JP5238688B2 - Cvd成膜装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施形態に係るCVD成膜装置の概略構成を示す断面図であり、タングステン(W)膜を成膜するためのものである。
図2は、載置台22のエッジカバーリングが設けられている部分を拡大して示す断面図である。このエッジカバーリング24は、上述したように、載置台22からウエハWの外側の領域への熱影響を緩和する機能を有している。そのような機能を発揮するために、少なくとも載置台22との界面部分が載置台22の構成材料よりも輻射率の小さい材料で構成されている。
まず、ゲートバルブ50を開にして搬入出口49からウエハWを処理容器21内に搬入し、載置台22上に載置する。次いで、ヒーター25により載置台22を加熱してその熱によりウエハWを加熱しつつ、排気装置45の真空ポンプにより処理容器21内を排気して、処理容器21内の圧力を6.7Pa以下に真空排気する。
ここでは、図4に示すようなモデルを用いて熱収支バランス計算によりエッジカバーリングの温度を求めた。載置台の温度Tstg=675℃、シャワーヘッドの温度Tsh=50℃とし、載置台からウエハおよびエッジカバーリングに向けて輻射されるエネルギー量(熱量)をQ1とし、ウエハおよびエッジカバーリングからシャワーヘッドに向けて輻射されるエネルギー量(熱量)をQ2とし、Q1=Q2として、ステファン・ボルツマンの式を用いてエッジカバーリングの温度TEを求めた。また、成膜圧力が20Pa程度と低いのでガス伝熱は無視し、輻射伝熱のみを考慮した。
まずプリコートに際しては、最初に載置台温度400℃でSi膜を成膜し、次いで載置台温度を550℃に上昇させて1回目の窒化処理を行った後、W膜を成膜した。さらに載置台温度を600℃に上昇させて2回目の窒化処理を行い、引き続き2回目のSi膜の成膜を行った。さらに載置台温度を680℃に上昇させて3回目の窒化処理を行った。最後にダミーウエハを用いてW膜の成膜を行った。条件は以下の通りとした。
<1回目のSi膜成膜>
載置台温度 :400℃
圧力 :326.6Pa
ガス流量 :Ar/SiH4=600/100mL/min(sccm)
成膜時間 :600sec
<1回目の窒化処理>
載置台温度 :550℃
圧力 :133.3Pa
ガス流量 :Ar/NH3=50/310mL/min(sccm)
処理時間 :60sec
<1回目のW膜成膜>
載置台温度 :550℃
容器温度 :41℃
圧力 :6.7Pa
ガス流量 :キャリアAr/希釈Ar=40/320mL/min(sccm)
成膜時間 :60sec
<2回目の窒化処理>
載置台温度 :600℃
圧力 :133.3Pa
ガス流量 :Ar/NH3=50/310mL/min(sccm)
処理時間 :60sec
<2回目のSi膜成膜>
載置台温度 :600℃
圧力 :326.6Pa
ガス流量 :Ar/SiH4=600/100mL/min(sccm)
成膜時間 :1800sec
<3回目の窒化処理>
載置台温度 :680℃
圧力 :133.3Pa
ガス流量 :Ar/NH3=50/310mL/min(sccm)
処理時間 :60sec
<2回目のW成膜>
※ダミーウエハを載置台上に載置した状態で行った。
載置台温度 :680℃
容器温度 :41℃
圧力 :20Pa
ガス流量 :キャリアAr/希釈Ar=90/700mL/min(sccm)
成膜時間 :300sec
・W膜の本成膜条件
載置台温度 :675℃
容器温度 :41℃
圧力 :20Pa
ガス流量 :キャリアAr/希釈Ar=90/700mL/min(sccm)
成膜時間 :48sec
膜厚 :10nm(設定)
例えば、上記実施形態では、エッジカバーリングとしてシリコン母材にW膜を形成したものを例示したが、これに限るものではなく、例えば、母材としてSiと比較的輻射率の近いAl2O3、AlN、SiO2、SiC等を用い、W膜の代わりにWに比較的放射率の近いTaN膜、Ta膜、TiN膜、Ti膜を形成したものを用いることにより、上記条件と類似の条件で適用することができる。また、これら以外にも種々の材料を組み合わせて適用することが可能である。さらに、上記実施形態では母材に膜を形成したエッジカバーリングについて示したが、膜を載置台に形成してもよい。さらにまた、このような母材と膜を有する構造のものに限らず、単一構造のものであっても構わない。
Claims (6)
- 被処理基板を加熱しつつ、被処理基板の表面で成膜用のガスを反応させてCVDにより被処理基板上に所定の膜を成膜するCVD成膜装置であって、
真空に保持可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を載置し、被処理基板よりも大径の載置台と、
前記載置台に設けられ、被処理基板を加熱する加熱機構と、
前記処理容器内に成膜用のガスを供給するガス供給機構と、
前記処理容器内を真空排気する排気機構と、
前記載置台における被処理基板の外側部分を覆うように設けられ、前記載置台から被処理基板の外側の領域への熱影響を緩和するカバー部材と
を具備し、
前記載置台はセラミックス製であり、前記カバー部材は、前記載置台と隣接する面の輻射率が前記載置台の輻射率よりも小さく、かつ0.38以下である、CVD成膜装置。 - 前記カバー部材は、少なくとも前記載置台と隣接する面を含む部分がタングステンで構成されている、請求項1に記載のCVD成膜装置。
- 前記カバー部材は、タングステン単体で構成されている、請求項2に記載のCVD成膜装置。
- 前記カバー部材は、被処理基板の外側を囲うように環状をなす、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のCVD成膜装置。
- 前記カバー部材の厚みが1mm以上3mm以下である、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のCVD成膜装置。
- 前記ガス供給機構は、150℃以下で分解し始める金属材料を原料として成膜用ガスを供給する、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のCVD成膜装置。
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JP6108931B2 (ja) * | 2013-04-19 | 2017-04-05 | 株式会社アルバック | 基板加熱機構、成膜装置 |
KR101545394B1 (ko) * | 2013-09-06 | 2015-08-20 | 한양대학교 산학협력단 | 기판의 제조 방법 및 장치 |
US9330955B2 (en) * | 2013-12-31 | 2016-05-03 | Applied Materials, Inc. | Support ring with masked edge |
CN104911565B (zh) * | 2014-03-11 | 2017-12-22 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种化学气相沉积装置 |
JP6444641B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2018-12-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置、サセプタ、及び成膜方法 |
JP6186067B1 (ja) * | 2016-12-13 | 2017-08-23 | 住友精密工業株式会社 | 圧電体結晶膜の成膜方法および圧電体結晶膜成膜用トレイ |
JP7242979B2 (ja) * | 2018-12-17 | 2023-03-22 | 株式会社レゾナック | SiCエピタキシャル成長装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS591671A (ja) * | 1982-05-28 | 1984-01-07 | Fujitsu Ltd | プラズマcvd装置 |
US4445025A (en) * | 1982-11-01 | 1984-04-24 | Athena Controls Inc. | Low mass flexible heating means |
JPH07245264A (ja) * | 1994-03-03 | 1995-09-19 | Toshiba Corp | 気相成長装置 |
JP2002016126A (ja) * | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の載置装置 |
JP2003007694A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
JP2007067353A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理用環状部品、プラズマ処理装置、及び外側環状部材 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3257741B2 (ja) * | 1994-03-03 | 2002-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置及び方法 |
JP3636866B2 (ja) * | 1997-07-16 | 2005-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | CVD−Ti膜の成膜方法 |
US6364957B1 (en) * | 1997-10-09 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Support assembly with thermal expansion compensation |
JP4288767B2 (ja) * | 1999-07-07 | 2009-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4325301B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2009-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、処理装置及び処理方法 |
US7235139B2 (en) * | 2003-10-28 | 2007-06-26 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier for growing GaN wafers |
US20060292310A1 (en) * | 2005-06-27 | 2006-12-28 | Applied Materials, Inc. | Process kit design to reduce particle generation |
US8038837B2 (en) * | 2005-09-02 | 2011-10-18 | Tokyo Electron Limited | Ring-shaped component for use in a plasma processing, plasma processing apparatus and outer ring-shaped member |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS591671A (ja) * | 1982-05-28 | 1984-01-07 | Fujitsu Ltd | プラズマcvd装置 |
US4445025A (en) * | 1982-11-01 | 1984-04-24 | Athena Controls Inc. | Low mass flexible heating means |
JPH07245264A (ja) * | 1994-03-03 | 1995-09-19 | Toshiba Corp | 気相成長装置 |
JP2002016126A (ja) * | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の載置装置 |
JP2003007694A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
JP2007067353A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理用環状部品、プラズマ処理装置、及び外側環状部材 |
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