JP2002016126A - 被処理体の載置装置 - Google Patents

被処理体の載置装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォーカスリング２とウエハチャック１間に
真空細隙があり、両者間での熱伝達が悪く、フォーカス
リング２をウエハＷのようには冷却することができず、
フォーカスリング２がウエハＷの温度よりもかなり高く
なり、この温度の影響によりウエハＷの外周縁部のエッ
チング特性が悪くなる。 【解決手段】 本発明の被処理体の載置装置は、ウエハ
Ｗを載置する冷媒流路１１Ｃを内蔵したウエハチャック
１１と、このウエハチャック１１の載置面の外周縁部に
配置されたフォーカスリング１２とを備え、ウエハチャ
ック１１とフォーカスリング１２との間に熱伝達媒体１
５を介在させると共にフォーカスリング１２をウエハチ
ャック１１に対して押圧、固定する固定手段１６を設け
たことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理体の載置装
置に関し、更に詳しくは、例えばプラズマ処理装置に用
いられる被処理体の載置装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ処理装置としては例えばＣＶＤ
装置、エッチング装置あるいはアッシング装置等が半導
体製造装置として広く用いられている。プラズマ処理室
内にはウエハ等の被処理体を載置する装置が設置されて
いる。この載置装置は、例えば図８に示すように、ウエ
ハＷを載置する載置台（ウエハチャック）１と、このウ
エハチャック１上面の外周縁部に配置されたフォーカス
リング２とを備えている。
【０００３】ウエハＷにプラズマ処理を施す場合には、
処理室内のウエハチャック１上にウエハＷを載置した
後、処理室を所定の真空度に保持した状態でウエハチャ
ック１上にウエハＷを載置、固定し、例えばウエハチャ
ック１に高周波電力を印加して処理室内でプラズマを発
生させる。プラズマはウエハチャック１上のフォーカス
リング２を介してウエハＷ上に収束し、ウエハＷに対し
所定のプラズマ処理（例えば、エッチング処理）を施
す。エッチングによりウエハＷの温度が高くなるが、冷
却機構を用いてウエハチャック１を介してウエハＷを冷
却する。この際、ウエハチャック１上面から熱伝導性に
優れたヘリウムガス等のバックサイドガスをウエハＷの
裏面に向けて流し、ウエハチャック１とウエハＷ間の熱
伝達効率を高めウエハＷを効率良く冷却する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
被処理体の載置装置の場合には、フォーカスリング２が
ただ単にウエハチャック１上に載置した構造であるた
め、フォーカスリング２とウエハチャック１間に真空細
隙があり、両者間での熱伝達が悪く、フォーカスリング
２をウエハＷのようには冷却することができず、フォー
カスリング２がウエハＷの温度よりもかなり高くなり、
この影響でウエハＷの外周縁部がその内側よりも高温に
なってこの部分でのエッチング特性が悪くなり、ホール
抜け性が悪化したり、エッチングの選択比が低下したり
する等の問題が生じてきた。尚、ホール抜け性とは所定
の深さまでエッチングにより確実に堀込むことができる
特性を云う。ホール抜け性が悪いと堀込みが足りず、所
定深さまでエッチングできない。
【０００５】特に、最近ではウエハＷの大口径化、超微
細化が飛躍的に進み、しかも一枚のウエハＷの無駄をな
くし１個でも多くのデバイスを取る努力がなされている
ため、ウエハＷの外周間際までデバイスを取るようにな
ってきている。そのため、フォーカスリング２の温度上
昇はデバイスの歩留りに大きく影響するようになってき
た。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、フォーカスリングの温度上昇を抑制しその
近傍でのプラズマ処理特性の経時的変化をなくし、被処
理体全面を均一に処理することができる被処理体の載置
装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の被処理体の載置装置は、被処理体を載置する冷却機構
を内蔵した載置台と、この載置台の載置面の外周縁部に
配置されたフォーカスリングとを備えた被処理体の載置
装置において、上記載置台と上記フォーカスリングとの
間に熱伝達媒体を介在させたことを特徴とするものであ
る。
【０００８】また、本発明の請求項２に記載の被処理体
の載置装置は、請求項１に記載の発明において、上記フ
ォーカスリングを上記載置台に対して押圧、固定する押
圧手段を設けたことを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明の請求項３に記載の被処理体
の載置装置は、請求項２に記載の発明において、上記押
圧手段は上記フォーカスリング上面の外周縁部に接触す
る接触部と、この接触部から下方に延びて上記載置台を
囲む延設部と、この延設部を上記載置台に対して固定す
る固定部材とを有することを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明の請求項４に記載の被処理体
の載置装置は、請求項３に記載の発明において、上記接
触部及び上記延設部をセラミックにより形成したことを
特徴とするものである。
【００１１】また、本発明の請求項５に記載の被処理体
の載置装置は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記
載の発明において、上記熱伝達媒体を耐熱性弾性部材に
より形成したことを特徴とするものである。
【００１２】また、本発明の請求項６に記載の被処理体
の載置装置は、請求項５に記載の発明において、上記熱
伝達媒体を導電性シリコンゴムにより形成したことを特
徴とするものである。
【００１３】また、本発明の請求項７に記載の被処理体
の載置装置は、被処理体を載置する冷却機構を内蔵した
載置台と、この載置台の載置面の外周縁部に配置された
フォーカスリングとを備えた被処理体の載置装置におい
て、上記載置台と上記フォーカスリングとの間に金属ま
たはセラミックスからなる熱伝達媒体を介在させ、上記
熱伝達媒体と上記フォーカスリングを熱伝達性接着剤を
介して接合したことを特徴とするものである。
【００１４】また、本発明の請求項８に記載の被処理体
の載置装置は、請求項７に記載の発明において、上記載
置台の外周縁部にリング状の凹部を設け、上記凹部に熱
伝達性に優れたガスを供給するガス供給部を設けたこと
を特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図６に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。本実施形態の被処理体の
載置装置１０は、例えば図１に示すように、被処理体
（例えば、ウエハ）Ｗを載置する載置台（ウエハチャッ
ク）１１と、このウエハチャック１１の外周縁部に配置
されたフォーカスリング１２とを備え、ウエハチャック
１１にはブロッキンブコンデンサ１３を介して８００Ｋ
Ｈｚの高周波電源１４が接続されている。このウエハチ
ャック１１は例えばアルミアルマイト、アルミナセラミ
ック等によって電極として形成され、フォーカスリング
１２は例えばシリコン、シリコンカーバイト等の導電性
材料によって形成されている。この被処理体の載置装置
１０は処理室（図示せず）内に配置されている。被処理
体の載置装置１０の上方にはプラズマ発生手段が配置さ
れている。プラズマ発生手段として被処理体の載置装置
１０の上方に上部電極を配置した場合には、この上部電
極に下部電極より周波数の高い高周波電力（例えば、２
７．１２ＭＨｚ）を印加してプラズマを発生させる。従
って、下部電極ではその高周波電力により自己バイアス
電位が発生し、上部電極ではその高周波電力によりプラ
ズマを発生する。
【００１６】而して、上記ウエハチャック１１には冷媒
流路１１Ｃが形成され、この冷媒流路１１Ｃ内を冷却媒
体（例えば、エチレングリコール）が循環し、ウエハチ
ャック１１を介してウエハＷを冷却する。冷媒流路１１
Ｃとは別にウエハチャック１１内には熱伝達媒体として
のヘリウムガス等のバックサイドガスが通るガス流路
（図示せず）が載置面１１Ａで開口して形成され、バッ
クサイドガスを載置面１１ＡからウエハＷの裏面に向け
てヘリウムガスを供給しウエハチャック１１によりウエ
ハＷを効率よく冷却するようにしてある。
【００１７】上記ウエハチャック１１の上面はウエハ載
置面１１Ａとして形成されている。ウエハ載置面１１Ａ
の外側には段差を持ってリング状載置面１１Ｂが形成さ
れ、このリング状載置面１１Ｂ上にフォーカスリング１
２が配置されている。フォーカスリング１２とリング状
載置面１１Ｂの間にはリング状に形成された熱伝達媒体
１５が介在し、この熱伝達媒体１５はリング状載置面１
１Ｂとフォーカスリング１２間の熱伝達を円滑にしてい
る。この熱伝達媒体１５は例えば導電性シリコンゴム等
の耐熱性のある弾性部材により形成され、後述の押圧手
段１６を介してリング状載置面１１Ｂ及びフォーカスリ
ング１２と密着している。フォーカスリング１２の上面
はウエハ載置面１１Ａ上のウエハＷの上面よりも僅かに
高くなっている。フォーカスリング１２の内側には図２
に示すようにその上面と段差のある薄肉部１２Ａが形成
され、載置面１１Ａ上のウエハＷの外周縁部が第１薄肉
部１２Ａに張り出すようになっている。また、同図に示
すようにフォーカスリング１２の外側には内側と同様に
第２薄肉部１２Ｂが形成され、この薄肉部１２Ｂを後述
の押圧手段１６によって押圧し、フォーカスリング１２
をリング状載置面１２Ｂ上に固定するようにしてある。
【００１８】上記リング状載置面１１Ｂの外側には段差
を持って張り出し部１１Ｄが形成され、この張り出し部
１１Ｄに押圧手段１６が取り付けられている。リング状
載置面１１Ｂと張り出し部１１Ｄの間の外周面は例えば
石英等の発塵し難い耐熱性材料によって形成された円筒
状の第１カバー部材１７によって被覆されている。この
第１カバー部材１７の下端にはフランジ１７Ａが形成さ
れ、このフランジ１７Ａは張り出し部１１Ｄの内側に形
成された溝内に収納され、張り出し部１１Ｄと面一にな
っている。
【００１９】上記押圧手段１６は、図１に示すように、
第１カバー部材１７の外面を被覆する筒状部材１８と、
この筒状部材１８の下端に配置されたリング状部材１９
と、このリング状部材１９に筒状部材１８を連結する第
１ネジ部材２０と、リング状部材１９を張り出し部１１
Ｄに締結する第２ネジ部材２１とを有し、フォーカスリ
ング１２をリング状載置面１２Ｂに向けて押圧するよう
にしている。図１、図２に示すように筒状部材１８の上
端の内側にはフランジ１８Ａが形成され、このフランジ
１８Ａがフォーカスリング１２の第２薄肉部１２Ｂと係
合する。筒状部材１８は例えばアルミナセラミック製の
発塵し難い耐熱性材料によって形成され、リング状部材
１９はアルミアルマイトによって形成されている。
【００２０】上記筒状部材１８には周方向等間隔に軸芯
方向に貫通する貫通孔が形成されている。各貫通孔は、
上半部が下半部より半径が大きく形成されている。ま
た、リング状部材１９には上記貫通孔に対応する雌ネジ
が形成され、貫通孔の下半部に装着された第１ネジ部材
２０がリング状部材１９の雌ネジと螺合している。ま
た、貫通孔の上半部には柱状部材２２が装着され、柱状
部材２２によって貫通孔の上半部を埋め、筒状部材１８
を補強している。この柱状部材２２は筒状部材１８と同
一の材料によって形成されている。
【００２１】また、上記張り出し部１１Ｄの外周縁部に
は第２カバー部材２３が固定され、第２カバー部材２３
によってリング状部材１９の外側に形成された薄肉部１
９Ａを被っている。そして、第２ネジ部材２１を介して
リング状部材１９を第２カバー部材２３へ締結し、ひい
ては押圧手段１６をウエハチャック１１に固定してい
る。そして、上記押圧手段１６の外面は第３カバー部材
２４によって被覆されている、このカバー部材２４はウ
ルテム（商品名）等の耐熱性樹脂によって形成されてい
る。
【００２２】次に、動作について説明する。処理室内の
載置装置１０においてウエハＷを受け取ると、処理室が
他から遮断されて密閉される。処理室内を所定の真空度
に保ち、高周波電源１４からブロッキングコンデンサ１
３を介してウエハチャック１１に高周波電力を印加する
と共に上部電極により周波数の高い高周波電力を印加し
てエッチング用ガスを導入すると、処理室内ではエッチ
ング用ガスのプラズマを発生する。プラズマはウエハチ
ャック１１のフォーカスリング１２によりウエハチャッ
ク１１上のウエハＷに収束し、ウエハＷの表面に所定に
エッチング処理を施す。
【００２３】この際、ウエハＷはプラズマの攻撃により
エッチングが施されると共にその温度が上昇する。この
際、冷却機構を構成する冷媒流路１１Ｃを流れるエチレ
ングリコールによってウエハチャック１１を冷却してい
るために、ウエハチャック１１を介してウエハＷを冷却
する。しかもバックサイドガスの働きによりウエハチャ
ック１１の載置面１１ＡとウエハＷ間の熱伝達を円滑に
行い、ウエハＷを効率良く冷却し、所定温度以上に上昇
させることなく一定の温度に維持する。
【００２４】一方、ウエハチャック１１の外周縁部のフ
ォーカスリング１２もウエハ同様にプラズマの攻撃を受
け、温度が上昇する。この際、フォーカスリング１２と
リング状載置面１１Ｂ間に弾性のある導電性シリコンゴ
ムによって形成された熱伝達媒体１５が介在し、しかも
押圧手段１６によってフォーカスリング１２をリング状
載置面１１Ｂに向けて押圧しているため、熱伝達媒体１
５の上下両面がフォーカスリング１２及びリング状載置
面１１Ｂと密着し、フォーカスリング１２とウエハチャ
ック１１間の熱伝達を促し、フォーカスリング１２をウ
エハＷと同様に冷却し、ウエハＷと略同一の温度に維持
し、両者間で殆ど温度差を生じることがないか、温度差
があるとしても極めて僅かである。
【００２５】従って、ウエハＷの外周縁部はフォーカス
リング１２の温度による影響を受けることがなく、ウエ
ハＷ全面で一定のエッチング処理を行うことができ、従
来のようにホール抜け性が悪化したり、エッチングの選
択比が悪化したりすることがない。
【００２６】以上説明したように本実施形態によれば、
ウエハチャック１１とフォーカスリング１２との間に熱
伝達媒体１５を介在させると共にフォーカスリング１２
をウエハチャック１１に対して押圧、固定する押圧手段
１６を設けたため、冷却されたウエハチャック１１が熱
伝達媒体１５を介してフォーカスリング１２から熱を円
滑に奪い、フォーカスリング１２を効率良く冷却し、フ
ォーカスリング１２とウエハＷと殆ど温度差がなく、ウ
エハＷ外周縁部でのホール抜け性やエッチングの選択比
の悪化を防止し、ウエハＷの外周縁部をその内側と同様
に均一にエッチングすることができ、歩留りを高めるこ
とができる。
【００２７】また、本実施形態によれば、熱伝達媒体１
５を導電性シリコンゴム等の耐熱性のある弾性部材によ
り形成したため、ウエハチャック１１のリング状載置面
１１Ｂとフォーカスリング１２を熱伝達媒体１５を介し
て密着させることができ、ウエハチャック１１によるフ
ォーカスリング１２の冷却効率を一層高めることができ
る。また、押圧手段１６はフォーカスリング１２の第２
薄肉部１２Ｂの上面に接触するフランジ１８Ａと、この
フランジ１８Ａから下方に延びてウエハチャック１１を
囲む筒状部材１８と、この筒状部材１８をリング状部材
１９を介してウエハチャック１１の張り出し部１１Ｂに
対して固定する第２ネジ部材２１とを有するため、押圧
手段１６によってフォーカスリング１２を全周に亘って
リング状載置面１１Ｂに対して押圧固定することができ
る。また、フランジ１８Ａを有する筒状部材１８、リン
グ状部材１９を耐熱性のあるセラミックにより形成した
ため、高温下でもフォーカスリング１２を安定的に固定
することができ、高周波放電を確実に防止することがで
きる。
【００２８】次に、本発明の実施例について説明する。 ［実施例１］本実施例では、平行平板型の上下の電極に
高周波電力を印加し、載置装置１０を用いて下記条件で
ウエハのエッチングを行って直径０．６μｍの穴を形成
した。エッチング中のフォーカスリングの表面温度は図
３のグラフに示すように５０℃前後で推移し、２５枚
目のウエハの穴の断面を図４の（ｂ）に示した。また、
比較のために図４の（ａ）は標準的なフォーカスリング
を装着した従来の載置装置を用いてウエハに穴を形成し
た時の１枚目（フォーカスリングの温度が上昇する前）
の穴の断面を示している。尚、同図の（ａ）、（ｂ）に
おいては、左側はウエハの中心の穴のエッチング状態を
示し、中央は中心と外周との中間位置の穴のエッチング
状態を示し、右側はフォーカスリングから５ｍｍ離れた
位置に形成された穴のエッチング状態を示している。図
３のグラフ及び図４の（ｂ）に示す結果から本実施形
態のフォーカスリングを用いた載置装置はフォーカスリ
ングの表面温度がウエハＷの温度と殆ど温度差がなく、
また、フォーカスリングの表面温度が上昇する前の穴を
示す（ａ）と同様にウエハＷ全面で均一なエッチング処
理を行うことができた。 上部電極の印加電力 ：２７．１２ＭＨｚ、２０００Ｗ 下部電極の印加電力 ：８００ＫＨｚ、１４００Ｗ 上下電極の間隔 ：１７ｍｍ ウエハチャック ：アルミナセラミック製 ウエハチャック設定温度：３０℃（但し、底部は−２０
℃） ウエハ設定温度 ：５０℃ フォーカスリング ：導電性シリコン製 フォーカスリング温度 ：図３にグラフで示す 処理室内の真空度 ：５．３３Ｐａ（＝４０ｍTorr） エッチング用ガスの条件：Ｃ４Ｈ８／Ａｒ／Ｏ２＝２１
／５１０／１１(sccm)
【００２９】［比較例１］本比較例では、図４の（ａ）
の場合と同一の条件で後続のウエハに穴を形成した。こ
の場合にはフォーカスリングの表面温度が図３のグラフ
に示すように急激にフォーカスリングの表面温度が上
昇し、フォーカスリングの表面温度は２００〜２５０℃
の範囲で推移した。また、図４の（ｃ）に示すように２
５枚目の穴はフォーカスリングの近傍ではホール抜けせ
ず、途中でエッチングが停止した。
【００３０】図５は本発明の他の実施形態の要部を示す
断面図である。本実施形態の被処理体の載置装置３０
は、図５に示すように、ウエハＷを載置するウエハチャ
ック３１と、このウエハチャック３１の外周縁部に配置
されたフォーカスリング３２とを備え、図１に示す装置
に準じて構成されている。ウエハチャック３１の上面は
ウエハ載置面３１Ａとして形成されている。ウエハ載置
面３１Ａの外側には段差を持ってリング状載置面３１Ｂ
が形成され、このリング状載置面３１Ｂ上にフォーカス
リング３２が配置されている。このフォーカスリング３
２の内周縁部には図５に示すように上面側が欠けた薄肉
部３２Ａが形成され、この薄肉部３２Ａの厚さがウエハ
載置面３１Ａの高さと概ね等しくなっている。フォーカ
スリング３２の厚肉部３２Ｂはウエハ載置面３１Ａ上の
ウエハＷと略面一になっている。
【００３１】上記フォーカスリング３２とリング状載置
面３１Ｂの間にはリングプレート状に形成された熱伝達
媒体３５が介在し、この熱伝達媒体３５はリング状載置
面３１Ｂとフォーカスリング３２間の熱伝達を円滑にし
ている。この熱伝達媒体３５は導電性シリコンゴム等の
耐熱性のある導電性部材により形成され、リング状載置
面３１Ｂに貼着されている。従って、ウエハチャック３
１、熱伝達媒体３５、フォーカスリング３２を同電位と
してウエハＷ上に均一なプラズマを形成することができ
る。このフォーカスリング３２はリング状載置面３１Ｂ
に配置された状態でその内周面とウエハ載置面３１Ａと
の間に隙間が形成されている。この隙間には充填部材３
５Ａが充填され、この充填部材３５Ａによってプラズマ
の隙間への回り込みを防止し、ウエハ載置面３１Ａの外
周面及び熱伝達媒体３５がプラズマにより損傷しないよ
うにしてある。充填部材３５Ａは熱伝達媒体３５と同一
材料または適宜の合成樹脂によって形成されている。充
填部材３５Ａは予め隙間を埋めるリング形状に形成され
たものであっても、コンパウンドのように埋めるもので
あっても良い。本実施形態においても図１に示す被処理
体の載置装置１０に準じた作用効果を期することができ
る。
【００３２】図６は本発明の更に他の実施形態の要部を
示す断面図である。本実施形態の被処理体の載置装置４
０はフォーカスリング４２の断面形状が図５に示すもの
と相違する以外は図５に準じて構成されている。フォー
カスリング４２の内周縁部には図６に示すように上面側
及び下面側がそれぞれ欠けた薄肉部４２Ａが形成され、
この薄肉部４２Ａの上面の高さがウエハ載置面４１Ａの
高さと概ね等しくなっている。このフォーカスリングの
内径はウエハ載置台４１Ａの外径より若干大きく形成さ
れているが、両者間には隙間が殆どない状態になってい
る。フォーカスリング４２の厚肉部４２Ｂはウエハ載置
面４１Ａ上のウエハＷと略面一になっている。そして、
リング状載置面４１Ｂとフォーカスリング４２間に介在
する熱伝達媒体４５はリング状載置面４１Ｂに対して貼
着されている。また、フォーカスリング４２の内周縁部
とリング状載置面４１Ｂの間には図６に示すように隙間
が形成され、この隙間に充填部材４５Ａが充填され、ウ
エハ載置面４１Ａとフォーカスリング４２間にプラズマ
が回り込まないようになっている。本実施形態において
も図１に示す被処理体の載置装置１０に準じた作用効果
を期することができる。
【００３３】図７は本発明の更に他の実施形態の要部を
示す断面図である。本実施形態の被処理体の載置装置５
０はフォーカスリング５２の取付構造が図６に示す実施
形態と異にしている。即ち、フォーカスリング５２の裏
面には熱伝導性に優れたアルミニウム等の金属あるいは
窒化アルミニウム等のセラミックからなる補強材５５が
熱伝導性に優れたエポキシ系またはシリコン系等の接着
剤を介して貼り合わされている。従って、フォーカスリ
ング５２は熱伝達媒体からなる補強材５５によって機械
的強度が補強されている。補強材５５は外径がフォーカ
スリング５２の外径よりも大きく、フォーカスリング５
２からはみ出した部分でネジ部材５６Ａを介してリング
状載置面５１Ｂに締結されている。また、リング状載置
面５１Ｂにはヘリウムガス等のバックサイドガスの流路
５１Ｃが開口している。この開口部５１Ｄは補強材５５
全周に渡って形成され、バックサイドガスが補強材５５
で封止された空間に充満し、冷却された載置台５１の冷
熱でフォーカスリング５２を効率良く冷却する。開口部
５１ＤはＯリング５１Ｅによってシールされている。更
に、フォーカスリング５２の外周縁部及び補強材５５の
外周縁部は石英製のカバー部材５４によって被覆され、
カバー部材５４によって載置台５１、フォーカスリング
５２及び補強材５５の外周面をプラズマから保護してい
る。尚、図７において、５６Ｂはウエハチャック５１を
冷却、加熱を有する温調機構に締結するネジ部材であ
る。本実施形態においても図１に示す被処理体の載置装
置１０に準じた作用効果を期することができる。
【００３４】尚、本発明は上記各実施形態に何等制限さ
れるものではない。要は、フォーカスリングとウエハチ
ャック間に熱伝達媒体が介在し、両者間の熱伝達を円滑
に行うようにしてあれば良い。従って、熱伝達媒体はリ
ング状載置面に対して貼着しても良く、また単にリング
状載置面上に載置するだけでも良い。フォーカスリング
と熱伝達媒体はフォーカスリングに対して貼着してもし
なくても良い。充填部材も熱伝達媒体に準じてリング状
載置面に取り付けることができる。
【００３５】
【発明の効果】本発明の請求項１〜請求項８に記載の発
明によれば、フォーカスリング近傍でのプラズマ処理特
性の経時的変化をなくし、被処理体全面を均一に処理す
ることができる被処理体の載置装置を提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の被処理体の載置装置の一実施形態を示
す要部断面図である。
【図２】図１に示すフォーカスリングを中心に拡大して
示した断面図である。
【図３】エッチング時のフォーカスリングの表面温度の
経時的変化を示すグラフである。
【図４】（ａ）は従来のフォーカスリングを用いた時の
最初のエッチング状態を示す断面図、（ｂ）は図１、図
２に示すフォーカスリングを用いた時の２５枚目のウエ
ハのエッチング状態を示す（ａ）に相当する断面図、
（ｃ）は従来のフォーカスリングを用いた時の２５枚目
のウエハのエッチング状態を示す（ａ）に相当する断面
図である。
【図５】本発明の被処理体の載置装置の他の実施形態を
示す要部断面図である。
【図６】本発明の被処理体の載置装置の更に他の実施形
態を示す要部断面図である。
【図７】本発明の被処理体の載置装置の更に他の実施形
態を示す要部断面図である。
【図８】従来の被処理体の載置装置の一例を示す図１に
相当する断面図である。
【符号の説明】
１０、３０、４０、５０ 被処理体の載置装置 １１、３１、４１、５１ ウエハチャック（載置台） １１Ａ、３１Ａ、４１Ａ、５１Ａ ウエハ載置面 １１Ｂ、３１Ｂ、４１Ｂ、５１Ｂ リング状載置面 １１Ｃ 冷媒流路（冷却機構） １２、３２、４２、５２ フォーカスリング １５、３５、４５、５５ 熱伝達媒体 １６ 押圧手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今福 光祐 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 大藪 淳 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 Ｆターム(参考） 4K057 DA11 DA13 DD01 DE06 DE14 DE20 DM18 DM28 DM35 DM39 DM40 DN01 5F004 AA01 BA04 BB11 BB23 BB25 BB26 BB29 BD01 DA00 DA23 DA26 5F031 HA25 HA30 HA38 HA39 MA23 MA28 MA32 PA18

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体を載置する冷却機構を内蔵した
    載置台と、この載置台の載置面の外周縁部に配置された
    フォーカスリングとを備えた被処理体の載置装置におい
    て、上記載置台と上記フォーカスリングとの間に熱伝達
    媒体を介在させたことを特徴とする被処理体の載置装
    置。
  2. 【請求項２】 上記フォーカスリングを上記載置台に対
    して押圧、固定する押圧手段を設けたことを特徴とする
    請求項１に記載の被処理体の載置装置。
  3. 【請求項３】 上記押圧手段は上記フォーカスリング上
    面の外周縁部に接触する接触部と、この接触部から下方
    に延びて上記載置台を囲む延設部と、この延設部を上記
    載置台に対して固定する固定部材とを有することを特徴
    とする請求項２に記載の被処理体の載置装置。
  4. 【請求項４】 上記接触部及び上記延設部をセラミック
    により形成したことを特徴とする請求項３に記載の被処
    理体の載置装置。
  5. 【請求項５】 上記熱伝達媒体を金属、セラミックスま
    たは耐熱性弾性部材により形成したことを特徴とする請
    求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の被処理体の載
    置装置。
  6. 【請求項６】 上記耐熱性弾性部材を導電性シリコンゴ
    ムにより形成したことを特徴とする請求項５に記載の被
    処理体の載置装置。
  7. 【請求項７】 被処理体を載置する冷却機構を内蔵した
    載置台と、この載置台の載置面の外周縁部に配置された
    フォーカスリングとを備えた被処理体の載置装置におい
    て、上記載置台と上記フォーカスリングとの間に金属ま
    たはセラミックスからなる熱伝達媒体を介在させ、上記
    熱伝達媒体と上記フォーカスリングを熱伝達性接着剤を
    介して接合したことを特徴とする被処理体の載置装置。
  8. 【請求項８】 上記載置台の外周縁部にリング状の凹部
    を設け、上記凹部に熱伝達性に優れたガスを供給するガ
    ス供給部を設けたことを特徴とする請求項７に記載の被
    処理体の載置装置。
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