JP7145041B2 - 基板支持器、プラズマ処理装置、及びフォーカスリング - Google Patents
基板支持器、プラズマ処理装置、及びフォーカスリング Download PDFInfo
- Publication number
- JP7145041B2 JP7145041B2 JP2018210733A JP2018210733A JP7145041B2 JP 7145041 B2 JP7145041 B2 JP 7145041B2 JP 2018210733 A JP2018210733 A JP 2018210733A JP 2018210733 A JP2018210733 A JP 2018210733A JP 7145041 B2 JP7145041 B2 JP 7145041B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- focus ring
- area
- connecting member
- substrate
- substrate support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
Description
Claims (7)
- プラズマ処理装置で使用する基板支持器であって、
基板チャック領域と、
前記基板チャック領域を取り囲むように配置されるフォーカスリングチャック領域と、
前記フォーカスリングチャック領域と接触する第1の面と、前記第1の面から下方に延在し、前記フォーカスリングチャック領域の側壁と対向する第2の面とを有するフォーカスリングと、
第1部分及び第2部分を有する接続部材であり、前記第1部分は、前記フォーカスリングの前記第2の面と前記フォーカスリングチャック領域の前記側壁との間に配置され、前記フォーカスリングの前記第2の面に電気的に接続され、前記第2部分は、第1部分の下部から径方向において外側に延在している、該接続部材と、
前記接続部材と前記フォーカスリングチャック領域の前記側壁との間に配置される絶縁部材と、
前記接続部材の下端に電気的に接続され、前記接続部材の下端から下方に延在している導電路と、
前記接続部材の前記第2部分を下方に押圧することにより、前記接続部材を前記導電路に対して保持するとともに、前記接続部材の前記第1部分を前記フォーカスリングの前記第2の面に押圧させるホルダーと、
を備える基板支持器。 - 弾性を有し、前記接続部材と前記導電路との間で挟持される導電部材を更に備える、請求項1に記載の基板支持器。
- 弾性を有し、前記接続部材と前記フォーカスリングの前記第2の面との間で挟持される導電部材を更に備える、請求項1又は2に記載の基板支持器。
- 前記フォーカスリングは、
前記フォーカスリングチャック領域上に配置される第1環状部と、
前記第1環状部の外側端部から下方に延在する第2環状部と、
を含み、
前記第2環状部は、前記フォーカスリングの前記第2の面を有する、
請求項1~3の何れか一項に記載の基板支持器。 - 前記ホルダーは、絶縁性を有し、
前記接続部材は、前記フォーカスリングと前記ホルダーとによって遮蔽される、
請求項1~4の何れか一項に記載の基板支持器。 - 前記フォーカスリングチャック領域を通り、該フォーカスリングチャック領域と前記フォーカスリングとの間に伝熱ガスを供給するためのガスラインを更に含む、請求項1~5の何れか一項に記載の基板支持器。
- チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持器であって、
基板チャック領域と、
前記基板チャック領域を取り囲むように配置されるフォーカスリングチャック領域と、
前記フォーカスリングチャック領域と接触する第1の面と、前記第1の面から下方に延在し、前記フォーカスリングチャック領域の側壁と対向する第2の面とを有するフォーカスリングと、
第1部分及び第2部分を有する接続部材であり、前記第1部分は、前記フォーカスリングの前記第2の面と前記フォーカスリングチャック領域の前記側壁との間に配置され、前記フォーカスリングの前記第2の面に電気的に接続され、前記第2部分は、第1部分の下部から径方向において外側に延在している、該接続部材と、
前記接続部材と前記フォーカスリングチャック領域の前記側壁との間に配置される絶縁部材と、
前記接続部材の下端に電気的に接続され、前記接続部材の下端から下方に延在している導電路と、
前記接続部材の前記第2部分を下方に押圧することにより、前記接続部材を前記導電路に対して保持するとともに、前記接続部材の前記第1部分を前記フォーカスリングの前記第2の面に押圧させるホルダーと、
を含む、該基板支持器と、
前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成された高周波電源と、
を備えるプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018210733A JP7145041B2 (ja) | 2018-11-08 | 2018-11-08 | 基板支持器、プラズマ処理装置、及びフォーカスリング |
CN201911081919.7A CN111161991A (zh) | 2018-11-08 | 2019-11-05 | 基片支承器、等离子体处理装置和聚焦环 |
KR1020190140989A KR20200053425A (ko) | 2018-11-08 | 2019-11-06 | 기판 지지기, 플라즈마 처리 장치, 및 포커스 링 |
US16/677,847 US11600471B2 (en) | 2018-11-08 | 2019-11-08 | Substrate support, plasma processing apparatus, and focus ring |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018210733A JP7145041B2 (ja) | 2018-11-08 | 2018-11-08 | 基板支持器、プラズマ処理装置、及びフォーカスリング |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020077785A JP2020077785A (ja) | 2020-05-21 |
JP2020077785A5 JP2020077785A5 (ja) | 2021-07-26 |
JP7145041B2 true JP7145041B2 (ja) | 2022-09-30 |
Family
ID=70549953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018210733A Active JP7145041B2 (ja) | 2018-11-08 | 2018-11-08 | 基板支持器、プラズマ処理装置、及びフォーカスリング |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11600471B2 (ja) |
JP (1) | JP7145041B2 (ja) |
KR (1) | KR20200053425A (ja) |
CN (1) | CN111161991A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6960390B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2021-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 給電構造及びプラズマ処理装置 |
JP7394601B2 (ja) * | 2019-11-28 | 2023-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び測定方法 |
CN112435913B (zh) * | 2020-11-23 | 2024-04-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备及其下电极 |
CN115249606A (zh) * | 2021-04-28 | 2022-10-28 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置、下电极组件及其形成方法 |
JP2022181831A (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニングを制御する方法及びプラズマ処理装置 |
WO2023136814A1 (en) * | 2022-01-11 | 2023-07-20 | Lam Research Corporation | Plasma radical edge ring barrier seal |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005260011A (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ処理装置およびウエハ処理方法 |
JP2011009351A (ja) | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2011210958A (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2014220502A (ja) | 2013-05-07 | 2014-11-20 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ露出面上にinsituで形成された保護層を備えるプラズマ処理チャンバのコンポーネント |
JP2017055100A5 (ja) | 2016-03-18 | 2019-04-11 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4592916B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置 |
US6475336B1 (en) * | 2000-10-06 | 2002-11-05 | Lam Research Corporation | Electrostatically clamped edge ring for plasma processing |
US7331876B2 (en) | 2002-02-28 | 2008-02-19 | Lon Klein | Integrated putter system |
US7001482B2 (en) * | 2003-11-12 | 2006-02-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved focus ring |
WO2005124844A1 (ja) * | 2004-06-21 | 2005-12-29 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置及び方法 |
JP4884047B2 (ja) | 2006-03-23 | 2012-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
JP2007258500A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板支持装置 |
JP5274918B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のチャンバー内部材の温度制御方法、チャンバー内部材及び基板載置台、並びにそれを備えたプラズマ処理装置 |
JP2010034416A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US8449679B2 (en) * | 2008-08-15 | 2013-05-28 | Lam Research Corporation | Temperature controlled hot edge ring assembly |
JP5657262B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2015-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US9299539B2 (en) * | 2009-08-21 | 2016-03-29 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for measuring wafer bias potential |
JP5690596B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2015-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及び該フォーカスリングを備える基板処理装置 |
JP5313375B2 (ja) * | 2012-02-20 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびフォーカスリングとフォーカスリング部品 |
JP5893516B2 (ja) * | 2012-06-22 | 2016-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理装置及び被処理体の載置台 |
JP5981358B2 (ja) * | 2013-01-23 | 2016-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 伝熱シート貼付方法 |
US10163610B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-12-25 | Lam Research Corporation | Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation |
CN106548917B (zh) * | 2015-09-21 | 2018-07-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 调节等离子体刻蚀腔内器件温度的装置及其温度调节方法 |
JP7149068B2 (ja) * | 2017-12-21 | 2022-10-06 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
2018
- 2018-11-08 JP JP2018210733A patent/JP7145041B2/ja active Active
-
2019
- 2019-11-05 CN CN201911081919.7A patent/CN111161991A/zh active Pending
- 2019-11-06 KR KR1020190140989A patent/KR20200053425A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-11-08 US US16/677,847 patent/US11600471B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005260011A (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハ処理装置およびウエハ処理方法 |
JP2011009351A (ja) | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2011210958A (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2014220502A (ja) | 2013-05-07 | 2014-11-20 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ露出面上にinsituで形成された保護層を備えるプラズマ処理チャンバのコンポーネント |
JP2017055100A5 (ja) | 2016-03-18 | 2019-04-11 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020077785A (ja) | 2020-05-21 |
US20200152428A1 (en) | 2020-05-14 |
KR20200053425A (ko) | 2020-05-18 |
CN111161991A (zh) | 2020-05-15 |
US11600471B2 (en) | 2023-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7145041B2 (ja) | 基板支持器、プラズマ処理装置、及びフォーカスリング | |
KR102603893B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP7145042B2 (ja) | 基板支持器及びプラズマ処理装置 | |
JP7450427B2 (ja) | 基板支持器及びプラズマ処理装置 | |
US10886108B2 (en) | Power feed structure and plasma processing apparatus | |
TW202130226A (zh) | 載置台及電漿處理裝置 | |
JP7333712B2 (ja) | 静電チャック、支持台及びプラズマ処理装置 | |
JP7344821B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP7101055B2 (ja) | 静電チャック、フォーカスリング、支持台、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法 | |
CN111029237B (zh) | 基板支承组件、等离子体处理装置、以及等离子体处理方法 | |
TWI840462B (zh) | 供電構造及電漿處理裝置 | |
JP2023002987A (ja) | 基板支持器、プラズマ処理装置、及びエッジリング | |
CN111326397B (zh) | 供电构造和等离子体处理装置 | |
WO2022259793A1 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210527 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210527 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220602 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220823 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220916 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7145041 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |