JP2003076300A - 電気光学装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 正反射する反射成分の強さを低減することが
可能で、、若干傾斜させた表示画面に対して、十分な明
るさとコントラストを実現することができる電気光学装
置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 反射電極９の、コンタクト孔１５の側壁
に配設された部分及び電圧供給配線６ｂと電気的に接続
された部分の形状が、コンタクト孔１５の側壁に配設さ
れた部分に、基板１０に対して垂直な平面で切断した断
面が逆台形状又は椀形状の曲面からなる傾斜を有すると
ともに、電圧供給配線６ｂと電気的に接続された部分
に、基板１０に対して垂直な平面で切断した断面が皿形
状の緩やかな凹曲面を有する、全体としてスリ鉢形状に
することによって、コンタクト部からの正反射成分を低
減する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置及び
その製造方法に関する。さらに詳しくは、反射電極から
反射される反射光のうち、反射角度（θ）が０°（基板
の法線方向）で正反射する反射成分の強さを低減するこ
とが可能で、使用者の顔等の映り込みを有効に防止する
ことができるとともに、若干傾斜させた表示画面に対し
て、十分な明るさとコントラストを実現することができ
る電気光学装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電気光学装置（例えば、液晶表示装置、
ＥＬ発光表示装置等）は、携帯電話機、モバイルコンピ
ュータ等の各種機器の直視型の表示装置として広く用い
られている。このような電気光学装置のうち、例えば、
アクティブマトリクス型で、反射型の液晶表示装置にお
いては、図１７に示すように、対向配置されたＴＦＴア
レイ基板１０と対向基板２０とがシール材（図示せず）
で貼り合わされているとともに、基板間のシール材で区
画された領域内に電気光学物質としての液晶５０が封
入、保持されている。

【０００３】また、ＴＦＴアレイ基板１０の表面（表面
保護膜１０４、凹凸形成層１０５及び凹凸層１０６）の
上に、対向基板２０の側から入射してきた外光を対向基
板２０の方向に反射するための反射電極１０８が形成さ
れており、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレ
イ基板１０の反射電極１０８で反射し、対向基板２０側
から出射した光によって画像を表示する。

【０００４】図１８に示すように、このような反射モー
ドで画像表示を行う液晶装置に用いられる画素は、通
常、ｘ方向の長さが５０〜７０μｍでｙ方向の長さが１
５０〜２１０μｍの大きさであり、このような画素に
は、反射電極と電圧供給配線とを電気的に接続するため
に用いられる１０〜１５μｍ×１０〜１５μｍの大きさ
の正方形又は長方形のコンタクト孔１０７及び反射用の
凹凸１０９が設けれている。

【０００５】また、図１９に示すように、コンタクト孔
１０７が形成された部分のの断面形状は、基板１０１上
に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）等の下地保護層１０
２、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の
ソース線１０３、薄膜トランジスタ（図示せず）、Ｓｉ
Ｎ等の表面保護膜１０４、反射用の凹凸１０９（図１８
参照）を形成するためのアクリル樹脂等の２層からなる
有機絶縁膜（凹凸形成層）１０５、有機絶縁膜（凹凸
層）１０６、及びアルミニウムや銀、もしくはこれらの
合金、又はこれらのチタン、窒化チタン、モリブデン、
タンタル等との積層膜からなる反射電極１０８等を積層
して形成された構造となっている。コンタクト孔１０７
は、有機絶縁膜（凹凸層）１０６及び表面保護膜１０４
を貫通して形成され、反射電極１０８とソース線１０３
とを電気的に接続している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１９
に示すように、ソース線１０３と反射電極１０８のソー
ス線１０３と接触する面とが平面形状であることと、コ
ンタクト孔１０７の画素全体に占める面積の割合が比較
的大きいため、その平面上で反射角度（θ）が０°（基
板の法線方向）で正反射する反射成分の強さが影響し
て、使用者の顔等の映り込みが発生し、若干傾斜させた
表示画面に対して、十分な明るさとコントラストを実現
することができないという問題があった。

【０００７】すなわち、従来の電気光学装置、例えば、
低温ポリシリコンパネルを有する反射型液晶装置の場
合、ソース線１０３と反射電極１０８のソース線１０３
と接触する面とが平面形状であるためその開口底部が平
面形状にならざるを得ないことから、また、高画質、高
精細の画面を得るために、画素ピッチが約５０μｍ程度
にまで微細化されているが、そこで用いられるコンタク
ト孔１０７の大きさは、反射電極１０８と電圧供給配線
（ソース線１０３）との電気的な接続において適正な抵
抗を実現するには前述のように約１０〜１５μｍの正方
形のように大きなものとせざるを得ないため画素全体の
面積に占める割合も無視できないものとなることから、
このコンタクト孔１０７に配設された反射電極から反射
される反射光の反射成分のうち正反射成分を増大させる
結果、使用者の顔等の映り込みが発生し、若干傾斜させ
た表示画面に対して、十分な明るさとコントラストを実
現することができないという問題があった。

【０００８】本発明は上述の問題に鑑みてなされたもの
であり、反射電極から反射される反射光のうち、反射角
度（θ）が０°（基板の法線方向）で正反射する反射成
分の強さを低減することが可能で、使用者の顔等の映り
込みを有効に防止することができるとともに、若干傾斜
させた表示画面に対して、十分な明るさとコントラスト
を実現することができる電気光学装置を提供することを
目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の電気光学装置は、電気光学物質を封入、保
持して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板の
うちの一方の基板の前記電気光学物質側に形成された電
圧供給配線と、この電圧供給配線上に形成された絶縁膜
と、前記絶縁膜を貫通して形成された、前記電圧供給配
線に達するコンタクト孔と、前記コンタクト孔の側壁上
に配設されるとともに、前記コンタクト孔を介して電圧
供給配線と電気的に接続された、前記一対の基板のうち
の他方の基板側からの入射光を反射する反射電極とを備
えた電気光学装置であって、前記反射電極の、前記コン
タクト孔の前記側壁に配設された部分及び電圧供給配線
と電気的に接続された部分の形状が、前記コンタクト孔
の前記側壁に配設された部分に、前記基板に対して垂直
な平面で切断した断面が逆台形状又は椀形状の曲面から
なる傾斜を有するとともに、前記電圧供給配線と電気的
に接続された部分に、前記基板に対して垂直な平面で切
断した断面が皿形状の緩やかな凹曲面を有する、全体と
してスリ鉢形状であることを特徴とする。

【００１０】このように、コンタクト孔及び反射電極の
形状を、画素における反射のために凹凸と同一の機能を
発揮するように同様の形状とすることによって、スリ鉢
形状の反射電極から反射される反射光は、従来のものと
比べて反射角度（θ）が０°（基板の法線方向）で正反
射する反射成分が低減したものとなる。従って、使用者
の顔等の映り込みを有効に防止することができるととも
に、若干傾斜させた表示画面に対して、十分な明るさと
コントラストを実現することができる。

【００１１】また、図１５に示すように、本発明の電気
光学装置は、前記反射電極の、前記基板に平行な面で切
断した断面形状が、円形、楕円形又は多角形の角を丸め
たものであることが好ましい。円形の場合、その直径
は、５〜１０μｍ程度のものとすることが好ましい。そ
の他の形状の場合も、同様の大きさ（面積）であること
が好ましい。接触面積が不足して抵抗が高い場合は、２
個取りにしてもよい。

【００１２】このように構成することによって、スリ鉢
形状の反射電極は、従来の断面形状が正方形（内空間の
立体形状は逆四角錐台）の反射電極に比べ、さらに有効
に反射光の方向性を低減することができるため、使用者
の顔等の映り込みをさらに有効に防止することができる
とともに、若干傾斜させた表示画面に対して、十分な明
るさとコントラストを実現することができる。

【００１３】また、本発明の電気光学装置は、前記電圧
供給配線上に形成された前記絶縁膜が、有機系の感光性
樹脂からなる、前記反射電極の表面に凹凸を形成するた
めの凹凸形成層、及びこの凹凸形成層の上に形成され
た、前記凹凸形成層の表面凹凸形状に対応した表面凹凸
形状を有する凹凸層の二層から構成されてなるものであ
ることが好ましい。

【００１４】このように構成することによって、反射光
を適度に散乱するための表面凹凸形状を有する反射電極
を容易に形成することができ、光学特性を向上させるこ
とができる。

【００１５】また、本発明の電気光学装置は、前記反射
電極が、前記電圧供給配線に当接又は一部侵入した状態
で電気的に接続されたものであることが好ましい。

【００１６】このように、反射電極が接触する部分の電
圧供給配線を、ある程度削り込んで、反射電極が接触す
る部分をスリ鉢の底のような形状のものとすることによ
って、反射角度（θ）が１５°〜３５°の反射成分を増
大させることができる。

【００１７】また、本発明の電気光学装置は、前記反射
電極から反射される反射光のうち、反射角度（θ）が０
°（前記基板の法線方向）で正反射する反射成分の強さ
が、反射角度（θ）が反射する反射成分の強さの５倍以
下であることが好ましい。すなわち、反射電極がアルミ
ニウム製である場合、入射光の約８０〜８５％が反射す
るが、その反射成分の大部分が１５°〜３５°で反射す
るのがさらに好ましい。

【００１８】この場合、反射光のうちの反射成分の測定
方法としては特に制限はないが、例えば、図１６に示す
方法を挙げることができる。

【００１９】図１６は、反射電極９を有する反射板（Ｔ
ＦＴアレイ基板）１０の反射特性の測定方法を示す断面
図である。反射板１０を実際に液晶表示装置に用いる場
合を想定し、液晶層とガラス基板の屈折率はいずれも約
１．５とほぼ等しいので、反射電極９を有する反射板１
０上に屈折率１．５の紫外線硬化接着樹脂を用いてガラ
ス基板１６ａを密着し、測定装置１８を形成する。ガラ
ス基板１６ａの上部には、光の強度を測定するフォトマ
ルチメータ１７が配置されている。フォトマルチメータ
１７は、ガラス基板１６ｂの法線方向から入射する入射
光１９ａのうち、反射電極９によってガラス基板１６ｂ
の法線方向に対して反射角度（θ）で反射する反射光１
９ｂを検出するように設定されている。

【００２０】フォトマルチメータ１７を移動させ、フォ
トマルチメータ１７の入射光１９ａに対する角度（θ）
を種々変化させて、反射電極９において法線方向（入射
光１９ａ）に対して反射角度（θ）で反射する種々の反
射光１９ｂの強さを測定することによって、反射電極９
の反射特性を得ることができる。

【００２１】このように構成することによって、使用者
の顔等の映り込みを確実に防止することができるととも
に、若干傾斜させた表示画面に対して、十分な明るさと
コントラストを実現することができる。

【００２２】本発明の電気光学装置の製造方法は、電気
光学物質を封入、保持して対向配置された一対の基板の
うちの一方の基板の前記電気光学物質側に電圧供給配線
を形成し、この電圧供給配線上に絶縁膜を形成し、前記
絶縁膜を貫通して前記電圧供給配線に達するコンタクト
孔を形成し、前記コンタクト孔の側壁上に、前記一対の
基板のうちの他方の基板側からの入射光を反射する反射
電極を配設するとともに、前記コンタクト孔を介して電
圧供給配線と前記反射電極とを電気的に接続することを
含む電気光学装置の製造方法であって、前記反射電極
の、前記コンタクト孔の前記側壁に配設された部分及び
電圧供給配線と電気的に接続された部分の形状を、前記
コンタクト孔の前記側壁に配設された部分に、前記基板
に対して垂直な平面で切断した断面が逆台形状又は椀形
状の曲面からなる傾斜を有するとともに、前記電圧供給
配線と電気的に接続された部分に、前記基板に対して垂
直な平面で切断した断面が皿形状の緩やかな凹曲面を有
する、全体としてスリ鉢形状となるように形成すること
を特徴とする。

【００２３】このように構成することによって、反射電
極から反射される反射光のうち反射角度（θ）が０°
（基板の法線方向）で正反射する反射成分を従来のもの
と比べて低減することができる電気光学装置を効率的に
かつ低コストで製造することができる。従って、使用者
の顔等の映り込みを有効に防止することができるととも
に、若干傾斜させた表示画面に対して、十分な明るさと
コントラストを実現した電気光学装置を効率的にかつ低
コストで製造することができる。

【００２４】また、本発明の電気光学装置の製造方法に
おいては、前記反射電極の、前記基板に平行な面で切断
した断面形状が、円形、楕円形又は多角形の角を丸めた
ものとなるように、前記コンタクト孔を形成することが
好ましい。

【００２５】また、本発明の電気光学装置の製造方法に
おいては、前記電圧供給配線上に前記絶縁膜を形成し
て、この絶縁膜を貫通して前記電圧供給配線に達する前
記コンタクト孔を形成するに際し、前記電圧供給配線上
に、前記絶縁膜として、有機系の感光性樹脂からなる、
前記反射電極の表面に凹凸を形成するための凹凸形成層
を形成し、次いで、この凹凸形成層の上に、その表面凹
凸形状に対応した表面凹凸形状を有する有機系の感光性
樹脂からなる凹凸層を形成し、次いで、前記凹凸層を貫
通させて、前記コンタクト孔を、形成することが好まし
い。

【００２６】このように構成することによって、使用者
の顔等の映り込みをさらに有効に防止することができる
とともに、若干傾斜させた表示画面に対して、十分な明
るさとコントラストを実現した電気光学装置を効率的に
かつ低コストで製造することができる。

【００２７】また、本発明の電気光学装置の製造方法
は、前記コンタクト孔を、前記凹凸層をフォトリソグラ
フィ技術を用いて貫通させることによって、また、前記
電圧供給配線をドライエッチング技術を用いて一部侵食
させることによって、形成することが好ましい。

【００２８】このように構成することによって、上述の
電気光学装置をさらに効率的にかつ低コストで製造する
ことができる。

【００２９】また、本発明の電気光学装置の製造方法に
おいては、前記反射電極を、前記電圧供給配線に当接又
は一部侵入した状態で電気的に接続することが好まし
い。

【００３０】また、本発明の電気光学装置の製造方法に
おいては、前記反射電極から反射される反射光のうち、
反射角度（θ）が０°（前記基板の法線方向）で正反射
する反射成分の強さが、反射角度（θ）が１５°〜３５
°で反射する反射成分の強さの５倍以下である電気光学
装置が得られることが好ましい。ここで、反射光のうち
の反射成分の測定方法としては、上述の方法を用いるこ
とができる。

【００３１】本発明の電気光学装置及びその製造方法に
用いられる電気光学物質としては特に制限はないが、例
えば、液晶、有機ＥＬ発光素子等を挙げることができ
る。液晶を用いた液晶表示装置としては、反射型、半透
過・半反射型のいずれであってもよい。すなわち、上述
の電気光学装置は、電極として、画素電極を兼ねた反射
電極のみを備えた反射型の場合を想定して説明している
が、反射電極の上に、画素電極として透明なＩＴＯ膜か
らなる透明電極及び透過窓をも備えた半透過・半反射型
のものであってもよい。

【００３２】本発明の電気光学装置は、携帯電話機、モ
バイルコンピュータ等のような電子機器の表示装置とし
て好適に用いることができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の電気光学装置及び
その製造方法の実施の形態を図面を参照しつつ、具体的
に説明する。

【００３４】（電気光学装置の基本的な構成）図１は、
本発明の電気光学装置の一の実施の形態である液晶表示
装置を、各構成要素とともに対向基板の側から見た平面
図であり、図２は、図１におけるＨ−Ｈ’線断面図であ
る。図３は、電気光学装置（液晶表示装置）の画像表示
領域においてマトリクス状に形成された複数の画素にお
ける各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本実
施の形態の説明に用いた各図においては、各層や各部材
を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や
各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００３５】図１及び図２において、本実施の形態の電
気光学装置（液晶表示装置）１００は、ＴＦＴアレイ基
板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）と
がシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５
２によって区画された領域（液晶封入領域）内には、電
気光学物質としての液晶５０が封入、保持されている。
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料
からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５
２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１、及び実
装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形
成されており、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線
駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１
０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走
査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２
０５が設けられており、さらに、周辺見切り５３の下側
等を利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられ
ることもある。また、対向基板２０のコーナー部の少な
くとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向
基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材
２０６が配設されている。

【００３６】なお、データ線駆動回路２０１及び走査線
駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する
代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ
（テープ オートメイテッド ボンディング）基板とＴ
ＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異
方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するように
してもよい。なお、電気光学装置１００おいては、使用
する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネ
マティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等
々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリ
ブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フ
ィルム、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここで
は図示を省略している。

【００３７】また、電気光学装置１００をカラー表示用
として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域
に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフ
ィルタをその表面保護膜とともに形成する。

【００３８】このような構造を有する電気光学装置１０
０の画像表示領域においては、図３に示すように、複数
の画素１００ａがマトリクス状に構成されているととも
に、これらの画素１００ａの各々には、反射電極９、及
びこの反射電極９を駆動するための画素スイッチング用
のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２・
・・Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソース
に電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画
素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線順次で（線
番号の順番で）供給してもよく、相隣接する複数のデー
タ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにし
てもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが
電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線
３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの
順に線順次で（線番号の順番で）印加するように構成さ
れている。反射電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気
的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３
０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線
６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各
画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして反
射電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素
信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２
０の対向電極２１との間で一定期間保持される。

【００３９】ここで、液晶５０は、印加される電圧レベ
ルによって分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリホワ
イトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光が
この液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリ
ブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射
光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大する。そ
の結果、全体として電気光学装置１００からは画素信号
Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光
が出射される。

【００４０】なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・
・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、反射電極９と対
向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６
０（図３参照）を付加することがある。例えば、反射電
極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁
も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これに
より、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高
い電気光学装置１００を実現することができる。なお、
蓄積容量６０を形成する方法としては、図３に示すよう
に、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３
ｂとの間に形成する場合、及び前段の走査線３ａとの間
に形成する場合のいずれであってもよい。

【００４１】（ＴＦＴアレイ基板の構成）図４は、本実
施の形態に用いたＴＦＴアレイ基板の相互に隣接する複
数の画素群の平面図である。図５は、図４に示す電気光
学装置の画素の一部を図４のＡ−Ａ’線で切断したとき
の断面図である。

【００４２】図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はこ
れらのチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等と
の積層膜からなる反射電極９が形成されており、これら
各反射電極９に対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０
がそれぞれ接続している。また、反射電極９の形成領域
である斜線で囲んだ領域の縦横の境界に沿って、データ
線６ａ、走査線３ａ、及び容量線３ｂが形成され、ＴＦ
Ｔ３０（図３参照）は、データ線６ａ及び走査線３ａに
対して接続している。すなわち、データ線６ａは、コン
タクトホールを介してＴＦＴ３０（図３参照）の高濃度
ソース領域１ａに電気的に接続し、反射電極９は、コン
タクト孔１５及びソース線（ドレイン電極）６ｂを介し
てＴＦＴ３０（図３参照）の高濃度ドレイン領域１ｄに
電気的に接続している。また、ＴＦＴ３０（図３参照）
のチャネル形成用領域１ａ’に対向するように走査線３
ａが延びている。なお、蓄積容量６０（蓄積容量素子）
は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）を形
成するための半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したも
のを下電極とし、この下電極に、走査線３ａと同層の容
量線３ｂが上電極として重なった構造になっている。

【００４３】図５に示すように、この反射領域のＡ−
Ａ’線における断面は、ＴＦＴアレイ基板１０の基体と
しての透明な基板１０’の表面に、厚さが１００ｎｍ〜
５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保
護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、
厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１が形成
されている。半導体膜１の表面には、厚さが約５０〜１
５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形
成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが３００ｎ
ｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として通って
いる。半導体膜１のうち、走査線３ａに対してゲート絶
縁膜２を介して対向する領域がチャネル形成用領域１
ａ’になっている。このチャネル形成用領域１ａ’に対
して一方側には、低濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ソー
ス領域１ａを備えるソース領域が形成され、他方側には
低濃度ドレイン領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｄを
備えるドレイン領域が形成されている。

【００４４】画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側
には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜
からなる第１層間絶縁膜４、及び厚さが１００ｎｍ〜３
００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜（表
面保護膜）５が形成されている。第１層間絶縁膜４の表
面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａ
が形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶縁膜４に
形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域
１ａに電気的に接続している。第１層間絶縁膜４の表面
にはデータ線６ａと同時形成されたドレイン電極６ｂが
形成され、このドレイン電極６ｂは、第１層間絶縁膜４
に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン
領域１ｄに電気的に接続している。

【００４５】第２層間絶縁膜（表面保護膜）５の上層に
は、後述するように、有機系樹脂等の感光性樹脂からな
る凹凸形成層１３及び凹凸層７がこの順に形成され、こ
の凹凸層７の表面には、アルミニウム膜等からなる反射
電極９が形成されている。

【００４６】反射電極９は、凹凸層７及び第２層間絶縁
膜（表面保護膜）５を貫通してドレイン電極６ｂに達す
るように形成されたスリ鉢形状のコンタクト孔１５を介
してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。

【００４７】反射電極９の表面側にはポリイミド膜から
なる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２に
は、ラビング処理が施されている。

【００４８】また、高濃度ドレイン領域１ｄからの延設
部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２と同時
形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと
同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、
蓄積容量６０が構成されている。

【００４９】図６に示すように、コンタクト孔１５が形
成された部分の断面形状は、基板（図示せず）上に、シ
リコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）等の下地保護層（図示せ
ず）、アルミニウム、もしくはこの合金、又はこれらの
チタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層
膜からなるソース線６ｂ、薄膜トランジスタ（図示せ
ず）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の第２層間絶縁膜
（表面保護膜）５、反射用の凹凸１０９（図１８参照）
を形成するためのアクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂
の二層からなる有機絶縁膜である凹凸層７及び凹凸形成
層１３及びアルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、
又はこれらのチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタ
ル等との積層膜からなる反射電極９等を積層して形成さ
れた構造となっている。コンタクト孔１５は、凹凸層７
及び第２層間絶縁膜（表面保護膜）５を貫通して形成さ
れ、反射電極９とソース線６ｂとを電気的に接続してい
る。

【００５０】ここで、反射電極９の形状は、コンタクト
孔１５の側壁に配設された部分に曲面からなる傾斜を有
するとともに、ソース線６ｂと電気的に接続された部分
に緩やかな凹曲面を有する、全体としてスリ鉢形状とな
っている。

【００５１】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のよ
うにＬＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構
造）をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、及び低濃度ドレ
イン領域１ｃに相当する領域に不純物イオンの打ち込み
を行わないオフセット構造を有していてもよい。また、
ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）をマス
クとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的
に高濃度のソース及びドレイン領域を形成したセルフア
ライン型のＴＦＴであってもよい。

【００５２】また、本実施の形態では、ＴＦＴ３０のゲ
ート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に
２個配置したデュアルゲート（ダブルゲート）とした
が、１個配置したシングルゲートであってもよく、ま
た、これらの間に３個以上のゲート電極を配置したトリ
プルゲート以上であってもよい。ゲート電極を複数配置
した場合、各々のゲート電極には同一の信号が印加され
るようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲー
ト）、又はトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれ
ば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリー
ク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができ
る。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造
又はオフセット構造にすれば、さらに、オフ電流を低減
でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。

【００５３】図４〜図６において、ＴＦＴアレイ基板１
０では、各画素１００ａの反射領域には、反射電極９の
表面のうち、コンタクト孔１５以外には、凹凸パターン
８ｇが形成されている。

【００５４】このような凹凸パターン８ｇを構成するに
あたって、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板１０では、
反射電極９の下層側のうち、反射電極９と平面的に重な
る領域には、有機系の感光性樹脂からなる凹凸形成層１
３が第２層間絶縁膜（表面保護膜）５の表面に厚めに形
成され、この凹凸形成層１３の上層には、同様に有機系
の感光性樹脂のような流動性材料から形成された絶縁膜
からなる凹凸層７が積層されている。

【００５５】凹凸形成層１３には、多数の凹凸が形成さ
れている。このため、図５に示すように、凹凸形成層１
３の表面上に形成された凹凸層７の表面には、凹凸形成
層１３の凹凸に対応する凹凸パターンが形成され、ま
た、反射電極９の表面上には、凹凸層７の凹凸に対応す
る凹凸パターン８ｇが形成されている。この場合、凹凸
層７によって、凹凸形成層１３のエッジ等が現れないよ
うになっている。なお、凹凸層７を形成せずに、凹凸形
成層１３を形成した後、ベーク工程を行うことにより、
凹凸形成層１３の凹凸の縁を滑らかにしてもよい。

【００５６】（対向基板の構成）図５において、対向基
板２０では、基板２０’上の、ＴＦＴアレイ基板１０に
形成されている反射電極９の縦横の境界領域と対向する
領域にブラックマトリクス、又はブラックストライプ等
と称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側には、
ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。ま
た、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる
配向膜２２が形成される。

【００５７】（本実施の形態の電気光学装置の作用）こ
のように構成した本実施の形態の電気光学装置には、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０にアルミニウム膜等からなる反射電
極９が形成されている。このため、対向基板２０側から
入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基
板２０側から出射することができるので、この間に液晶
５０によって各画素毎で光変調を行えば、外光を利用し
て所望の画像を表示することができる。

【００５８】また、本実施の形態では反射電極９の下層
側に凹凸形成層１３を形成し、この凹凸形成層１３の凹
凸を、凹凸層７を介して利用し、反射電極９の表面に光
散乱用の凹凸パターン８ｇを形成している。また、凹凸
パターン８ｇでは、凹凸層７によって、凹凸形成層１３
のエッジ等が現れないようになっている。従って、画像
を表示したとき、散乱反射光で画像を表示するため、視
野角依存性を小さくすることができる。

【００５９】さらに、コンタクト孔１５及び反射電極９
の形状が、全体としてスリ鉢形状であるため、反射電極
９から反射される反射光のうち反射角度（θ）が０°
（基板の法線方向）で正反射する反射成分を従来のもの
と比べて低減することができる。従って、使用者の顔等
の映り込みを有効に防止することができるとともに、若
干傾斜させた表示画面に対して、十分な明るさとコント
ラストを実現することができる。

【００６０】［ＴＦＴの製造方法］このような構成のＴ
ＦＴアレイ基板１０を製造する方法を、図７〜図１１を
参照しつつ、具体的に説明する。

【００６１】図７〜図１１はいずれも、本実施の形態の
ＴＦＴアレイ基板１０のコンタクト孔形成部分の製造方
法を工程順に示す断面図である。

【００６２】まず、図７（Ａ）に示すように、超音波洗
浄等により清浄化したガラス製等の基板１０’を準備し
た後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、
基板１０’の全面に、シリコン酸化膜からなる下地保護
膜１１をプラズマＣＶＤ法により１００ｎｍ〜５００ｎ
ｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、例
えば、モノシランと笑気ガス（一酸化二窒素）との混合
ガスやＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ_２
Ｈ_５）_４）と酸素、又はジシランとアンモニアを用いる
ことができる。

【００６３】次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温
度条件下で、基板１０’の全面に、非晶質シリコン膜か
らなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法により３０ｎｍ〜
１００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとし
ては、例えば、ジシランやモノシランを用いることがで
きる。次に、半導体膜１に対してレーザ光を照射してレ
ーザアニールを施す。その結果、アモルファスの半導体
膜１は、一度溶融し、冷却固化過程を経て結晶化する。
この際には、各領域へのレーザ光の照射時間が非常に短
時間であり、かつ、照射領域も基板全体に対して局所的
であるため、基板全体が同時に高温に熱せられることが
ない。それゆえ、基板１０’としてガラス基板等を用い
ても熱による変形や割れ等が生じない。

【００６４】次に、半導体膜１の表面にフォトリソグラ
フィ技術を用いてレジストマスク５５１を介して半導体
膜１をエッチングすることにより、図７（Ｂ）に示すよ
うに、島状の半導体膜１（能動層）を形成するための半
導体膜を各々分離した状態に形成する。

【００６５】次に、３５０℃以下の温度条件下で、基板
１０’の全面に、ＣＶＤ法等により半導体膜１の表面
に、シリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜２を５０ｎ
ｍ〜１５０ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガス
は、例えば、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いる
ことができる。ここで形成するゲート絶縁膜２は、シリ
コン酸化膜に代えてシリコン窒化膜であってもよい。

【００６６】次に、図示を省略するが、所定のレジスト
マスクを介して半導体膜１の延設部分１ｆに不純物イオ
ンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を構
成するための下電極を形成する（図４及び図５参照）。

【００６７】次に、図７（Ｃ）に示すように、スパッタ
法等により、基板１０’の全面に、走査線３ａ等を形成
するためのアルミニウム、タンタル、モリブデン等から
なる金属膜、又はこれらの金属のいずれかを主成分とす
る合金膜もしくは積層膜からなる導電膜３を３００ｎｍ
〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ
技術を用いてレジストマスク５５２を形成する。

【００６８】次に、レジストマスクを介して導電膜３を
ドライエッチングし、図７（Ｄ）に示すように、走査線
３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂ等を形成する。

【００６９】次に、画素ＴＦＴ部及び駆動回路のＮチャ
ネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａやゲー
ト電極をマスクとして、約０．１×１０^１３／ｃｍ^２〜
約１０×１０^１３／ｃｍ^２のドーズ量で低濃度の不純物
イオン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対し
て自己整合的に低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイ
ン領域１ｃを形成する。ここで、走査線３ａの真下に位
置しているため、不純物イオンが導入されなかった部分
は半導体膜１のままのチャネル形成用領域１ａ’とな
る。

【００７０】次に、図８（Ａ）に示すように、画素ＴＦ
Ｔ部では、走査線３ａ（ゲート電極）より幅の広いレジ
ストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リ
ンイオン）を約０．１×１０^１５／ｃｍ^２〜約１０×１
０^１５／ｃｍ^２のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領
域１ａ及びドレイン領域１ｄを形成する。

【００７１】これらの不純物導入工程に代えて、低濃度
の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広い
レジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域及び
ドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａをマ
スクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアライ
ン構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよ
い。

【００７２】なお、図示を省略するが、このような工程
によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成
するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆
っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を
形成する際には、画素部及びＮチャネルＴＦＴ部をレジ
ストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約
０．１×１０^１５／ｃｍ^２〜約１０×１０^１５／ｃｍ^２
のドーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己
整合的にＰチャネルのソース・ドレイン領域を形成す
る。

【００７３】この際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同
様、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０^１３／
ｃｍ^２〜約１０×１０^１３／ｃｍ^２のドーズ量で低濃度
の不純物（ボロンイオン）を導入して、ポリシリコン膜
に低濃度領域を形成した後、ゲート電極より幅の広いマ
スクを形成して高濃度の不純物（ボロンイオン）を約
０．１×１０^１５／ｃｍ^２〜約１０×１０^１５／ｃｍ^２
のドーズ量で打ち込んで、ＬＤＤ構造（ライトリー・ド
ープト・ドレイン構造）のソース領域及びドレイン領域
を形成してもよい。また、低濃度の不純物の打ち込みを
行わずに、ゲート電極より幅の広いマスクを形成した状
態で高濃度の不純物（ボロンイオン）を打ち込み、オフ
セット構造のソース領域及びドレイン領域を形成しても
よい。これらのイオン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ
化（相補型化：Ｃｏｍｐｌｉｍｅｎｔａｒｙ ＭＯＳ
化）が可能になり、周辺駆動回路の同一基板内への内蔵
が可能になる。

【００７４】次に、図８（Ｂ）に示すように、走査線３
ａの表面側にＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜等から
なる第１層間絶縁膜４を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さ
に形成する。このときの原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳ
と酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。

【００７５】次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレ
ジストマスク５５４を形成する。

【００７６】次に、レジストマスク５５４を介して第１
層間絶縁膜４にドライエッチングを行い、図８（Ｃ）に
示すように、第１層間絶縁膜４においてソース領域及び
ドレイン領域に対応する部分等にコンタクトホールをそ
れぞれ形成する。

【００７７】次に、図８（Ｄ）に示すように、第１層間
絶縁膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極）等を
構成するためのアルミニウム膜、チタン膜、窒化チタン
膜、タンタル膜、モリブデン膜、又はこれらの金属のい
ずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜６をスパッ
タ法等で３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、
フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５５
を形成する。

【００７８】次に、レジストマスク５５５を介して導電
膜６にドライエッチングを行い、図９（Ａ）に示すよう
に、データ線６ａ、及びドレイン電極６ｂを形成する。

【００７９】次に、図９（Ｂ）に示すように、データ線
６ａ、及びドレイン電極６ｂの表面側にＣＶＤ法等によ
り、シリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜の単膜又は
シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜の二つの膜等からな
る第２層間絶縁膜（表面保護膜）５を１００ｎｍ〜８０
０ｎｍの膜厚に形成する（なお、第２層間絶縁膜（表面
保護膜）５は形成しなくてもよい）。

【００８０】次に、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、第２層間絶縁膜（表面保護膜）５の表面に、アクリ
ル樹脂等の有機系の感光性樹脂１３ａを１〜３μｍの厚
さにスピンコートで塗布した後、感光性樹脂１３ａをフ
ォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることに
よって、後述する反射電極９の下層側となるように、厚
さが１μｍ〜３μｍの凹凸形成層１３を形成する。次い
で、角をとるためベーク工程を行ってもよい。

【００８１】このようなフォトリソグラフィ技術を利用
して凹凸形成層１３を形成する際、感光性樹脂１３ａと
してはネガタイプ及びポジタイプのいずれを用いてもよ
いが、図１０（Ａ）には、感光性樹脂１３ａとしてポジ
タイプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３ａを除去
したい部分に対して、所定の露光マスク５１０の透光部
分５１１を介して紫外線が照射される。

【００８２】次に、図１０（Ｃ）に示すように、第２層
間絶縁膜（表面保護膜）５及び凹凸形成層１３の表面側
に、アクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂７ａをスピン
コートで１μｍ〜２μｍの厚さに塗布する。

【００８３】次に、図１０（Ｄ）に示すように、フォト
リソグラフィ技術を利用して、第２層間絶縁膜（表面保
護膜）５の表面に達するまで貫通、開口させた（この部
分が最終的にコンタクト孔１５を形成することになる）
厚さが１μｍ〜２μｍの凹凸層７を形成する。この場
合、コンタクト孔１５の側壁を形成することになる部分
には、周囲の凹凸によって自然に、基板に対して垂直な
平面で切断した断面が逆台形状又は椀形状の曲面からな
る傾斜を形成してもよく、ハーフ露光等によって、凹凸
層７自体に上述の傾斜を形成してもよい。

【００８４】ここで、凹凸層７は、流動性を有する材料
を塗布したものから形成されるため、凹凸層７の表面に
は、凹凸形成層１３の凹凸を適度に打ち消して、エッジ
のない、滑らかな形状の凹凸パターンが形成される。

【００８５】なお、凹凸層７を形成せずに、滑らかな形
状の凹凸パターンを形成する場合には、図１０（Ｂ）に
示す状態でベーク工程を行って、凹凸形成層１３の縁を
滑らかな形状にしてもよい。

【００８６】次に、図１０（Ｅ）に示すように、第２層
間絶縁膜（表面保護膜）５をドレイン電極６ｂの表面ま
で達するようにドライエッチングして、ドレイン電極６
ｂとの電気的な接続を可能にするとともに、コンタクト
孔１５がドレイン電極６ｂを一部侵食し、後述する反射
電極９との接触面が皿形状の緩やかな凹曲面になるよう
にドライエッチングして、スリ鉢形状のコンタクト孔１
５を形成する。この場合、ドライエッチング時に徐々に
パワーを低減する等してコンタクト孔１５がドレイン電
極６ｂを一部侵食し、ドレイン電極６ｂの後述する反射
電極９との接触面が皿形状の緩やかな凹曲面になるよう
にしてもよい。

【００８７】次に、図１１（Ａ）に示すように、スパッ
タ法等によって、凹凸層７及び一部侵食されたドレイン
電極６ｂの表面に、５０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さの、前
述のアルミニウム膜等のような反射性を備えた金属膜８
を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジス
トマスク５５７を形成する。

【００８８】次に、レジストマスク５５７を介して金属
膜８にエッチングを行い、図１１（Ｂ）に示すように、
所定領域に金属膜８を残して所定パターンの反射電極９
を形成する。このようにして形成した反射電極９の表面
には、凹凸形成層１３からなる凹凸によって５００ｎｍ
以上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン８ｇが形
成され、かつ、この凹凸パターン８ｇは、凹凸層７によ
って、エッジのない、滑らかな形状になっている。

【００８９】その後、反射電極９の表面側に配向膜（ポ
リイミド膜）１２を形成する。それには、ブチルセロソ
ルブやｎ−メチルピロリドン等の溶媒に５〜１０重量％
のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・
ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）す
る。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系
繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子
を表面近傍で一定方向に配列させる。その結果、後で充
填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液
晶分子が一定方向に配列する。

【００９０】なお、図１１（Ｃ）に、ＴＦＴアレイ基板
１０の反射領域に形成された凹凸形成層１３、凹凸層
７、反射電極９及び配向膜１２の積層状態を模式的に示
す。図１１（Ｃ）に示すように、反射電極９の表面に
は、凹凸パターン８ｇが形成されている。

【００９１】以上のようにして、ＴＦＴアレイ基板１０
が完成する。

【００９２】上記のいずれの形態も、画素スイッチング
素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液
晶表示装置を例に説明したが、画素スイッチング素子と
してＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示
装置、又はパッシブマトリクス型の液晶表示装置、さら
には液晶以外の電気光学物質（例えば、ＥＬ発光素子）
を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。

【００９３】［電気光学装置の電子機器への応用］この
ように構成した反射型の電気光学装置１００は、各種の
電子機器の表示部として用いることができるが、その一
例を、図１２〜図１４を参照しつつ具体的に説明する。

【００９４】図１２は、本発明に係る電気光学装置を表
示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック
図である。

【００９５】図１２において、電子機器は、表示情報出
力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイ
ミングジェネレータ７３、及び液晶表示装置７４を有す
る。また、液晶表示装置７４は、液晶表示パネル７５及
び駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述
した電気光学装置１００を用いることができる。

【００９６】表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等のようなメモリ、各種
ディスク等のようなストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等のような表示
情報を表示情報処理回路７１に供給する。

【００９７】表示情報処理回路７１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等のような周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ
供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を
供給する。

【００９８】図１３は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キ
ーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット
８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電
気光学装置１００を含んで構成される。

【００９９】図１４は、他の電子機器である携帯電話機
を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操
作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる
表示部とを有している。

【０１００】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によっ
て、反射電極から反射される反射光のうち、反射角度
（θ）が０°（基板の法線方向）で正反射する反射成分
の強さを低減することが可能で、使用者の顔等の映り込
みを有効に防止することができるとともに、若干傾斜さ
せた表示画面に対して、十分な明るさとコントラストを
実現することができる電気光学装置及びその製造方法を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電気光学装置の一の実施の形態を対向
基板の側から見たときの平面図である。

【図２】図１におけるＨ−Ｈ’線断面図である。

【図３】本発明の電気光学装置の一の実施の形態におい
て、マトリクス状に配置された複数の画素に形成された
各種素子、配線等の等価回路図である。

【図４】本発明の電気光学装置の一の実施の形態におい
て、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す
平面図である。

【図５】図４におけるＡ−Ａ’線で切断したときの画素
の断面図である。

【図６】本発明の電気光学装置の一の実施の形態におい
て、コンタクト孔及び反射電極を含む部分の構造を模式
的に示す断面図である。

【図７】本発明の電気光学装置の製造方法の一の実施の
形態において、ＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に
示す断面図である。

【図８】図７に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造
方法を工程順に示す断面図である。

【図９】図８に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造
方法を工程順に示す断面図である。

【図１０】図９に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製
造方法を工程順に示す断面図である。

【図１１】図１０に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の
製造方法を工程順に示す断面図である。

【図１２】本発明に係る電気光学装置を表示装置として
用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。

【図１３】本発明の電気光学装置を用いた電子機器の一
例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す
説明図である。

【図１４】本発明の電気光学装置を用いた電子機器の他
の例としての携帯電話機の説明図である。

【図１５】本発明の電気光学装置に用いられる反射電極
の、基板に平行な面で切断した断面形状を模式的に示す
断面図である。

【図１６】反射光のうちの反射成分の測定方法を模式的
に示す説明図である。

【図１７】従来の電気光学装置の画素を含む部分を模式
的に示す平面図である。

【図１８】従来の電気光学装置の画素における、反射電
極及び反射用の凹凸を含む部分を模式的に示す平面図で
ある。

【図１９】従来の電気光学装置の画素における、コンタ
クト孔が形成された部分を模式的に示す断面図である。

【符号の説明】

１…半導体膜 １ａ…高濃度ソース領域 １ａ’…チャネル形成用領域 １ｂ…低濃度ソース領域 １ｃ…低濃度ドレイン領域 １ｄ…高濃度ドレイン領域 １ｆ…半導体膜の延設部分 ２…ゲート絶縁膜 ３ａ…走査線 ３ｂ…容量線 ４…第１層間絶縁膜 ５…第２層間絶縁膜（表面保護膜） ６ａ…データ線 ６ｂ…ドレイン電極 ７…凹凸層 ７ａ…凹凸層を形成するための感光性樹脂 ８…金属膜 ８ｇ…凹凸パターン ９…反射電極 １０…ＴＦＴアレイ基板（反射板） １０’…基板 １１…下地保護膜 １３…凹凸形成層 １３ａ…凹凸形成層を形成するための感光性樹脂 １５…コンタクト孔 １６ａ，１６ｂ…ガラス基板 １７…フォトマルチメータ １８…測定装置 １９…反射用の凹凸 １９ａ…入射光 １９ｂ…反射光 ２０…対向基板 ２０’…基板 ２１…対向電極 ３０…画素スイッチング用のＴＦＴ ５０…液晶 ５２…シール材 ５３…周辺見切り ６０…蓄積容量 ７０…表示情報出力源 ７１…表示情報処理回路 ７２…電源回路 ７３…タイミングジェネレータ ７４…液晶表示装置 ７５…液晶表示パネル ７６…駆動回路 ８０…パーソナルコンピュータ ８１…キーボード ８２…本体部 ８３…液晶表示ユニット ９０…携帯電話機 ９１…操作ボタン １００…電気光学装置 １００ａ…画素 １０１…基板 １０２…下地保護層 １０３…ソース線 １０４…表面保護膜 １０５…有機絶縁膜（凹凸形成層） １０６…有機絶縁膜（凹凸層） １０７…コンタクト孔 １０８…反射電極 ２０１…データ線駆動回路 ２０２…実装端子 ２０４…走査線駆動回路 ２０５…配線 ２０６…基板間導通材

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Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気光学物質を封入、保持して対向配置
   された一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方の基
   板の前記電気光学物質側に形成された電圧供給配線と、
   この電圧供給配線上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜
   を貫通して形成された、前記電圧供給配線に達するコン
   タクト孔と、前記コンタクト孔の側壁上に配設されると
   ともに、前記コンタクト孔を介して電圧供給配線と電気
   的に接続された、前記一対の基板のうちの他方の基板側
   からの入射光を反射する反射電極とを備えた電気光学装
   置であって、 前記反射電極の、前記コンタクト孔の前記側壁に配設さ
   れた部分及び電圧供給配線と電気的に接続された部分の
   形状が、前記コンタクト孔の前記側壁に配設された部分
   に、前記基板に対して垂直な平面で切断した断面が逆台
   形状又は椀形状の曲面からなる傾斜を有するとともに、
   前記電圧供給配線と電気的に接続された部分に、前記基
   板に対して垂直な平面で切断した断面が皿形状の緩やか
   な凹曲面を有する、全体としてスリ鉢形状であることを
   特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記反射電極の、前記基板に平行な面で
   切断した断面形状が、円形、楕円形又は多角形の角を丸
   めたものである請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記電圧供給配線上に形成された前記絶
   縁膜が、有機系の感光性樹脂からなる、前記反射電極の
   表面に凹凸を形成するための凹凸形成層、及びこの凹凸
   形成層の上に形成された、前記凹凸形成層の表面凹凸形
   状に対応した表面凹凸形状を有する凹凸層の二層から構
   成されてなる請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記反射電極が、前記電圧供給配線に当
   接又は一部侵入した状態で電気的に接続された請求項１
   〜３のいずれかに記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記反射電極から反射される反射光のう
   ち、反射角度（θ）が０°（前記基板の法線方向）で正
   反射する反射成分の強さが、反射角度（θ）が１５°〜
   ３５°で反射する反射成分の強さの５倍以下である請求
   項１〜４のいずれかに記載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 電気光学物質を封入、保持して対向配置
   された一対の基板のうちの一方の基板の前記電気光学物
   質側に電圧供給配線を形成し、この電圧供給配線上に絶
   縁膜を形成し、前記絶縁膜を貫通して前記電圧供給配線
   に達するコンタクト孔を形成し、前記コンタクト孔の側
   壁上に、前記一対の基板のうちの他方の基板側からの入
   射光を反射する反射電極を配設するとともに、前記コン
   タクト孔を介して電圧供給配線と前記反射電極とを電気
   的に接続することを含む電気光学装置の製造方法であっ
   て、 前記反射電極の、前記コンタクト孔の前記側壁に配設さ
   れた部分及び電圧供給配線と電気的に接続された部分の
   形状を、前記コンタクト孔の前記側壁に配設された部分
   に、前記基板に対して垂直な平面で切断した断面が逆台
   形状又は椀形状の曲面からなる傾斜を有するとともに、
   前記電圧供給配線と電気的に接続された部分に、前記基
   板に対して垂直な平面で切断した断面が皿形状の緩やか
   な凹曲面を有する、全体としてスリ鉢形状となるように
   形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記反射電極の、前記基板に平行な面で
   切断した断面形状が、円形、楕円形又は多角形の角を丸
   めたものとなるように、前記コンタクト孔を形成する請
   求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記電圧供給配線上に前記絶縁膜を形成
   して、この絶縁膜を貫通して前記電圧供給配線に達する
   前記コンタクト孔を形成するに際し、前記電圧供給配線
   上に、前記絶縁膜として、有機系の感光性樹脂からな
   る、前記反射電極の表面に凹凸を形成するための凹凸形
   成層を形成し、次いで、この凹凸形成層の上に、その表
   面凹凸形状に対応した表面凹凸形状を有する有機系の感
   光性樹脂からなる凹凸層を形成し、次いで、前記凹凸層
   を貫通させて、前記コンタクト孔を形成する請求項６又
   は７に記載の電気光学装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記コンタクト孔を、前記凹凸層をフォ
   トリソグラフィ技術を用いて貫通させることによって、
   また、前記電圧供給配線をドライエッチング技術を用い
   て一部侵食させることによって、形成する請求項６〜８
   のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記反射電極を、前記電圧供給配線に
    当接又は一部侵入した状態で電気的に接続する請求項６
    〜９のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記反射電極から反射される反射光の
    うち、反射角度（θ）が０°（前記基板の法線方向）で
    正反射する反射成分の強さが、反射角度（θ）が１５°
    〜３５°で反射する反射成分の強さの５倍以下である電
    気光学装置が得られる請求項６〜１０のいずれかに記載
    の電気光学装置の製造方法。