
る。図７、図８、図９、および図１０はいずれも、本形
態のＴＦＴアレイ基板１０の製造方法を示す工程断面図
であり、いずれの図においても、図４のＡ−Ａ′線にお
ける断面に相当する。

【００６３】まず、図７（Ａ）に示すように、超音波洗
浄等により清浄化したガラス製等の基板１０′を準備し
た後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下でプ
ラズマＣＶＤ法により、基板１０′の全面に厚さが３０
０ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護
膜１１を形成する。このときの原料ガスとしては、たと
えばモノシランと笑気ガスとの混合ガスやＴＥＯＳと酸
素、あるいはジシランとアンモニアを用いることができ
る。

【００６４】次に、下地保護膜１１の表面に島状の半導
体膜１ａ（能動層）を形成する。それには、基板温度が
１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、基板１０′の全面
に、アモルファスのシリコン膜からなる半導体膜をプラ
ズマＣＶＤ法により３０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成
した後、半導体膜に対してレーザ光を照射してレーザア
ニールを施し、アモルファスの半導体膜を一度溶融させ
た後、冷却固化過程を経て結晶化させる。この際には、
各領域へのレーザ光の照射時間が非常に短時間であり、
かつ、照射領域も基板全体に対して局所的であるため、
基板全体が同時に高温に熱せられることがない。それ
故、基板１０′としてガラス基板などを用いても熱によ
る変形や割れ等が生じない。次に、半導体膜の表面にフ
ォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクを形成
し、このレジストマスクを介して半導体膜をエッチング
することにより、島状の半導体膜１ａを形成する。な
お、半導体膜１ａを形成するときの原料ガスとしては、
たとえばジシランやモノシランを用いることができる。

【００６５】次に、図７（Ｂ）に示すように、３５０℃
以下の温度条件下で、基板１０′の全面に厚さが５０ｎ
ｍ〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜
２を形成する。このときの原料ガスは、たとえばＴＥＯ
Ｓと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。ここ
で形成するゲート絶縁膜２は、シリコン酸化膜に代えて
シリコン窒化膜であってもよい。

【００６６】次に、図示を省略するが、所定のレジスト
マスクを介して半導体膜１ａの延設部分１ｆに不純物イ
オンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を
構成するための下電極を形成する。

【００６７】次に、図７（Ｃ）に示すように、走査線３
ａ（ゲート電極）および容量線３ｂを形成する。それに
は、スパッタ法などにより、基板１０′の全面にアルミ
ニウム膜、タンタル膜、モリブデン膜、またはこれらの
金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜を
３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリ
ソグラフィ技術を用いてレジストマスクを形成し、この
レジストマスクを介して導電膜をドライエッチングす
る。

【００６８】この際、本形態では、走査線３ａおよび容
量線３ｂと同層の高低差解消膜３ｆを、走査線３ａおよ
び容量線３ｂから分離した島状に形成する。

【００６９】次に、画素ＴＦＴ部および駆動回路のＮチ
ャネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａ（ゲ
ート電極）をマスクとして、約０．１×１０¹³／ｃｍ²
〜約１０×１０¹³／ｃｍ²のドーズ量で低濃度の不純物
イオン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対し
て自己整合的に低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレ
イン領域１ｃを形成する。ここで、走査線３ａの真下に
位置しているため、不純物イオンが導入されなかった部
分は半導体膜１ａのままのチャネル領域１ａ′となる。

【００７０】次に、図８（Ｄ）に示すように、走査線３
ａ（ゲート電極）より幅の広いレジストマスク５５５を
形成して高濃度の不純物イオン（リンイオン）を約０．
１×１０¹⁵／ｃｍ²〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ
量で打ち込み、高濃度ソース領域１ｄおよびドレイン領
域１ｅを形成する。

【００７１】これらの不純物導入工程に代えて、低濃度
の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広い
レジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およ
びドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａを
マスクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアラ
イン構造のソース領域およびドレイン領域を形成しても
よいことは勿論である。

【００７２】なお、図示を省略するが、このような工程
によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成
する。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を形成
する際には、画素部およびＮチャネルＴＦＴ部をレジス
トで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約０．
１×１０¹⁵／ｃｍ²〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ
量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己整合的に
Ｐチャネルのソース・ドレイン領域を形成する。この
際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同様、ゲート電極を
マスクとして、約０．１×１０¹³／ｃｍ²〜約１０×１
０¹³／ｃｍ²のドーズ量で低濃度の不純物（ボロンイオ
ン）を導入して、ポリシリコン膜に低濃度領域を形成し
た後、ゲート電極より幅の広いマスクを形成して高濃度
の不純物（ボロンイオン）を約０．１×１０¹⁵／ｃｍ²
〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ量で打ち込んで、Ｌ
ＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構造）のソ
ース領域およびドレイン領域を形成してもよい。また、
低濃度の不純物の打ち込みを行わずに、ゲート電極より
幅の広いマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およ
びドレイン領域を形成してもよい。これらのイオン打ち
込み工程によって、ＣＭＯＳ化が可能になり、周辺駆動
回路の同一基板内への内蔵が可能となる。

【００７３】次に、図８（Ｅ）に示すように、走査線３
ａの表面側にＣＶＤ法などにより、厚さが３００ｎｍ〜
８００ｎｍのシリコン酸化からなる層間絶縁膜４を形成
した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマス
クを形成し、このレジストマスクを介して層間絶縁膜４
をエッチングしてコンタクトホール１５、１６を形成す
る。層間絶縁膜４を形成するときの原料ガスは、たとえ
ばＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができ
る。

【００７４】次に、図８（Ｆ）に示すように、層間絶縁
膜４の表面側にデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂを
形成する。それには、アルミニウム膜、タンタル膜、モ
リブデン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分と
する合金膜からなる導電膜をスパッタ法などで３００ｎ
ｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてレジストマスクを形成し、このレジスト
マスクを介して導電膜にドライエッチングを行う。

【００７５】ここまでの工程が進んだ時点で、ＴＦＴア
レイ基板１０の表面は、図５に示すように表される。

【００７６】次に、図８（Ｇ）に示すように、データ線
６ａおよびドレイン電極６ｂに、厚さが１００ｎｍ〜３
００ｎｍのシリコン窒化膜からなる表面保護膜１４を形
成する。なお、この表面保護膜１４にも、コンタクトホ
ール１７を形成しておくが、このコンタクトホール１７
については、後の工程で形成してもよい。

【００７７】次に、図９（Ｈ）に示すように、スピンコ
ート法などを用いて、表面保護膜１４の表面にポジタイ
プの感光性樹脂１３を塗布した後、露光マスク２００を
介して感光性樹脂１３を露光する。ここで、露光マスク
２００では、図４および図５を参照して説明した凹凸パ
ターン８ｇの凹部８ｃに相当する領域が透光部２１０に
なっており、感光性樹脂１３のうち、凹凸パターン８ｇ
の凹部８ｃに相当する領域が選択的に露光される。但
し、ここで行う露光は、一般的な露光条件と比較して露
光時間が短い。このため、感光性樹脂１３は、露光深さ
を点線で示すように、厚さ方向の途中位置まで露光され
るだけである。

【００７８】次に、図９（Ｉ）に示すように、感光性樹
脂１３に現像を施して、感光性樹脂１３のうち、露光さ
れた部分を除去する。その結果、感光性樹脂１３は、凹
凸パターン８ｇの凹部８ｃに相当する領域（露光された
部分）には凹部１３ｂが形成される一方、凹凸パターン
８ｇの凸部８ｂに相当する領域（露光されなかった部
分）は厚いままである。

【００７９】このような露光の際、ＴＦＴアレイ基板１
０には、半導体膜１ａの延設部分１ｆ、容量線３ｂ、ド
レイン電極６ｂが多層に形成されている第１領域１０ａ
と、ドレイン電極６ｂは形成されているが、半導体膜１
ａの延設部分１ｆや容量線３ｂが形成されていない第２
領域１０ｂと、半導体膜１ａの延設部分１ｆ、容量線３
ｂ、ドレイン電極６ｂのいずれもが形成されていない第
３領域１０ｃとが存在するが、これらの領域のうち、第
３領域１０ｃには、容量線３ｂや走査線３ｂと同層の高
低差解消膜３ｆが島状に形成されている。このため、第
１領域１０ａ、第２領域１０ｂ、および第３領域１０ｃ
の間に大きな高低差がないので、感光性樹脂１３に対す
る露光を行う際、第１領域１０ａ、第２領域１０ｂ、お
よび第３領域１０ｃのいずれの領域においても、感光性
樹脂１３に対して露光ムラが発生しない。また、第１領
域１０ａ、第２領域１０ｂ、および第３領域１０ｃのい
ずれの領域にも、下層側に導電膜が存在するので、露光
の際、導電膜から反射してくる光の有無や強度ばらつき
によって露光ムラが発生することもない。それ故、感光
性樹脂１３において露光した部分の深さは、第１領域１
０ａ、第２領域１０ｂ、および第３領域１０ｃでばらつ
かない。

【００８０】このようにして感光性樹脂１３を現像した
後、感光性樹脂１３に対して加熱処理を行って、感光性
樹脂１３を溶融させる。その結果、図９（Ｊ）に示すよ
うに、感光性樹脂１３は、膜厚がなだらかに変化し、こ
の膜厚変化に対応して、表面になだらかな凹凸を備えた
凹凸形成層１３ａとなる。

【００８１】なお、凹凸形成層１３ａには、ドレイン電
極６ｂと画素電極９ａとを電気的に接続するためのコン
タクトホール１７を形成する必要がある。このようなコ
ンタクトホール１７を形成するには、例えば、図９
（Ｈ）に示す露光工程において、コンタクトホール１７
を形成する部分については、露光マスク２００を交換し
て露光時間を延長するなどの方法を採用することができ
る。

【００８２】次に、図１０（Ｋ）に示すように、凹凸形
成層１３ａの表面に光反射膜８ａを形成する。それに
は、凹凸形成層１３ａの表面にアルミニウムなどの金属
膜を形成した後、その表面に、フォトリソグラフィ技術
を用いてレジストマスクを形成し、このレジストマスク
を介して金属膜をパターニングする。

【００８３】このようにして形成した光反射膜８ａで
は、凹凸形成層１３ａの表面形状が反映されるので、光
反射膜８ａの表面には、エッジのない、なだらかな凹凸
パターン８ｇが形成される。

【００８４】次に、図１０（Ｌ）に示すように、光反射
膜８ａの表面に画素電極９ａを形成する。それには、光
反射膜８ａの表面側に厚さが４０ｎｍ〜２００ｎｍのＩ
ＴＯ膜をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラ
フィ技術を用いてレジストマスクを形成し、このレジス
トマスクを介してＩＴＯ膜をパターニングする。

【００８５】しかる後には、図５に示すように、画素電
極９ａの表面側にポリイミド膜（配向膜１２）を形成す
る。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリド
ンなどの溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミ
ド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷し
た後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド膜
を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定
方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配
列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミ
ド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列す
る。

【００８６】［実施の形態２］図１１は、実施の形態２
の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する
複数の画素群の平面図であり、この図では、本形態の特
徴的な部分を太線で示してある。図１２は、電気光学装
置の画素の一部を図１１のＢ−Ｂ′線に相当する位置で
切断したときの断面図である。なお、本形態の電気光学
装置の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるた
め、共通する機能を有する部分には、同一の符号を付し
て図示することにしてそれらの詳細な説明を省略する。

【００８７】図１１および図１２に示すように、本形態
のＴＦＴアレイ基板１０においても、光反射膜８ａの表
面には、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パターン
８ｇが形成されている。また、凹凸パターン８ｇを構成
するにあたって、本形態でも、光反射膜８ａの下層側の
うち、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当する領域に
は、透光性の感光性樹脂１３からなる凹凸形成層１３ａ
が厚く形成されている一方、凹部８ｃに相当する領域に
は、凹凸形成層１３ａの薄い凹部１３ｂが形成され、そ
の上層側に形成される光反射膜８ａの表面に光散乱用の
凹凸パターン８ｇを付与している。また、凹凸形成層１
３ａは、表面はエッジのない、なだらかな形状になって
いる。このため、凹凸形成層１３ａの上層に光反射膜８
ａを直接、積層しても、光反射膜８ａの表面にはエッジ
のない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇが形成され
ている。このような凹凸形成層１３ａは、実施の形態１
で説明したように、ポジタイプの感光性樹脂１３を塗布
した後、この感光性樹脂１３に対して、露光マスクを介
してのハーフ露光、現像、および加熱を行ったものであ
る。

【００８８】本形態でも、ＴＦＴアレイ基板１０では、
画素領域１００ａ内に、半導体膜１ａの延設部分１ｆ、
容量線３ｂ、ドレイン電極６ｂが多層に形成されている
第１領域１０ａと、ドレイン電極６ｂは形成されている
が、半導体膜１ａの延設部分１ｆや容量線３ｂが形成さ
れていない第２領域１０ｂと、半導体膜１ａの延設部分
１ｆ、容量線３ｂ、ドレイン電極６ｂのいずれもが形成
されていない第３領域１０ｃとが存在し、これらの領域
のうち、第３領域１０ｃに向けては、容量線３ｂから両
側に高低差解消膜３ｆが延設されている。すなわち、容
量線３ｂは、通常、帯状に画素領域を通っているのに対
して、本形態において、容量線３ｂと高低差解消膜３ｆ
は、ドレイン電極６ｂが形成されている領域を可能な限
り避けながら、一体となって画素領域１００ａの略全体
に形成されている。このため、容量線３やドレイン電極
６ｂの有無に起因する高低差は、高低差解消膜３ｆによ
って解消され、第１領域１０ａ、第２領域１０ｂ、およ
び第３領域１０ｃの間に大きな高低差がない。

【００８９】しかも、本形態では、ドレイン電極６ｂが
画素の中央に向かって延びる途中、容量線３ｂと交差す
る部分では、容量線３ｂが一部、切り欠かれているの
で、ドレイン電極６ｂと容量線３ｂとが重なる部分が極
めて狭い。このため、半導体膜１ａの延設部分１ｆ、容
量線３ｂ、ドレイン電極６ｂが多層に形成されている第
１領域１０ａが狭い。従って、画素の略全体が第２領域
１０ｂ、および第３領域１０ｃで占められ、かつ、第２
領域１０ｂと第３領域３ｃとの間には高低差がない。

【００９０】また、導電膜が存在する領域と、存在しな
い領域とがあると、露光の際、導電膜から反射してくる
光の有無や強度によって露光ムラが発生するが、本形態
では、画素領域１００ａの略全体にわたって導電膜が形
成されているので、この点からいっても、露光ムラが発
生しない。

【００９１】それ故、本形態によれば、感光性樹脂１３
に対するハーフ露光を行って凹凸形成層１３ａを形成す
る際、第１領域１０ａ、第２領域１０ｂ、および第３領
域１０ｃのいずれの領域においても、感光性樹脂１３に
対して露光ムラが発生しない。よって、凹凸形成層１３
ａを目論見どおりに形成できるので、光反射膜８ａの表
面に所望の凹凸パターン８ｇを形成することができる。

【００９２】また、本形態では、高低差解消膜３ｆを形
成するといっても、走査線３ａおよび容量線３ｂと同層
であるため、高低差解消膜３ｆを走査線３ａおよび容量
線３ｂと同時に形成することができ、新たな工程を追加
する必要がない。

【００９３】［実施の形態３］図１３は、実施の形態３
の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する
複数の画素群の平面図であり、この図では、本形態の特
徴的な部分を太線で示してある。図１４は、電気光学装
置の画素の一部を図１３のＣ−Ｃ′線に相当する位置で
切断したときの断面図である。なお、本形態の電気光学
装置の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるた
め、共通する機能を有する部分には、同一の符号を付し
て図示することにしてそれらの詳細な説明を省略する。

【００９４】図１３および図１４に示すように、本形態
のＴＦＴアレイ基板１０においても、光反射膜８ａの表
面には、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パターン
８ｇが形成されている。また、凹凸パターン８ｇを構成
するにあたって、本形態でも、光反射膜８ａの下層側の
うち、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当する領域に
は、透光性の感光性樹脂１３からなる凹凸形成層１３ａ
が厚く形成されている一方、凹部８ｃに相当する領域に
は、凹凸形成層１３ａの薄い凹部１３ｂが形成され、そ
の上層側に形成される光反射膜８ａの表面に光散乱用の
凹凸パターン８ｇを付与している。また、凹凸形成層１
３ａは、表面はエッジのない、なだらかな形状になって
いる。このため、凹凸形成層１３ａの上層に光反射膜８
ａを直接、積層しても、光反射膜８ａの表面にはエッジ
のない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇが形成され
ている。このような凹凸形成層１３ａは、実施の形態１
で説明したように、ポジタイプの感光性樹脂１３を塗布
した後、この感光性樹脂１３に対して、露光マスクを介
してのハーフ露光、現像、および加熱を行ったものであ
る。

【００９５】本形態でも、ＴＦＴアレイ基板１０では、
画素領域１００ａ内に、半導体膜１ａの延設部分１ｆ、
容量線３ｂ、ドレイン電極６ｂが多層に形成されている
第１領域１０ａと、ドレイン電極６ｂは形成されている
が、半導体膜１ａの延設部分１ｆや容量線３ｂが形成さ
れていない第２領域１０ｂと、半導体膜１ａの延設部分
１ｆ、容量線３ｂ、ドレイン電極６ｂのいずれもが形成
されていない第３領域１０ｃとが存在し、これらの領域
のうち、第３領域１０ｃには、データ線６ａやドレイン
電極６ｂと同層の高低差解消膜６ｆが２箇所、島状に形
成されている。すなわち、本形態では、容量線３ｂを挟
む両側２箇所（容量線３ｂおよびドレイン電極６ｂのい
ずれもが形成されていない領域）に高低差解消膜６ｆが
形成されている。このため、容量線３ｂおよびドレイン
電極６ｂの有無に起因する高低差は、高低差解消膜６ｆ
によって解消され、第１領域１０ａ、第２領域１０ｂ、
および第３領域１０ｃには高低差がほとんどない。

【００９６】また、導電膜が存在する領域と、存在しな
い領域とがあると、露光の際、導電膜から反射してくる
光の有無や強度によって露光ムラが発生するが、本形態
では、画素領域１００ａの略全体にわたって導電膜が形
成されているので、この点からいっても、露光ムラが発
生しない。

【００９７】それ故、本形態によれば、感光性樹脂１３
に対するハーフ露光を行って凹凸形成層１３ａを形成す
る際、第１領域１０ａ、第２領域１０ｂ、および第３領
域１０ｃのいずれの領域においても、感光性樹脂１３に
対して露光ムラが発生しない。よって、凹凸形成層１３
ａを目論見どおりに形成できるので、光反射膜８ａの表
面に所望の凹凸パターン８ｇを形成することができる。

【００９８】また、本形態では、高低差解消膜６ｆを形
成するといっても、データ線６ａおよびドレイン電極６
と同層であるため、高低差解消膜６ｆをデータ線６ａお
よびドレイン電極６と同時に形成することができ、新た
な工程を追加する必要がない。

【００９９】［実施の形態４］図１５は、実施の形態４
の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する
複数の画素群の平面図であり、この図では、本形態の特
徴的な部分を太線で示してある。図１６は、電気光学装
置の画素の一部を図１５のＤ−Ｄ′線に相当する位置で
切断したときの断面図である。なお、本形態の電気光学
装置の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるた
め、共通する機能を有する部分には、同一の符号を付し
て図示することにしてそれらの詳細な説明を省略する。

【０１００】図１３および図１４に示すように、本形態
のＴＦＴアレイ基板１０においても、ＴＦＴ３０のドレ
イン電極６ｂは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクト
ホール１６を介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に
接続しているが、このドレイン電極６ｂと画素電極９ａ
とは、コンタクトホール１６と略重なる位置に形成され
たコンタクトホール１７を介して電気的に接続してい
る。このため、ドレイン電極６ｂは、実施の形態１と違
って、極めて狭い領域に形成され、容量線３ｂと交差し
ていない。

【０１０１】また、本形態でも、光反射膜８ａの表面に
は、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パターン８ｇ
が形成されている。このような凹凸パターン８ｇを構成
するにあたって、本形態でも、光反射膜８ａの下層側の
うち、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当する領域に
は、透光性の感光性樹脂１３からなる凹凸形成層１３ａ
が厚く形成されている一方、凹部８ｃに相当する領域に
は、凹凸形成層１３ａの薄い凹部１３ｂが形成され、そ
の上層側に形成される光反射膜８ａの表面に光散乱用の
凹凸パターン８ｇを付与している。また、凹凸形成層１
３ａは、表面はエッジのない、なだらかな形状になって
いる。このため、凹凸形成層１３ａの上層に光反射膜８
ａを直接、積層しても、光反射膜８ａの表面にはエッジ
のない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇが形成され
ている。このような凹凸形成層１３ａは、実施の形態１
で説明したように、ポジタイプの感光性樹脂１３を塗布
した後、この感光性樹脂１３に対して、露光マスクを介
してのハーフ露光、現像、および加熱を行ったものであ
る。

【０１０２】本形態のＴＦＴアレイ基板１０において、
ドレイン電極６ｂは、極めて狭い領域に形成され、容量
線３ｂと交差していないので、容量線３ｂとドレイン電
極６ｂとが多層に形成されている領域が存在しない。ま
た、ドレイン電極３ｂおよび容量線３ｂのいずれもが形
成されていない領域１０ｄに向けては、容量線３ｂから
両側に高低差解消膜３ｆが延設されている。すなわち、
容量線３ｂは、通常、帯状に画素領域を通っているのに
対して、本形態において、容量線３ｂと高低差解消膜３
ｆは、ドレイン電極６ｂなどが形成されている領域を可
能な限り避けながら、一体となって画素領域の略全体に
形成されている。このため、容量線３の有無に起因する
高低差は、高低差解消膜３ｆによって解消され、略全域
にわたって大きな高低差がない。

【０１０３】また、導電膜が存在する領域と、存在しな
い領域とがあると、露光の際、導電膜から反射してくる
光の有無や強度によって露光ムラが発生するが、本形態
では、画素１００ａの略全体にわたって導電膜が形成さ
れているので、この点からいっても、露光ムラが発生し
ない。

【０１０４】それ故、本形態によれば、感光性樹脂１３
に対するハーフ露光を行って凹凸形成層１３ａを形成す
る際、いずれの領域においても、感光性樹脂１３に対し
て露光ムラが発生しない。よって、凹凸形成層１３ａを
目論見どおりに形成できるので、光反射膜８ａの表面に
所望の凹凸パターン８ｇを形成することができる。

【０１０５】また、本形態では、高低差解消膜３ｆを形
成するといっても、走査線３ａおよび容量線３ｂと同層
であるため、高低差解消膜３ｆを走査線３ａおよび容量
線３ｂと同時に形成することができ、新たな工程を追加
する必要がない。

【０１０６】［実施の形態５］図１７は、実施の形態５
の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する
複数の画素群の平面図であり、この図では、本形態の特
徴的な部分を太線で示してある。図１８は、電気光学装
置の画素の一部を図１７のＥ−Ｅ′線に相当する位置で
切断したときの断面図である。なお、本形態の電気光学
装置の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるた
め、共通する機能を有する部分には、同一の符号を付し
て図示することにしてそれらの詳細な説明を省略する。

【０１０７】図１７および図１８に示すように、本形態
のＴＦＴアレイ基板１０においても、ＴＦＴ３０のドレ
イン電極６ｂは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクト
ホール１６を介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に
接続しているが、このドレイン電極６ｂと画素電極９ａ
とは、コンタクトホール１６と略重なる位置に形成され
たコンタクトホール１７を介して電気的に接続してい
る。このため、ドレイン電極６ｂは、実施の形態１と違
って、極めて狭い領域に形成され、容量線３ｂと交差し
ていない。

【０１０８】また、本形態でも、光反射膜８ａの表面に
は、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パターン８ｇ
が形成されている。このような凹凸パターン８ｇを構成
するにあたって、本形態でも、光反射膜８ａの下層側の
うち、凹凸パターン８ｇの凸部８ｂに相当する領域に
は、透光性の感光性樹脂１３からなる凹凸形成層１３ａ
が厚く形成されている一方、凹部８ｃに相当する領域に
は、凹凸形成層１３ａの薄い凹部１３ｂが形成され、そ
の上層側に形成される光反射膜８ａの表面に光散乱用の
凹凸パターン８ｇを付与している。また、凹凸形成層１
３ａは、表面はエッジのない、なだらかな形状になって
いる。このため、凹凸形成層１３ａの上層に光反射膜８
ａを直接、積層しても、光反射膜８ａの表面にはエッジ
のない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇが形成され
ている。このような凹凸形成層１３ａは、実施の形態１
で説明したように、ポジタイプの感光性樹脂１３を塗布
した後、この感光性樹脂１３に対して、露光マスクを介
してのハーフ露光、現像、および加熱を行ったものであ
る。

【０１０９】本形態のＴＦＴアレイ基板１０において、
ドレイン電極６ｂは、極めて狭い領域に形成され、容量
線３ｂと交差していないので、容量線３ｂとドレイン電
極６ｂとが多層に形成されている領域が存在しない。ま
た、ドレイン電極３ｂおよび容量線３ｂのいずれもが形
成されていない領域１０ｄには、データ線６ａやドレイ
ン電極６ｂと同層の高低差解消膜６ｆが２箇所、島状に
形成されている。すなわち、本形態では、容量線３ｂを
挟む両側２箇所（容量線３ｂおよびドレイン電極６ｂの
いずれもが形成されていない領域）に高低差解消膜６ｆ
が形成されている。このため、容量線３の有無に起因す
る高低差は、高低差解消膜６ｆによって解消され、略全
域にわたって大きな高低差がない。

【０１１０】また、導電膜が存在する領域と、存在しな
い領域とがあると、露光の際、導電膜から反射してくる
光の有無や強度によって露光ムラが発生するが、本形態
では、画素１００ａの略全体にわたって導電膜が形成さ
れているので、この点からいっても、露光ムラが発生し
ない。

【０１１１】それ故、本形態によれば、感光性樹脂１３
に対するハーフ露光を行って凹凸形成層１３ａを形成す
る際、いずれの領域においても、感光性樹脂１３に対し
て露光ムラが発生しない。よって、凹凸形成層１３ａを
目論見どおりに形成できるので、光反射膜８ａの表面に
所望の凹凸パターン８ｇを形成することができる。

【０１１２】また、本形態では、高低差解消膜６ｆを形
成するといっても、走査線３ａおよび容量線３ｂと同層
であるため、高低差解消膜６ｆを走査線３ａおよび容量
線３ｂと同時に形成することができ、新たな工程を追加
する必要がない。

【０１１３】［実施の形態６］図１９（Ａ）、（Ｂ）は
いずれも、本発明の実施の形態６の電気光学装置の画素
の一部を切断したときの断面図である。なお、本形態の
電気光学装置の基本的な構成は、実施の形態１と同様で
あるため、共通する機能を有する部分には、同一の符号
を付して図示することにしてそれらの詳細な説明を省略
する。

【０１１４】実施の形態１ないし５では、高低差解消膜
として導電膜を形成した例であったが、本形態では、図
１９（Ａ）に示すように、高低差解消膜として絶縁膜を
利用している。

【０１１５】すなわち、本形態でも、実施の形態１と同
様、光反射膜８ａの表面には、凸部８ｂおよび凹部８ｃ
を備えた凹凸パターン８ｇが形成され、かつ、走査線３
ａと同層の容量線３ｂ並びにゲート電極、ＴＦＴ３０を
構成する半導体膜１ａ、その延設部分１ｆ、データ線６
ａと同層のドレン電極６ｂが選択的に形成されている。
このため、これらの導電膜の形成層数に差があると、光
反射膜８ａの下層側では、導電膜の膜数や膜厚に相当す
る高低差が形成される。しかるに本形態では、導電膜の
形成層数が少ない領域、すなわち、第３領域１０ｃに
は、下地絶縁膜１１と同層の高低差解消膜１１ｆが形成
されている一方、第３領域１０ｃより導電膜の形成層数
が多い第２領域１０ｂには、下地保護膜１１と同層の絶
縁膜が形成されていない。従って、第２領域１０ｂと第
３領域１０ｃとでは、高低差解消膜１１ｆによって、凹
凸形成層１３ａの下層側の高低差が解消されている。

【０１１６】それ故、感光性樹脂１３に対する露光を行
って凹凸形成層１３ａを形成する際、第１領域１０ａ、
第２領域１０ｂ、および第３領域１０ｃのいずれの領域
においても、感光性樹脂１３に対して露光ムラが発生し
ないので、所望の凹凸形成層１３ａを形成できるなど、
実施の形態１と略同様な効果を奏する。

【０１１７】その他の構成は、実施の形態１と同様であ
るため、共通する部分には同一の符号を付して図示する
ことにして、それらの説明を省略する。

【０１１８】なお、図１９（Ａ）には、高低差解消膜１
１ｆとして、下地保護膜１１と同層の絶縁膜を利用した
例を示してあるが、図１９（Ｂ）に示すように、下地保
護膜１１を形成しない場合にも、高低差解消膜１１ｆと
しての絶縁膜を形成してもよい。また、絶縁膜からなる
高低差解消膜を形成するにあたっては、例えば、層間絶
縁膜４を選択的に形成してもよい。

【０１１９】［実施の形態７］図２０は、本発明の実施
の形態７の電気光学装置の画素の一部を切断したときの
断面図である。なお、本形態の電気光学装置の基本的な
構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する機能
を有する部分には、同一の符号を付して図示することに
してそれらの詳細な説明を省略する。

【０１２０】図２０に示すように、本形態では、光反射
膜８ａの表面に、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸
パターン８ｇを構成するにあたって、感光性樹脂１３を
完全露光して凹凸形成層１３ａを所定パターンで選択的
に残し、凹凸形成層１３ａの有無によって光反射膜８ａ
の表面に凹凸パターン８ｇを付与してもよい。このよう
な場合には、凹凸形成層１３ａにエッジが発生するの
で、凹凸形成層１３ａの上層にもう１層、流動性の高い
感光性樹脂層からなる上層絶縁膜７ａを塗布、形成した
後、その上層側に光反射膜８ａを形成する．このような
形態においても本発明を適用してもよい。すなわち、図
示および説明を省略するが、凹凸形成層１３ａの下層側
に高低差があると、露光ムラが発生するので、実施の形
態１ないし５で説明した高低差解消膜を形成する。

【０１２１】［実施の形態８］図２１は、本発明の実施
の形態８の電気光学装置の画素の一部を切断したときの
断面図である。なお、本形態の電気光学装置の基本的な
構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する機能
を有する部分には、同一の符号を付して図示することに
してそれらの詳細な説明を省略する。

【０１２２】実施の形態１ないし７では、画素の略全域
に光反射膜８ａを形成した全反射型の電気光学装置１０
０の例であったが、図２１に示すように、光反射膜８ａ
に光透過窓８ｄを形成し、かつ、凹凸形成層１３ａにつ
いては、光透過窓８ｄを避けるように形成すれば、半透
過・反射型の電気光学装置１００を構成することができ
る。すなわち、光透過窓８ｄに相当する部分には、ＩＴ
Ｏ膜からなる画素電極９ａは存在するが、光反射膜８ａ
が存在しないので、ＴＦＴアレイ基板１０の側にバック
ライト装置（図示せず）を配置し、このバックライト装
置から出射された光をＴＦＴアレイ基板１０の側から入
射させれば、光反射膜８ａが形成されていない光透過窓
８ｄに向かう光は、光透過窓８ｄを介して対向基板２０
側に透過し、表示に寄与する（透過モード）。

【０１２３】このような形態においても本発明を適用し
てもよい。すなわち、図示および説明を省略するが、凹
凸形成層１３ａの下層側に高低差があると、露光ムラが
発生するので、実施の形態１ないし５で説明した高低差
解消膜を形成する。ただし、先にも説明したように、光
透過窓の領域には、高低差解消膜を形成しないほうが望
ましい。

【０１２４】［その他の実施の形態］上記形態では、画
素電極９ａを光反射膜８ａの上層側に積層したが、液晶
５０の分極配向が問題とならない場合には、画素電極９
ａを光反射膜８ａの下層側に積層してもよい。

【０１２５】また、全反射型の電気光学装置１００の場
合には、画素電極９ａを形成せずに、光反射膜８ａのみ
を画素電極として用いてもよい。

【０１２６】さらに、上記形態では、画素スイッチング
用のアクティブ素子としてＴＦＴを用いた例を説明した
が、アクティブ素子としてＭＩＭ（ＭｅｔａｌＩｎｓ
ｕｌａｔｏｒＭｅｔａｌ）素子などの薄膜ダイオード
素子（ＴＦＤ素子／ＴｈｉｎＦｉｌｍＤｉｏｄｅ素
子）を用いた場合も同様である。

【０１２７】［電気光学装置の電子機器への適用］この
ように構成した半透過・反射型の電気光学装置１００
は、各種の電子機器の表示部として用いることができる
が、その一例を、図２２、図２３、および図２４を参照
して説明する。

【０１２８】図２２は、本発明に係る電気光学装置を表
示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック
図である。

【０１２９】図２２において、電子機器は、表示情報出
力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイ
ミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有す
る。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および
駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述し
た電気光学装置１００を用いることができる。

【０１３０】表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
ＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
ＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種
ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示
情報を表示情報処理回路７１に供給する。

【０１３１】表示情報処理回路７１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ
供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を
供給する。

【０１３２】図２３は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キ
ーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット
８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電
気光学装置１００を含んで構成される。

【０１３３】図２４は、本発明に係る電子機器の他の実
施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯
電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気
光学装置１００からなる表示部とを有している。

【０１３４】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る反射
型電気光学装置において、反射型の電気光学装置におい
て、各種配線やアクティブ素子を構成する導電膜の形成
層数に差があると、その膜厚に相当する高低差、段差が
形成されるが、本発明では、導電膜の形成層数が少ない
領域に高低差解消膜が形成されており、この高低差解消
膜によって、凹凸形成層の下層側では高低差、段差が解
消されている。従って、感光性樹脂に対する露光を行っ
て凹凸形成層を形成する際、高所部分と低所部分との間
に顕著な高低差がないため、露光ムラが発生しない。ま
た、高低差がある領域に感光性樹脂を塗布すると、高い
領域には感光性樹脂が薄く形成される一方、低い領域に
は感光性樹脂が厚く形成されるため、露光および現像の
後、感光性樹脂を加熱、溶融させて、なだらかな凹凸を
表面に備えた凹凸形成層を形成する際、高い領域では感
光性樹脂が薄いため、樹脂の垂れが小さいので、比較的
大きな凹凸が形成される傾向にあるが、本発明では、こ
のような問題も解消することができる。それ故、凹凸形
成層を目論見どおりに形成できるので、光反射膜の表面
に所望の凹凸パターンを形成することができる。また、
高低差解消膜は、配線を構成する導電膜、アクティブ素
子を構成する導電膜、あるいは絶縁膜から形成されてい
るため、高低差解消膜を形成するにあたって製造工程を
追加する必要がない。さらに、画素電極の下層側に高低
差があると液晶などの電気光学物質層の層厚が領域毎に
異なることになるが、本発明では、高低差が解消されて
いるので、表示品位が向上するという利点もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電気光学装置を対向基板の側か
らみたときの平面図である。

【図２】図１のＨ−Ｈ′線における断面図である。

【図３】電気光学装置において、マトリクス状に配置
された複数の画素に形成された各種素子、配線などの等
価回路図である。

【図４】本発明の実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基
板の画素構成を示す平面図である。

【図５】図４に示すＴＦＴアレイ基板の画素群から配
線、およびＴＦＴを構成する導電膜のみを抜き出して示
す平面図である。

【図６】図４のＡ−Ａ′線に相当する位置での電気光
学装置の断面図である。

【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、図５に示すＴＦＴアレイ
基板の製造方法を示す工程断面図である。

【図８】（Ｄ）〜（Ｇ）は、図５に示すＴＦＴアレイ
基板の製造方法を示す工程断面図である。

【図９】（Ｈ）〜（Ｊ）は、図５に示すＴＦＴアレイ
基板の製造方法を示す工程断面図である。

【図１０】（Ｋ）、（Ｌ）は、図５に示すＴＦＴアレ
イ基板の製造方法を示す工程断面図である。

【図１１】本発明の実施の形態２に係るＴＦＴアレイ
基板の画素構成を示す平面図である。

【図１２】図１１のＢ−Ｂ′線に相当する位置での電
気光学装置の断面図である。

【図１３】本発明の実施の形態３に係るＴＦＴアレイ
基板の画素構成を示す平面図である。

【図１４】図１３のＣ−Ｃ′線に相当する位置での電
気光学装置の断面図である。

【図１５】本発明の実施の形態４に係るＴＦＴアレイ
基板の画素構成を示す平面図である。

【図１６】図１５のＤ−Ｄ′線に相当する位置での電
気光学装置の断面図である。

【図１７】本発明の実施の形態５に係るＴＦＴアレイ
基板の画素構成を示す平面図である。

【図１８】図１７のＥ−Ｅ′線に相当する位置での電
気光学装置の断面図である。

【図１９】（Ａ）、（Ｂ）はいずれも、本発明の実施
の形態６に係る電気光学装置の断面図である。

【図２０】本発明の実施の形態７に係る電気光学装置
の断面図である。

【図２１】本発明の実施の形態８に係る電気光学装置
の断面図である。

【図２２】本発明に係る電気光学装置を表示装置とし
て用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。

【図２３】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機
器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピ
ュータを示す説明図である。

【図２４】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機
器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。

【図２５】従来のＴＦＴアレイ基板の画素構成を示す
平面図である。

【図２６】図２５のＧ−Ｇ′線に相当する位置での電
気光学装置の断面図である。

【図２７】従来のＴＦＴアレイ基板に凹凸形成層を形
成するための感光性樹脂に対する露光工程の説明図であ
る。

【符号の説明】

１ａ半導体膜、２ゲート絶縁膜、３ａ走査線、３
ｂ容量線、３ｆ、６ｆ高低差解消膜、４層間絶縁
膜、６ａデータ線、６ｂドレイン電極、８ａ光反射
膜、８ｂ凹凸パターンの凸部、８ｃ凹凸パターンの
凹部、８ｄ光透過窓、８ｇ光反射膜表面の凹凸パタ
ーン、９ａ画素電極、１０ＴＦＴアレイ基板、１１
下地保護膜、１１f 高低差解消膜、１３感光性樹
脂、１３ａ凹凸形成層、２０対向基板、２１対向
電極、３０画素スイッチング用のＴＦＴ、５０液
晶、６０蓄積容量、１００電気光学装置、１００ａ
画素

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２７Ａ 29/786 Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA07X FA07Z FA11X FA11Z FA14Y FA35Y FA41Z GA01 GA02 GA07 GA09 GA11 GA12 GA13 GA16 LA17 LA30 2H092 GA11 GA51 JA03 JA24 JA34 JA37 JA41 JA46 JB22 JB31 MA05 MA08 MA10 MA13 MA16 MA17 MA22 MA30 NA25 PA01 PA04 PA06 PA08 PA09 PA10 PA11 PA12 PA13 5C094 AA03 AA43 AA55 BA03 BA43 CA19 DA13 EA04 EA06 EB02 ED11 ED13 FA04 FB01 FB15 5F110 AA18 BB01 BB02 BB04 CC02 DD02 DD13 DD24 EE03 EE04 EE06 EE44 FF02 FF03 FF23 FF26 FF29 GG02 GG13 GG25 GG45 HJ01 HJ04 HJ13 HL03 HL04 HL06 HL23 HM14 HM15 NN02 NN03 NN04 NN23 NN24 NN27 NN35 NN36 NN40 NN72 NN73 NN80 PP03 QQ01 QQ08 QQ11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気光学物質を挟持する基板上には、各
画素毎に少なくとも、一つ又は複数の配線に電気的に接
続する画素スイッチング用のアクティブ素子と、光反射
膜とが形成され、該光反射膜の下層側で当該光反射膜と
平面的に重なる領域には前記光反射膜の表面に所定の凹
凸パターンを付与する凹凸形成層が形成された反射型電
気光学装置において、前記凹凸形成層の下層側で当該凹凸形成層と平面的に重
なる領域には、前記アクティブ素子を形成する導電膜の
有無によって形成される高低差を解消するための高低差
解消膜が形成され、当該高低差解消膜には、前記配線を構成する導電膜、前
記アクティブ素子を構成する導電膜、および絶縁膜のう
ちの少なくとも一層から形成されてなることを特徴とす
る反射型電気光学装置。
【請求項２】請求項１において、前記高低差解消膜
は、前記配線を構成する導電膜、あるいは前記アクティ
ブ素子を構成する導電膜と同層に同時形成されてなるこ
とを特徴とする反射型電気光学装置。
【請求項３】請求項１において、前記高低差解消膜
は、前記アクティブ素子を形成する導電膜の形成層数が
少ない領域に対して選択的に形成されていることにより
前記高低差を解消していることを特徴とする反射型電気
光学装置。
【請求項４】請求項１において、前記アクティブ素子
は、前記配線としての走査線およびデータ線に接続する
薄膜トランジスタであり、前記高低差解消膜には、前記走査線と同層に同時形成さ
れた導電膜、および前記データ線と同層に同時形成され
た導電膜のうちの少なくとも一方が含まれていることを
特徴とする反射型電気光学装置。
【請求項５】請求項１において、前記アクティブ素子
は、前記配線としての走査線およびデータ線に接続する
薄膜トランジスタであり、かつ、前記画素には蓄積容量
を構成するための容量線が形成され、前記高低差解消膜には、前記走査線と同層に同時形成さ
れた導電膜、前記容量線と同層に同時形成された導電
膜、および前記データ線と同層に同時形成された導電膜
のうちの少なくとも一層が含まれていることを特徴とす
る反射型電気光学装置。
【請求項６】請求項２において、前記高低差解消膜
は、前記配線、あるいは前記アクティブ素子を構成する
導電膜から分離して島状に形成されていることを特徴と
する反射型電気光学装置。
【請求項７】請求項２において、前記高低差解消膜
は、前記配線、あるいは前記アクティブ素子を構成する
導電膜から延設されていることを特徴とする反射型電気
光学装置。
【請求項８】請求項１において、前記凹凸形成層は、
なだらかな膜厚変化に対応する凹凸を表面に備えた感光
性樹脂からなり、前記光反射膜の表面には、前記凹凸形成層の表面に形成
された凹凸が反映されて前記凹凸パターンが形成されて
いることを特徴とする反射型電気光学装置。
【請求項９】請求項８において、前記凹凸形成層は、
感光性樹脂に対する露光マスクを介してのハーフ露光、
および現像によって形成されてなることを特徴とする反
射型電気光学装置。
【請求項１０】請求項１において、前記凹凸形成層
は、所定のパターンに選択的に形成された感光性樹脂か
らなり、前記光反射膜の表面には、前記凹凸形成層の有無に対応
して前記凹凸パターンが形成されていることを特徴とす
る反射型電気光学装置。
【請求項１１】請求１０において、前記凹凸形成層
は、感光性樹脂に対する露光マスクを介しての露光、お
よび現像によって形成されてなることを特徴とする反射
型電気光学装置。
【請求項１２】請求項１０において、前記凹凸形成層
の上層には上層絶縁膜が形成され、前記光反射膜の表面
には、前記凹凸形成層が構成する凹凸が当該上層絶縁膜
を介して反映されて前記凹凸パターンが形成されている
ことを特徴とする反射型電気光学装置。
【請求項１３】請求項１において、前記凹凸形成層
は、前記画素の略全域にわたって形成されていることを
特徴とする反射型電気光学装置。
【請求項１４】請求項１において、前記光反射膜に光
透過窓が形成されていることを特徴とする反射型電気光
学装置。
【請求項１５】請求項１において、前記光反射膜に光
透過窓が形成され、該光透過窓と平面的に重なる領域を
避けて前記高低差解消膜が形成されていることを特徴と
する反射型電気光学装置。
【請求項１６】電気光学物質を挟持する基板上には、
各画素毎に少なくとも、一つ又は複数の配線に電気的に
接続する画素スイッチング用のアクティブ素子と、光反
射膜とが形成され、該光反射膜の下層側で当該光反射膜
と平面的に重なる領域には前記光反射膜の表面に所定の
凹凸パターンを付与する凹凸形成層が形成された反射型
電気光学装置において、前記凹凸形成層の下層側で当該凹凸形成層と平面的に重
なる領域には、電気的に他の領域から絶縁された島状パ
ターンが形成され、該島状パターンは、前記配線を構成
する導電膜、および前記アクティブ素子を構成する導電
膜のうちの少なくとも一層から形成されてなることを特
徴とする反射型電気光学装置。
【請求項１７】請求項１６において、前記凹凸形成層
は、なだらかな膜厚変化に対応する凹凸を表面に備えた
感光性樹脂からなり、前記光反射膜の表面には、前記凹凸形成層の表面に形成
された凹凸が反映されて前記凹凸パターンが形成されて
いることを特徴とする反射型電気光学装置。
【請求項１８】請求項１７において、前記凹凸形成層
は、感光性樹脂に対する露光マスクを介してのハーフ露
光、および現像によって形成されてなることを特徴とす
る反射型電気光学装置。
【請求項１９】請求項１６において、前記凹凸形成層
は、所定のパターンに選択的に形成された感光性樹脂か
らなり、前記光反射膜の表面には、前記凹凸形成層の有無に対応
して前記凹凸パターンが形成されていることを特徴とす
る反射型電気光学装置。
【請求項２０】請求１９において、前記凹凸形成層
は、感光性樹脂に対する露光マスクを介しての露光、お
よび現像によって形成されてなることを特徴とする反射
型電気光学装置。
【請求項２１】請求項１９において、前記凹凸形成層
の上層には上層絶縁膜が形成され、前記光反射膜の表面
には、前記凹凸形成層が構成する凹凸が当該上層絶縁膜
を介して反映されて前記凹凸パターンが形成されている
ことを特徴とする反射型電気光学装置。
【請求項２２】請求項１６において、前記凹凸形成層
は、前記画素の略全域にわたって形成されていることを
特徴とする反射型電気光学装置。
【請求項２３】請求項１６において、前記光反射膜に
光透過窓が形成されていることを特徴とする反射型電気
光学装置。
【請求項２４】請求項１６において、前記光反射膜に
光透過窓が形成され、該光透過窓と平面的に重なる領域
を避けて前記島状パターンが形成されていることを特徴
とする反射型電気光学装置。
【請求項２５】請求項１ないし２４のいずれかにおい
て、前記電気光学物質は、液晶であることを特徴とする
反射型電気光学装置。
【請求項２６】請求項１ないし２４のいずれかに規定
する反射型電気光学装置を表示装置として用いたことを
特徴とする電子機器。
【請求項２７】請求項２６において、前記電気光学物
質は、液晶であることを特徴とする電子機器。