JP2002111314A - 積層型誘電体フィルタ - Google Patents
積層型誘電体フィルタInfo
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- JP2002111314A JP2002111314A JP2000297629A JP2000297629A JP2002111314A JP 2002111314 A JP2002111314 A JP 2002111314A JP 2000297629 A JP2000297629 A JP 2000297629A JP 2000297629 A JP2000297629 A JP 2000297629A JP 2002111314 A JP2002111314 A JP 2002111314A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】２種類のフィルタを一体化した積層型誘電体フ
ィルタ、ストリップラインを複数併設させて形成した積
層型誘電体フィルタにおいて、フィルタ間やストリップ
ライン間の電磁界結合を防止して小型化が可能な積層型
誘電体フィルタを提供することにある。 【解決手段】ストリップライン１ａ、１ｂが互いに隣接
する領域に誘電体層４の積層方向に貫通する複数の穴１
０をストリップライン１ａ、１ｂの延出方向に併設する
と共に、そのストリップライン１ａ、１ｂのアース電極
５との短絡側の穴１０に積層体の主面に形成したアース
電極５と接続する導体が充填されている構成である。
ィルタ、ストリップラインを複数併設させて形成した積
層型誘電体フィルタにおいて、フィルタ間やストリップ
ライン間の電磁界結合を防止して小型化が可能な積層型
誘電体フィルタを提供することにある。 【解決手段】ストリップライン１ａ、１ｂが互いに隣接
する領域に誘電体層４の積層方向に貫通する複数の穴１
０をストリップライン１ａ、１ｂの延出方向に併設する
と共に、そのストリップライン１ａ、１ｂのアース電極
５との短絡側の穴１０に積層体の主面に形成したアース
電極５と接続する導体が充填されている構成である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波部品として
使用されるTEM（Transversed Electromagnetic Mode）
モードを用いた積層型誘電体フィルタに関するものであ
る。
使用されるTEM（Transversed Electromagnetic Mode）
モードを用いた積層型誘電体フィルタに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波を利用した携帯電話な
どの機器には、小型のフィルタが多用されているが、中
でもアンテナ共用器等に利用されるデュプレクサやフィ
ルタモジュール等は通過域周波数及び阻止域周波数の異
なるフィルタを内蔵する必要があるので、部品の小型化
を達成するためには誘電体層を複数積層したストリップ
ライン共振器を複数構成した一体型の積層型誘電体フィ
ルタが用いられており、これにより、低背化、高機能化
が図られている。
どの機器には、小型のフィルタが多用されているが、中
でもアンテナ共用器等に利用されるデュプレクサやフィ
ルタモジュール等は通過域周波数及び阻止域周波数の異
なるフィルタを内蔵する必要があるので、部品の小型化
を達成するためには誘電体層を複数積層したストリップ
ライン共振器を複数構成した一体型の積層型誘電体フィ
ルタが用いられており、これにより、低背化、高機能化
が図られている。
【０００３】このような従来の積層型誘電体フィルタを
図５に示す。図５は従来の積層型誘電体フィルタである
デュプレクサの分解斜視図である。図に示すように複数
の誘電体層１０６ａ〜１０６ｅが積層された積層体１０
６の両主面にアース電極１０１ａが、積層体１０６の端
面にアース電極１０１ｂが形成され、アース電極１０１
ａとアース電極１０１ｂとが互いに接続されている。誘
電体層１０６ｃの主面に受信側のフィルタを構成する複
数のストリップライン１０２と送信側のフィルタを構成
する複数のストリップライン１０３が互いに平列して配
列されており、ストリップライン１０２とストリップラ
イン１０３との間隔はＳの距離を保って配置されてい
る。ストリップライン１０２、１０３の一方側はいずれ
も接続しない開放端が形成され、また、ストリップライ
ン１０２、１０３の他方側はアース電極１０１ｂと接続
されて短絡端を形成している。
図５に示す。図５は従来の積層型誘電体フィルタである
デュプレクサの分解斜視図である。図に示すように複数
の誘電体層１０６ａ〜１０６ｅが積層された積層体１０
６の両主面にアース電極１０１ａが、積層体１０６の端
面にアース電極１０１ｂが形成され、アース電極１０１
ａとアース電極１０１ｂとが互いに接続されている。誘
電体層１０６ｃの主面に受信側のフィルタを構成する複
数のストリップライン１０２と送信側のフィルタを構成
する複数のストリップライン１０３が互いに平列して配
列されており、ストリップライン１０２とストリップラ
イン１０３との間隔はＳの距離を保って配置されてい
る。ストリップライン１０２、１０３の一方側はいずれ
も接続しない開放端が形成され、また、ストリップライ
ン１０２、１０３の他方側はアース電極１０１ｂと接続
されて短絡端を形成している。
【０００４】そして、ストリップライン１０２、１０３
の両近傍には送信側電極１０４、受信側電極１０５が形
成されており、夫々のストリップライン１０２、１０３
に各容量電極１０４ａ、１０５ａを介して接続されてい
る。また、ストリップライン１０２、１０３が開放する
端方向の積層体１０６の端面には、アンテナ側電極１０
７が形成されており、容量電極１０７ａを介して送信側
のストリップライン１０３に、さらに、容量電極１０７
ｂを介して受信側のストリップライン１０３に夫々接続
されている。
の両近傍には送信側電極１０４、受信側電極１０５が形
成されており、夫々のストリップライン１０２、１０３
に各容量電極１０４ａ、１０５ａを介して接続されてい
る。また、ストリップライン１０２、１０３が開放する
端方向の積層体１０６の端面には、アンテナ側電極１０
７が形成されており、容量電極１０７ａを介して送信側
のストリップライン１０３に、さらに、容量電極１０７
ｂを介して受信側のストリップライン１０３に夫々接続
されている。
【０００５】この積層型誘電体フィルタの製造方法とし
ては、まず、基板となるセラミック材料とガラス材料及
び有機バインダと溶剤からなるスラリーをドクターブレ
ード法等でキャスティング、乾燥してグリーンシートを
作製する。次に、ストリップライン１０２、１０３等の
内部配線のパターンに応じて、導体ペーストをグリーン
シートに印刷する。この印刷されたグリーンシートを複
数枚積層して一体化した後、一括同時焼成して積層体を
形成する。その後、積層体の大きさに切断して積層体の
側面及び短絡端、開放端、上面、下面にアース電極１０
１ａ、１０１ｂとなる導体ペーストを印刷・焼成し、フ
ィルタが形成される。
ては、まず、基板となるセラミック材料とガラス材料及
び有機バインダと溶剤からなるスラリーをドクターブレ
ード法等でキャスティング、乾燥してグリーンシートを
作製する。次に、ストリップライン１０２、１０３等の
内部配線のパターンに応じて、導体ペーストをグリーン
シートに印刷する。この印刷されたグリーンシートを複
数枚積層して一体化した後、一括同時焼成して積層体を
形成する。その後、積層体の大きさに切断して積層体の
側面及び短絡端、開放端、上面、下面にアース電極１０
１ａ、１０１ｂとなる導体ペーストを印刷・焼成し、フ
ィルタが形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように形成された
ストリップライン１０２、１０３を複数内蔵した積層型
誘電体フィルタの製造上の問題点は、内蔵しているスト
リップライン間の電磁界結合による相互干渉にある。
ストリップライン１０２、１０３を複数内蔵した積層型
誘電体フィルタの製造上の問題点は、内蔵しているスト
リップライン間の電磁界結合による相互干渉にある。
【０００７】一般的に複数の１／４波長のストリップラ
インを複数用いることによってフィルタを構成する場合
は、誘電体層内で電磁界の強度分布が異なってくる。即
ち、１／４波長のストリップライン共振器の場合に、ス
トリップラインのアース電極との開放端側は電界強度が
強く、短絡端側は磁界強度が強くなっている。
インを複数用いることによってフィルタを構成する場合
は、誘電体層内で電磁界の強度分布が異なってくる。即
ち、１／４波長のストリップライン共振器の場合に、ス
トリップラインのアース電極との開放端側は電界強度が
強く、短絡端側は磁界強度が強くなっている。
【０００８】従って、図５に示す積層型誘電体フィルタ
で構成するデュプレクサでは、ストリップライン１０２
と１０３で通過域周波数及び阻止域周波数が異なるフィ
ルタを設計する必要があり、これらの異なる周波数のフ
ィルタを積層型誘電体フィルタで一体化する場合は隣接
するストリップライン１０２、１０３で形成されるフィ
ルタ間は、相互干渉を防止する為、電磁界結合が発生し
ない距離まで離す必要がある。
で構成するデュプレクサでは、ストリップライン１０２
と１０３で通過域周波数及び阻止域周波数が異なるフィ
ルタを設計する必要があり、これらの異なる周波数のフ
ィルタを積層型誘電体フィルタで一体化する場合は隣接
するストリップライン１０２、１０３で形成されるフィ
ルタ間は、相互干渉を防止する為、電磁界結合が発生し
ない距離まで離す必要がある。
【０００９】しかしながら、今日、電子部品に望まれる
ことは、小型低背であり、２種類のフィルタを電磁界が
発生しない距離まで離す場合、必ず大型化するといった
問題があった。
ことは、小型低背であり、２種類のフィルタを電磁界が
発生しない距離まで離す場合、必ず大型化するといった
問題があった。
【００１０】本発明は上述の問題を鑑みて案出されたも
のであり、その目的は小型・低背化が可能な積層型誘電
体フィルタを提供することにある。
のであり、その目的は小型・低背化が可能な積層型誘電
体フィルタを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為に
本発明は、複数の誘電体層を積層してなる積層体の主面
又は層間に第1アース電極を、前記積層体の側面に前記
第1アース電極と接続した第2アース電極を、前記積層体
の同一層間に一端側が前記第2アース電極に接続し、か
つ前記アース電極に対向するように形成された複数の帯
状ストリップラインを設けて成る積層型誘電体フィルタ
において、前記複数のストリップライン間に前記誘電体
層の積層方向に貫通する複数の穴又はスリットを前記ス
トリップラインの延出方向に併設させると共に、前記第
２アース電極に近い穴内又はスリット内に前記第１アー
ス電極と接続する導体を充填させたことを特徴とする積
層型誘電体フィルタを提供する。
本発明は、複数の誘電体層を積層してなる積層体の主面
又は層間に第1アース電極を、前記積層体の側面に前記
第1アース電極と接続した第2アース電極を、前記積層体
の同一層間に一端側が前記第2アース電極に接続し、か
つ前記アース電極に対向するように形成された複数の帯
状ストリップラインを設けて成る積層型誘電体フィルタ
において、前記複数のストリップライン間に前記誘電体
層の積層方向に貫通する複数の穴又はスリットを前記ス
トリップラインの延出方向に併設させると共に、前記第
２アース電極に近い穴内又はスリット内に前記第１アー
ス電極と接続する導体を充填させたことを特徴とする積
層型誘電体フィルタを提供する。
【００１２】本発明の構成によれば、第２アース電極と
の短絡端に近い穴又はスリットは磁界結合が強く発生
し、その箇所には、前記第１アース電極と接続する導体
を充填させて静電遮蔽した電気壁を形成するとともに、
ストリップラインの開放端の穴内又はスリット内に、そ
の個所は電界結合が強く発するので導体を充填させてい
ない空気層により電界結合が阻止させることができる。
これにより、ストリップライン間同士若しくは、第１フ
ィルタ、第２フィルタ同士の電磁界結合が弱まり、相互
干渉を有効に防止することができるものである。
の短絡端に近い穴又はスリットは磁界結合が強く発生
し、その箇所には、前記第１アース電極と接続する導体
を充填させて静電遮蔽した電気壁を形成するとともに、
ストリップラインの開放端の穴内又はスリット内に、そ
の個所は電界結合が強く発するので導体を充填させてい
ない空気層により電界結合が阻止させることができる。
これにより、ストリップライン間同士若しくは、第１フ
ィルタ、第２フィルタ同士の電磁界結合が弱まり、相互
干渉を有効に防止することができるものである。
【００１３】従って、隣接するフィルタ間の配置を近づ
ける事が可能となり、製品の小型化を図ることができ
る。以上、本発明により、小型で高性能なフィルタ複合
体を実現する事ができる。
ける事が可能となり、製品の小型化を図ることができ
る。以上、本発明により、小型で高性能なフィルタ複合
体を実現する事ができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図1は本発明の積層型誘電体フィルタ
であるデュプレクサの斜視図であり、図2はその内部構
造を説明するための分解斜視図である。図において、Ｆ
はデュプレクサである。デュプレクサＦは誘電体層４か
らなる積層体６の略全表面にアース電位となるアース電
極５が形成されてなる。
づいて説明する。図1は本発明の積層型誘電体フィルタ
であるデュプレクサの斜視図であり、図2はその内部構
造を説明するための分解斜視図である。図において、Ｆ
はデュプレクサである。デュプレクサＦは誘電体層４か
らなる積層体６の略全表面にアース電位となるアース電
極５が形成されてなる。
【００１５】積層体６を構成する誘電体層４は図２に示
すように誘電体層４ａ〜４ｅが厚み方向に積層されてな
り、材質として誘電体セラミック材料と低温焼成を可能
とする酸化物や低融点ガラス材料とから構成されてい
る。具体的には、誘電体セラミック材料としては、例え
ば、ＢａＯ−ＴｉＯ2系、Ｃａ−ＴｉＯ2系、ＭｇＯ−Ｔ
ｉＯ2系等が、低温焼成するための酸化物としては、Ｂ
ｉＶＯ4、ＣｕＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3等がある。なお、誘
電体層４ａ〜４ｅは１層あたり５０〜３００μｍ程度の
厚みを有している。また、誘電体層４ａの表面にはアー
ス電極５を形成する上面電極５ａが、誘電体層４ｅの裏
面にはアース電極５を形成する裏面電極５ｂが、積層体
６の端面全面にはアース電極５を形成する端面電極５ｃ
が夫々形成されている。さらに、誘電体層４ｃの表面に
は複数の受信側フィルタとなるストリップライン１ａ
が、送信側フィルタとなる複数のストリップライン１ｂ
が誘電体層１ｃの幅方向に延出して形成され、複数のス
トリップライン１ａの群と複数のストリップライン１ｂ
の群に対して所定間隔Ｔをあけて平行に平面視対称に形
成されている。なお、ストリップライン１ａ、１ｂは、
その一方端側は端面電極５ｃに接続され、他端側は開放
されている。
すように誘電体層４ａ〜４ｅが厚み方向に積層されてな
り、材質として誘電体セラミック材料と低温焼成を可能
とする酸化物や低融点ガラス材料とから構成されてい
る。具体的には、誘電体セラミック材料としては、例え
ば、ＢａＯ−ＴｉＯ2系、Ｃａ−ＴｉＯ2系、ＭｇＯ−Ｔ
ｉＯ2系等が、低温焼成するための酸化物としては、Ｂ
ｉＶＯ4、ＣｕＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3等がある。なお、誘
電体層４ａ〜４ｅは１層あたり５０〜３００μｍ程度の
厚みを有している。また、誘電体層４ａの表面にはアー
ス電極５を形成する上面電極５ａが、誘電体層４ｅの裏
面にはアース電極５を形成する裏面電極５ｂが、積層体
６の端面全面にはアース電極５を形成する端面電極５ｃ
が夫々形成されている。さらに、誘電体層４ｃの表面に
は複数の受信側フィルタとなるストリップライン１ａ
が、送信側フィルタとなる複数のストリップライン１ｂ
が誘電体層１ｃの幅方向に延出して形成され、複数のス
トリップライン１ａの群と複数のストリップライン１ｂ
の群に対して所定間隔Ｔをあけて平行に平面視対称に形
成されている。なお、ストリップライン１ａ、１ｂは、
その一方端側は端面電極５ｃに接続され、他端側は開放
されている。
【００１６】また、ストリップライン１ａ、１ｂの両近
傍には受信側電極７、送信側電極８が形成されており、
夫々のストリップライン１ａ、１ｂに各容量電極７ａ、
８ａを介して接続されている。また、ストリップライン
１ａ、１ｂが開放する端方向の積層体５の端面には、ア
ンテナ側電極９が形成されており、容量電極９ａを介し
て受信側のストリップライン１ａに、さらに、容量電極
９ｂを介して送信側のストリップライン１ｂに夫々接続
されている。
傍には受信側電極７、送信側電極８が形成されており、
夫々のストリップライン１ａ、１ｂに各容量電極７ａ、
８ａを介して接続されている。また、ストリップライン
１ａ、１ｂが開放する端方向の積層体５の端面には、ア
ンテナ側電極９が形成されており、容量電極９ａを介し
て受信側のストリップライン１ａに、さらに、容量電極
９ｂを介して送信側のストリップライン１ｂに夫々接続
されている。
【００１７】１０は結合阻止手段であるビアホールであ
り、ストリップライン１ａ、１ｂが互いに隣接する領域
に誘電体層４の積層方向に貫通しており、ストリップラ
イン１ａ、１ｂの延出方向に複数併設されている。ま
た、アース電極５ｃに近い位置に形成されているビアホ
ール１０にはアース電極５ａ又は５ｂと接続する導体が
充填されている。ここでアース電極５ｃに近い位置とは
図１に示す積層体の短辺側を２分する中央線からみてア
ース電極５ｃ寄りに形成されているビアホール１０に導
体を充填する。
り、ストリップライン１ａ、１ｂが互いに隣接する領域
に誘電体層４の積層方向に貫通しており、ストリップラ
イン１ａ、１ｂの延出方向に複数併設されている。ま
た、アース電極５ｃに近い位置に形成されているビアホ
ール１０にはアース電極５ａ又は５ｂと接続する導体が
充填されている。ここでアース電極５ｃに近い位置とは
図１に示す積層体の短辺側を２分する中央線からみてア
ース電極５ｃ寄りに形成されているビアホール１０に導
体を充填する。
【００１８】なお、ストリップライン１ａ、１ｂの開放
端側に形成された電界結合を低減する目的のスルーホー
ル１０は空気層が介在した単なるビアホールでも良く、
アース電位に接続させて電界を遮蔽する目的でスルーホ
ール１０の内壁に電極を形成しても良く、誘電率を下げ
て電界結合を防止するために低誘電物質を充填したり、
それを同時焼成しても良い。
端側に形成された電界結合を低減する目的のスルーホー
ル１０は空気層が介在した単なるビアホールでも良く、
アース電位に接続させて電界を遮蔽する目的でスルーホ
ール１０の内壁に電極を形成しても良く、誘電率を下げ
て電界結合を防止するために低誘電物質を充填したり、
それを同時焼成しても良い。
【００１９】このような構成により隣接する受信側フィ
ルタと送信側フィルタ間の電磁界結合を阻止することが
できる。即ち、電界結合が強いストリップライン１ａ、
１ｂの開放端側にスルーホールを複数個設置して空気層
等により送受信フィルタ間同士の容量成分を低減させ、
磁界結合が強い短絡端側にはアース電位に接続されたビ
アホール導体を複数個設置して送受信フィルタ間でシー
ルド効果を持たせ電磁界結合を効果的に阻止することが
できる。
ルタと送信側フィルタ間の電磁界結合を阻止することが
できる。即ち、電界結合が強いストリップライン１ａ、
１ｂの開放端側にスルーホールを複数個設置して空気層
等により送受信フィルタ間同士の容量成分を低減させ、
磁界結合が強い短絡端側にはアース電位に接続されたビ
アホール導体を複数個設置して送受信フィルタ間でシー
ルド効果を持たせ電磁界結合を効果的に阻止することが
できる。
【００２０】また、上述のようにビアホール１０を形成
してストリップライン１ａ、１ｂの短絡端側を導体で充
填する結合阻止手段を設置する事により、隣接する送受
信フィルタ間の距離を短縮する事ができ、且つ、電磁界
結合による相互干渉も阻止できる為、小型・高性能のフ
ィルタ複合体を実現できる。
してストリップライン１ａ、１ｂの短絡端側を導体で充
填する結合阻止手段を設置する事により、隣接する送受
信フィルタ間の距離を短縮する事ができ、且つ、電磁界
結合による相互干渉も阻止できる為、小型・高性能のフ
ィルタ複合体を実現できる。
【００２１】図３は、本発明の第２の実施の形態である
デュプレクサの分解斜視図である。図２と同様な構成は
図番及び説明を省略している。隣接する送受信フィルタ
間同士の電磁界結合を阻止する手段として、電界結合が
強い開放端側に長方形状のスリット１１を設置し、磁界
結合が強い短絡端側にはアース電位に接続されているビ
アホール１０を設置してもよい。このストリップライン
１ａ、１ｂの開放端側に設置したスリット１１は、電気
的遮蔽を目的としてその壁面にアース電位に接続された
電極が形成されている。
デュプレクサの分解斜視図である。図２と同様な構成は
図番及び説明を省略している。隣接する送受信フィルタ
間同士の電磁界結合を阻止する手段として、電界結合が
強い開放端側に長方形状のスリット１１を設置し、磁界
結合が強い短絡端側にはアース電位に接続されているビ
アホール１０を設置してもよい。このストリップライン
１ａ、１ｂの開放端側に設置したスリット１１は、電気
的遮蔽を目的としてその壁面にアース電位に接続された
電極が形成されている。
【００２２】図４は、本発明の第２の実施の形態である
デュプレクサの分解斜視図である。図２と同様な構成は
図番及び説明を省略している。隣接する送受信フィルタ
間同士の電磁界結合を阻止する手段として、電界結合が
強い開放端側に長方形状のスリット１１を設置し、ま
た、磁界結合が強い短絡端側にはアース電位に接続され
ているスリット１１を設置してもよい。
デュプレクサの分解斜視図である。図２と同様な構成は
図番及び説明を省略している。隣接する送受信フィルタ
間同士の電磁界結合を阻止する手段として、電界結合が
強い開放端側に長方形状のスリット１１を設置し、ま
た、磁界結合が強い短絡端側にはアース電位に接続され
ているスリット１１を設置してもよい。
【００２３】なお、本実施の形態では送受信フィルタ同
士間の電磁界結合の防止策について説明したがこれに限
定されず、単に共振器同士の電磁界結合でも応用するこ
とができるものである。
士間の電磁界結合の防止策について説明したがこれに限
定されず、単に共振器同士の電磁界結合でも応用するこ
とができるものである。
【００２４】
【発明の効果】以上により、本発明によれば、複数のス
トリップラインが互いに隣接する領域に誘電体層の積層
方向に貫通する複数の穴又はスリットをストリップライ
ンの延出方向に併設すると共に、そのストリップライン
の短絡側の穴又はスリットは誘電体の主面に形成したア
ース電極と接続する導体が充填されていることにより、
そ短絡端に近い穴又はスリットは磁界結合が強く発生
し、その箇所に導体を充填させることにより、静電遮蔽
した電気壁を形成するだけでなく、ストリップラインの
開放端にいくにしたがって電界結合が強く発生し、その
個所の穴又はスリットには導体を充填させていないの
で、空気層により電界結合が阻止される。これにより、
ストリップライン間同士若しくは、第１フィルタ、第２
フィルタ同士の電磁界結合が弱まり、相互干渉を有効に
防止することができるものである。
トリップラインが互いに隣接する領域に誘電体層の積層
方向に貫通する複数の穴又はスリットをストリップライ
ンの延出方向に併設すると共に、そのストリップライン
の短絡側の穴又はスリットは誘電体の主面に形成したア
ース電極と接続する導体が充填されていることにより、
そ短絡端に近い穴又はスリットは磁界結合が強く発生
し、その箇所に導体を充填させることにより、静電遮蔽
した電気壁を形成するだけでなく、ストリップラインの
開放端にいくにしたがって電界結合が強く発生し、その
個所の穴又はスリットには導体を充填させていないの
で、空気層により電界結合が阻止される。これにより、
ストリップライン間同士若しくは、第１フィルタ、第２
フィルタ同士の電磁界結合が弱まり、相互干渉を有効に
防止することができるものである。
【００２５】このように、隣接する共振器又はフィルタ
の電磁界結合による相互干渉が低減できる為、共振器又
はフィルタ間の配置を近接する事ができ、部品の小型化
が可能となる。また、共振器又はフィルタ間を近接する
事ができるため、フィルタ間の接続用線路長を短縮する
事ができる為、接続線路による伝送損失を低減する事が
可能となり、低損失のフィルタ複合体を実現できる。ま
た、部品の小型化が可能となると、製造コストの低減が
図られ、小型・高性能なフィルタ複合体を安価で市場に
供給する事が可能となる。
の電磁界結合による相互干渉が低減できる為、共振器又
はフィルタ間の配置を近接する事ができ、部品の小型化
が可能となる。また、共振器又はフィルタ間を近接する
事ができるため、フィルタ間の接続用線路長を短縮する
事ができる為、接続線路による伝送損失を低減する事が
可能となり、低損失のフィルタ複合体を実現できる。ま
た、部品の小型化が可能となると、製造コストの低減が
図られ、小型・高性能なフィルタ複合体を安価で市場に
供給する事が可能となる。
【図１】本発明の積層型誘電体フィルタであるデュプレ
クサの斜視図である。
クサの斜視図である。
【図２】本発明の積層型誘電体フィルタの内部構造を説
明するための分解斜視図である。
明するための分解斜視図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態であって、積層型誘
電体フィルタの内部構造を説明するための分解斜視図で
ある。
電体フィルタの内部構造を説明するための分解斜視図で
ある。
【図４】本発明の第３の実施の形態であって、積層型誘
電体フィルタの内部構造を説明するための分解斜視図で
ある。
電体フィルタの内部構造を説明するための分解斜視図で
ある。
【図５】従来の積層型誘電体フィルタの内部構造を説明
するための分解斜視図である。
するための分解斜視図である。
１：ストリップライン １ａ：受信側ストリップライン １ｂ：送信側ストリップライン ４：誘電体層 ５：アース電極 ６：積層体 １０：ビアホール（穴） １１：スリット外導体
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の誘電体層を積層してなる積層体の
主面又は層間に第1アース電極を、前記積層体の側面に
前記第1アース電極と接続した第2アース電極を、前記積
層体の同一層間に一端側が前記第2アース電極に接続
し、かつ前記アース電極に対向するように形成された複
数の帯状ストリップラインを設けて成る積層型誘電体フ
ィルタにおいて、 前記複数のストリップライン間に前記誘電体層の積層方
向に貫通する複数の穴又はスリットを前記ストリップラ
インの延出方向に併設させると共に、前記第２アース電
極に近い穴内又はスリット内に前記第１アース電極と接
続する導体を充填させたことを特徴とする積層型誘電体
フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000297629A JP2002111314A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 積層型誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000297629A JP2002111314A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 積層型誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002111314A true JP2002111314A (ja) | 2002-04-12 |
Family
ID=18779720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000297629A Pending JP2002111314A (ja) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | 積層型誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002111314A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010245804A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Hitachi Metals Ltd | フィルタモジュールおよび通信装置 |
| WO2020080090A1 (ja) * | 2018-10-19 | 2020-04-23 | 双信電機株式会社 | フィルタ |
| JP2021036733A (ja) * | 2020-12-07 | 2021-03-04 | 双信電機株式会社 | フィルタ |
-
2000
- 2000-09-28 JP JP2000297629A patent/JP2002111314A/ja active Pending
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| CN112840507B (zh) * | 2018-10-19 | 2022-06-03 | 双信电机株式会社 | 滤波器 |
| US11469483B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-10-11 | Soshin Electric Co., Ltd. | Filter |
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| JP7119056B2 (ja) | 2020-12-07 | 2022-08-16 | 双信電機株式会社 | フィルタ |
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