JP2003005173A

JP2003005173A - 電気光学装置および電子機器

Info

Publication number: JP2003005173A
Application number: JP2001190293A
Authority: JP
Inventors: Norishige Kikuchi; 哲慈菊地
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-06-22
Filing date: 2001-06-22
Publication date: 2003-01-08

Abstract

(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィ技術を用いて形成した凹
凸によって反射光に散乱性を付与するにあたって散乱特
性の方向依存性を解消することにより、品位の高い画像
を表示可能な電気光学装置、およびそれを用いた電子機
器を提供すること。【解決手段】反射型あるいは半透過・半反射型の電気
光学装置のＴＦＴアレイ基板を製造する際、感光性樹脂
を露光、現像して、孔１３ｂ（凹凸）を備えた凹凸形成
層１３ａを形成した後、凹凸形状を滑らかにするための
中間膜、光反射膜を形成する。この際、凹凸形成層１３
ａの孔１３ｂについては、多角形の平面形状とし、か
つ、各々の辺１３ｂ′がランダムな方向に向いたパター
ンとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に電気光学物
質が保持された電気光学装置、およびそれを用いた電子
機器に関するものである。さらに詳しくは、電気光学装
置に用いた基板に光散乱性の反射面を形成するための凹
凸形成技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶装置などの電気光学装置は、各種機
器の直視型の表示装置として用いられている。このよう
な電気光学装置のうち、例えば、アクティブマトリクス
型の液晶装置では、図１８に示すように、対向配置され
たＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材
（図示せず）で貼り合わされているとともに、基板間で
シール材で区画された領域内に電気光学物質としての液
晶５０が保持されている。

【０００３】また、反射型あるいは半透過・半反射型の
液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に、対向基
板２０の側から入射してきた外光を対向基板２０の方に
向けて反射するための光反射膜８ａが透明な画素電極９
ａの下層側に形成されており、対向基板２０側から入射
した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基板１
０側から出射された光によって画像を表示する。

【０００４】このような反射モードでの画像表示を行う
液晶装置において、光反射膜８ａで反射された光の方向
性が強いと、画像をみる角度で明るさが異なるなどの視
野角依存性が顕著に出てくる。そこで、従来は、第２層
間絶縁膜５（表面保護膜）の表面に、アクリル樹脂など
の有機系樹脂からなる感光性樹脂を厚めに塗布した後、
この感光性樹脂をフォトリソグラフィ技術によりパター
ニングして光反射膜８ａの下層側に、孔１３ｂ（あるい
は突起）からなる複数の凹凸を備えた凹凸形成層１３ａ
を形成することにより、その上層側に形成される光反射
膜８ａの表面に光散乱用の凹凸パターン８ｇを形成して
いる。また、凹凸形成層１３ａの上層側にポリシラザン
や有機系樹脂などといった流動性材料を塗布して中間膜
７ａを形成し、凹凸形成層１３ａのエッジなどが凹凸パ
ターン８ｇに出ないようにするか、あるいは中間膜は形
成せず、凹凸形成層１３ａを形成した後、ベーク工程に
よって、凹凸形成層１３ａの形状をある程度、滑らかに
している。

【０００５】このような製造方法において、凹凸形成層
１３ａの凹凸（孔１３ｂ）の平面形状については角のな
い円形状あるいは楕円形状とすることが望ましいが、こ
のような露光マスクを作成するにはマスクデータが膨大
になってしまう。そこで、ネガタイプの感光性樹脂を用
いて凹凸形成層１３ａを形成する場合には、多角形の透
光部分が多数、形成された露光マスクを作成し、この露
光マスクを用いて感光性樹脂を露光、現像して、図１９
（Ａ）、（Ｂ）に示すように、平面形状が多角形の複数
の孔１３ｂからなる凹凸を備えた凹凸形成層１３ａを形
成している。ここで、複数の孔１３ｂは各々、多角形を
構成する辺１３ｂ′を同一方向に向けた平面形状を有し
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように、複数の孔１３ｂの各々において、多角形を構成
する辺１３ｂ′が同一方向に向いている場合には、以下
に理由を説明するように、光散乱特性に方向依存性が発
生するという問題点がある。

【０００７】すなわち、図２０（Ａ）に示すように、凹
凸形成層１３ａに形成されている多角形の孔１３ｂを、
対向する辺１３ｂ′に直交するＸ−Ｘ′方向で切断した
ときの光反射膜８ａのＸ−Ｘ′断面では、寸法Ａが短い
分、側面の傾斜が急峻であるのに対して、対向する角同
士を結ぶＹ−Ｙ′方向で切断したときの光反射膜８ａの
Ｙ−Ｙ′断面では、寸法Ｂが長い分、側面の傾斜がなだ
らかであり、側面の傾斜がなだらかな方が正反射成分が
強い。しかるに従来の凹凸パターン８ａでは、各々の孔
１３ｂにおいて、多角形を構成する辺１３ｂ′が同一方
向に向いているため、側面の傾斜が急峻な方向と、側面
の傾斜がなだらかな方向とが揃っている。それ故、図２
０（Ｂ）に実線Ｌ１で示すように、基板に対して垂直な
方向（０°）からＸ−Ｘ′方向に傾いたときには散乱反
射強度の低下が緩やかであるが、図２０（Ｂ）に点線Ｌ
２で示すように、Ｙ−Ｙ′方向に傾いたときには散乱反
射強度の低下が急峻であるため、散乱特性に方向依存性
が発生するのである。

【０００８】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
フォトリソグラフィ技術を用いて形成した凹凸によって
反射光に散乱性を付与するにあたって散乱特性の方向依
存性を解消することにより、品位の高い画像を表示可能
な電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供す
ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、電気光学物質を保持する基板の表面側
に、突起あるいは孔からなる複数の凹凸を形成する凹凸
形成層と、該凹凸形成層の上層側で当該凹凸形成層と平
面的に重なる領域に形成された光反射膜とを有し、該光
反射膜の表面には前記凹凸形成層の複数の凹凸によって
光散乱用の凹凸パターンが形成されてなる電気光学装置
において、前記凹凸形成層の複数の凹凸は各々、略多角
形の平面形状を有するとともに、当該多角形を構成する
辺をランダムな方向に向けていることを特徴とする。

【００１０】本発明では、フォトリソグラフィ技術によ
って平面が多角形の突起あるいは孔からなる複数の凹凸
を備えた凹凸形成層を形成し、この凹凸形成層によって
光反射膜の表面に光散乱用の凹凸パターンを形成する
が、凹凸形成層の凹凸は各々、多角形を構成する辺をラ
ンダムな方向に向けた平面形状を有している。このた
め、凹凸形成層の凹凸を異なる２方向で切断したときの
光反射膜の断面において、側面の傾斜に差があって凹凸
の１つ１つでは光散乱特性に方向依存性があるとして
も、凹凸パターン全体からみると、凹凸毎の方向依存性
が相殺される。それ故、本発明を適用した電気光学装置
では、散乱特性に方向依存性がないため、品位の高い表
示を行うことができる。

【００１１】本発明において、前記凹凸形成層は、例え
ば感光性樹脂層から構成される。このように構成する
と、レジストマスクで他の層をパターニングして凹凸形
成層を形成する場合と違って、基板の表面側に塗布した
感光性樹脂を直接、フォトリソソグラフィ工程で露光、
現像するだけで、凹凸形成層を形成できる。

【００１２】本発明において、凹凸形成層のエッジなど
が凹凸パターンに出ないようにするには、凹凸形成層の
上層側にポリシラザンや有機系樹脂などといった流動性
材料を塗布して中間膜を形成し、その表面に光反射膜を
形成するか、あるいは、凹凸形成層を形成した後、ベー
ク工程によって凹凸形成層の縁を滑らかな形状とする。

【００１３】本発明において、前記凹凸形成層の複数の
凹凸は各々、同一の平面形状を備えていることが好まし
い。このように構成した場合、露光マスクを形成する際
には、凹凸形成層に凹凸を形成するための透光部分ある
いは遮光部分をそのまま複写するだけでよいので、透光
部分あるいは遮光部分を多数、備えた露光マスクを効率
よく作成することができる。

【００１４】本発明において、前記凹凸形成層の複数の
凹凸は各々、同一形状の多角形を辺の向きがずれるよう
に回転させた平面形状を有していることが好ましい。こ
のように構成すると、凹凸形成層に凹凸を形成するため
の透光部分あるいは遮光部分をそのまま角度をずらして
いくだけで透光部分あるいは遮光部分の辺がランダムな
方向に向いた露光マスクを容易に作成することができ
る。

【００１５】本発明において、前記凹凸形成層の複数の
凹凸は、例えば、略正六角形ないし略正八角形の平面形
状を備えている。

【００１６】本発明において、前記電気光学物質は、例
えば、液晶である。この場合、前記透明基板を第１の透
明基板とし、該第１の透明基板に対して第２の透明基板
を対向配置させて当該基板間に前記電気光学物質として
の液晶を保持させる。

【００１７】本発明を適用した電気光学装置は、携帯電
話機、モバイルコンピュータなどといった電子機器の表
示装置として用いることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。

【００１９】（電気光学装置の基本的な構成）図１は、
本発明を適用した電気光学装置を各構成要素とともに対
向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−
Ｈ′断面図である。図３は、電気光学装置の画像表示領
域においてマトリクス状に形成された複数の画素におけ
る各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態
の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識
可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺
を異ならしめてある。

【００２０】図１および図２において、本形態の電気光
学装置１００（液晶装置）は、ＴＦＴアレイ基板１０
（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）とがシー
ル材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によ
って区画された領域（液晶封入領域）内には、電気光学
物質としての液晶５０が挟持されている。シール材５２
の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見
切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域
には、データ線駆動回路１０１、および実装端子１０２
がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されてお
り、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１
０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一
辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回
路１０４の間をつなぐための複数の配線１０５が設けら
れており、更に、周辺見切り５３の下などを利用して、
プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所に
おいては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間
で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が形成さ
れている。

【００２１】なお、データ線駆動回路１０１および走査
線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成す
る代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡ
Ｂ（テープオートメイテッド、ボンディング）基板を
ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群に対
して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続す
るようにしてもよい。なお、電気光学装置１００では、
使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッ
ドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モー
ド等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノー
マリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相
差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置されるが、
ここでは図示を省略してある。

【００２２】また、電気光学装置１００をカラー表示用
として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の各画素電極（後述する）に対向する
領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜とともに形
成する。

【００２３】このような構造を有する電気光学装置１０
０の画像表示領域においては、図３に示すように、複数
の画素１００ａがマトリクス状に構成されているととも
に、これらの画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、
およびこの画素電極９ａを駆動するための画素スイッチ
ング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、
Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａが当該ＴＦＴ３
０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに
書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線
順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ
線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにして
もよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電
気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３
ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順
に線順次で印加するように構成されている。画素電極９
ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されてお
り、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけ
そのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給
される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定の
タイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを
介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、
Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電
極２１との間で一定期間保持される。

【００２４】ここで、液晶５０は、印加される電圧レベ
ルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、
光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイ
トモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこ
の液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリー
ブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射
光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大してい
く。その結果、全体として電気光学装置１００からは画
素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを
持つ光が出射される。

【００２５】なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・
・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９ａと
対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量
６０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電
圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時
間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電
荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い電気光
学装置１００が実現できる。なお、蓄積容量６０を形成
する方法としては、図３に例示するように、蓄積容量６
０を形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成
する場合、あるいは前段の走査線３ａとの間に形成する
場合もいずれであってもよい。

【００２６】（ＴＦＴアレイ基板の構成）図４は、本形
態の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接す
る複数の画素群の平面図である。図５は、電気光学装置
の画素の一部を図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断
したときの断面図である。

【００２７】図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、複数の透明なＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘ
ｉｄｅ）膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成
されており、これら各画素電極９ａに対して画素スイッ
チング用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、
画素電極９ａの縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走
査線３ａ、および容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０
は、データ線６ａおよび走査線３ａに対して接続してい
る。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホールを介
してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続
し、画素電極９ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ
３の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′に対向するよう
に走査線３ａが延びている。なお、蓄積容量６０（蓄積
容量素子）は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成
するための半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したもの
を下電極とし、この下電極４１に、走査線３ｂと同層の
容量線３ｂが上電極として重なった構造になっている。

【００２８】このように構成した各画素１００ａにおい
ては、画素電極９ａが形成されている領域のうち、一点
鎖線８′で囲まれた領域は、透過モードで表示を行う透
過領域であり、後述する凹凸形成層および光反射膜が形
成されておらず、その他の領域は、後述する凹凸形成層
および光反射膜を備えた反射領域であり、ここでは反射
モードで表示を行う。

【００２９】この反射領域のＡ−Ａ′線における断面
は、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基体た
る透明な基板１０′の表面に、厚さが３００ｎｍ〜５０
０ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜
１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さ
が５０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１ａが形成さ
れている。半導体膜１ａの表面には、厚さが約５０〜１
５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２ａが
形成され、このゲート絶縁膜２ａの表面に、厚さが３０
０ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として通
っている。半導体膜１ａのうち、走査線３ａに対してゲ
ート絶縁膜２ａを介して対峙する領域がチャネル領域１
ａ′になっている。このチャネル領域１ａ′に対して一
方側には、低濃度ソース領域１ｂおよび高濃度ソース領
域１ｄを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃
度ドレイン領域１ｃおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備
えるドレイン領域が形成されている。

【００３０】画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側
には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜
からなる第１層間絶縁膜４、および厚さが１００ｎｍ〜
３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５
（表面保護膜）が形成されている。第１層間絶縁膜４の
表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６
ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶縁膜４
に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領
域１ｄに電気的に接続している。第１層間絶縁膜４の表
面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイン電極６ｂ
が形成され、このドレイン電極６ｂは、第１層間絶縁膜
４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイ
ン領域１ｅに電気的に接続している。

【００３１】第２層間絶縁膜５の上層には、後述するよ
うに、有機系樹脂などの感光性樹脂からなる凹凸形成層
１３ａおよび中間膜７ａがこの順に形成され、この中間
膜７ａの表面には、アルミニウム膜などからなる光反射
膜８ａが形成されている。

【００３２】光反射膜８ａの上層には、ＩＴＯ膜からな
る透明な画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａ
は、光反射膜８ａの表面に直接、積層され、画素電極９
ａと光反射膜８ａとは電気的に接続されている。また、
画素電極９ａは、中間膜７ａおよび第２層間絶縁膜５に
形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極６ｂ
に電気的に接続している。

【００３３】画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜か
らなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２
は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜で
ある。

【００３４】また、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設
部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２ａと同
時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａ
と同層の容量線３ｂが上電極として対向することによ
り、蓄積容量６０が構成されている。

【００３５】なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のよ
うにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、およ
び低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオ
ンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していても
よい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの
一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込
み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を
形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

【００３６】また、本形態では、ＴＦＴ３０のゲート電
極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個の
み配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に
２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々
のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。
このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいは
トリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネ
ルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防
止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これら
のゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフ
セット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定
したスイッチング素子を得ることができる。

【００３７】（凹凸パターンの構成）図６（Ａ）、
（Ｂ）は、本形態の電気光学装置１００に用いたＴＦＴ
アレイ基板１０に形成した凹凸形成層の表面を模式的に
示す斜視図、およびその平面図である。

【００３８】図４および図５において、ＴＦＴアレイ基
板１０では、各画素１００ａの反射領域には、光反射膜
８ａの表面のうち、ＴＦＴ３０の形成領域から外れた領
域（光反射膜形成領域）には、凸部８ｂおよび凹部８ｃ
を備えた凹凸パターン８ｇが形成されている。

【００３９】このような凹凸パターン８ｇを構成するに
あたって、本形態のＴＦＴアレイ基板１０では、光反射
膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる
領域には、有機系の感光性樹脂からなる凹凸形成層１３
ａが第２層間絶縁膜５の表面に厚めに形成され、この凹
凸形成層１３ａの上層には、ポリシラザンや有機系樹脂
などといった流動性材料から形成された絶縁膜からなる
中間膜７ａが積層されている。

【００４０】凹凸形成層１３ａには、図６（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、多数の孔１３ｂからなる凹凸が形
成されている。このため、図５に示すように、反射膜８
ａの表面には、凹凸形成層１３ａの凹凸（孔１３ｂ）に
対応する凹凸パターン８ｇが形成され、この凹凸パター
ン８ｇでは、中間膜７ａによって、凹凸形成層１３ａの
エッジなどが出ないようになっている。なお、中間膜７
ａを形成せずに、凹凸形成層１３ａを形成した後、ベー
ク工程を行うことにより、凹凸形成層１３ａの凹凸（孔
１３ｂ）の縁を滑らかにすることもある。

【００４１】ここで、凹凸形成層１３ａの孔１３ｂはい
ずれも、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、略正八角形
などといった略多角形の平面形状を有しているが、この
平面形状において、孔１３ｂは各々、辺１３ｂ′をラン
ダムな方向に向けている。すなわち、凹凸形成層１３ａ
の複数の凹凸（孔１３ｂ）は各々、同一の平面形状を備
えているが、複数の孔１３ｂは各々、同一形状の多角形
を辺１３ｂ′の向きがずれるように回転させた平面形状
を有している。

【００４２】（対向基板の構成）図５において、対向基
板２０では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画
素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラック
マトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せら
れる遮光膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜
からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電
極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２
が形成され、この配向膜２２は、ポリイミド膜に対して
ラビング処理が施された膜である。

【００４３】（本形態の電気光学装置の作用）このよう
に構成した電気光学装置１００では、画素電極９ａの下
層側にアルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成
されている。このため、対向基板２０側から入射した光
をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基板２０側か
ら出射することができるので、この間に液晶５０によっ
て各画素１００ａ毎で光変調を行えば、外光を利用して
所望の画像を表示することができる（反射モード）。

【００４４】また、電気光学装置１００においては、図
４で一点鎖線８′で囲んだ領域を避けるように光反射膜
８ａが形成されているため、半透過・半反射型の液晶装
置としても機能する。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０
の側に配置されたバックライト装置（図示せず）から出
射された光は、ＴＦＴアレイ基板１０の側に入射した
後、各画素１００ａにおいて画素電極９ａが形成されて
いる領域のうち、光反射膜８ａが形成されていない透過
領域を介して対向基板２０側に透過する。このため、液
晶５０によって各画素１００ａ毎で光変調を行えば、バ
ックライト装置から出射された光を利用して所望の画像
を表示することができる（透過モード）。

【００４５】また、本形態では、光反射膜８ａの下層側
のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域に凹凸形成
層１３ａを形成し、この凹凸形成層１３ａの孔１３ｂに
対応する凹凸を利用して、光反射膜８ａの表面に光散乱
用の凹凸パターン８ｇを形成している。また、凹凸パタ
ーン８ｇでは、中間膜７ａによって、凹凸形成層１３ａ
のエッジなどが出ないようになっている。従って、反射
モードで画像を表示したとき、散乱反射光で画像を表示
するため、視野角依存性が小さい。

【００４６】さらに、凹凸形成層１３ａの孔１３ｂはい
ずれも、図６（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明したよう
に、略正八角形などといった略多角形の平面形状を有し
ているが、この平面形状において、孔１３ｂは各々、辺
１３ｂ′をランダムな方向に向けている。このため、図
２０（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明したように、凹凸形
成層１３ａに形成されている多角形の孔１３ｂを、対向
する辺１３ｂ′に直交するＸ−Ｘ′方向で切断したとき
の光反射膜８ａのＸ−Ｘ′断面と、対向する角同士を結
ぶＹ−Ｙ′方向で切断したときの光反射膜８ａのＹ−
Ｙ′断面との間で側面の傾斜が異なっており、側面の傾
斜がなだらかな方が正反射成分が強いため、孔１３ｂに
対応する凹凸の１つ１つでは光散乱に方向依存性があっ
ても、凹凸パターン８ｇ全体からみると、各凹凸毎の方
向依存性が相殺される。それ故、本形態の電気光学装置
１００では、反射モードで画像を表示する際、光反射膜
８ａで散乱反射した光強度に方向依存性がないため、品
位の高い画像を表示することができる。

【００４７】［ＴＦＴの製造方法］このような構成のＴ
ＦＴアレイ基板１０を製造する方法を、図７ないし図１
１、および図１２を参照して説明する。図７ないし図１
１はいずれも、本形態のＴＦＴアレイ基板１１の製造方
法を示す工程断面図であり、いずれの図においても、Ｔ
ＦＴ形成領域、および光反射膜形成領域（反射領域）の
断面を示してある。図１２は、本形態のＴＦＴアレイ基
板１０の製造方法において、フォトリソグラフィ技術を
用いて感光性樹脂から凹凸形成層１３ｂを形成するのに
用いた露光マスクのマスクパターンを示す説明図であ
る。

【００４８】まず、図７（Ａ）に示すように、超音波洗
浄等により清浄化したガラス製等の基板１０′を準備し
た後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、
基板１０′の全面に、シリコン酸化膜からなる下地保護
膜１１をプラズマＣＶＤ法により３００ｎｍ〜５００ｎ
ｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、た
とえばモノシランと笑気ガスとの混合ガスやＴＥＯＳと
酸素、あるいはジシランとアンモニアを用いることがで
きる。

【００４９】次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温
度条件下で、基板１０′の全面に、非晶質シリコン膜か
らなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法により５０ｎｍ〜
１００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとし
ては、たとえばジシランやモノシランを用いることがで
きる。次に、半導体膜１に対してレーザ光を照射してレ
ーザアニールを施す。その結果、アモルファスの半導体
膜１は、一度溶融し、冷却固化過程を経て結晶化する。
この際には、各領域へのレーザ光の照射時間が非常に短
時間であり、かつ、照射領域も基板全体に対して局所的
であるため、基板全体が同時に高温に熱せられることが
ない。それ故、基板１０′としてガラス基板などを用い
ても熱による変形や割れ等が生じない。

【００５０】次に、半導体膜１の表面にフォトリソグラ
フィ技術を用いてレジストマスク５５１を形成し、この
レジストマスク５５１を介して半導体膜１をエッチング
することにより、図７（Ｂ）に示すように、島状の半導
体膜１ａ（能動層）、および遮光膜１ｇを形成するため
の半導体膜を各々分離した状態に形成する。

【００５１】次に、３５０℃以下の温度条件下で、基板
１０′の全面に、ＣＶＤ法などにより半導体膜１ａの表
面に、シリコン酸化膜などからなるゲート絶縁膜２を５
０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さに形成する。このときの原料
ガスは、たとえばＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用
いることができる。ここで形成するゲート絶縁膜２は、
シリコン酸化膜に代えてシリコン窒化膜であってもよ
い。

【００５２】次に、図示を省略するが、所定のレジスト
マスクを介して半導体膜１ａの延設部分１ｆに不純物イ
オンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を
構成するための下電極を形成する。

【００５３】次に、図７（Ｃ）に示すように、スパッタ
法などにより、基板１０′の全面に、走査線３ａなどを
形成するためのアルミニウム膜、タンタル膜、モリブデ
ン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合
金膜からなる導電膜３を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さ
に形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジス
トマスク５５２を形成する。

【００５４】次に、レジストマスク５５２を介して導電
膜３をドライエッチングし、図７（Ｄ）に示すように、
走査線３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂなどを形成す
る。

【００５５】次に、画素ＴＦＴ部および駆動回路のＮチ
ャネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａやゲ
ート電極をマスクとして、約０．１×１０¹³／ｃｍ² 〜
約１０×１０¹³／ｃｍ² のドーズ量で低濃度の不純物イ
オン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対して
自己整合的に低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイ
ン領域１ｃを形成する。ここで、走査線３ａの真下に位
置しているため、不純物イオンが導入されなかった部分
は半導体膜１ａのままのチャネル領域１ａ′となる。

【００５６】次に、図８（Ａ）に示すように、画素ＴＦ
Ｔ部では、走査線３ａ（ゲート電極）より幅の広いレジ
ストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リ
ンイオン）を約０．１×１０¹⁵／ｃｍ² 〜約１０×１０
¹⁵／ｃｍ² のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領域１
ｂおよびドレイン領域１ｄを形成する。

【００５７】これらの不純物導入工程に代えて、低濃度
の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広い
レジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リン
イオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域およ
びドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａを
マスクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアラ
イン構造のソース領域およびドレイン領域を形成しても
よいことは勿論である。

【００５８】なお、図示を省略するが、このような工程
によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成
するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆
っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を
形成する際には、画素部およびＮチャネルＴＦＴ部をレ
ジストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約
０．１×１０¹⁵／ｃｍ² 〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ² のド
ーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己整合
的にＰチャネルのソース・ドレイン領域を形成する。こ
の際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同様、ゲート電極
をマスクとして、約０．１×１０¹³／ｃｍ² 〜約１０×
１０¹³／ｃｍ² のドーズ量で低濃度の不純物（ボロンイ
オン）を導入して、ポリシリコン膜に低濃度領域を形成
した後、ゲート電極より幅の広いマスクを形成して高濃
度の不純物（ボロンイオン）を約０．１×１０¹⁵／ｃｍ
² 〜約１０×１０¹⁵／ｃｍ² のドーズ量で打ち込んで、
ＬＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構造）の
ソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。ま
た、低濃度の不純物の打ち込みを行わずに、ゲート電極
より幅の広いマスクを形成した状態で高濃度の不純物
（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領
域およびドレイン領域を形成してもよい。これらのイオ
ン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ化が可能になり、周
辺駆動回路の同一基板内への内蔵が可能となる。

【００５９】次に、図８（Ｂ）に示すように、走査線３
ａの表面側にＣＶＤ法などにより、シリコン酸化膜など
からなる第１層間絶縁膜４を３００ｎｍ〜８００ｎｍの
厚さに形成する。このときの原料ガスは、たとえばＴＥ
ＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。

【００６０】次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレ
ジストマスク５５４を形成する。

【００６１】次に、レジストマスク５５４を介して第１
層間絶縁膜４にドライエッチングを行い、図８（Ｃ）に
示すように、第１層間絶縁膜４においてソース領域およ
びドレイン領域に対応する部分などにコンタクトホール
をそれぞれ形成する。

【００６２】次に、図８（Ｄ）に示すように、第１層間
絶縁膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極）など
を構成するためのアルミニウム膜、タンタル膜、モリブ
デン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする
合金膜からなる導電膜６をスパッタ法などで３００ｎｍ
〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ
技術を用いてレジストマスク５５５を形成する。

【００６３】次に、レジストマスク５５５を介して導電
膜６にドライエッチングを行い、図９（Ａ）に示すよう
に、データ線６ａ、およびドレイン電極６ｂを形成す
る。

【００６４】次に、図９（Ｂ）に示すように、データ線
６ａ、およびドレイン電極６ｂの表面側にＣＶＤ法など
により、シリコン窒化膜あるいは有機系樹脂などからな
る第２層間絶縁膜５を１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚に
形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、第２層
間絶縁膜５にコンタクトホールなどを形成するためのレ
ジストマスク５５６を形成する。

【００６５】次に、レジストマスク５５６を介して第２
層間絶縁膜５にドライエッチングを行い、図９（Ｃ）に
示すように、第２層間絶縁膜５のうち、ドレイン電極１
４に対応する部分にコンタクトホールを形成する。

【００６６】次に、図１０（Ａ）に示すように、第２層
間絶縁膜５の表面に、有機系の感光性樹脂１３を厚めに
塗布した後、感光性樹脂１３をフォトリソグラフィ技術
を用いてパターニングすることによって、図１０（Ｂ）
に示すように、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜
８ａと平面的に重なる領域に、図６（Ａ）、（Ｂ）を参
照して説明した多数の孔１３ｂを備えた凹凸形成層１３
ａを形成する。

【００６７】このようなフォトリソグラフィ技術を利用
して凹凸形成層１３ａを形成する際、感光性樹脂１３と
してはネガタイプおよびポジタイプのいずれを用いても
よいが、図１０（Ａ）には、感光性樹脂１３としてポジ
タイプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３を除去し
たい部分に対して、図１２を参照して後述する露光マス
ク５１０の透光部分５１１を介して紫外線が照射され
る。

【００６８】次に、図１０（Ｃ）に示すように、第２層
間絶縁膜５および凹凸形成層１３ａの表面側に、ペルヒ
ドロポリシラザンまたはこれを含む組成物を塗布した
後、焼成して、あるいは有機系樹脂からなる流動性材料
７を塗布した後、硬化させ、次に、図１０（Ｄ）に示す
ように、フォトリソグラフィ技術を利用して、コンタク
トホールを備えた中間膜７ａを形成する。

【００６９】なお、ペルヒドロポリシラザンとは無機ポ
リシラザンの一種であり、大気中で焼成することによっ
てシリコン酸化膜に転化する塗布型コーティング材料で
ある。たとえば、東燃（株）製のポリシラザンは、−
（ＳｉＨ₂ ＮＨ）−を単位とする無機ポリマーであり、
キシレンなどの有機溶剤に可溶である。従って、この無
機ポリマーの有機溶媒溶液（たとえば、２０％キシレン
溶液）を塗布液としてスピンコート法（たとえば、２０
００ｒｐｍ、２０秒間）で塗布した後、４５０℃の温度
で大気中で焼成すると、水分や酸素と反応し、ＣＶＤ法
で成膜したシリコン酸化膜と同等以上の緻密な非晶質の
シリコン酸化膜を得ることができる。

【００７０】ここで、中間膜７ａは、流動性を有する材
料を塗布したものから形成されるため、中間膜７ａの表
面には、凹凸形成層１３ａの凹凸を適度に打ち消して、
エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇが形
成される。

【００７１】なお、中間膜７ａを形成せずに、なだらか
な形状の凹凸パターン８ｇを形成する場合には、図１０
（Ｂ）に示す状態でベーク工程を行って、凹凸形成層１
３ａの孔１３ｂの縁を滑らかな形状にすればよい。

【００７２】次に、図１１（Ａ）に示すように、スパッ
タ法などによって、中間膜７ａの表面にアルミニウム膜
などといった反射性を備えた金属膜８を形成した後、フ
ォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５７を
形成する。

【００７３】次に、レジストマスク５５７を介して金属
膜８にエッチングを行い、図１１（Ｂ）に示すように、
所定領域に光反射膜８ａを残す。このようにして形成し
た光反射膜８ａの表面には、凹凸形成層１３ａの孔１３
ｂからなる凹凸によって５００ｎｍ以上、さらには８０
０ｎｍ以上の凹凸パターン８ｇが形成され、かつ、この
凹凸パターン８ｇは、中間膜７ａによって、エッジのな
い、なだらかな形状になっている。

【００７４】次に、図１１（Ｃ）に示すように、光反射
膜８ａの表面側に、厚さが４０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴ
Ｏ膜９をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラ
フィ技術を用いてレジストマスク５５８を形成する。

【００７５】次に、レジストマスク５５８を介してＩＴ
Ｏ膜９にエッチングを行って、図１１（Ｄ）に示すよう
に、ドレイン電極６ｂに電気的に接続する画素電極９ａ
を形成する。

【００７６】しかる後には、図５に示すように、画素電
極９ａの表面側にポリイミド膜（配向膜１２）を形成す
る。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリド
ンなどの溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミ
ド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷し
た後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド膜
を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定
方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配
列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミ
ド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列す
る。

【００７７】その結果、ＴＦＴアレイ基板１０が完成す
る。

【００７８】（露光マスク５１０の構成）これらの製造
工程のうち、図１０（Ａ）を参照して説明した露光工程
では、図１２に示す露光マスク５１０を用いて感光性樹
脂１３を露光する。この露光マスク５１０には、図６
（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明した孔１３ｂに対応する
領域に、略正八角形などといった略多角形の透光部分５
１１が複数、形成され、これらの透光部分５１１は、各
辺５１１′をランダムな方向に向けている。すなわち、
露光マスク５１０において、透光部分５１１は各々、同
一の平面形状を備えているが、同一形状の多角形を辺５
１１′の向きがずれるように回転させた形状を有してい
る。

【００７９】このため、露光マスク５１０を作成する
際、透光部分５１１が多角形であるいめ、角のない円形
状あるいは楕円形状と違って、膨大なマスクデータを必
要としない。また、露光マスク５１０において、透光部
分５１１は各々、同一の平面形状を備えているため、一
つの透光部分５１１をそのまま複写するだけで多数の透
光部分５１１を備えた露光マスク５１０を容易に形成で
きる。しかも、透光部分５１１は各々、同一形状の多角
形を辺５１１′の向きがずれるように回転させた形状を
有しているため、透光部分５１１をそのまま角度をずら
しながら複写するだけで透光部分５１１の辺５１１′が
ランダムな方向に向いた露光マスク５１０を製造するこ
とができる。

【００８０】また、本形態では、凹凸形成層１３ａを感
光性樹脂層から構成しているため、レジストマスクで他
の層をパターニングして凹凸形成層を形成する場合と違
って、感光性樹脂１３を直接、フォトリソソグラフィ工
程で露光、現像するだけで、凹凸形成層１３ａを形成で
きるという利点がある。

【００８１】［その他の実施の形態］上記形態では、平
面形状が八角形の孔１３ｂからなる凹凸を備えた凹凸形
成層１３ａを例に説明したが、孔１３ｂの平面形状につ
いては、八角形に限らず、その他の多角形でもよい。但
し、マスクデータおよび散乱特性を考慮すると、平面形
状は正六角形ないし正八角形が好ましい。

【００８２】また、図１２には、ポジタイプの感光性樹
脂から孔１３ｂ（凹凸）を備えた凹凸形成層１３ａを形
成するための露光マスク５１０を示したが、ネガタイプ
の感光性樹脂から孔１３ｂ（凹凸）を備えた凹凸形成層
１３ａを形成する場合には、図１３に示す露光マスク５
１０′を用いればよい。この露光マスク５１０′には、
図６（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明した孔１３ｂに対応
する領域に、略正八角形などといった略多角形の遮光部
分５１２が複数、形成され、この遮光部分５１２は、各
辺５１２′をランダムな方向に向けている。

【００８３】さらに、上記実施の形態では、孔１３ｂか
らなる凹凸が形成された凹凸形成層１３ａを用いたが、
図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、感光性樹脂にフォ
トリソグラフィ技術を用いて露光、現像を行って、突起
１３ｃからなる凹凸を構成する凹凸形成層１３ａを形成
してもよい。この場合も、凹凸形成層１３ａの突起１３
ｃはいずれも、略正八角形などといった略多角形の平面
形状を有しているが、この平面形状において、突起１３
ｃは各々、辺１３ｃ′をランダムな方向に向けている構
成とする。

【００８４】さらにまた、上記のいずれの形態も、画素
スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマト
リクス型の液晶装置を例に説明したが、画素スイッチン
グ素子としてＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の
液晶装置、あるいはパッシブマトリクス型の液晶装置、
さらには液晶以外の電気光学物質を用いた電気光学装置
に本発明を適用してもよい。

【００８５】［電気光学装置の電子機器への適用］この
ように構成した反射型、あるいは半透過・半反射型の電
気光学装置１００は、各種の電子機器の表示部として用
いることができるが、その一例を、図１５、図１６、お
よび図１７を参照して説明する。

【００８６】１５は、本発明に係る電気光学装置を表示
装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図
である。

【００８７】図１５において、電子機器は、表示情報出
力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイ
ミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有す
る。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および
駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述し
た電気光学装置１００を用いることができる。

【００８８】表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ
ＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
ＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種
ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像
信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェ
ネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に
基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示
情報を表示情報処理回路７１に供給する。

【００８９】表示情報処理回路７１は、シリアル−パラ
レル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ
供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を
供給する。

【００９０】図１６は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キ
ーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット
８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電
気光学装置１００を含んで構成される。

【００９１】図１７は、本発明に係る電子機器の他の実
施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯
電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気
光学装置１００からなる表示部とを有している。

【００９２】

【発明の効果】以上のとおり、本発明では、フォトリソ
グラフィ技術によって平面が多角形の突起あるいは孔か
らなる複数の凹凸を備えた凹凸形成層を形成し、この凹
凸形成層によって光反射膜の表面に光散乱用の凹凸パタ
ーンを形成するが、凹凸形成層の凹凸は各々、多角形を
構成する辺をランダムな方向に向けた平面形状を有して
いる。このため、凹凸形成層の凹凸を異なる２方向で切
断したときの光反射膜の断面において、側面の傾斜に差
があって凹凸の１つ１つでは光散乱特性に方向依存性が
あるとしても、凹凸パターン全体からみると、各凹凸毎
の方向依存性が相殺される。それ故、本発明を適用した
電気光学装置では、散乱特性に方向依存性がないため、
品位の高い表示を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】電気光学装置を対向基板の側からみたときの平
面図である。

【図２】図１のＨ−Ｈ′線における断面図である。

【図３】電気光学装置において、マトリクス状に配置さ
れた複数の画素に形成された各種素子、配線などの等価
回路図である。

【図４】本発明を適用した電気光学装置において、ＴＦ
Ｔアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図で
ある。

【図５】図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したと
きの画素の断面図である。

【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光学
装置に用いたＴＦＴアレイ基板に形成した凹凸形成層の
表面を模式的に示す斜視図、およびその平面図である。

【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明を適用した電気光学
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図８】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明を適用した電気光学
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図７に示
す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。

【図９】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明を適用した電気光学
装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図８に示
す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。

【図１０】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明を適用した電気光
学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図９に
示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。

【図１１】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明を適用した電気光
学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図１０
に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。

【図１２】図６（Ａ）、（Ｂ）に示す凹凸形成層を形成
するのに用いた露光マスクの説明図である。

【図１３】図６（Ａ）、（Ｂ）に示す凹凸形成層を形成
するのに使用可能な別の露光マスクの説明図である。

【図１４】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した電気光
学装置に用いたＴＦＴアレイ基板に形成した別の凹凸形
成層の表面を模式的に示す斜視図、およびその平面図で
ある。

【図１５】本発明に係る電気光学装置を表示装置として
用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。

【図１６】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器
の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュ
ータを示す説明図である。

【図１７】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器
の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。

【図１８】従来の電気光学装置の画素の一部の断面図で
ある。

【図１９】（Ａ）、（Ｂ）は、従来の電気光学装置に用
いたＴＦＴアレイ基板に形成した凹凸形成層の表面を模
式的に示す斜視図、およびその平面図である。

【図２０】（Ａ）、（Ｂ）は、平面形状が多角形の凹凸
を形成する凹凸形成層を用いたときに発生する散乱特性
の方向依存性を説明するための説明図である。

【符号の説明】

１ａ半導体膜１ａ′ チャネル形成用領域２ゲート絶縁膜３ａ走査線３ｂ容量線４第１層間絶縁膜５第２層間絶縁膜６ａデータ線６ｂドレイン電極７ａ中間膜８ａ光反射膜９ａ画素電極１０ＴＦＴアレイ基板１１下地保護膜１３凹凸形成層を形成するための感光性樹脂１３ａ凹凸形成層１３ｂ凹凸形成層の孔（凹凸）１３ｂ′ 凹凸形成層の孔（凹凸）の辺１３ｃ凹凸形成層の突起（凹凸）１３ｃ′ 凹凸形成層の突起（凹凸）の辺２０対向基板２１対向電極３０画素スイッチング用のＴＦＴ５０液晶６０蓄積容量１００電気光学装置１００ａ画素５１０露光マスク５１１露光マスクの透光部分５１１′ 露光マスクの透光部分の辺５１２露光マスクの遮光部分５１２′ 露光マスクの遮光部分の辺

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気光学物質を保持する基板の表面側
に、突起あるいは孔からなる複数の凹凸を形成する凹凸
形成層と、該凹凸形成層の上層側で当該凹凸形成層と平
面的に重なる領域に形成された光反射膜とを有し、該光
反射膜の表面には前記凹凸形成層の複数の凹凸によって
光散乱用の凹凸パターンが形成されてなる電気光学装置
において、前記凹凸形成層の複数の凹凸は各々、略多角形の平面形
状を有するとともに、当該多角形を構成する辺をランダ
ムな方向に向けていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】請求項１において、前記凹凸形成層は、
感光性樹脂層からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】請求項１または２において、前記凹凸形
成層の表面には、前記凹凸パターンの凹凸形状を滑らか
にするための中間膜が形成され、該中間膜の表面に前記
反射膜が形成されていることを特徴とする電気光学装
置。
【請求項４】請求項１または２において、前記凹凸形
成層は、前記凹凸の縁が滑らかな形状になっていること
を特徴とする電気光学装置。
【請求項５】請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記凹凸形成層の複数の凹凸は各々、同一の平面形状を
備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】請求項５において、前記凹凸形成層の複
数の凹凸は各々、同一形状の多角形を辺の向きがずれる
ように回転させた平面形状を有していることを特徴とす
る電気光学装置。
【請求項７】請求項１ないし６のいずれかにおいて、
前記凹凸形成層の複数の凹凸は、略正六角形ないし略正
八角形の平面形状を備えていることを特徴とする電気光
学装置。
【請求項８】請求項１ないし７のいずれかにおいて、
前記基板を第１の基板とし、該第１の基板に対して第２
の基板を対向配置させて当該基板間に前記電気光学物質
としての液晶を保持してなることを特徴とする電気光学
装置。
【請求項９】請求項１ないし８のいずれかに規定する
電気光学装置を表示部として備えてなることを特徴とす
る電子機器。