JP2002111317A - 複数のフィルタを有する多層配線基板 - Google Patents
複数のフィルタを有する多層配線基板Info
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- JP2002111317A JP2002111317A JP2000298840A JP2000298840A JP2002111317A JP 2002111317 A JP2002111317 A JP 2002111317A JP 2000298840 A JP2000298840 A JP 2000298840A JP 2000298840 A JP2000298840 A JP 2000298840A JP 2002111317 A JP2002111317 A JP 2002111317A
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】小型で低損失、高減衰量の複数のフィルタを有
する多層配線基板、特に分波器と各周波数帯のフィルタ
とを備えた多層配線基板を提供する。 【解決手段】複数の誘電体層１ａ〜１ｉが積層された誘
電体ブロック１と、電子部品１３を搭載するために誘電
体ブロックの主面側の一部から誘電体層の積層方向に形
成されたキャビティ１２とを有する多層配線基板におい
て、キャビティを形成しない誘電体層の層間であってキ
ャビティの下部誘電体層間に、相対的に長いストリップ
ライン３１と、一方の電極がその長いストリップライン
に接続され他方の電極が前記下部誘電体層間を介してア
ース電位に接続された容量成分とを含むローパスフィル
タ１７を形成し、キャビティを形成する誘電体層の層間
であってキャビティに隣接する隣接誘電体層間の箇所
に、相対的に短いストリップライン３４と、一方の電極
がその短いストリップラインに接続され他方の電極が前
記隣接誘電体層間を介して入力回路に接続された容量成
分とを含むハイパスフィルタ１８を形成したことを特徴
とする。
する多層配線基板、特に分波器と各周波数帯のフィルタ
とを備えた多層配線基板を提供する。 【解決手段】複数の誘電体層１ａ〜１ｉが積層された誘
電体ブロック１と、電子部品１３を搭載するために誘電
体ブロックの主面側の一部から誘電体層の積層方向に形
成されたキャビティ１２とを有する多層配線基板におい
て、キャビティを形成しない誘電体層の層間であってキ
ャビティの下部誘電体層間に、相対的に長いストリップ
ライン３１と、一方の電極がその長いストリップライン
に接続され他方の電極が前記下部誘電体層間を介してア
ース電位に接続された容量成分とを含むローパスフィル
タ１７を形成し、キャビティを形成する誘電体層の層間
であってキャビティに隣接する隣接誘電体層間の箇所
に、相対的に短いストリップライン３４と、一方の電極
がその短いストリップラインに接続され他方の電極が前
記隣接誘電体層間を介して入力回路に接続された容量成
分とを含むハイパスフィルタ１８を形成したことを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、複数のフィルタ
を有する多層配線基板、特にトリプレート構造積層フィ
ルタと弾性表面波フィルタとの複合フィルタを有する多
層配線基板に属する。
を有する多層配線基板、特にトリプレート構造積層フィ
ルタと弾性表面波フィルタとの複合フィルタを有する多
層配線基板に属する。
【０００２】
【従来の技術】近年の移動体通信の発達により、使用周
波数帯が準マイクロ波の領域へ上がっており、例えば米
国の「ＰＣＳ」、欧州の「ＤＣＳ」などのシステムで
は、従来の８００ＭＨｚ帯と準マイクロ波の１．８〜
１．９ＧＨｚ帯のデュアルバンドで使用されつつある。
波数帯が準マイクロ波の領域へ上がっており、例えば米
国の「ＰＣＳ」、欧州の「ＤＣＳ」などのシステムで
は、従来の８００ＭＨｚ帯と準マイクロ波の１．８〜
１．９ＧＨｚ帯のデュアルバンドで使用されつつある。
【０００３】これらのデュアルバンドの移動体通信機に
は各周波数帯域のフィルタとは別に２つの周波数帯域を
分波する分波器が用いられている。分波器としては積層
型誘電体フィルタを組み合わせたものが一般的である。
一方、各周波数帯域のフィルタには誘電体フィルタの
他、弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタとい
う）も用いられている。
は各周波数帯域のフィルタとは別に２つの周波数帯域を
分波する分波器が用いられている。分波器としては積層
型誘電体フィルタを組み合わせたものが一般的である。
一方、各周波数帯域のフィルタには誘電体フィルタの
他、弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタとい
う）も用いられている。
【０００４】図８は、従来の移動体通信機のフィルタ構
成を示すブロック図であり、分波器２１の後に８００Ｍ
Ｈｚ帯のフィルタ２２ａ、２２ｂ、１．８〜１．９ＧＨ
ｚ帯のフィルタ２３ａ、２３ｂが各別体の部品として配
置されている。各周波数帯のフィルタは、積層型誘電体
フィルタ、又は積層型誘電体フィルタとＳＡＷフィルタ
との複合フィルタである。
成を示すブロック図であり、分波器２１の後に８００Ｍ
Ｈｚ帯のフィルタ２２ａ、２２ｂ、１．８〜１．９ＧＨ
ｚ帯のフィルタ２３ａ、２３ｂが各別体の部品として配
置されている。各周波数帯のフィルタは、積層型誘電体
フィルタ、又は積層型誘電体フィルタとＳＡＷフィルタ
との複合フィルタである。
【０００５】このうち分波器２１とフィルタ２３ａ、２
３ｂの配置例を斜視図として図９に示す。図９には、エ
ポキシ樹脂等からなるプリント基板１００上に図８の分
波器２１に対応する分波器１１５と誘電体ブロック１０
１が搭載されている。分波器１１５は、その一つの端子
１２１が図略のアンテナに接続され、他の一つの端子１
２３ｂが誘電体ブロック１０１内でフィルタ２３ａとな
る積層型誘電体フィルタの端子１２３ａに接続され、残
る端子１２２が図略の別のフィルタ（図８の２２）に接
続されている。
３ｂの配置例を斜視図として図９に示す。図９には、エ
ポキシ樹脂等からなるプリント基板１００上に図８の分
波器２１に対応する分波器１１５と誘電体ブロック１０
１が搭載されている。分波器１１５は、その一つの端子
１２１が図略のアンテナに接続され、他の一つの端子１
２３ｂが誘電体ブロック１０１内でフィルタ２３ａとな
る積層型誘電体フィルタの端子１２３ａに接続され、残
る端子１２２が図略の別のフィルタ（図８の２２）に接
続されている。
【０００６】誘電体ブロック１０１は、複数の誘電体層
を積層し、層間にストリップライン、内部配線、内部電
極などを形成し、主面及び端面のほぼ全体にアース電極
１０２、１０３を形成し、所定の箇所にキャビティ１１
２を設けたものである。図８との関係では、誘電体ブロ
ック１０１の内部の入出力電極１０９、１１０と結合電
極１０８との間に複数（図示は５つ）のストリップライ
ン１０５が並べて形成され、図８のフィルタ２３ａに対
応する積層型誘電体フィルタとし、キャビティ１１２の
底面に図８のフィルタ２３ｂとなるＳＡＷフィルタ１１
３が搭載されている。入出力端子１２４、１２５は、図
略の受信回路に接続されている。
を積層し、層間にストリップライン、内部配線、内部電
極などを形成し、主面及び端面のほぼ全体にアース電極
１０２、１０３を形成し、所定の箇所にキャビティ１１
２を設けたものである。図８との関係では、誘電体ブロ
ック１０１の内部の入出力電極１０９、１１０と結合電
極１０８との間に複数（図示は５つ）のストリップライ
ン１０５が並べて形成され、図８のフィルタ２３ａに対
応する積層型誘電体フィルタとし、キャビティ１１２の
底面に図８のフィルタ２３ｂとなるＳＡＷフィルタ１１
３が搭載されている。入出力端子１２４、１２５は、図
略の受信回路に接続されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の通信機では、上
記のように分波器と各周波数帯のフィルタとが各別の部
品であって、プリント基板上で接続されていた。このた
め、それぞれの接続部分でインピーダンスの不整合によ
る反射が発生し、分波器及びフィルタのトータルとして
の伝送損失が大きくなるという問題があった。又、デュ
アルバンドになることでフィルタ数が多くなり、フィル
タの占有面積の増大にともなって通信機全体を阻害して
いた。
記のように分波器と各周波数帯のフィルタとが各別の部
品であって、プリント基板上で接続されていた。このた
め、それぞれの接続部分でインピーダンスの不整合によ
る反射が発生し、分波器及びフィルタのトータルとして
の伝送損失が大きくなるという問題があった。又、デュ
アルバンドになることでフィルタ数が多くなり、フィル
タの占有面積の増大にともなって通信機全体を阻害して
いた。
【０００８】それ故、この発明の課題は、小型で低損
失、高減衰量の複数のフィルタを有する多層配線基板、
特に分波器と各周波数帯のフィルタとを備えた多層配線
基板を提供することにある。
失、高減衰量の複数のフィルタを有する多層配線基板、
特に分波器と各周波数帯のフィルタとを備えた多層配線
基板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、複数の誘電体層が積層された誘電体ブ
ロックと、電子部品を搭載するために誘電体ブロックの
主面側の一部から誘電体層の積層方向に形成されたキャ
ビティとを有する多層配線基板において、キャビティを
形成しない誘電体層の層間であってキャビティの下部誘
電体層間に、相対的に長いストリップラインと、一方の
電極がその長いストリップラインに接続され他方の電極
が前記下部誘電体層間を介してアース電位に接続された
容量成分とを含むローパスフィルタを形成し、キャビテ
ィを形成する誘電体層の層間であってキャビティに隣接
する隣接誘電体層間の箇所に、相対的に短いストリップ
ラインと、一方の電極がその短いストリップラインに接
続され他方の電極が前記隣接誘電体層間を介して入力回
路に接続された容量成分とを含むハイパスフィルタを形
成したことを特徴とする。
に、この発明は、複数の誘電体層が積層された誘電体ブ
ロックと、電子部品を搭載するために誘電体ブロックの
主面側の一部から誘電体層の積層方向に形成されたキャ
ビティとを有する多層配線基板において、キャビティを
形成しない誘電体層の層間であってキャビティの下部誘
電体層間に、相対的に長いストリップラインと、一方の
電極がその長いストリップラインに接続され他方の電極
が前記下部誘電体層間を介してアース電位に接続された
容量成分とを含むローパスフィルタを形成し、キャビテ
ィを形成する誘電体層の層間であってキャビティに隣接
する隣接誘電体層間の箇所に、相対的に短いストリップ
ラインと、一方の電極がその短いストリップラインに接
続され他方の電極が前記隣接誘電体層間を介して入力回
路に接続された容量成分とを含むハイパスフィルタを形
成したことを特徴とする。
【００１０】誘電体層の層間のうちキャビティの下部や
キャビティに隣接する箇所は、従来はキャビティを形成
するために存在するデッドスペースであった。一方、フ
ィルタを構成するストリップラインの導体長は、周波数
帯によって異なる。そこで、この発明によれば、比較的
広い面積を確保できるキャビティ下部に長いストリップ
ラインと所定の容量成分を必要とするローパスフィル
タ、面積の狭いキャビティ隣接箇所に短いストリップラ
インと所定の容量成分で構成できるハイパスフィルタを
形成して、デッドスペースの有効利用を図った。従っ
て、フィルタ数が増えることに伴う通信機器全体の大型
化を避けることができる。
キャビティに隣接する箇所は、従来はキャビティを形成
するために存在するデッドスペースであった。一方、フ
ィルタを構成するストリップラインの導体長は、周波数
帯によって異なる。そこで、この発明によれば、比較的
広い面積を確保できるキャビティ下部に長いストリップ
ラインと所定の容量成分を必要とするローパスフィル
タ、面積の狭いキャビティ隣接箇所に短いストリップラ
インと所定の容量成分で構成できるハイパスフィルタを
形成して、デッドスペースの有効利用を図った。従っ
て、フィルタ数が増えることに伴う通信機器全体の大型
化を避けることができる。
【００１１】この発明の多層配線基板において、前記キ
ャビティの底面を含む面のうち、平面視で前記ローパス
フィルタとハイパスフィルタとが重なる領域のほぼ全面
に接地導体を形成したものは、好ましい一つの構成であ
る。
ャビティの底面を含む面のうち、平面視で前記ローパス
フィルタとハイパスフィルタとが重なる領域のほぼ全面
に接地導体を形成したものは、好ましい一つの構成であ
る。
【００１２】ローパスフィルタとハイパスフィルタとの
重なり領域の余地全体に電子部品に必要な接地導体を形
成することで、上下のフィルタを分離して相互干渉を無
くするシールド構造を兼ねることができる。更に又、電
子部品をキャビティに配置することで、その破損を防止
することもできる。
重なり領域の余地全体に電子部品に必要な接地導体を形
成することで、上下のフィルタを分離して相互干渉を無
くするシールド構造を兼ねることができる。更に又、電
子部品をキャビティに配置することで、その破損を防止
することもできる。
【００１３】別の好ましい構成は、前記誘電体層の層間
であって平面視で前記２種のローパスフィルタとハイパ
スフィルタのいずれとも重ならない位置に、積層型誘電
体フィルタとなる複数のストリップラインを形成したも
のである。これにより、分波器に接続される各周波数帯
のフィルタと分波器との接続間距離が短くなり、伝送損
失が著しく減少するからである。
であって平面視で前記２種のローパスフィルタとハイパ
スフィルタのいずれとも重ならない位置に、積層型誘電
体フィルタとなる複数のストリップラインを形成したも
のである。これにより、分波器に接続される各周波数帯
のフィルタと分波器との接続間距離が短くなり、伝送損
失が著しく減少するからである。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明の多層配線基板を分波器
及び各周波数帯のフィルタに適用した実施形態を図面と
共に説明する。図１は、ローパスフィルタ１７及びハイ
パスフィルタ１８からなる分波器２１と各周波数帯のフ
ィルタ２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂの構成を示した
ブロック図である。フィルタ２２ａ、２２ｂは８００Ｍ
Ｈｚ帯のフィルタであり、フィルタ２３は１．８〜１．
９ＧＨｚ帯のフィルタであり、従来と異なり、いずれも
分波器２１と一体の部品である。
及び各周波数帯のフィルタに適用した実施形態を図面と
共に説明する。図１は、ローパスフィルタ１７及びハイ
パスフィルタ１８からなる分波器２１と各周波数帯のフ
ィルタ２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂの構成を示した
ブロック図である。フィルタ２２ａ、２２ｂは８００Ｍ
Ｈｚ帯のフィルタであり、フィルタ２３は１．８〜１．
９ＧＨｚ帯のフィルタであり、従来と異なり、いずれも
分波器２１と一体の部品である。
【００１５】図２はこれらのうち分波器２１とフィルタ
２３ａ、２３ｂの部分を示す斜視図、図３は同じく平面
図、図４は図３のＡＡ’断面図、図５は同じくＢＢ’断
面図である。分波器２１及びフィルタ２３ａは、以下に
詳述するように単一の誘電体ブロック１の中で構成さ
れ、フィルタ２３ｂは誘電体ブロック１の一方の側の主
面に設けたキャビティ１２内にＳＡＷフィルタ１３とし
て収納されている。
２３ａ、２３ｂの部分を示す斜視図、図３は同じく平面
図、図４は図３のＡＡ’断面図、図５は同じくＢＢ’断
面図である。分波器２１及びフィルタ２３ａは、以下に
詳述するように単一の誘電体ブロック１の中で構成さ
れ、フィルタ２３ｂは誘電体ブロック１の一方の側の主
面に設けたキャビティ１２内にＳＡＷフィルタ１３とし
て収納されている。
【００１６】誘電体ブロック１は、主面に所定の導体を
形成した９つの誘電体層１ａ〜１ｉを積層したもので、
所定の層間であってキャビティ１２の一方の側に隣接す
る広い面積部分には各々共振器となり全体でフィルタ２
３ａとなる５本のストリップライン５ａ、５ｂ・・５ｅ
が並べて形成されている。尚、ストリップライン５ａ〜
５ｅ全てと対面する誘電体ブロックの両主面の領域に
は、図示しないがアース電極が形成されており、ストリ
ップライン５ａ〜５ｂの一端がアース電極に短絡し、他
端が開放されている。
形成した９つの誘電体層１ａ〜１ｉを積層したもので、
所定の層間であってキャビティ１２の一方の側に隣接す
る広い面積部分には各々共振器となり全体でフィルタ２
３ａとなる５本のストリップライン５ａ、５ｂ・・５ｅ
が並べて形成されている。尚、ストリップライン５ａ〜
５ｅ全てと対面する誘電体ブロックの両主面の領域に
は、図示しないがアース電極が形成されており、ストリ
ップライン５ａ〜５ｂの一端がアース電極に短絡し、他
端が開放されている。
【００１７】キャビティ１２と反対側の端に位置するス
トリップライン５ａの上方にはそれらストリップライン
と捻れの配置で入出力電極９ａが形成されて誘電体ブロ
ック１の端面にまで延びている。又、キャビティ１２側
の端に位置するストリップラインｅの上方には同じく捻
れの配置で内部配線１０が形成され、後述の接続点２７
を介してハイパスフィルタ１８と接続している。他方、
５本のストリップライン５ａ〜５ｅの下方には共振器間
結合電極８がそれらストリップラインと垂直方向に形成
されている。そして、誘電体ブロック１の端子部分を除
くほぼ全部の主面及び端面にそれぞれアース電極２及び
アース電極３が形成され、ストリップライン５ａ〜５ｅ
の一端はアース電極３と短絡している。但し、ストリッ
プライン５ａ〜５ｅの一端は、アース電極３との短絡に
代えて図示しないビアホール導体を介してアース電極２
と短絡させても良い。
トリップライン５ａの上方にはそれらストリップライン
と捻れの配置で入出力電極９ａが形成されて誘電体ブロ
ック１の端面にまで延びている。又、キャビティ１２側
の端に位置するストリップラインｅの上方には同じく捻
れの配置で内部配線１０が形成され、後述の接続点２７
を介してハイパスフィルタ１８と接続している。他方、
５本のストリップライン５ａ〜５ｅの下方には共振器間
結合電極８がそれらストリップラインと垂直方向に形成
されている。そして、誘電体ブロック１の端子部分を除
くほぼ全部の主面及び端面にそれぞれアース電極２及び
アース電極３が形成され、ストリップライン５ａ〜５ｅ
の一端はアース電極３と短絡している。但し、ストリッ
プライン５ａ〜５ｅの一端は、アース電極３との短絡に
代えて図示しないビアホール導体を介してアース電極２
と短絡させても良い。
【００１８】誘電体ブロック１のキャビティ１２の下部
及びキャビティ１２の別の側に隣接する狭い面積部分に
は、図６に分解斜視図、図７に等価回路図として示すロ
ーパスフィルタ１７及びハイパスフィルタ１８が配置し
ている。ローパスフィルタ１７は８００ＭＨｚ帯、ハイ
パスフィルタ１８は１．８〜１．９ＧＨｚ帯を通過させ
るように設計されている。
及びキャビティ１２の別の側に隣接する狭い面積部分に
は、図６に分解斜視図、図７に等価回路図として示すロ
ーパスフィルタ１７及びハイパスフィルタ１８が配置し
ている。ローパスフィルタ１７は８００ＭＨｚ帯、ハイ
パスフィルタ１８は１．８〜１．９ＧＨｚ帯を通過させ
るように設計されている。
【００１９】即ち、キャビティ１２は誘電体層１ａ〜１
ｆを打ち抜かれた方形の貫通孔と誘電体層１ｇとで囲ま
れる空間であり、キャビティ１２に隣接する部分のう
ち、誘電体層１ａ、１ｂ間に容量電極３３ａ、誘電体層
１ｂ、１ｃ間に容量電極３３ｂ、誘電体層１ｃ、１ｄ間
に一端がアース電極３に接続し比較的短く鉤状に折れ曲
がったストリップライン３４、誘電体層１ｄ、１ｅ間に
容量電極３５ａ、誘電体層１ｅ、１ｆ間に容量電極３５
ｂが各々形成されている。
ｆを打ち抜かれた方形の貫通孔と誘電体層１ｇとで囲ま
れる空間であり、キャビティ１２に隣接する部分のう
ち、誘電体層１ａ、１ｂ間に容量電極３３ａ、誘電体層
１ｂ、１ｃ間に容量電極３３ｂ、誘電体層１ｃ、１ｄ間
に一端がアース電極３に接続し比較的短く鉤状に折れ曲
がったストリップライン３４、誘電体層１ｄ、１ｅ間に
容量電極３５ａ、誘電体層１ｅ、１ｆ間に容量電極３５
ｂが各々形成されている。
【００２０】そして、ストリップライン３４はハイパス
フィルタ１８のインダクタ成分となり、容量電極３３
ａ、３３ｂとこれら電極によって挟まれる誘電体層１ｂ
により、所定の容量成分が発生し、ハイパスフィルタ１
８内でストリップライン３４の開放端とアンテナ接続端
子２５との結合コンデンサ３３となる。また、容量電極
３５ａ、３５ｂとこれら電極によって挟まれる誘電体層
１ｅとが、同様にストリップライン３４の開放端とフィ
ルタ接続端子２７との結合コンデンサ３５となる。そし
て、容量電極３３ｂ、ストリップライン３４及び容量電
極３５ａは、ストリップライン３４の開放端に近い位置
のビアホール導体３６を介して接続している。
フィルタ１８のインダクタ成分となり、容量電極３３
ａ、３３ｂとこれら電極によって挟まれる誘電体層１ｂ
により、所定の容量成分が発生し、ハイパスフィルタ１
８内でストリップライン３４の開放端とアンテナ接続端
子２５との結合コンデンサ３３となる。また、容量電極
３５ａ、３５ｂとこれら電極によって挟まれる誘電体層
１ｅとが、同様にストリップライン３４の開放端とフィ
ルタ接続端子２７との結合コンデンサ３５となる。そし
て、容量電極３３ｂ、ストリップライン３４及び容量電
極３５ａは、ストリップライン３４の開放端に近い位置
のビアホール導体３６を介して接続している。
【００２１】次にキャビティ１２の底面となる誘電体層
１ｇの主面には、ＳＡＷフィルタ１３の接続電極１４、
１５及びこれら電極形成部分を除くほぼ全面にアース電
極１６が形成されている。従って、ＳＡＷフィルタ１３
の図略の入出力端子が接続電極１４、１５に接続され、
アース端子がアース電極１６に接続されている。
１ｇの主面には、ＳＡＷフィルタ１３の接続電極１４、
１５及びこれら電極形成部分を除くほぼ全面にアース電
極１６が形成されている。従って、ＳＡＷフィルタ１３
の図略の入出力端子が接続電極１４、１５に接続され、
アース端子がアース電極１６に接続されている。
【００２２】続いて誘電体層１ｇ、１ｈ間にはアース接
続端子２５からフィルタ接続端子２７に至るまで比較的
に長く蛇行したストリップライン３１、誘電体層１ｈ、
１ｉ間には容量電極３２ａが各々形成され、ストリップ
ライン３１はローパスフィルタ１７のインダクタ成分と
なり、容量電極３２ａ及び誘電体層１ｉ裏面にあるアー
ス電極２と誘電体層１ｉにより、結合コンデンサ３２と
なる容量成分が発生する。ストリップライン３１と容量
電極３２ａとはフィルタ接続端子２６に近い位置のビア
ホール導体３７を介して接続している。
続端子２５からフィルタ接続端子２７に至るまで比較的
に長く蛇行したストリップライン３１、誘電体層１ｈ、
１ｉ間には容量電極３２ａが各々形成され、ストリップ
ライン３１はローパスフィルタ１７のインダクタ成分と
なり、容量電極３２ａ及び誘電体層１ｉ裏面にあるアー
ス電極２と誘電体層１ｉにより、結合コンデンサ３２と
なる容量成分が発生する。ストリップライン３１と容量
電極３２ａとはフィルタ接続端子２６に近い位置のビア
ホール導体３７を介して接続している。
【００２３】このようにキャビティ１２に隣接する相対
的に狭い部分にハイパスフィルタ１８、キャビティ１２
の下部の相対的に広い部分にローパスフィルタ１７を形
成したのは、次の理由による。ローパスフィルタ１７
は、図７で示すようにインダクタ成分となるストリップ
ライン３１及びコンデンサ３２からなっており、周波数
が低いため、インダクタ成分及び容量成分をいずれも大
きくしなければならず、広い面積を必要とする。一方、
ハイパスフィルタ１８は、コンデンサ３３、３５及びス
トリップライン３４からなり、周波数が高いため、高周
波の技術を用いる場合は、インダクタ成分及び容量成分
が小さくてすみ、狭い面積で足りるからである。
的に狭い部分にハイパスフィルタ１８、キャビティ１２
の下部の相対的に広い部分にローパスフィルタ１７を形
成したのは、次の理由による。ローパスフィルタ１７
は、図７で示すようにインダクタ成分となるストリップ
ライン３１及びコンデンサ３２からなっており、周波数
が低いため、インダクタ成分及び容量成分をいずれも大
きくしなければならず、広い面積を必要とする。一方、
ハイパスフィルタ１８は、コンデンサ３３、３５及びス
トリップライン３４からなり、周波数が高いため、高周
波の技術を用いる場合は、インダクタ成分及び容量成分
が小さくてすみ、狭い面積で足りるからである。
【００２４】尚、フィルタ２２ａ、２２ｂは、図２以下
では示していないが、これらはいずれも積層型誘電体フ
ィルタを用いることができるので、フィルタ２３ａと同
様に誘電体ブロック１内に収めることができる。
では示していないが、これらはいずれも積層型誘電体フ
ィルタを用いることができるので、フィルタ２３ａと同
様に誘電体ブロック１内に収めることができる。
【００２５】誘電体層１ａ〜１ｉは、誘電体セラミック
材料と低温焼成を可能とする酸化物や低融点ガラス材料
とからなる。誘電体セラミック材料の例としては、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2系、Ｃａ−ＴｉＯ2系、ＭｇＯ−ＴｉＯ2系
等があり、低温焼成を可能とするための酸化物の例とし
ては、ＢｉＶＯ4、ＣｕＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3等がある。
誘電体層１ａ〜１ｉは、１層あたり５０〜３００μｍ程
度の厚みを有する。
材料と低温焼成を可能とする酸化物や低融点ガラス材料
とからなる。誘電体セラミック材料の例としては、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2系、Ｃａ−ＴｉＯ2系、ＭｇＯ−ＴｉＯ2系
等があり、低温焼成を可能とするための酸化物の例とし
ては、ＢｉＶＯ4、ＣｕＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3等がある。
誘電体層１ａ〜１ｉは、１層あたり５０〜３００μｍ程
度の厚みを有する。
【００２６】各ストリップライン、各容量電極、ビアホ
ール導体、層間のアース電極は、誘電体層１ａ〜１ｉと
なる各グリーンシートにＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕなどを
主成分とする導体材料を所定形状にスクリーン印刷し、
誘電体層と同時に焼成することにより形成される。又、
アース電極２及びアース電極３は、その焼成体にＡｇ、
Ｃｕなどを主成分とする導体材料（Ａｇ単体もしくはＡ
ｇ−Ｐｄ、Ａｇ−ＰｔなどのＡｇ合金、又はＣｕ単体も
しくはＣｕ合金）を所定形状にスクリーン印刷し、再度
焼成することにより形成される。尚、これらの導体材料
には、金属成分の他に必要に応じてガラス成分が添加さ
れる。
ール導体、層間のアース電極は、誘電体層１ａ〜１ｉと
なる各グリーンシートにＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕなどを
主成分とする導体材料を所定形状にスクリーン印刷し、
誘電体層と同時に焼成することにより形成される。又、
アース電極２及びアース電極３は、その焼成体にＡｇ、
Ｃｕなどを主成分とする導体材料（Ａｇ単体もしくはＡ
ｇ−Ｐｄ、Ａｇ−ＰｔなどのＡｇ合金、又はＣｕ単体も
しくはＣｕ合金）を所定形状にスクリーン印刷し、再度
焼成することにより形成される。尚、これらの導体材料
には、金属成分の他に必要に応じてガラス成分が添加さ
れる。
【００２７】この実施形態では、分波器２１、フィルタ
２３ａ（積層型誘電体フィルタ）及びフィルタ２３ｂ
（ＳＡＷフィルタ）が単一の誘電体ブロック１に収めら
れているので、各周波数帯のフィルタと別体の分波器を
使用した従来の構成に比べて小型化することができる。
特に、ＳＡＷフィルタ１３を配置するために設けられた
キャビティ１２の下部及び隣接位置のデッドスペースを
分波器２１のローパスフィルタ１７及びハイパスフィル
タ１８として活用しているので、誘電体ブロック１の体
積をほとんど変える必要がない。
２３ａ（積層型誘電体フィルタ）及びフィルタ２３ｂ
（ＳＡＷフィルタ）が単一の誘電体ブロック１に収めら
れているので、各周波数帯のフィルタと別体の分波器を
使用した従来の構成に比べて小型化することができる。
特に、ＳＡＷフィルタ１３を配置するために設けられた
キャビティ１２の下部及び隣接位置のデッドスペースを
分波器２１のローパスフィルタ１７及びハイパスフィル
タ１８として活用しているので、誘電体ブロック１の体
積をほとんど変える必要がない。
【００２８】又、分波器と各周波数帯のフィルタとの接
続距離が短いので、プリント基板上で分波器と各周波数
帯のフィルタとをストリップラインを介して接続する従
来構成に比べて反射損失が少なく、全体として性能の良
い複合フィルタが得られる。更に、ＳＡＷフィルタ１３
に必要なアース電極１６でローパスフィルタ１７とハイ
パスフィルタ１８とを完全に分離できるので、フィルタ
間の相互干渉がなく性能の良い分波器を形成できること
となる。
続距離が短いので、プリント基板上で分波器と各周波数
帯のフィルタとをストリップラインを介して接続する従
来構成に比べて反射損失が少なく、全体として性能の良
い複合フィルタが得られる。更に、ＳＡＷフィルタ１３
に必要なアース電極１６でローパスフィルタ１７とハイ
パスフィルタ１８とを完全に分離できるので、フィルタ
間の相互干渉がなく性能の良い分波器を形成できること
となる。
【００２９】
【発明の効果】以上の通り、この発明の多層配線基板に
おいては、デッドスペースとされていたキャビティの下
部及び隣接位置の各々に各周波数帯のフィルタを形成し
たので、別部品としてのフィルタ数を減らして全体を小
型化することができ、且つ反射損失の少ない性能の良い
複合フィルタを提供することができる。
おいては、デッドスペースとされていたキャビティの下
部及び隣接位置の各々に各周波数帯のフィルタを形成し
たので、別部品としてのフィルタ数を減らして全体を小
型化することができ、且つ反射損失の少ない性能の良い
複合フィルタを提供することができる。
【図１】実施形態の多層配線基板のフィルタ構成を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図２】実施形態の多層配線基板を示す斜視図である。
【図３】同じく平面図である。
【図４】図３のＡＡ’断面図である。
【図５】同ＢＢ’断面図である。
【図６】上記多層配線基板の分波器を構成するローパス
フィルタ１７及びハイパスフィルタ１８の部分を示す分
解斜視図である。
フィルタ１７及びハイパスフィルタ１８の部分を示す分
解斜視図である。
【図７】上記分波器の等価回路図である。
【図８】従来の分波器の等価回路図である。
【図９】従来の分波器とフィルタとの組み合わせを示す
斜視図である。
斜視図である。
【符号の説明】 １、１０１ 誘電体ブロック ２、３、１６、１０２、１０３ アース電極 ５ａ〜５ｅ ストリップライン ８、１０８ 共振器結合電極 ９、１０９、１０、１１０ 入出力電極 １２、１１２ キャビティ １３、１１３ ＳＡＷフィルタ ２１、１１５ 分波器 １７ ローパスフィルタ １８ ハイパスフィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｑ
Claims (3)
- 【請求項１】複数の誘電体層が積層された誘電体ブロッ
クと、電子部品を搭載するために誘電体ブロックの主面
側の一部から誘電体層の積層方向に形成されたキャビテ
ィとを有する多層配線基板において、 キャビティを形成しない誘電体層の層間であってキャビ
ティの下部誘電体層間に、相対的に長いストリップライ
ンと、一方の電極がその長いストリップラインに接続さ
れ他方の電極が前記下部誘電体層間を介してアース電位
に接続された容量成分とを含むローパスフィルタを形成
し、 キャビティを形成する誘電体層の層間であってキャビテ
ィに隣接する隣接誘電体層間の箇所に、相対的に短いス
トリップラインと、一方の電極がその短いストリップラ
インに接続され他方の電極が前記隣接誘電体層間を介し
て入力回路に接続された容量成分とを含むハイパスフィ
ルタを形成したことを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項２】前記キャビティの底面を含む面のうち、平
面視で前記ローパスフィルタとハイパスフィルタとが重
なる領域のほぼ全面に接地導体を形成した請求項１に記
載の多層配線基板。 - 【請求項３】前記誘電体層の層間であって平面視で前記
２種のローパスフィルタとハイパスフィルタのいずれと
も重ならない位置に、積層型誘電体フィルタとなる複数
のストリップラインを形成した請求項１又は２に記載の
多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000298840A JP4245265B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 複数のフィルタを有する多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000298840A JP4245265B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 複数のフィルタを有する多層配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002111317A true JP2002111317A (ja) | 2002-04-12 |
| JP4245265B2 JP4245265B2 (ja) | 2009-03-25 |
Family
ID=18780742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000298840A Expired - Fee Related JP4245265B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 複数のフィルタを有する多層配線基板 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4245265B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004073191A1 (ja) * | 2003-02-14 | 2004-08-26 | Tdk Corporation | フロントエンドモジュール |
| DE102006023430B4 (de) * | 2005-05-25 | 2008-06-19 | Alps Electric Co., Ltd. | Verbundschichtvorrichtung |
| JP2008245310A (ja) * | 2003-05-14 | 2008-10-09 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波分波器 |
| JP2010045563A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Murata Mfg Co Ltd | マルチバンドデュプレクサモジュール |
| JP2012060563A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Harada Ind Co Ltd | 複合型ルーフマウントアンテナ用回路基板 |
| WO2014192431A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール部品 |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000298840A patent/JP4245265B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004073191A1 (ja) * | 2003-02-14 | 2004-08-26 | Tdk Corporation | フロントエンドモジュール |
| CN100384093C (zh) * | 2003-02-14 | 2008-04-23 | Tdk株式会社 | 前端模块 |
| US7420438B2 (en) | 2003-02-14 | 2008-09-02 | Tdk Corporation | Front end module |
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| WO2014192431A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール部品 |
| JP5800113B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2015-10-28 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール部品 |
| CN105247784A (zh) * | 2013-05-29 | 2016-01-13 | 株式会社村田制作所 | 高频模块元器件 |
| CN105247784B (zh) * | 2013-05-29 | 2017-09-01 | 株式会社村田制作所 | 高频模块元器件 |
| US9923542B2 (en) | 2013-05-29 | 2018-03-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio-frequency module component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4245265B2 (ja) | 2009-03-25 |
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