JP2002083903A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
ルシート等が支持基板として半導体素子が実装されたB
GA型の半導体装置がある。しかしこれらの支持基板
は、本来必要でなく余分な材料であり、支持基板の厚み
が、半導体装置を大型化にし、中に組み込まれた半導体
素子の熱が放熱されにくい構造となっている。 【解決手段】 導電パターン11A〜11Dが絶縁性樹
脂10に埋め込まれて形成され、しかも導電箔20がハ
ーフエッチングされて形成されるため、充分にその厚み
を薄く形成できる。また放熱用の電極11Dが設けられ
るため、放熱性に優れた半導体装置が提供できる。
Description
その製造方法に関し、特に半導体素子からの熱を良好に
放出できる半導体装置およびその製造方法に関するもの
である。
・高密度実装機器への採用が進み、従来のICパッケー
ジとその実装概念が大きく変わろうとしている。詳細
は、例えば電子材料(1998年9月号22頁〜)の特
集「CSP技術とそれを支える実装材料・装置」で述べ
られている。
ターポーザー基板として採用するもので、このフレキシ
ブルシート50の上には、接着剤を介して銅箔パターン
51が貼り合わされ、更にICチップ52が固着されて
いる。そして、この導電パターン51として、このIC
チップ52の周囲に形成されたボンディング用パッド5
3がある。またこのボンディング用パッド53と一体で
形成される配線51Bを介して半田ボール接続用パッド
54が形成されている。
は、フレキシブルシートが開口された開口部56が設け
られており、この開口部56を介して半田ボール55が
形成されている。そしてフレキシブルシート50を基板
にして全体が絶縁性樹脂58で封止されている。
ップ52の裏面に設けられたフレキシブルシート50は
非常に高価であり、コスト上昇を来す問題、パッケージ
の厚みが厚くなる問題、重量増の問題があった。
ため、ICチップ裏面からパッケージの裏面に渡る熱抵
抗を大きくする問題があった。前記支持基板としては、
フレキシブルシート、セラミック基板またはプリント基
板である。また熱伝導良好な材料より成る熱伝導パス
は、金属細線57、銅箔パターン51および半田ボール
55であり、駆動時に十分な放熱ができない構造であっ
た。よって、駆動時、ICチップが温度上昇し、駆動電
流を十分流せない問題があった。
に鑑みて成され、第1に、半導体素子のボンディング電
極と対応して設けられたパッドと、前記半導体素子の配
置領域に設けられた放熱用の電極と、前記パッドとフェ
イスダウンで電気的に接続された前記半導体素子と、少
なくとも前記半導体素子の下面に設けられたアンダーフ
ィル材と、前記パッドの裏面および前記アンダーフィル
材の裏面を露出して一体化するように前記半導体素子を
封止する絶縁性樹脂とを有することで解決するものであ
る。
対応して設けられたパッドと、前記半導体素子の配置領
域に設けられた放熱用の電極と、前記パッドとフェイス
ダウンで電気的に接続された前記半導体素子と、少なく
とも前記半導体素子の下面に設けられ、前記パッドの裏
面を露出して一体化するように封止するアンダーフィル
材とを有することで解決するものである。
素子の側面を吹上がり、隣接する前記パッドの間の分離
溝、前記パッドと前記放熱用の電極との間の分離溝に充
填されることで解決するものである。
対応して設けられたパッドと、前記パッドと一体の配線
に設けられた外部接続電極と、前記外部接続電極に囲ま
れて設けられた放熱用の電極と、前記パッドとフェイス
ダウンで電気的に接続された前記半導体素子と、少なく
とも前記半導体素子の下面に設けられたアンダーフィル
材と、前記外部接続電極の裏面および前記アンダーフィ
ル材の裏面を露出して一体化するように前記半導体素子
を封止する絶縁性樹脂とを有することで解決するもので
ある。
対応して設けられたパッドと、前記パッドと一体の配線
に設けられた外部接続電極と、前記外部接続電極に囲ま
れて設けられた放熱用の電極と、前記パッドとフェイス
ダウンで電気的に接続された前記半導体素子と、少なく
とも前記半導体素子の下面に設けられ、前記外部接続電
極の裏面を露出して一体化するように封止するアンダー
フィル材とを有することで解決するものである。
素子の側面を吹上がり、隣接する前記パッドの間の分離
溝、隣接する前記配線の間の分離溝、前記外部接続電極
と前記放熱用の電極との間の分離溝に充填されることで
解決するものである。
接続する接続手段は、ロウ材、導電ペーストまたは異方
性導電性樹脂であることで解決するものである。
成ることで解決するものである。
配線、前記配線と一体の外部接続電極の側面は、湾曲構
造で成ることで解決するものである。
が凸状に形成されるようにハーフエッチングし、前記導
電パターンと半導体素子をフェイスダウンで接続し、少
なくとも前記半導体素子と前記導電箔の間にアンダーフ
ィル材を浸入させ、前記半導体素子、前記導電パターン
を封止するように前記導電箔に絶縁性樹脂を設け、前記
アンダーフィル材の裏面が露出し、導電パターンとして
分離されるように前記導電箔の裏面を取り除くことで解
決するものである。
が凸状に形成されるようにハーフエッチングし、前記導
電パターンと半導体素子をフェイスダウンで接続し、少
なくとも前記半導体素子と前記導電箔の間にアンダーフ
ィル材を浸入させ、前記アンダーフィル材の裏面が露出
し、導電パターンとして分離されるように前記導電箔の
裏面を取り除くことで解決するものである。
後、ダイシングで分離することで解決するものである。
る導電パターンがマトリックス状に形成され、それぞれ
のユニットに前記半導体素子が設けられることで解決す
るものである。
後、前記ユニットと前記ユニットとの間をダイシングで
分離することで解決するものである。
体素子の熱を放熱用の電極に伝えることが可能となる。
またこの放熱用の電極を含む導電パターンは、支持基板
を採用することなく形成できるため、コストを下げ、半
導体装置の厚みを薄くすることが可能となる。
の形態 まず本発明の半導体装置について図1を参照しながら説
明する。尚、図1Aは半導体装置の平面図であり、図1
Bは、A−A線の断面図である。
素が埋め込まれている。つまりパッド11…と、このパ
ッド11A…と一体の配線11Bと、配線11Bと一体
で成り、この配線11Bの他端に設けられた外部接続電
極11Cが埋め込まれている。更にはこの導電パターン
11A〜11Cに囲まれた一領域に設けられた放熱用の
電極11Dと、この放熱用の電極11Dの上に設けられ
た半導体素子12が埋め込まれている。尚、半導体素子
12は、アンダーフィル材AFを介して前記放熱用の電
極11Dと固着され、図1Aでは、点線で示されてい
る。
3とパッド11Aは、半導体素子12がフェイスダウン
で実装されるため、半田等のロウ材SD、Agペースト
等の導電ペースト、異方性導電性樹脂を介して電気的に
接続されている。
面は、非異方性でエッチングされ、ここではウェットエ
ッチンクで形成されるため湾曲構造を有し、この湾曲構
造によりアンカー効果を発生している。
パターン11A〜11C、放熱用の電極11Dと、アン
ダーフィル材AF、これらを埋め込む絶縁性樹脂10の
4つの材料で構成される。特に半導体素子12の配置領
域に於いて、導電パターン11A〜11Dの上およびこ
れらの間の分離溝14には、前記アンダーフィル材AF
が形成され、特に分離溝14に充填されるアンダーフィ
ル材AFの裏面が露出された状態で絶縁性樹脂10で封
止されパッケージと成っている。そして絶縁性樹脂10
やアンダーフィル材AFにより前記パッド11A…、半
導体素子12が支持されている。
に浸透可能な絶縁材料から成り、図4に示すように半導
体素子12の側面にまで吹上がるような材料がが好まし
い。また半導体素子12の裏面に薄くアンダーフィル材
AFが形成され、これを絶縁性樹脂10で封止しても良
い。
になるが、半導体素子12の裏面にもアンダーフィル材
AFが形成される様にし、絶縁性樹脂10を省略して半
導体装置としても良い。
の熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサル
ファイド等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また
絶縁性樹脂は、金型を用いて固める樹脂、ディップ、塗
布をして被覆できる樹脂であれば、全ての樹脂が採用で
きる。
は、Cuを主材料とした導電箔、Alを主材料とした導
電箔、またはFe−Ni合金、Al−Cuの積層体、A
l−Cu−Alの積層体等を用いることができる。もち
ろん、他の導電材料でも可能であり、特にエッチングで
きる導電材、レーザで蒸発する導電材が好ましい。また
ハーフエッチング性、メッキの形成性、熱応力を考慮す
ると圧延で形成されたCuを主材料とする導電材料が好
ましい。
10とアンダーフィル材AFが前記分離溝15にも充填
され、図7では、アンダーフィル材AFが前記分離溝1
5にも充填されるため、導電パターンの抜けを防止でき
る特徴を有する。またエッチングとしてドライエッチン
グ、あるいはウェットエッチングを採用して非異方性的
なエッチングを施すことにより、パッド11A…の側
面、配線11B…の側面、外部接続電極11C…の側
面、放熱用の電極11Dの側面を湾曲構造とし、アンカ
ー効果を発生させることもできる。その結果、導電パタ
ーン11A〜11Dが絶縁性樹脂10から抜けない構造
を実現できる。
は、絶縁性樹脂10の裏面に露出している。図1Bで
は、絶縁被膜16が形成されているが、この絶縁被膜1
6を省略して、放熱用の電極11Dの裏面と、実装基板
上の電極を直接固着しても良い。この構造により、半導
体素子12から発生する熱は、実装基板上の電極に放熱
でき、半導体素子12の温度上昇を防止でき、その分半
導体素子12の駆動電流を増大させることができる。ま
た放熱用の電極11Cと半導体素子12が電気的に接続
されても良い。
1Dを封止樹脂である絶縁性樹脂10で支持しているた
め、支持基板が不要となる。この構成は、本発明の特徴
である。従来の技術の欄でも説明したように、従来の半
導体装置の導電路は、支持基板(フレキシブルシート、
プリント基板またはセラミック基板)で支持されていた
り、リードフレームで支持されているため、本来不要に
しても良い構成が付加されている。しかし、本回路装置
は、必要最小限の構成要素で構成され、支持基板を不要
としているため、薄型・軽量となり、しかも材料費がか
からないため安価となる特徴を有する。
11A〜11Dが露出している。この領域に例えば半田
等のロウ材を被覆すると、放熱用の電極11Dの方が面
積が広いため、ロウ材が厚く濡れる。そのため、実装基
板上に固着させる場合、外部接続電極11C裏面のロウ
材が実装基板上の電極に濡れず、接続不良になってしま
う場合が想定される。
裏面に絶縁被膜16を形成して解決している。図1Aで
示した点線の○は、絶縁被膜16から露出した外部接続
電極11C…、放熱用の電極11Dを示すものである。
つまりこの○以外は絶縁被膜16で覆われ、○の部分の
サイズが実質同一サイズであるため、ここに形成された
ロウ材の厚みは実質同一になる。これは、半田印刷後、
リフロー後でも同様である。またAg、Au、Ag−P
d等の導電ペーストでも同様のことが言える。この構造
により、電気的接続不良も抑制できる。また放熱用の電
極11Dの露出部17は、半導体素子の放熱性が考慮さ
れ、外部接続電極11Cの露出サイズよりも大きく形成
されても良い。また外部接続電極11C…は全てが実質
同一サイズであるため、外部接続電極11C…は全領域
に渡り露出され、放熱用の電極11Dの裏面の一部が実
質同一サイズで絶縁被膜116から露出されても良い。
装基板に設けられる配線を本半導体装置の裏面に延在さ
せることができる。一般に、実装基板側に設けられた配
線は、前記半導体装置の固着領域を迂回して配置される
が、前記絶縁被膜18の形成により迂回せずに配置でき
る。しかも絶縁性樹脂10、アンダーフィル材AFが導
電パターンよりも飛び出しているため、実装基板側の配
線と導電パターンとの間に隙間を形成でき、短絡を防止
することができる。
施の形態 本製造方法は、図1の半導体装置15の製造方法を示す
ものであり、図2から図6は、図1AのA−A線に対応
する断面図である。
さは、10μm〜300μm程度が好ましく、ここでは
70μmの圧延銅箔を採用した。続いてこの導電箔20
の表面に、耐エッチングマスクとして導電被膜21また
はホトレジストを形成する。尚、このパターンは、図1
Aのパッド11A…、配線11B…、外部接続電極11
C…、放熱用の電極11D…と同一パターンである。ま
た導電被膜21の代わりにホトレジストを採用する場
合、ホトレジストの下層には、少なくともパッドに対応
する部分にAu、Ag、PdまたはNi等の導電被膜が
形成される。これは、Cuの酸化防止とロウ材の接続を
可能にしている。(以上図2を参照)続いて、前記導電
被膜21またはホトレジストを介して導電箔20をハー
フエッチングする。エッチング深さは、導電箔20の厚
みよりも浅ければよい。尚、エッチングの深さが浅けれ
ば浅いほど、微細パターンの形成が可能である。
導電パターン11A〜11Dが導電箔20の表面に凸状
に現れる。尚、導電箔20は、前述したように、ここで
は圧延で形成されたCuを主材料とするCu箔を採用し
た。しかしAlから成る導電箔、Fe−Ni合金から成
る導電箔、Cu−Alの積層体、Al−Cu−Alの積
層体でも良い。特に、Al−Cu−Alの積層体は、熱
膨張係数の差により発生する反りを防止できる。また圧
延の銅箔を用いると良い。圧延の銅箔は、Z軸方向より
もX軸、y軸方向の結晶の成長が大きく、耐屈曲性に強
いからである。特に、配線11Bが長く形成されると、
この配線に加わる応力が大きくなるが、この圧延の銅箔
を採用することで前記応力に対する耐性が向上する。
(以上図3を参照) そしてボンディング電極13とパッド11Aが面対向配
置されるように配置され、例えばロウ材SDを介して固
着される。
子12を用意し、パッド11Aの上には、ロウ材から成
るペーストが塗布される。このペーストは、焼成される
前の粘性が、半導体素子12の仮接着を可能とする。そ
してこの仮接着の状態で炉に投入され、ロウ材が溶融さ
れて半導体素子12とパッドが電気的に接続される。
には、アンダーフィル材AFが形成される。このアンダ
ーフィル材AFは、半導体素子12と導電パターンとの
間の隙間に浸入しやすい材料であり、またその量をコン
トロールする事で、半導体素子12の側面にまで、また
は半導体素子の裏面にまで形成される。このアンダーフ
ィル材AFは、絶縁性樹脂10との接着性、導電パター
ンとの接着性が考慮されて選択される。
の電極11Dと外部接続電極11Cの分離溝14、パッ
ド11A〜外部接続電極11Cで構成される導電パター
ンの間の分離溝14、およびこれらの上に設けられる。
以上支持基板を採用することなく半導体素子を実装で
き、半導体素子12の高さは、フェイスダウンで実装さ
れる分、低く配置される。よって後述するパッケージ外
形の厚さを薄くすることが出来る。(以上図4を参照) そしてハーフエッチングされて形成された導電パターン
11A〜11D…、半導体素子12、および金属細線1
4を覆うように絶縁性樹脂10が形成される。絶縁性樹
脂としては、熱可塑性、熱硬化性のどちらでも良い。
クションモールド、ディッピングまたは塗布により実現
できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性
樹脂がトランスファーモールドで実現でき、液晶ポリマ
ー、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はイ
ンジェクションモールドで実現できる。
金属細線14の頂部から上に約100μmが被覆される
ように調整されている。この厚みは、半導体装置の強度
を考慮して厚くすることも、薄くすることも可能であ
る。
A〜11Dは、シート状の導電箔20と一体で成るた
め、導電箔20のずれが無い限り、導電パターン11A
〜11Dの位置ずれは全くない。
AFには、凸部として形成された導電パターン11A〜
11D、半導体素子12が埋め込まれ、凸部よりも下方
の導電箔20が裏面に露出されている。(以上図5を参
照) 続いて、前記絶縁性樹脂10の裏面に露出している導電
箔20を取り除き、導電パターン11A〜11Dを個々
に分離する。
れ、裏面をエッチングにより取り除いて分離しても良い
し、研磨や研削で削り込んでも分離しても良い。また、
両方を採用しても良い。例えば、絶縁性樹脂10が露出
するまで削り込んでいくと、導電箔20の削りカスや外
側に薄くのばされたバリ状の金属が、絶縁性樹脂10や
アンダーフィル材AFに食い込んでしまう問題がある。
そのため、エッチングによりパッド11…を分離すれ
ば、導電パターン11A〜11Dの間に位置する絶縁性
樹脂10やアンダーフィル材AFの表面に、導電箔20
の金属が食い込むこと無く形成できる。これにより、微
細間隔の導電パターン11A〜11D同士の短絡を防止
することができる。
数形成されている場合は、この分離の工程の後に、ダイ
シング工程が追加される。
分離しているが、チョコレートブレークでも、プレスや
カットでも可能である。
ターン11A〜11Dに絶縁被膜16を形成し、図1A
の点線の丸で示した部分が露出されるように絶縁被膜1
6がパターニングされる。そしてこの後、矢印で示す部
分でダイシングされ半導体装置となる。
たはダイシングされた後に形成されても良い。
体素子が絶縁性樹脂に埋め込まれた軽薄短小のパッケー
ジが実現できる。図7は、図1の改良された半導体装置
であり、絶縁性樹脂10を省略したものである。図4の
工程に於いて、半導体素子12の裏面にまでアンダーフ
ィル材AFが形成されるように塗布し、固化した後に、
絶縁性樹脂10の形成を省略し、ダイシングしたもので
ある。尚、図7に於いて、半導体素子12の裏面を露出
を露出させても良い。また平面図は、図1Aと同じにな
るため、省略した。本発明は、全実施例に於いて、ロウ
材SDが流れないように流れ防止膜を形成している。例
えば、半田を例に取れば、図1Bに示すように導電パタ
ーン11A〜11Cの少なくとも一部に流れ防止膜DM
を形成し、半田の流れを阻止している。流れ防止膜とし
ては、半田との濡れ性が悪い膜、例えば高分子膜または
Niの膜の上に形成された酸化膜等である。
た。尚、図面の都合で放熱用の電極を省略してある。
されているが、これらの一つが選択される。Aに示すパ
ターンは、パッド11Aと配線11Bの境界に流れ防止
膜DMが設けられ、パッド11Aの実質全域に電気的接
続手段が形成されるものである。また配線11Bの全域
または外部接続電極11Cも含めて流れ防止膜DMが形
成されても良い。Bは、パッドに流れ防止膜DMが形成
され、電気的接続手段が設けられる部分が取り除かれて
いるものである。Cは、タイプBの形成領域に加え配線
11B、外部接続電極11Cも流れ防止膜DMが形成さ
れているものである。Dは、タイプCの開口部が矩形か
ら円形になったものである。更にEは、パッドの上に、
リング状に流れ防止膜DMが形成されたものである。
尚、パッド11Aは、矩形で示されているが、円形でも
良い。この流れ防止膜DMは、半田等のロウ材、Agペ
ースト等の導電ペースト、導電性樹脂の流れを防止する
ものであり、これらの電気的接続手段に対して濡れ性が
悪いものである。例えば、半田がタイプDに設けられた
場合、半田が溶けた際、流れ防止膜DMで堰き止めら
れ、表面張力によりきれいな半球が形成される。またこ
の半田が付く半導体素子のボンディング電極13の周囲
は、パシベーション膜が形成されるため、ボンディング
電極にだけで濡れる。よって半導体素子とパッドを半田
を介して接続すると、貝柱状に一定の高さを維持して固
着できる。また半田の量でこの高さも調整可能なので、
半導体素子と導電パターンの間に一定の隙間を設けるこ
とができ、この間に洗浄液を浸入させることも可能とな
る。またアンダーフィル材AFの様な粘性の低い接着剤
も浸入させることが可能となる。更に、接続領域以外を
全て流れ防止膜DMで被覆することにより、絶縁性樹脂
10との接着性を向上させることも可能となる。次に、
以上の製造方法により発生する効果を説明する。
チングされ、導電箔と一体となって支持されているた
め、従来支持用に用いた基板を無くすことができる。
れて凸部となったパッドが形成されるため、パッドの微
細化が可能となる。従って幅、間隔を狭くすることがで
き、より平面サイズの小さいパッケージが形成できる。
手段および封止材で構成されるため、必要最小限で構成
でき、極力無駄な材料を無くすことができ、コストを大
幅に抑えた薄型の半導体装置が実現できる。
部と成って形成され、個別分離は封止の後に行われるた
め、タイバー、吊りリードは不要となる。よって、タイ
バー(吊りリード)の形成、タイバー(吊りリード)の
カットは、本発明では全く不要となる。
性樹脂に埋め込まれた後、絶縁性樹脂の裏面から導電箔
を取り除いて、導電パターンを分離しているため、従来
のリードフレームのように、リードとリードの間に発生
する樹脂バリを無くすことができる。
を介して放熱用の電極と固着され、この放熱用の電極が
裏面から露出するので、本半導体装置から発生する熱
を、本半導体装置の裏面から効率よく放出することがで
きる。更には、絶縁性接着手段にSi酸化膜や酸化アル
ミニウム等のフィラーが混入されることで更にその放熱
性が向上される。またフィラーサイズを統一すれば、半
導体素子12と導電パターンとの隙間を一定に保つこと
が出来る。 半導体装置を説明する第3の実施の形態 図9に本半導体装置40を示す。図9Aは、その平面図
であり、図9Bは、A−A線に於ける断面図である。
B、外部接続電極11Cが一体で形成されていたが、こ
こではパッド11Aの裏面が外部接続電極と成ってい
る。
るため、絶縁被膜16から露出するパターンも前記矩形
と同一パターンで形成されている。またアンダーフィル
材AFの固着性が考慮されて、放熱用の電極11Dが複
数に分割されるように溝43が形成されている。
では、支持基板を採用しなくても、アイランド状に形成
された導電パターンが厚みを持った導電箔(または導電
箔)で絶縁性接着手段および絶縁性樹脂に埋め込まれて
構成される。また半導体素子の裏面に位置する放熱用の
電極が露出しているため、半導体素子の放熱を改善する
ことが出来る。しかも支持基板を採用しないため、薄型
で軽量なパッケージが実現できる。
フィル材および絶縁性樹脂の必要最小限で構成され、資
源に無駄のない回路装置となる。よって完成するまで余
分な構成要素が無く、コストを大幅に低減できる半導体
装置を実現できる。
ある。
ある。
ある。
ある。
ある。
説明する図である。
Claims (14)
- 【請求項1】 半導体素子のボンディング電極と対応し
て設けられたパッドと、前記半導体素子の配置領域に設
けられた放熱用の電極と、前記パッドとフェイスダウン
で電気的に接続された前記半導体素子と、少なくとも前
記半導体素子の下面に設けられたアンダーフィル材と、
前記パッドの裏面および前記アンダーフィル材の裏面を
露出して一体化するように前記半導体素子を封止する絶
縁性樹脂とを有することを特徴とした半導体装置。 - 【請求項2】 半導体素子のボンディング電極と対応し
て設けられたパッドと、前記半導体素子の配置領域に設
けられた放熱用の電極と、前記パッドとフェイスダウン
で電気的に接続された前記半導体素子と、少なくとも前
記半導体素子の下面に設けられ、前記パッドの裏面を露
出して一体化するように封止するアンダーフィル材とを
有することを特徴とした半導体装置。 - 【請求項3】 前記アンダーフィル材は、半導体素子の
側面を吹上がり、隣接する前記パッドの間の分離溝、前
記パッドと前記放熱用の電極との間の分離溝に充填され
ることを特徴とした請求項1または請求項2に記載の半
導体装置。 - 【請求項4】 半導体素子のボンディング電極と対応し
て設けられたパッドと、前記パッドと一体の配線に設け
られた外部接続電極と、前記外部接続電極に囲まれて設
けられた放熱用の電極と、前記パッドとフェイスダウン
で電気的に接続された前記半導体素子と、少なくとも前
記半導体素子の下面に設けられたアンダーフィル材と、
前記外部接続電極の裏面および前記アンダーフィル材の
裏面を露出して一体化するように前記半導体素子を封止
する絶縁性樹脂とを有することを特徴とした半導体装
置。 - 【請求項5】 半導体素子のボンディング電極と対応し
て設けられたパッドと、前記パッドと一体の配線に設け
られた外部接続電極と、前記外部接続電極に囲まれて設
けられた放熱用の電極と、前記パッドとフェイスダウン
で電気的に接続された前記半導体素子と、少なくとも前
記半導体素子の下面に設けられ、前記外部接続電極の裏
面を露出して一体化するように封止するアンダーフィル
材とを有することを特徴とした半導体装置。 - 【請求項6】 前記アンダーフィル材は、半導体素子の
側面を吹上がり、隣接する前記パッドの間の分離溝、隣
接する前記配線の間の分離溝、前記外部接続電極と前記
放熱用の電極との間の分離溝に充填されることを特徴と
した請求項4または請求項5に記載の半導体装置。 - 【請求項7】 前記半導体素子と前記パッドとを接続す
る接続手段は、ロウ材、導電ペーストまたは異方性導電
性樹脂であることを特徴とした請求項1から請求項6の
いずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項8】 前記パッドの側面は、湾曲構造で成るこ
とを特徴とした請求項1から請求項3のいずれかに記載
の半導体装置。 - 【請求項9】 前記パッド、前記パッドと一体の配線、
前記配線と一体の外部接続電極の側面は、湾曲構造で成
ることを特徴とした請求項4から請求項6のいずれかに
記載の半導体装置。 - 【請求項10】 導電箔を用意し、導電パターンが凸状
に形成されるようにハーフエッチングし、 前記導電パターンと半導体素子をフェイスダウンで接続
し、 少なくとも前記半導体素子と前記導電箔の間にアンダー
フィル材を浸入させ、 前記半導体素子、前記導電パターンを封止するように前
記導電箔に絶縁性樹脂を設け、 前記アンダーフィル材の裏面が露出し、導電パターンと
して分離されるように前記導電箔の裏面を取り除くこと
を特徴とした半導体装置の製造方法。 - 【請求項11】 導電箔を用意し、導電パターンが凸状
に形成されるようにハーフエッチングし、 前記導電パターンと半導体素子をフェイスダウンで接続
し、 少なくとも前記半導体素子と前記導電箔の間にアンダー
フィル材を浸入させ、前記アンダーフィル材の裏面が露
出し、導電パターンとして分離されるように前記導電箔
の裏面を取り除くことを特徴とした半導体装置の製造方
法。 - 【請求項12】 前記導電パターンを分離した後、ダイ
シングで分離することを特徴とした請求項10または請
求項11に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項13】 前記導電箔には、ユニットと成る導電
パターンがマトリックス状に形成され、それぞれのユニ
ットに前記半導体素子が設けられることを特徴とした請
求項10または請求項11に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項14】 前記導電パターンを分離した後、前記
ユニットと前記ユニットとの間をダイシングで分離する
ことを特徴とした請求項13に記載の半導体装置の製造
方法。
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