JP6541565B2 - 載置台及びプラズマ処理装置 - Google Patents
載置台及びプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6541565B2 JP6541565B2 JP2015247630A JP2015247630A JP6541565B2 JP 6541565 B2 JP6541565 B2 JP 6541565B2 JP 2015247630 A JP2015247630 A JP 2015247630A JP 2015247630 A JP2015247630 A JP 2015247630A JP 6541565 B2 JP6541565 B2 JP 6541565B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- refrigerant
- pipe
- heat transfer
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Description
(i)伝熱媒体供給系及びヒータ電源を制御して、第1のバルブ、第2のバルブ、及び、第4のバルブが開かれ、第3のバルブ、第5のバルブ、及び、第6のバルブが閉じられ、第1の冷媒バルブ及び第2の冷媒バルブがチラーユニットと冷却台の流路を接続し、第3の冷媒バルブ及び第4の冷媒バルブが閉じられ、ヒータがONに設定された状態を形成し、
(ii)伝熱媒体供給系及びヒータ電源を制御して、第1のバルブ、第4のバルブ、第5のバルブ、及び、第6のバルブが閉じられ、第2のバルブ及び第3のバルブが開かれ、第1の冷媒バルブ及び第2の冷媒バルブがチラーユニットと冷却台の流路を接続し、第3の冷媒バルブ及び第4の冷媒バルブが閉じられ、ヒータがOFFに設定された状態を形成し、
(iii)伝熱媒体供給系及びヒータ電源を制御して、第1のバルブ、第2のバルブ、第3のバルブ、第4のバルブ、第5のバルブ、及び、第6のバルブが閉じられ、第1の冷媒バルブ及び第2の冷媒バルブがチラーユニットと伝熱空間を接続し、第3の冷媒バルブ及び第4の冷媒バルブが閉じられ、ヒータがOFFに設定された状態を形成し、
(iv)伝熱媒体供給系及びヒータ電源を制御して、第1のバルブ、第2のバルブ、第3のバルブ、第4のバルブ、第5のバルブ、及び、第6のバルブが閉じられ、第1の冷媒バルブ及び第2の冷媒バルブがチラーユニットと冷却台の流路を接続し、第3の冷媒バルブ及び第4の冷媒バルブが閉じられ、ヒータがOFFに設定された状態を形成し、
(v)伝熱媒体供給系及びヒータ電源を制御して、第1のバルブ、第2のバルブ、第3のバルブ、及び、第4のバルブが閉じられ、第5のバルブ、及び、第6のバルブが開かれ、第1の冷媒バルブ及び第2の冷媒バルブがチラーユニットと載置台の流路を接続し、第3の冷媒バルブ及び第4の冷媒バルブが開かれ、ヒータがOFFに設定された状態を形成する。
(i)伝熱媒体供給系及びヒータ電源を制御して、第1のバルブ、第2のバルブ、及び、第4のバルブが開かれ、第3のバルブ及び第5のバルブが閉じられ、第1の冷媒バルブ及び第2の冷媒バルブがチラーユニットと冷却台の流路を接続し、ヒータがONに設定された状態を形成し、
(ii)伝熱媒体供給系及びヒータ電源を制御して、第1のバルブ、第4のバルブ、及び、第5のバルブが閉じられ、第2のバルブ及び第3のバルブが開かれ、第1の冷媒バルブ及び第2の冷媒バルブがチラーユニットと冷却台の流路を接続し、ヒータがOFFに設定された状態を形成し、
(iii)伝熱媒体供給系及びヒータ電源を制御して、第1のバルブ、第2のバルブ、第3のバルブ、第4のバルブ、及び、第5のバルブが閉じられ、第1の冷媒バルブ及び第2の冷媒バルブがチラーユニットと伝熱空間を接続し、ヒータがOFFに設定された状態を形成し、
(iv)伝熱媒体供給系及びヒータ電源を制御して、第1のバルブ、第2のバルブ、第3のバルブ、第4のバルブ、及び、第5のバルブが閉じられ、第1の冷媒バルブ及び第2の冷媒バルブがチラーユニットと冷却台の流路を接続し、ヒータがOFFに設定された状態を形成し、
(v)伝熱媒体供給系及びヒータ電源を制御して、第1のバルブ、第2のバルブ、第3のバルブ、及び、第4のバルブが閉じられ、第5のバルブが開かれ、第1の冷媒バルブ及び第2の冷媒バルブがチラーユニットと冷却台の流路を接続し、ヒータがONに設定された状態を形成する。
Claims (16)
- 冷媒用の流路が形成された金属製の冷却台と、
高周波電源からの高周波を伝送するアルミニウム又はアルミニウム合金製の給電体であり、前記冷却台に接続された、該給電体と、
前記冷却台の上に設けられた導電性の基台、及び、吸着用電極及びヒータを内蔵し、前記基台の上に設けられており、金属接合により該基台に結合されたセラミックス製の吸着部を有する静電チャックと、
前記冷却台と前記基台との間に設けられた絶縁性の第1の弾性部材であり、前記静電チャックを前記冷却台から離間させ、且つ、前記冷却台と前記基台との間に伝熱ガスが供給される伝熱空間を、該冷却台及び該基台と共に画成する、該第1の弾性部材と、
前記冷却台及び前記基台に接触する金属製の締付部材であり、前記基台及び前記第1の弾性部材を、前記冷却台と該締付部材の間に挟持する、該締付部材と、
を備える載置台。 - 前記冷却台は、第1中央部、及び、前記第1中央部に連続し、該第1中央部に対して径方向外側において周方向に沿って延在する第1周縁部を有し、
前記基台は、前記第1中央部の上に設けられており、第2中央部、及び、前記第2中央部に連続し、該第2中央部に対して径方向外側において周方向に沿って延在する第2周縁部を有し、
前記締付部材は、第1下面を含む筒状部、及び、第2下面を含み、前記筒状部の上側部分から径方向内側に延びる環状部を有し、前記第1下面が前記第1周縁部の上面に接し、前記第2下面が前記第2周縁部の上面に接するように前記第1周縁部に固定されている、
請求項1に記載の載置台。 - 前記環状部の内縁部と前記第2周縁部の前記上面との間に設けられた絶縁性のOリングである第2の弾性部材を更に備える、請求項2に記載の載置台。
- 前記第1の弾性部材が発生する反力は、前記第2の弾性部材が発生する反力よりも大きい、請求項3に記載の載置台。
- 前記第1の弾性部材はパーフロロエラストマーから形成されたOリングである、請求項1〜4の何れか一項に記載の載置台。
- 前記吸着部には、該吸着部と該吸着部上に載置される基板との間に伝熱ガスを供給するための第1のガスラインが形成されており、
前記冷却台には、前記第1のガスラインに供給される伝熱ガスを供給するための第2のガスラインが形成されており、
該載置台は、前記第1のガスラインと前記第2のガスラインとを接続するスリーブを更に有し、
前記スリーブは少なくともその表面において絶縁性を有し、該スリーブの該表面はセラミックスから形成されており、
前記基台及び前記冷却台は、前記スリーブが配置される収容空間を提供しており、
前記基台は前記収容空間を画成する面を有し、該面には絶縁性セラミックス製の皮膜が形成されており、
該載置台は、前記皮膜と前記冷却台との間において前記収容空間を封止する絶縁性のOリングである第3の弾性部材を更に有する、
請求項1〜5の何れか一項に記載の載置台。 - 前記第3の弾性部材の外側且つ前記冷却台と前記基台との間に設けられており、前記第1の弾性部材と共に前記伝熱空間を形成する絶縁性のOリングである第4の弾性部材を更に備える、請求項6に記載の載置台。
- 前記第4の弾性部材は、パーフロロエラストマーから形成されている、請求項7に記載の載置台。
- 前記締付部材は、チタンから形成されている請求項1〜8の何れか一項に記載の載置台。
- 前記吸着部を構成するセラミックスは、酸化アルミニウムである、請求項1〜9の何れか一項に記載の載置台。
- 処理容器と、
前記処理容器内において基板を支持するための請求項1〜10の何れか一項に記載された載置台と、
前記載置台の前記給電体に電気的に接続された高周波電源と、
を備えるプラズマ処理装置。 - 前記伝熱空間に伝熱ガス又は冷媒を選択的に供給する伝熱媒体供給系を更に備える請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記冷媒は液状冷媒であり、
前記伝熱媒体供給系は、
前記伝熱空間に前記伝熱ガスを供給するための供給部と、
第1のタンクと、
第1のドライポンプと、
前記供給部に接続された一端、及び、他端を有する第1の配管と、
前記第1の配管の途中に設けられた第1のバルブと、
前記第1の配管の前記他端に接続された一端、及び、前記伝熱空間に接続された他端を有する第2の配管と、
前記第2の配管の途中に設けられた第2のバルブと、
前記第1の配管の前記他端に接続された一端、及び、他端を有する第3の配管と、
前記第3の配管の途中に設けられた第3のバルブと、
前記第1の配管の前記他端に接続された一端、及び、前記第3の配管の前記他端に接続された他端を有する第4の配管と、
前記第4の配管の途中に設けられた第4のバルブと、
前記第2のバルブと前記伝熱空間との間で前記第2の配管に接続された一端、及び、前記第1のタンクに接続された他端を有する第5の配管と、
前記第5の配管の途中に設けられた第5のバルブと、
前記第1のタンクに接続された一端、及び、前記第1のドライポンプに接続された他端を有する第6の配管と、
前記第6の配管の途中に設けられた第6のバルブと、
前記第3の配管の前記他端に接続された一端、及び、前記第6のバルブと前記第1のドライポンプとの間で前記第6の配管に接続された他端を有する第7の配管と、
前記冷媒を供給するチラーユニットと、
第2のタンクと、
第2のドライポンプと、
前記冷却台の前記流路に前記冷媒を供給するための第1の冷媒配管であり、前記冷却台の前記流路と前記チラーユニットを接続する、該第1の冷媒配管と、
前記冷却台の前記流路から前記冷媒を回収するための第2の冷媒配管であり、前記冷却台の前記流路と前記チラーユニットを接続する、該第2の冷媒配管と、
前記伝熱空間に接続された一端、及び、他端を有する第3の冷媒配管と、
前記伝熱空間に接続された一端、及び、前記第3の冷媒配管の前記他端に接続された他端を有する第4の冷媒配管と、
前記第1の冷媒配管の途中に設けられており、前記チラーユニットを前記冷却台の前記流路又は前記第3の冷媒配管に選択的に接続する第1の冷媒バルブと、
前記第2の冷媒配管の途中に設けられており、前記チラーユニットを前記冷却台の前記流路又は前記第4の冷媒配管に選択的に接続する第2の冷媒バルブと、
前記第3の冷媒配管の前記他端に接続された一端、及び、前記第2のタンクに接続された他端を有する第5の冷媒配管と、
前記第5の冷媒配管の途中に設けられた第3の冷媒バルブと、
前記第2のタンクと前記第2のドライポンプを接続する第6の冷媒配管と、
前記第6の冷媒配管の途中に設けられた第4の冷媒バルブと、
を有する、
請求項12に記載のプラズマ処理装置。 - 前記ヒータのためのヒータ電源と、
前記伝熱媒体供給系及び前記ヒータ電源を制御する制御部と、
を更に備え、
前記制御部は、
前記伝熱媒体供給系及び前記ヒータ電源を制御して、前記第1のバルブ、前記第2のバルブ、及び、前記第4のバルブが開かれ、前記第3のバルブ、前記第5のバルブ、及び、前記第6のバルブが閉じられ、前記第1の冷媒バルブ及び前記第2の冷媒バルブが前記チラーユニットと前記冷却台の前記流路を接続し、前記第3の冷媒バルブ及び前記第4の冷媒バルブが閉じられ、前記ヒータがONに設定された状態を形成し、
前記伝熱媒体供給系及び前記ヒータ電源を制御して、前記第1のバルブ、前記第4のバルブ、前記第5のバルブ、及び、前記第6のバルブが閉じられ、前記第2のバルブ及び前記第3のバルブが開かれ、前記第1の冷媒バルブ及び前記第2の冷媒バルブが前記チラーユニットと前記冷却台の前記流路を接続し、前記第3の冷媒バルブ及び前記第4の冷媒バルブが閉じられ、前記ヒータがOFFに設定された状態を形成し、
前記伝熱媒体供給系及び前記ヒータ電源を制御して、前記第1のバルブ、前記第2のバルブ、前記第3のバルブ、前記第4のバルブ、前記第5のバルブ、及び、前記第6のバルブが閉じられ、前記第1の冷媒バルブ及び前記第2の冷媒バルブが前記チラーユニットと前記伝熱空間を接続し、前記第3の冷媒バルブ及び前記第4の冷媒バルブが閉じられ、前記ヒータがOFFに設定された状態を形成し、
前記伝熱媒体供給系及び前記ヒータ電源を制御して、前記第1のバルブ、前記第2のバルブ、前記第3のバルブ、前記第4のバルブ、前記第5のバルブ、及び、前記第6のバルブが閉じられ、前記第1の冷媒バルブ及び前記第2の冷媒バルブが前記チラーユニットと前記冷却台の前記流路を接続し、前記第3の冷媒バルブ及び前記第4の冷媒バルブが閉じられ、前記ヒータがOFFに設定された状態を形成し、
前記伝熱媒体供給系及び前記ヒータ電源を制御して、前記第1のバルブ、前記第2のバルブ、前記第3のバルブ、及び、前記第4のバルブが閉じられ、前記第5のバルブ、及び、前記第6のバルブが開かれ、前記第1の冷媒バルブ及び前記第2の冷媒バルブが前記チラーユニットと前記載置台の前記流路を接続し、前記第3の冷媒バルブ及び前記第4の冷媒バルブが開かれ、前記ヒータがOFFに設定された状態を形成する、
請求項13に記載のプラズマ処理装置。 - 前記冷媒はハイドロフルオロカーボン系の冷媒であり、
前記伝熱媒体供給系は、
前記伝熱空間に前記伝熱ガスを供給するための供給部と、
第1のドライポンプと、
前記供給部に接続された一端、及び、他端を有する第1の配管と、
前記第1の配管の途中に設けられた第1のバルブと、
前記第1の配管の前記他端に接続された一端、及び、前記伝熱空間に接続された他端を有する第2の配管と、
前記第2の配管の途中に設けられた第2のバルブと、
前記第1の配管の前記他端に接続された一端、及び、他端を有する第3の配管と、
前記第3の配管の途中に設けられた第3のバルブと、
前記第1の配管の前記他端に接続された一端、及び、前記第3の配管の前記他端に接続された他端を有する第4の配管と、
前記第4の配管の途中に設けられた第4のバルブと、
前記第2のバルブと前記伝熱空間との間で前記第2の配管に接続された一端、及び、前記第1のドライポンプに接続された他端を有する第5の配管と、
前記第5の配管の途中に設けられた第5のバルブと、
前記第3の配管の前記他端に接続された一端、及び、前記第5のバルブと前記第1のドライポンプとの間で前記第5の配管に接続された他端を有する第6の配管と、
前記冷媒を供給するチラーユニットと、
前記冷却台の前記流路に前記冷媒を供給するための第1の冷媒配管であり、前記冷却台の前記流路と前記チラーユニットを接続する、該第1の冷媒配管と、
前記冷却台の前記流路から前記冷媒を回収するための第2の冷媒配管であり、前記冷却台の前記流路と前記チラーユニットを接続する、該第2の冷媒配管と、
前記伝熱空間に接続された一端を有する第3の冷媒配管と、
前記伝熱空間に接続された一端を有する第4の冷媒配管と、
前記第1の冷媒配管の途中に設けられており、前記チラーユニットを前記冷却台の前記流路又は前記第3の冷媒配管に選択的に接続する第1の冷媒バルブと、
前記第2の冷媒配管の途中に設けられており、前記チラーユニットを前記冷却台の前記流路又は前記第4の冷媒配管に選択的に接続する第2の冷媒バルブと、
を有する、
請求項12に記載のプラズマ処理装置。 - 前記ヒータのためのヒータ電源と、
前記伝熱媒体供給系及び前記ヒータ電源を制御する制御部と、
を更に備え、
前記制御部は、
前記伝熱媒体供給系及び前記ヒータ電源を制御して、前記第1のバルブ、前記第2のバルブ、及び、前記第4のバルブが開かれ、前記第3のバルブ及び前記第5のバルブが閉じられ、前記第1の冷媒バルブ及び前記第2の冷媒バルブが前記チラーユニットと前記冷却台の前記流路を接続し、前記ヒータがONに設定された状態を形成し、
前記伝熱媒体供給系及び前記ヒータ電源を制御して、前記第1のバルブ、前記第4のバルブ、及び、前記第5のバルブが閉じられ、前記第2のバルブ及び前記第3のバルブが開かれ、前記第1の冷媒バルブ及び前記第2の冷媒バルブが前記チラーユニットと前記冷却台の前記流路を接続し、前記ヒータがOFFに設定された状態を形成し、
前記伝熱媒体供給系及び前記ヒータ電源を制御して、前記第1のバルブ、前記第2のバルブ、前記第3のバルブ、前記第4のバルブ、及び、前記第5のバルブが閉じられ、前記第1の冷媒バルブ及び前記第2の冷媒バルブが前記チラーユニットと前記伝熱空間を接続し、前記ヒータがOFFに設定された状態を形成し、
前記伝熱媒体供給系及び前記ヒータ電源を制御して、前記第1のバルブ、前記第2のバルブ、前記第3のバルブ、前記第4のバルブ、及び、前記第5のバルブが閉じられ、前記第1の冷媒バルブ及び前記第2の冷媒バルブが前記チラーユニットと前記冷却台の前記流路を接続し、前記ヒータがOFFに設定された状態を形成し、
前記伝熱媒体供給系及び前記ヒータ電源を制御して、前記第1のバルブ、前記第2のバルブ、前記第3のバルブ、及び、前記第4のバルブが閉じられ、前記第5のバルブが開かれ、前記第1の冷媒バルブ及び前記第2の冷媒バルブが前記チラーユニットと前記載置台の前記流路を接続し、前記ヒータがONに設定された状態を形成する、
請求項15に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/270,342 US10515786B2 (en) | 2015-09-25 | 2016-09-20 | Mounting table and plasma processing apparatus |
KR1020160119971A KR102540156B1 (ko) | 2015-09-25 | 2016-09-20 | 배치대 및 플라즈마 처리 장치 |
TW105130392A TWI693624B (zh) | 2015-09-25 | 2016-09-21 | 載置台及電漿處理裝置 |
EP20170491.3A EP3703102A1 (en) | 2015-09-25 | 2016-09-22 | Plasma processing apparatus |
EP16190131.9A EP3147931B1 (en) | 2015-09-25 | 2016-09-22 | Mounting table and plasma processing apparatus |
CN201610849464.9A CN107039326B (zh) | 2015-09-25 | 2016-09-23 | 载置台和等离子体处理装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015187827 | 2015-09-25 | ||
JP2015187827 | 2015-09-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017063011A JP2017063011A (ja) | 2017-03-30 |
JP6541565B2 true JP6541565B2 (ja) | 2019-07-10 |
Family
ID=58429017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015247630A Active JP6541565B2 (ja) | 2015-09-25 | 2015-12-18 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6541565B2 (ja) |
KR (1) | KR102540156B1 (ja) |
CN (1) | CN107039326B (ja) |
TW (1) | TWI693624B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6667386B2 (ja) * | 2016-06-28 | 2020-03-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
JP7033926B2 (ja) * | 2017-04-26 | 2022-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR102617972B1 (ko) * | 2017-11-21 | 2023-12-22 | 램 리써치 코포레이션 | 하단 링 및 중간 에지 링 |
US20190272983A1 (en) * | 2018-03-01 | 2019-09-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Substrate halo arrangement for improved process uniformity |
JP7020238B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-02-16 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
SG11202010268QA (en) * | 2018-06-08 | 2020-12-30 | Applied Materials Inc | Apparatus for suppressing parasitic plasma in plasma enhanced chemical vapor deposition chamber |
US11875970B2 (en) | 2018-12-17 | 2024-01-16 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China | Radio frequency electrode assembly for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus |
CN111326390B (zh) * | 2018-12-17 | 2023-09-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 射频电极组件和等离子体处理设备 |
JP7254542B2 (ja) * | 2019-02-01 | 2023-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
JP2020177785A (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-29 | 日本電産株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP7306195B2 (ja) | 2019-09-27 | 2023-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を処理する装置及びステージをクリーニングする方法 |
KR102615216B1 (ko) * | 2020-05-15 | 2023-12-15 | 세메스 주식회사 | 정전 척, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
WO2021246187A1 (ja) | 2020-06-04 | 2021-12-09 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法、半導体の製造方法及び液晶表示板の製造方法 |
JP2023005203A (ja) | 2021-06-28 | 2023-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板支持体、基板支持体アセンブリ及びプラズマ処理装置 |
JP7429208B2 (ja) | 2021-08-17 | 2024-02-07 | 日本碍子株式会社 | ウエハ載置台 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5775416A (en) * | 1995-11-17 | 1998-07-07 | Cvc Products, Inc. | Temperature controlled chuck for vacuum processing |
US5805408A (en) * | 1995-12-22 | 1998-09-08 | Lam Research Corporation | Electrostatic clamp with lip seal for clamping substrates |
JP4592916B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置 |
JP2003124296A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | サセプタ及びその製造方法 |
US6646233B2 (en) * | 2002-03-05 | 2003-11-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method |
US20040045813A1 (en) * | 2002-09-03 | 2004-03-11 | Seiichiro Kanno | Wafer processing apparatus, wafer stage, and wafer processing method |
JP5269335B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-08-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5660753B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2015-01-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | プラズマエッチング用高温カソード |
TWI459851B (zh) * | 2007-09-10 | 2014-11-01 | Ngk Insulators Ltd | heating equipment |
WO2010101191A1 (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造、成膜装置、及び、原料回収方法 |
JP5829509B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2015-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
US9281226B2 (en) * | 2012-04-26 | 2016-03-08 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having reduced power loss |
JP5989593B2 (ja) | 2012-04-27 | 2016-09-07 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材 |
JP5996340B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2016-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置 |
-
2015
- 2015-12-18 JP JP2015247630A patent/JP6541565B2/ja active Active
-
2016
- 2016-09-20 KR KR1020160119971A patent/KR102540156B1/ko active IP Right Grant
- 2016-09-21 TW TW105130392A patent/TWI693624B/zh active
- 2016-09-23 CN CN201610849464.9A patent/CN107039326B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170037526A (ko) | 2017-04-04 |
CN107039326A (zh) | 2017-08-11 |
KR102540156B1 (ko) | 2023-06-07 |
JP2017063011A (ja) | 2017-03-30 |
CN107039326B (zh) | 2020-06-23 |
TWI693624B (zh) | 2020-05-11 |
TW201724159A (zh) | 2017-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6541565B2 (ja) | 載置台及びプラズマ処理装置 | |
EP3147931B1 (en) | Mounting table and plasma processing apparatus | |
JP6626753B2 (ja) | 被加工物の処理装置 | |
US11404251B2 (en) | Processing apparatus for processing target object | |
US8317969B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
CN108346568B (zh) | 处理被加工物的方法 | |
JP2016027601A (ja) | 載置台及びプラズマ処理装置 | |
US11380526B2 (en) | Stage and plasma processing apparatus | |
JP2007250860A (ja) | プラズマ処理装置用電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置 | |
JP2016082077A (ja) | 載置台及び載置台の製造方法 | |
US11705302B2 (en) | Substrate support and plasma processing apparatus | |
JP2023067767A (ja) | 基板支持器、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2009231687A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TW202127564A (zh) | 熱媒循環系統及基板處理裝置 | |
US20230073711A1 (en) | Substrate support assembly and plasma processing apparatus | |
CN111095496A (zh) | 静电卡盘、聚焦环、支撑台、等离子体处理装置及等离子体处理方法 | |
US20230136720A1 (en) | Substrate support, plasma processing apparatus, and plasma processing method | |
US20220415629A1 (en) | Substrate support, substrate support assembly, and plasma processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180704 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6541565 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |