JPH06291521A - 高周波多層集積回路 - Google Patents
高周波多層集積回路Info
- Publication number
- JPH06291521A JPH06291521A JP4101177A JP10117792A JPH06291521A JP H06291521 A JPH06291521 A JP H06291521A JP 4101177 A JP4101177 A JP 4101177A JP 10117792 A JP10117792 A JP 10117792A JP H06291521 A JPH06291521 A JP H06291521A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- via hole
- integrated circuit
- circuit
- dielectric
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型化を実現した多層高周波回路の提供。
【構成】上下に接地電極３、４を有する誘電体２に埋め
込まれたストリップライン１と、上部接地電極３の上の
誘電体５上に形成された配線７及び電気回路部８と、ス
トリップライン１及び直流バイアス回路８を、上部接地
電極３を貫通して電気的に接続し、高周波減衰特性を有
するビアホール６とを備えるので、小型化に効果的であ
るとともに、高周波信号の直流回路への回り込みがない
ため、高周波特性の性能が向上する。
込まれたストリップライン１と、上部接地電極３の上の
誘電体５上に形成された配線７及び電気回路部８と、ス
トリップライン１及び直流バイアス回路８を、上部接地
電極３を貫通して電気的に接続し、高周波減衰特性を有
するビアホール６とを備えるので、小型化に効果的であ
るとともに、高周波信号の直流回路への回り込みがない
ため、高周波特性の性能が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波帯域の信号を扱
う、多層化された高周波多層集積回路に関するものであ
る。
う、多層化された高周波多層集積回路に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波集積回路としては、半導体
基板上に能動素子と受動部品を一体に集積化したモノリ
シック集積回路や、アルミナなどの誘電体基板の上に、
各種能動素子や受動部品を一体に集積化したハイブリッ
ド集積回路等が知られている。一般に、そのモノリシッ
ク集積回路は単層構造となっている。またアルミナ基板
などの誘電体を用いたものでは、電気回路が多層構造に
なっているものが知られている。
基板上に能動素子と受動部品を一体に集積化したモノリ
シック集積回路や、アルミナなどの誘電体基板の上に、
各種能動素子や受動部品を一体に集積化したハイブリッ
ド集積回路等が知られている。一般に、そのモノリシッ
ク集積回路は単層構造となっている。またアルミナ基板
などの誘電体を用いたものでは、電気回路が多層構造に
なっているものが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近時小型化
の流れのなかで、部品のより一層の高密度化が要求され
ているが、上記のモノリシック集積回路では、単層構造
における集積化であり、したがって、部品の大きさが決
まると、それが同一面内にいくら詰まるかで全体の大き
さが決まる。しかし、高周波回路では、空間あるいは基
板内を通して電磁界的な結合があり、ある密度以上に高
集積化することは困難であるという課題がある。
の流れのなかで、部品のより一層の高密度化が要求され
ているが、上記のモノリシック集積回路では、単層構造
における集積化であり、したがって、部品の大きさが決
まると、それが同一面内にいくら詰まるかで全体の大き
さが決まる。しかし、高周波回路では、空間あるいは基
板内を通して電磁界的な結合があり、ある密度以上に高
集積化することは困難であるという課題がある。
【０００４】またハイブリッド集積回路の場合、多層化
が可能であるが、従来のものでは電気配線のみを多層化
しているため、部品は、表面に実装することが必要であ
り、やはり集積、小型化に限界があるという課題があっ
た。
が可能であるが、従来のものでは電気配線のみを多層化
しているため、部品は、表面に実装することが必要であ
り、やはり集積、小型化に限界があるという課題があっ
た。
【０００５】また、一般に高周波回路は、空間を経て電
磁界結合しやすく、それを防止するため、金属板の蓋を
上につけたりするなどのいわゆる電磁界結合を遮蔽する
ための種々の工夫が必要であり、形状が複雑になったり
大きくなったり、また遮蔽が不十分なため、高周波特性
が損なわれるなどの課題もあった。
磁界結合しやすく、それを防止するため、金属板の蓋を
上につけたりするなどのいわゆる電磁界結合を遮蔽する
ための種々の工夫が必要であり、形状が複雑になったり
大きくなったり、また遮蔽が不十分なため、高周波特性
が損なわれるなどの課題もあった。
【０００６】本発明は、このような従来の高周波回路の
課題を考慮し、より一層の高密度化を可能とし、小型化
が実現でき、また、電磁界結合による高周波特性の劣化
を回避できる高周波多層集積回路を提供することを目的
とするものである。
課題を考慮し、より一層の高密度化を可能とし、小型化
が実現でき、また、電磁界結合による高周波特性の劣化
を回避できる高周波多層集積回路を提供することを目的
とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上下に接地電
極を有する誘電体に埋め込まれたストリップライン回路
部と、接地電極の少なくとも一方の上の誘電体上に形成
された電気回路部と、前記ストリップライン回路部及び
電気回路部の両回路部を、接地電極を貫通して電気的に
接続している、高周波減衰特性を有するビアホールとを
備えた高周波多層集積回路である。
極を有する誘電体に埋め込まれたストリップライン回路
部と、接地電極の少なくとも一方の上の誘電体上に形成
された電気回路部と、前記ストリップライン回路部及び
電気回路部の両回路部を、接地電極を貫通して電気的に
接続している、高周波減衰特性を有するビアホールとを
備えた高周波多層集積回路である。
【０００８】
【作用】上記のような構成とすることにより、ビアホー
ルの存在によって、ストリップライン回路部の高周波成
分がビアホールで減衰し、電気回路部に洩れていく高周
波分が少なくなる。その結果、高周波特性が良好で、小
型化が可能な高周波多層集積回路が得られる。
ルの存在によって、ストリップライン回路部の高周波成
分がビアホールで減衰し、電気回路部に洩れていく高周
波分が少なくなる。その結果、高周波特性が良好で、小
型化が可能な高周波多層集積回路が得られる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】（実施例１）図１は、本発明の実施例１の
高周波多層集積回路の構造を示す略示断面図である。図
において、２層の誘電体２、２の間に、ストリップライ
ン回路部１が埋め込まれている。上部接地電極３はスト
リップライン回路部１の上側の接地電極であり、下部接
地電極４はストリップライン回路部１の下側の接地電極
である。また、上部接地電極３の上には上部誘電体層５
が設けられ、ビアホール６がストリップライン回路部１
と電気的に接続され、上部誘電体層５の上まで引き出さ
れている。上部誘電体層５の上面には、ビアホール６に
接続された上部電気回路の配線７が配置されている。ま
た、上部誘電体層５の上面には、その配線７に接続さ
れ、個別部品などで構成された高周波回路部に各種電源
を供給するための直流バイアス回路部８が配置されてい
る。また、トランジスタなどの電子部品９が、ストリッ
プライン回路部１の途中で露出した部分に設けられてい
る。
高周波多層集積回路の構造を示す略示断面図である。図
において、２層の誘電体２、２の間に、ストリップライ
ン回路部１が埋め込まれている。上部接地電極３はスト
リップライン回路部１の上側の接地電極であり、下部接
地電極４はストリップライン回路部１の下側の接地電極
である。また、上部接地電極３の上には上部誘電体層５
が設けられ、ビアホール６がストリップライン回路部１
と電気的に接続され、上部誘電体層５の上まで引き出さ
れている。上部誘電体層５の上面には、ビアホール６に
接続された上部電気回路の配線７が配置されている。ま
た、上部誘電体層５の上面には、その配線７に接続さ
れ、個別部品などで構成された高周波回路部に各種電源
を供給するための直流バイアス回路部８が配置されてい
る。また、トランジスタなどの電子部品９が、ストリッ
プライン回路部１の途中で露出した部分に設けられてい
る。
【００１１】高周波電気信号は、例えば、ストリップラ
イン回路部１の左側より入力され、その露出部に設けら
れたトランジスタ９に入力され、再びストリップライン
回路部１に戻り、図の右側へと信号が伝送されていく。
他方、ストリップライン回路部１の入力側および出力側
の途中にそれぞれ設けられているビアホール６により信
号は配線７を通じて上部電気回路部に入力される。この
時、ビアホール６は高周波に対してインダクタとして有
効に作用するように、ストリップライン回路部１の線幅
に比して、大幅に小さな線径になるように設定した。こ
れによりストリップライン回路部１の高周波成分がビア
ホール６で減衰し、上部電気回路部に洩れていく高周波
分が少ないため、上部電気回路部の高周波短絡用コンデ
ンサの靜電容量を小さくするか、場合によっては不要と
することができた。これにより、この端子からトランジ
スタ９に直流バイアスを加えることにより、高周波回路
に悪影響を与えることなく電力の供給が可能となった。
このような構成となっていることから、高周波回路では
面積を必要とする直流バイアス回路部８を、高周波信号
伝送部と分離、多層化することにより、回路としての必
要面積を小さくすることができる他、高周波の回り込み
を防ぐことができ、高周波回路の性能が向上した。
イン回路部１の左側より入力され、その露出部に設けら
れたトランジスタ９に入力され、再びストリップライン
回路部１に戻り、図の右側へと信号が伝送されていく。
他方、ストリップライン回路部１の入力側および出力側
の途中にそれぞれ設けられているビアホール６により信
号は配線７を通じて上部電気回路部に入力される。この
時、ビアホール６は高周波に対してインダクタとして有
効に作用するように、ストリップライン回路部１の線幅
に比して、大幅に小さな線径になるように設定した。こ
れによりストリップライン回路部１の高周波成分がビア
ホール６で減衰し、上部電気回路部に洩れていく高周波
分が少ないため、上部電気回路部の高周波短絡用コンデ
ンサの靜電容量を小さくするか、場合によっては不要と
することができた。これにより、この端子からトランジ
スタ９に直流バイアスを加えることにより、高周波回路
に悪影響を与えることなく電力の供給が可能となった。
このような構成となっていることから、高周波回路では
面積を必要とする直流バイアス回路部８を、高周波信号
伝送部と分離、多層化することにより、回路としての必
要面積を小さくすることができる他、高周波の回り込み
を防ぐことができ、高周波回路の性能が向上した。
【００１２】本実施例では、ビアホールの線径を細くす
ることによって、ビアホール自身がインダクタとして働
くようにして高周波減衰機能を持たせたが、ストリップ
ライン回路部接続部から直流バイアス回路におけるコン
デンサによる高周波接地部までのビアホール配線の長さ
が、使用高周波の波長の１／４になるように設定するこ
とにより、高周波にたいして、ビアホール配線が先端オ
ープン回路と同じになることから、同じく高周波減衰、
もしくは遮断特性が得られた。
ることによって、ビアホール自身がインダクタとして働
くようにして高周波減衰機能を持たせたが、ストリップ
ライン回路部接続部から直流バイアス回路におけるコン
デンサによる高周波接地部までのビアホール配線の長さ
が、使用高周波の波長の１／４になるように設定するこ
とにより、高周波にたいして、ビアホール配線が先端オ
ープン回路と同じになることから、同じく高周波減衰、
もしくは遮断特性が得られた。
【００１３】次に、このような構成の製造方法について
述べる。誘電体として高周波特性に優れたアルミナに、
ガラス成分とバインダーなどの有機物を加えてスラリー
状とし、ドクターブレード法などの板状化する手法によ
り、厚み０．３−１ミリのシート状の、いわゆるグリー
ンシートに加工した。次にビアホールを形成する所定の
部分に、パンチなどにより機械的に穴をあけ、酸化銅に
ガラス成分とバインダーなどの有機物を加えてペースト
化したものを導体ペーストとして用い、穴に充填、さら
に、電極、配線、ストリップラインなどの所定の形状に
なるように、先のグリーンシートの上に印刷した。この
ようにしたグリーンシートを順次積層し、８５０−１０
００度Ｃの酸化銅が還元されるに十分な還元雰囲気で焼
結させることにより、酸化銅が還元され、実施例に示す
多層構造が得られた。ストリップライン回路部で露出し
た部分は、グリーンシートを重ねていく時、あらかじめ
その部分に空間を設けたグリーンシートを作り、重ねて
いくことにより実現できた。この後、必要箇所にそれぞ
れの個別電子部品を実装することにより、実施例１の高
周波多層集積回路の構成が得られた。このようにして作
られた電極、配線などに用いられる銅は、電気抵抗が極
めて低く、高周波回路で問題となる電極抵抗に基づく抵
抗損を極めて小さくすることができ、特に高周波多層集
積回路に有効である。銅は１０００度Ｃ以上で焼結させ
ると、周囲の誘電体と反応、あるいは拡散が進むため、
１０００度Ｃ以下で焼結できるようにする必要があり、
そのためにはアルミナとガラスの混合物を用いるのが良
い。ガラスの量を増すことにより、焼結温度を低くする
ことができた。銅に代わるものとしては銀がある。但し
この場合には、銀粉にガラスと有機ペーストを混ぜた銀
ペーストを用い焼成した。この場合は還元雰囲気を必要
としないが、銀の融点が銅の融点よりも低いため、この
場合の焼成温度は９３０度Ｃ以下でなければ良好な特性
は得られなかった。
述べる。誘電体として高周波特性に優れたアルミナに、
ガラス成分とバインダーなどの有機物を加えてスラリー
状とし、ドクターブレード法などの板状化する手法によ
り、厚み０．３−１ミリのシート状の、いわゆるグリー
ンシートに加工した。次にビアホールを形成する所定の
部分に、パンチなどにより機械的に穴をあけ、酸化銅に
ガラス成分とバインダーなどの有機物を加えてペースト
化したものを導体ペーストとして用い、穴に充填、さら
に、電極、配線、ストリップラインなどの所定の形状に
なるように、先のグリーンシートの上に印刷した。この
ようにしたグリーンシートを順次積層し、８５０−１０
００度Ｃの酸化銅が還元されるに十分な還元雰囲気で焼
結させることにより、酸化銅が還元され、実施例に示す
多層構造が得られた。ストリップライン回路部で露出し
た部分は、グリーンシートを重ねていく時、あらかじめ
その部分に空間を設けたグリーンシートを作り、重ねて
いくことにより実現できた。この後、必要箇所にそれぞ
れの個別電子部品を実装することにより、実施例１の高
周波多層集積回路の構成が得られた。このようにして作
られた電極、配線などに用いられる銅は、電気抵抗が極
めて低く、高周波回路で問題となる電極抵抗に基づく抵
抗損を極めて小さくすることができ、特に高周波多層集
積回路に有効である。銅は１０００度Ｃ以上で焼結させ
ると、周囲の誘電体と反応、あるいは拡散が進むため、
１０００度Ｃ以下で焼結できるようにする必要があり、
そのためにはアルミナとガラスの混合物を用いるのが良
い。ガラスの量を増すことにより、焼結温度を低くする
ことができた。銅に代わるものとしては銀がある。但し
この場合には、銀粉にガラスと有機ペーストを混ぜた銀
ペーストを用い焼成した。この場合は還元雰囲気を必要
としないが、銀の融点が銅の融点よりも低いため、この
場合の焼成温度は９３０度Ｃ以下でなければ良好な特性
は得られなかった。
【００１４】（実施例２）本発明の高周波多層集積回路
の実施例２を図２に示す。図において、１から９までの
各構成部品は実施例１と同様である。異なるところは、
配線７から上部接地電極３の間にそれらを接続するため
のビアホール１０が設けられている点である。そして、
ストリップライン回路部１とビアホール６の接続点か
ら、ビアホール６と配線７の一部を通り、新しいビアホ
ール１０を経て上部接地電極３に至るまでの長さが、使
用する高周波信号波長の１／４の長さになるように設定
してある。たとえば、２．５ＧＨｚの高周波信号を扱う
場合、空気中での１波長は１２ｃｍとなる。アルミナ系
の誘電体材料を用いた場合、誘電率が約９であるので、
アルミナ系誘電体材料に埋め込んだ場合の１波長は、空
気中の約１／３、４ｃｍとなる。したがって、１／４波
長はその１／４、約１０００ｕｍとなる。実際には、さ
らにビアホールの形状を考慮した実効的な誘電率で求め
る必要があるが、ここでは実験的に求めた。２．５ＧＨ
ｚの信号周波数に対して、実際に用いた寸法は、ストリ
ップライン埋め込み誘電体２のストリップライン回路部
１と上部接地電極３との間の厚みを２００ｕｍ、上部誘
電体層５の厚みを２００ｕｍ、上部接地電極３部分の厚
みを１０ｕｍとした。したがってビアホール６の長さが
４１０ｕｍ、ビアホール１０の長さが２００ｕｍとな
る。またビアホール６とビアホール１０を接続する配線
部分の長さを３００ｕｍとした。この寸法で、２．５Ｇ
Ｈｚの高周波信号に対し、ビアホール６のストリップラ
イン１への接続点がほぼ等価的に１／４波長で接地され
たことになり、これは電気的には先端開放と同じになる
ことから、高周波信号が直流バイアス回路に洩れるのを
防止することができた。これにより、この端子からトラ
ンジスタに直流バイアスを加えることにより、高周波回
路に悪影響を与えることなく電力の供給が可能となっ
た。このような構成となっていることから、高周波回路
では面積を必要とする直流バイアス回路部を、高周波信
号伝送部と分離、多層化することにより、回路としての
必要面積を小さくすることができる他、高周波の回り込
みを防ぐことができ、高周波回路の性能が向上した。
の実施例２を図２に示す。図において、１から９までの
各構成部品は実施例１と同様である。異なるところは、
配線７から上部接地電極３の間にそれらを接続するため
のビアホール１０が設けられている点である。そして、
ストリップライン回路部１とビアホール６の接続点か
ら、ビアホール６と配線７の一部を通り、新しいビアホ
ール１０を経て上部接地電極３に至るまでの長さが、使
用する高周波信号波長の１／４の長さになるように設定
してある。たとえば、２．５ＧＨｚの高周波信号を扱う
場合、空気中での１波長は１２ｃｍとなる。アルミナ系
の誘電体材料を用いた場合、誘電率が約９であるので、
アルミナ系誘電体材料に埋め込んだ場合の１波長は、空
気中の約１／３、４ｃｍとなる。したがって、１／４波
長はその１／４、約１０００ｕｍとなる。実際には、さ
らにビアホールの形状を考慮した実効的な誘電率で求め
る必要があるが、ここでは実験的に求めた。２．５ＧＨ
ｚの信号周波数に対して、実際に用いた寸法は、ストリ
ップライン埋め込み誘電体２のストリップライン回路部
１と上部接地電極３との間の厚みを２００ｕｍ、上部誘
電体層５の厚みを２００ｕｍ、上部接地電極３部分の厚
みを１０ｕｍとした。したがってビアホール６の長さが
４１０ｕｍ、ビアホール１０の長さが２００ｕｍとな
る。またビアホール６とビアホール１０を接続する配線
部分の長さを３００ｕｍとした。この寸法で、２．５Ｇ
Ｈｚの高周波信号に対し、ビアホール６のストリップラ
イン１への接続点がほぼ等価的に１／４波長で接地され
たことになり、これは電気的には先端開放と同じになる
ことから、高周波信号が直流バイアス回路に洩れるのを
防止することができた。これにより、この端子からトラ
ンジスタに直流バイアスを加えることにより、高周波回
路に悪影響を与えることなく電力の供給が可能となっ
た。このような構成となっていることから、高周波回路
では面積を必要とする直流バイアス回路部を、高周波信
号伝送部と分離、多層化することにより、回路としての
必要面積を小さくすることができる他、高周波の回り込
みを防ぐことができ、高周波回路の性能が向上した。
【００１５】なお、上記実施例１、実施例２では、いず
れもストリップライン回路部は１層になっているが、さ
らに２層、３層と多層にすることさらに複雑な回路の小
型化も可能であった。
れもストリップライン回路部は１層になっているが、さ
らに２層、３層と多層にすることさらに複雑な回路の小
型化も可能であった。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は、上下に接地電極を有する誘電体に埋め込まれ
たストリップライン回路部と、接地電極の少なくとも一
方の上の誘電体上に形成された電気回路部と、ストリッ
プライン回路部及び電気回路部の両回路部を、接地電極
を貫通して電気的に接続している、高周波減衰特性を有
するビアホールとを備えるので、小型化に効果的である
とともに、高周波信号の直流回路への回り込みがないた
め、高周波特性の性能向上が図れるという長所を有す
る。
本発明は、上下に接地電極を有する誘電体に埋め込まれ
たストリップライン回路部と、接地電極の少なくとも一
方の上の誘電体上に形成された電気回路部と、ストリッ
プライン回路部及び電気回路部の両回路部を、接地電極
を貫通して電気的に接続している、高周波減衰特性を有
するビアホールとを備えるので、小型化に効果的である
とともに、高周波信号の直流回路への回り込みがないた
め、高周波特性の性能向上が図れるという長所を有す
る。
【図１】本発明の高周波多層集積回路の実施例１の略示
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の高周波多層集積回路の実施例１の略示
断面図である。
断面図である。
１ ストリップライン回路部 ２ ストリップライン埋め込み誘電体 ３ 上部接地電極 ４ 下部接地電極 ５ 上部誘電体層 ６ 伝送高周波減衰特性を有するビアホール ７ 配線 ８ 個別電子部品などからなる表面電気回路部 ９ トランジスタ １０ 接地用ビアホール
Claims (8)
- 【請求項１】上下に接地電極を有する誘電体に埋め込ま
れたストリップライン回路部と、前記接地電極の少なく
とも一方の上の誘電体上に形成された電気回路部と、前
記ストリップライン回路部及び電気回路部の両回路部
を、前記接地電極を貫通して電気的に接続している、高
周波減衰特性を有するビアホールとを備えたことを特徴
とする高周波多層集積回路。 - 【請求項２】ストリップライン接続部と前記電気回路部
の高周波接地部までの前記ビアホールの配線の長さが、
使用波長の１／４であることにより高周波減衰特性を発
揮することを特徴とする請求項１記載の高周波多層集積
回路。 - 【請求項３】ビアホールの形状が、使用波長でインダク
タとして動作する形状であることにより高周波減衰特性
を発揮することを特徴とする請求項１記載の高周波多層
集積回路。 - 【請求項４】誘電体がアルミナとガラスを主成分とし、
埋め込みされた金属の材料が銅または銀であることを特
徴とする請求項１記載の高周波多層集積回路。 - 【請求項５】最表層誘電体上に形成された前記電気回路
部に個別部品を実装したことを特徴とする請求項１記載
の高周波多層集積回路。 - 【請求項６】ストリップライン回路部の一部が露出して
おり、その部分に個別部品を実装したことを特徴とする
請求項１記載の高周波多層集積回路。 - 【請求項７】上下に接地電極を有する誘電体に埋め込ま
れたストリップライン回路部と、前記接地電極の少なく
とも一方の上の誘電体上に形成された配線と、その配線
に接続された電気回路部と、前記ストリップライン回路
部及び前記配線を前記接地電極を貫通して電気的に接続
した第１ビアホール及び前記配線及び前記上部接地電極
を電気的に接続した第２ビアホールとを備えたことを特
徴とする高周波多層集積回路。 - 【請求項８】第１ビアホールから前記配線を通り第２ビ
アホールに至る全長が、使用する高周波信号波長の１／
４の長さであることによって、高周波減衰を実現するこ
とを特徴とする高周波多層集積回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4101177A JPH06291521A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 高周波多層集積回路 |
| EP93105214A EP0563873B1 (en) | 1992-04-03 | 1993-03-30 | High frequency ceramic multi-layer substrate |
| DE69318879T DE69318879T2 (de) | 1992-04-03 | 1993-03-30 | Keramisches Mehrschicht-Substrat für hohe Frequenzen |
| US08/041,183 US5387888A (en) | 1992-04-03 | 1993-04-01 | High frequency ceramic multi-layer substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4101177A JPH06291521A (ja) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | 高周波多層集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291521A true JPH06291521A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14293722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4101177A Pending JPH06291521A (ja) | 1992-04-03 | 1992-04-21 | 高周波多層集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291521A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189609A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロストリップ線路接続体 |
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