JP2001203383A - 燐光変換を行う発光基板を有する発光ダイオードデバイス - Google Patents
燐光変換を行う発光基板を有する発光ダイオードデバイスInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ＬＥＤによって発せられた青色の
一次光を一又は二以上の別の波長の光に変換し、これを
変換されなかった一次光と混ぜ合わせて白色光を生成す
る燐光変換基板を有するＬＥＤデバイスを提供する。 【解決手段】 この基板は、望ましい発光特性を有する
単結晶の燐光体である。この単結晶の燐光体は、ＬＥＤ
デバイスの発光構造の単結晶成長を促進するための必要
な格子構造を有している。さらに、基板の熱的、力学的
性質は、ＬＥＤデバイスのエピタキシャル膜における過
剰なひずみやクラックが防止されるものである。基板の
性質、すなわちドーパントの濃度及び基板の厚さは、Ｌ
ＥＤデバイスを製造する前に正確に制御すること及びテ
ストすることができ、これにより変換されずに基板を通
過する一次光の割合を予測し、制御することが可能とな
る。同様に、基板によって一又は二以上の別の波長に変
換される一次光の割合も予測可能、かつ制御可能とな
る。これらの割合を正確に制御することによって、均一
で高品質の白色光を生成する燐光変換ＬＥＤデバイスが
得られる。
一次光を一又は二以上の別の波長の光に変換し、これを
変換されなかった一次光と混ぜ合わせて白色光を生成す
る燐光変換基板を有するＬＥＤデバイスを提供する。 【解決手段】 この基板は、望ましい発光特性を有する
単結晶の燐光体である。この単結晶の燐光体は、ＬＥＤ
デバイスの発光構造の単結晶成長を促進するための必要
な格子構造を有している。さらに、基板の熱的、力学的
性質は、ＬＥＤデバイスのエピタキシャル膜における過
剰なひずみやクラックが防止されるものである。基板の
性質、すなわちドーパントの濃度及び基板の厚さは、Ｌ
ＥＤデバイスを製造する前に正確に制御すること及びテ
ストすることができ、これにより変換されずに基板を通
過する一次光の割合を予測し、制御することが可能とな
る。同様に、基板によって一又は二以上の別の波長に変
換される一次光の割合も予測可能、かつ制御可能とな
る。これらの割合を正確に制御することによって、均一
で高品質の白色光を生成する燐光変換ＬＥＤデバイスが
得られる。
Description
【０００１】
【説明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード
（ＬＥＤ）デバイスに関連する。より詳しくは、ＬＥＤ
の発光構造体によって発せられる一次光の一部を一又は
二以上の別の波長からなる光に変換する燐光変換基板
（phosphor-converting substrate）を有するＬＥＤデ
バイスであって、当該変換された光を変換されなかった
一次光と混ぜ合わせて白色光を生成するＬＥＤデバイス
に関連する。
（ＬＥＤ）デバイスに関連する。より詳しくは、ＬＥＤ
の発光構造体によって発せられる一次光の一部を一又は
二以上の別の波長からなる光に変換する燐光変換基板
（phosphor-converting substrate）を有するＬＥＤデ
バイスであって、当該変換された光を変換されなかった
一次光と混ぜ合わせて白色光を生成するＬＥＤデバイス
に関連する。
【０００２】
【従来の技術】青色光あるいは紫外（ＵＶ）光を放射す
る効率的なＬＥＤが開発されたことに伴って、ＬＥＤの
一次放射光の一部をより長い波長へ燐光変換（phosphor
conversion）することによって白色光を発生させるＬ
ＥＤの製造が実現可能となってきた。ＬＥＤの一次放射
光の一部をより長い波長に変換することは、一般に一次
放射光の下方変換（down-conversion）と呼ばれる。一
次放射光のうち変換されなかった部分は、より長い波長
の光と混ざり合って白色光を生成する。白色光を発する
ＬＥＤは、信号用及び照明用として有用である。
る効率的なＬＥＤが開発されたことに伴って、ＬＥＤの
一次放射光の一部をより長い波長へ燐光変換（phosphor
conversion）することによって白色光を発生させるＬ
ＥＤの製造が実現可能となってきた。ＬＥＤの一次放射
光の一部をより長い波長に変換することは、一般に一次
放射光の下方変換（down-conversion）と呼ばれる。一
次放射光のうち変換されなかった部分は、より長い波長
の光と混ざり合って白色光を生成する。白色光を発する
ＬＥＤは、信号用及び照明用として有用である。
【０００３】現在、ＬＥＤの一次放射光の一部を燐光変
換する最新のものは、ＬＥＤをＬＥＤランプ内に収容す
るための手段となる反射器のカップにＬＥＤを取り付け
るのに用いるエポキシ樹脂の中に燐光体を含ませること
によって実現されている。燐光体は、パウダー状態で、
硬化前のエポキシ樹脂に混入される。この燐光体のパウ
ダーを含ませた硬化前のエポキシ樹脂のスラリーは、Ｌ
ＥＤ上に堆積され、その後硬化される。
換する最新のものは、ＬＥＤをＬＥＤランプ内に収容す
るための手段となる反射器のカップにＬＥＤを取り付け
るのに用いるエポキシ樹脂の中に燐光体を含ませること
によって実現されている。燐光体は、パウダー状態で、
硬化前のエポキシ樹脂に混入される。この燐光体のパウ
ダーを含ませた硬化前のエポキシ樹脂のスラリーは、Ｌ
ＥＤ上に堆積され、その後硬化される。
【０００４】硬化後のエポキシ樹脂に含まれる燐光体の
樹脂は、通常ランダムな方向を向いてエポキシ樹脂全体
に散在している。ＬＥＤから放射された一次光の一部は
燐光体の粒子に当たることなくエポキシ樹脂を通過する
が、ＬＥＤから放射された一次光の一部は燐光体の粒子
に当たり、これにより燐光体の粒子は黄色光を発する。
一次青色光と燐光体が発する黄色光は、混ざり合って白
色光を生成する。
樹脂は、通常ランダムな方向を向いてエポキシ樹脂全体
に散在している。ＬＥＤから放射された一次光の一部は
燐光体の粒子に当たることなくエポキシ樹脂を通過する
が、ＬＥＤから放射された一次光の一部は燐光体の粒子
に当たり、これにより燐光体の粒子は黄色光を発する。
一次青色光と燐光体が発する黄色光は、混ざり合って白
色光を生成する。
【０００５】燐光体の粒子を含んだエポキシ樹脂を用い
る場合の欠点の一つは、ＬＥＤから発せられる白色光の
均一性を得ることが、不可能ではないとしても、困難で
あるという点である。この不均一性は、エポキシ樹脂の
スラリーに混入された燐光体粒子のサイズのばらつきに
起因する。現在のところ、燐光体粒子の寸法が均一な燐
光体パウダーを入手することは一般に不可能である。エ
ポキシ樹脂のスラリーに燐光体のパウダーを混ぜると、
燐光体の大きな粒子は小さな粒子よりも早く沈み、エポ
キシ樹脂を硬化させると、この中には燐光体粒子の不均
一な空間的分布が存在することになる。
る場合の欠点の一つは、ＬＥＤから発せられる白色光の
均一性を得ることが、不可能ではないとしても、困難で
あるという点である。この不均一性は、エポキシ樹脂の
スラリーに混入された燐光体粒子のサイズのばらつきに
起因する。現在のところ、燐光体粒子の寸法が均一な燐
光体パウダーを入手することは一般に不可能である。エ
ポキシ樹脂のスラリーに燐光体のパウダーを混ぜると、
燐光体の大きな粒子は小さな粒子よりも早く沈み、エポ
キシ樹脂を硬化させると、この中には燐光体粒子の不均
一な空間的分布が存在することになる。
【０００６】したがって、エポキシ樹脂内の燐光体粒子
の一様な分布を得ることは、不可能ではないとしても非
常に困難である。この困難さは燐光体の粒子の寸法が不
均一であることに起因している。このように燐光体粒子
の寸法のコントロール及びエポキシ樹脂内における位置
のコントロールが不可能であることは、均一な白色光を
発するＬＥＤランプを製造することの困難さにつながっ
ている。このため、ＬＥＤランプによって生成される白
色光の品質は、特定のメーカーによって製造された同じ
型のランプであっても、ランプごとに変動する。
の一様な分布を得ることは、不可能ではないとしても非
常に困難である。この困難さは燐光体の粒子の寸法が不
均一であることに起因している。このように燐光体粒子
の寸法のコントロール及びエポキシ樹脂内における位置
のコントロールが不可能であることは、均一な白色光を
発するＬＥＤランプを製造することの困難さにつながっ
ている。このため、ＬＥＤランプによって生成される白
色光の品質は、特定のメーカーによって製造された同じ
型のランプであっても、ランプごとに変動する。
【０００７】エポキシ樹脂と混合した燐光体パウダーを
用いる場合の欠点を、発光有機染料（luminescent orga
nic dye）の薄膜をＬＥＤを包むレンズの上に配置する
ことによって克服しようとする試みがなされてきた。こ
の染料は、これに当たるすべての一次光を完全に吸収し
てこれをより長い波長の光に変換するように、レンズ上
の特別な位置に注意深く配置される。放射された一次光
のうちの僅かな部分は、染料に当たらずにレンズを通過
する。染料に当たらなかった一次光は波長の長い光と混
ざり合って、白色光を生成する。染料は、ここに当たっ
た一次光を完全に吸収するので、波長の長い光と足し合
わされる一次光の割合の変動は排除されることになる。
用いる場合の欠点を、発光有機染料（luminescent orga
nic dye）の薄膜をＬＥＤを包むレンズの上に配置する
ことによって克服しようとする試みがなされてきた。こ
の染料は、これに当たるすべての一次光を完全に吸収し
てこれをより長い波長の光に変換するように、レンズ上
の特別な位置に注意深く配置される。放射された一次光
のうちの僅かな部分は、染料に当たらずにレンズを通過
する。染料に当たらなかった一次光は波長の長い光と混
ざり合って、白色光を生成する。染料は、ここに当たっ
た一次光を完全に吸収するので、波長の長い光と足し合
わされる一次光の割合の変動は排除されることになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この後
者の方法にも、いくつかの欠点がある。レンズ上に染料
を配置するというのは製造上の不確定さを伴い、生成さ
れる白色光の変動につながる。また、長期間にわたって
安定な染料も得られていない。このため、燐光変換する
染料は広く用いられる状況には至っていない。
者の方法にも、いくつかの欠点がある。レンズ上に染料
を配置するというのは製造上の不確定さを伴い、生成さ
れる白色光の変動につながる。また、長期間にわたって
安定な染料も得られていない。このため、燐光変換する
染料は広く用いられる状況には至っていない。
【０００９】したがって、燐光変換するもので、上記の
問題や欠点を克服できるＬＥＤデバイスが求められてい
る。
問題や欠点を克服できるＬＥＤデバイスが求められてい
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＬＥＤによっ
て発せられた青色光或いは紫外光からなる一次光を一又
は二以上の別の波長の光に燐光変換する基板を備え、そ
して燐光変換された光が変換されなかった一次光と混ざ
り合って白色光を生成するＬＥＤデバイスを提供する。
この基板は、望ましい発光特性を有する単結晶の燐光体
である。単結晶の燐光体は、ＬＥＤデバイスの発光構造
体の単結晶成長を促進するための必要な格子構造を有し
ている。さらに、基板の熱的、力学的性質は、ＬＥＤデ
バイスのエピタキシャル膜における過剰なひずみやクラ
ックが防止されるものである。ドーパントの濃度及び基
板の厚さはＬＥＤデバイスを製造する前に正確に制御す
ること及びテストすることができ、これにより変換され
ずに基板を通過する一次光の割合を予測し、制御するこ
とが可能となる。同様に、基板によって一又は二以上の
別の波長に変換される一次光の割合も予測可能、かつ制
御可能となる。これらの割合を正確に制御することによ
って、均一で高品質の白色光を生成する燐光変換ＬＥＤ
デバイスが得られる。
て発せられた青色光或いは紫外光からなる一次光を一又
は二以上の別の波長の光に燐光変換する基板を備え、そ
して燐光変換された光が変換されなかった一次光と混ざ
り合って白色光を生成するＬＥＤデバイスを提供する。
この基板は、望ましい発光特性を有する単結晶の燐光体
である。単結晶の燐光体は、ＬＥＤデバイスの発光構造
体の単結晶成長を促進するための必要な格子構造を有し
ている。さらに、基板の熱的、力学的性質は、ＬＥＤデ
バイスのエピタキシャル膜における過剰なひずみやクラ
ックが防止されるものである。ドーパントの濃度及び基
板の厚さはＬＥＤデバイスを製造する前に正確に制御す
ること及びテストすることができ、これにより変換され
ずに基板を通過する一次光の割合を予測し、制御するこ
とが可能となる。同様に、基板によって一又は二以上の
別の波長に変換される一次光の割合も予測可能、かつ制
御可能となる。これらの割合を正確に制御することによ
って、均一で高品質の白色光を生成する燐光変換ＬＥＤ
デバイスが得られる。
【００１１】本発明の好適な実施例では、基板は単結晶
の燐光体からなる。このような基板として望ましいもの
は、セリウムをドープした単結晶のイットリウム−アル
ミニウム−ガーネット（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+）化合物
であり、これはＹＡＧ：Ｃｅとも表される。この基板
は、ＬＥＤの発光構造体によって発せられる一次光を受
けたことに反応して黄色光を発光する。ＬＥＤの発光構
造体によって発せられた一次光の一部は、変換されない
まま基板を通過する。変換されなかった青色の一次光
は、黄色光と混ざり合って白色光を生成する。
の燐光体からなる。このような基板として望ましいもの
は、セリウムをドープした単結晶のイットリウム−アル
ミニウム−ガーネット（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+）化合物
であり、これはＹＡＧ：Ｃｅとも表される。この基板
は、ＬＥＤの発光構造体によって発せられる一次光を受
けたことに反応して黄色光を発光する。ＬＥＤの発光構
造体によって発せられた一次光の一部は、変換されない
まま基板を通過する。変換されなかった青色の一次光
は、黄色光と混ざり合って白色光を生成する。
【００１２】本発明の一実施例では、基板は、ＬＥＤの
発光構造体によって発せられた青色一次光の一部だけを
黄色光に変換する。この黄色光は、変換されなかった青
色一次光と混ざり合って白色光を生成する。本発明の別
の実施例では、基板は発光構造体と反射面との間にサン
ドイッチ状に挟まれている。この基板は基板内を伝搬す
る一次光のすべてを吸収し、これを黄色光に変換する。
この黄色光は反射面によって発光構造体に向かう方向に
反射される。この黄色光は、発光構造体を通過し、発光
構造体によって基板から遠ざかる方向に発せられた一次
光と混ざり合う。この混ざり合った光は白色光となる。
発光構造体によって発せられた青色一次光の一部だけを
黄色光に変換する。この黄色光は、変換されなかった青
色一次光と混ざり合って白色光を生成する。本発明の別
の実施例では、基板は発光構造体と反射面との間にサン
ドイッチ状に挟まれている。この基板は基板内を伝搬す
る一次光のすべてを吸収し、これを黄色光に変換する。
この黄色光は反射面によって発光構造体に向かう方向に
反射される。この黄色光は、発光構造体を通過し、発光
構造体によって基板から遠ざかる方向に発せられた一次
光と混ざり合う。この混ざり合った光は白色光となる。
【００１３】本発明及びその変形例の他の特徴及び利点
は、以下の説明、図面、および特許請求の範囲の記載か
ら明らかとなろう。
は、以下の説明、図面、および特許請求の範囲の記載か
ら明らかとなろう。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は、燐光変換基板を組み込む
のに適した本発明の発光ダイオード（ＬＥＤ）１の斜視
図である。しかしながら、本発明のＬＥＤが特定のＬＥ
Ｄに限定されるものではない点には留意すべきである。
本発明とともに使用するのに適した種々のＬＥＤを商業
的に入手できることは、当業者に理解されるだろう。
のに適した本発明の発光ダイオード（ＬＥＤ）１の斜視
図である。しかしながら、本発明のＬＥＤが特定のＬＥ
Ｄに限定されるものではない点には留意すべきである。
本発明とともに使用するのに適した種々のＬＥＤを商業
的に入手できることは、当業者に理解されるだろう。
【００１５】ＬＥＤ１は、たとえば発光構造体２を有し
ており、これは二つのｎ−ＧａＮ層３，４、ＳＱＷ或い
はＭＱＷのＧａＩｎＮ層５、ｐ−ＡｌＧａＮ６、ｐ−Ｇ
ａＮ層７を含んで構成されている。発光構造体２は、ま
た、電極接合パッド８、ｎ−電極３、ｐ−電極接合パッ
ド１１、ｐ−電極１２を含んでいる。後に詳しく述べる
ように、ｎ−電極３はＧａＮからなり、ｐ−電極１２は
光を透過するか或いは光を反射するかのいずれかであ
る。望ましくは、ｐ−電極は光を反射するものであり、
発光構造体から発せられる光は下方に向かって伝搬し基
板１０へ入射するようにする。電極接合パッド８及び１
１は、これらが電源（不図示）に接続されると、バイア
ス電流を供給してＬＥＤ１を発光させる。
ており、これは二つのｎ−ＧａＮ層３，４、ＳＱＷ或い
はＭＱＷのＧａＩｎＮ層５、ｐ−ＡｌＧａＮ６、ｐ−Ｇ
ａＮ層７を含んで構成されている。発光構造体２は、ま
た、電極接合パッド８、ｎ−電極３、ｐ−電極接合パッ
ド１１、ｐ−電極１２を含んでいる。後に詳しく述べる
ように、ｎ−電極３はＧａＮからなり、ｐ−電極１２は
光を透過するか或いは光を反射するかのいずれかであ
る。望ましくは、ｐ−電極は光を反射するものであり、
発光構造体から発せられる光は下方に向かって伝搬し基
板１０へ入射するようにする。電極接合パッド８及び１
１は、これらが電源（不図示）に接続されると、バイア
ス電流を供給してＬＥＤ１を発光させる。
【００１６】発光構造体２は、単結晶の燐光体である基
板１０上に配置される。発光ダイオード１を形成するた
めに用いる材料が、図１を参照して上で述べたものに限
定されない点には留意すべきである。発光ダイオード１
を種々の材料から形成できることは、当業者に理解され
るだろう。上述のように、本発明で用いる発光ダイオー
ドデバイスは後に詳述するような青色又はＵＶの一次光
を発するものでなければならないという点を除くと、発
光ダイオード１は、特定の種類の発光ダイオードには限
定されない。このような目的に適合する種々の発光ダイ
オードが知られていることは、当業者に理解されるだろ
う。例えば単一量子井戸（single-quantum-well）及び
多重量子井戸（multiple-quantum-well）の発光ダイオ
ードは、この目的に適合する。
板１０上に配置される。発光ダイオード１を形成するた
めに用いる材料が、図１を参照して上で述べたものに限
定されない点には留意すべきである。発光ダイオード１
を種々の材料から形成できることは、当業者に理解され
るだろう。上述のように、本発明で用いる発光ダイオー
ドデバイスは後に詳述するような青色又はＵＶの一次光
を発するものでなければならないという点を除くと、発
光ダイオード１は、特定の種類の発光ダイオードには限
定されない。このような目的に適合する種々の発光ダイ
オードが知られていることは、当業者に理解されるだろ
う。例えば単一量子井戸（single-quantum-well）及び
多重量子井戸（multiple-quantum-well）の発光ダイオ
ードは、この目的に適合する。
【００１７】青色の一次放射光を生成する発光構造体２
は、単結晶の燐光体基板１０の上でエピタキシャル成長
させるのが望ましい。基板１０は、望ましくは、セリウ
ムをドープした単結晶のイットリウム−アルミニウム−
ガーネット（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+）化合物とする。イ
ットリウム−アルミニウム−ガーネット燐光体化合物
は、通常「ＹＡＧ」と呼ばれる。ＬＥＤデバイスには、
典型的にはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）及びサファイ
アとして知られる酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の形態
の基板が使用されるが、これはこれらが熱的、力学的、
結晶構造的に望ましい特性を有しているからである。酸
化アルミニウムは、適合する基板に必要とされる熱的、
力学的、結晶構造的に望ましい特性を有してはいるが、
この化合物の格子構造が密なために、希土類イオンが燐
光変換を行うのに十分な密度でこの中に入っていくこと
ができない。
は、単結晶の燐光体基板１０の上でエピタキシャル成長
させるのが望ましい。基板１０は、望ましくは、セリウ
ムをドープした単結晶のイットリウム−アルミニウム−
ガーネット（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+）化合物とする。イ
ットリウム−アルミニウム−ガーネット燐光体化合物
は、通常「ＹＡＧ」と呼ばれる。ＬＥＤデバイスには、
典型的にはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）及びサファイ
アとして知られる酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の形態
の基板が使用されるが、これはこれらが熱的、力学的、
結晶構造的に望ましい特性を有しているからである。酸
化アルミニウムは、適合する基板に必要とされる熱的、
力学的、結晶構造的に望ましい特性を有してはいるが、
この化合物の格子構造が密なために、希土類イオンが燐
光変換を行うのに十分な密度でこの中に入っていくこと
ができない。
【００１８】当該分野において知られているように、Ｌ
ＥＤデバイスに用いられる基板は、ｎ−電極の結晶構造
と緊密に調和しなければならない。上で述べたように、
本発明のＬＥＤデバイス１のｎ−電極３は、望ましくは
ＧａＮからなるものが望ましい。本発明では、単結晶の
ＹＡＧ化合物が、ＬＥＤデバイス１の基板として使用す
るのに適合するようなＧａＮの結晶構造と十分に調和す
る結晶構造を有するということは、研究及び実験を通し
て決定された。
ＥＤデバイスに用いられる基板は、ｎ−電極の結晶構造
と緊密に調和しなければならない。上で述べたように、
本発明のＬＥＤデバイス１のｎ−電極３は、望ましくは
ＧａＮからなるものが望ましい。本発明では、単結晶の
ＹＡＧ化合物が、ＬＥＤデバイス１の基板として使用す
るのに適合するようなＧａＮの結晶構造と十分に調和す
る結晶構造を有するということは、研究及び実験を通し
て決定された。
【００１９】本発明では、単結晶のＹＡＧ化合物が、Ｌ
ＥＤデバイスの基板としての使用に適合する熱的、力学
的、結晶構造的特定を有するということも研究及び実験
を通して決定された。ＹＡＧがセリウムをドープするこ
とによって黄色光を発する燐光体にできることは周知な
ので、本発明のセリウムをドープした単結晶のＹＡＧ化
合物は、ＬＥＤデバイスに必要な機能の全てを与えるこ
と、および燐光変換放射光を発生することという二重の
目的に合致する。
ＥＤデバイスの基板としての使用に適合する熱的、力学
的、結晶構造的特定を有するということも研究及び実験
を通して決定された。ＹＡＧがセリウムをドープするこ
とによって黄色光を発する燐光体にできることは周知な
ので、本発明のセリウムをドープした単結晶のＹＡＧ化
合物は、ＬＥＤデバイスに必要な機能の全てを与えるこ
と、および燐光変換放射光を発生することという二重の
目的に合致する。
【００２０】基板の材料として別のものを用いることも
できる。例えば、「ＹＡＧ」と書いた場合の「Ｇ」に対
応するところのガーネット構造を有しない（Ｙ，Ａｌ）
酸化物、具体的には単斜晶系ＹＡｌＯ及びＹＡｌＯペロ
ブスカイトなどを基板材料とすることもできる。一部を
Ｙで置換したいくつかのランタン系元素（Ｌｎ）、具体
的には（Ｙ，Ｌｎ）ＡｌＯ、（Ｙ，Ｌｎ）（Ａｌ，Ｇ
ａ）Ｏなどもまた、この目的に合致する。なお、Ｌｎは
任意の希土類イオンを示している。ランタン系元素とし
ては、例えば、良好な発光特性を促進するルテチウムＬ
ｕを用いることができる。基板材料にドープするドーパ
ントとしては、例えばＣｅ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｙｂ、Ｅｕ２
＋などの単独ドーパント、および（Ｃｅ，Ｐｒ）、（Ｃ
ｅ，Ｈｏ）、（Ｅｕ，Ｐｒ）などの二重ドーパントなど
種々のものを用いることができる。
できる。例えば、「ＹＡＧ」と書いた場合の「Ｇ」に対
応するところのガーネット構造を有しない（Ｙ，Ａｌ）
酸化物、具体的には単斜晶系ＹＡｌＯ及びＹＡｌＯペロ
ブスカイトなどを基板材料とすることもできる。一部を
Ｙで置換したいくつかのランタン系元素（Ｌｎ）、具体
的には（Ｙ，Ｌｎ）ＡｌＯ、（Ｙ，Ｌｎ）（Ａｌ，Ｇ
ａ）Ｏなどもまた、この目的に合致する。なお、Ｌｎは
任意の希土類イオンを示している。ランタン系元素とし
ては、例えば、良好な発光特性を促進するルテチウムＬ
ｕを用いることができる。基板材料にドープするドーパ
ントとしては、例えばＣｅ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｙｂ、Ｅｕ２
＋などの単独ドーパント、および（Ｃｅ，Ｐｒ）、（Ｃ
ｅ，Ｈｏ）、（Ｅｕ，Ｐｒ）などの二重ドーパントなど
種々のものを用いることができる。
【００２１】上記の目的に合致する単結晶基板の他の例
は、ホルミウムをドープした単結晶のイットリウム−ア
ルミニウム−ガーネット（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｈｏ3+）化合
物である。上記の目的に合致する単結晶基板の更に別の
例は、プラセオジムをドープした単結晶のイットリウム
−アルミニウム−ガーネット（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｐｒ3+）
化合物である。しかしながら、本発明が上記の目的とし
て特定種類の燐光体を用いる場合に限定されないこと
は、当業者に理解されるだろう。上記の目的に合致する
種々の異なるタイプの燐光体が存在することも、当業者
に理解されるだろう。
は、ホルミウムをドープした単結晶のイットリウム−ア
ルミニウム−ガーネット（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｈｏ3+）化合
物である。上記の目的に合致する単結晶基板の更に別の
例は、プラセオジムをドープした単結晶のイットリウム
−アルミニウム−ガーネット（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｐｒ3+）
化合物である。しかしながら、本発明が上記の目的とし
て特定種類の燐光体を用いる場合に限定されないこと
は、当業者に理解されるだろう。上記の目的に合致する
種々の異なるタイプの燐光体が存在することも、当業者
に理解されるだろう。
【００２２】基板１０は、ＬＥＤの発光構造体２によっ
て発せられる青色の一次放射光に反応して、黄色光を発
光する。ＬＥＤの発光構造体２によって発せられる一次
光の一部は変換されないまま基板１０を通過する。この
一次光は、図２に矢印２２で示した。黄色光は図２に矢
印２３で示した。変換されなかった一次光は黄色光と混
ざり合って白色光に非常に近い光となる。もちろん、混
ざり合った光は赤色成分及び緑色成分を含んでいないの
で、本当の白色光ではない。しかしながら、生成される
光は非常に白色に近いので、この光が本当の白色でない
ことを人間の目で視覚的に認識することはできない。し
たがって以下では、生成される光が本当に純粋な白色で
ない場合もあるが、本発明のＬＥＤデバイス１によって
発せられる光を、白色光と呼ぶ。
て発せられる青色の一次放射光に反応して、黄色光を発
光する。ＬＥＤの発光構造体２によって発せられる一次
光の一部は変換されないまま基板１０を通過する。この
一次光は、図２に矢印２２で示した。黄色光は図２に矢
印２３で示した。変換されなかった一次光は黄色光と混
ざり合って白色光に非常に近い光となる。もちろん、混
ざり合った光は赤色成分及び緑色成分を含んでいないの
で、本当の白色光ではない。しかしながら、生成される
光は非常に白色に近いので、この光が本当の白色でない
ことを人間の目で視覚的に認識することはできない。し
たがって以下では、生成される光が本当に純粋な白色で
ない場合もあるが、本発明のＬＥＤデバイス１によって
発せられる光を、白色光と呼ぶ。
【００２３】変換されないで基板１０を通過する一次光
の割合が予測可能かつ制御可能となるよう、基板１０の
特性を正確に制御することができる。基板１０の特性
は、ＹＡＧに対する希土類イオン、例えばセリウムイオ
ンのドーピングを正確に制御することによって、正確に
制御することができる。ＹＡＧを成長させ、希土類イオ
ンをドープして上記の予測可能性及び制御可能性という
目標を達成する方法は、当業者に理解されるだろう。基
板１０の特性を正確に制御することによって、基板１０
によって黄色光に変換される一次光の割合を予測し、制
御することができる。この割合を正確に制御することに
よって、生成される白色光の品質の変動は最小限に抑え
られ、あるいは排除される。
の割合が予測可能かつ制御可能となるよう、基板１０の
特性を正確に制御することができる。基板１０の特性
は、ＹＡＧに対する希土類イオン、例えばセリウムイオ
ンのドーピングを正確に制御することによって、正確に
制御することができる。ＹＡＧを成長させ、希土類イオ
ンをドープして上記の予測可能性及び制御可能性という
目標を達成する方法は、当業者に理解されるだろう。基
板１０の特性を正確に制御することによって、基板１０
によって黄色光に変換される一次光の割合を予測し、制
御することができる。この割合を正確に制御することに
よって、生成される白色光の品質の変動は最小限に抑え
られ、あるいは排除される。
【００２４】図２は、本発明の一実施例のＬＥＤデバイ
スの側面図である。上記で図１を参照して述べたよう
に、ＬＥＤデバイス２０は、基板１０と発光構造体２を
含んでいる。本発明のこの実施例では、反射電極２１
は、発光構造体２の基板１０と接する側の面とは反対側
の面に配置されている。反射電極２１は図１に示した電
極１２に対応する。例示を容易にするために、図２には
発光構造体２の他の構成要素は示していない。
スの側面図である。上記で図１を参照して述べたよう
に、ＬＥＤデバイス２０は、基板１０と発光構造体２を
含んでいる。本発明のこの実施例では、反射電極２１
は、発光構造体２の基板１０と接する側の面とは反対側
の面に配置されている。反射電極２１は図１に示した電
極１２に対応する。例示を容易にするために、図２には
発光構造体２の他の構成要素は示していない。
【００２５】発光構造体２によって発せられる一次光の
いくらかは反射電極２１に当たり、これは発光構造体２
及び基板１０を通過する方向へ一次光を反射する。基板
内を伝搬する一次光の一部は、基板１０によって黄色光
に変換される。基板１０によって発せられた黄色光は、
変換されなかった一次光と混ざり合って白色光を生成す
る。反射電極を利用すると、基板１０内を伝搬する一次
光の量が最大になるのが確実とされることによって、Ｌ
ＥＤデバイス２０の効率が改善される。
いくらかは反射電極２１に当たり、これは発光構造体２
及び基板１０を通過する方向へ一次光を反射する。基板
内を伝搬する一次光の一部は、基板１０によって黄色光
に変換される。基板１０によって発せられた黄色光は、
変換されなかった一次光と混ざり合って白色光を生成す
る。反射電極を利用すると、基板１０内を伝搬する一次
光の量が最大になるのが確実とされることによって、Ｌ
ＥＤデバイス２０の効率が改善される。
【００２６】一次光が二以上の波長を有していてもよい
ことには留意すべきである。同様に、一次光による励起
に反応して発せられる光も、二以上の波長からなるもの
であってもよい。例えば、基板１０によって発せられる
黄色光は、スペクトルバンドを形成する多数の波長に対
応する。このスペクトルバンドの波長が、変換されなか
った一次光と混ざり合って白色光を生成する。したがっ
て、ここでは本発明の概念を説明する目的で個々の波長
を論ずるが、ここで議論している励起によれば、多数の
波長或いはスペクトルバンドが発せられることとなる。
これらのスペクトルバンドの波長は混ざり合って白色光
を生成する。したがって、「スペクトルバンド」という
用語は、少なくとも一つの波長及び潜在的な多くの波長
のバンドを表すことを意図しており、「波長」という用
語は、スペクトルバンドのピーク強度の波長を表すこと
を意図している。
ことには留意すべきである。同様に、一次光による励起
に反応して発せられる光も、二以上の波長からなるもの
であってもよい。例えば、基板１０によって発せられる
黄色光は、スペクトルバンドを形成する多数の波長に対
応する。このスペクトルバンドの波長が、変換されなか
った一次光と混ざり合って白色光を生成する。したがっ
て、ここでは本発明の概念を説明する目的で個々の波長
を論ずるが、ここで議論している励起によれば、多数の
波長或いはスペクトルバンドが発せられることとなる。
これらのスペクトルバンドの波長は混ざり合って白色光
を生成する。したがって、「スペクトルバンド」という
用語は、少なくとも一つの波長及び潜在的な多くの波長
のバンドを表すことを意図しており、「波長」という用
語は、スペクトルバンドのピーク強度の波長を表すこと
を意図している。
【００２７】図３は、本発明の他の実施例に係るＬＥＤ
デバイス３０の側面図である。本発明のこの実施例で
は、反射面３２は、発光構造体２とは反対の側の基板１
０の面上に配置されている。発光構造体２によって発せ
られる一次光は基板１０内を伝搬する。矢印３３は、青
色光であるこの一次光を表し、これは基板１０内を伝搬
する。すべての一次光は、基板１０によって黄色光に変
換される。黄色光は、矢印３４によって表されている。
この黄色光は、反射面３２によって反射面３２から遠ざ
かり発光構造体２へ向かう方向に反射される。反射され
た黄色光は矢印３５で示してある。反射された黄色光は
発光構造体２を通過し、発光構造体２によって基板１０
から遠ざかる方向へと発せられた青色光と混ざり合って
白色光を生成する。
デバイス３０の側面図である。本発明のこの実施例で
は、反射面３２は、発光構造体２とは反対の側の基板１
０の面上に配置されている。発光構造体２によって発せ
られる一次光は基板１０内を伝搬する。矢印３３は、青
色光であるこの一次光を表し、これは基板１０内を伝搬
する。すべての一次光は、基板１０によって黄色光に変
換される。黄色光は、矢印３４によって表されている。
この黄色光は、反射面３２によって反射面３２から遠ざ
かり発光構造体２へ向かう方向に反射される。反射され
た黄色光は矢印３５で示してある。反射された黄色光は
発光構造体２を通過し、発光構造体２によって基板１０
から遠ざかる方向へと発せられた青色光と混ざり合って
白色光を生成する。
【００２８】本発明がここで議論した実施例に限定され
ないことは、当業者に理解されるだろう。ここで述べた
実施例に対して本発明の思想及び範囲から逸脱すること
なく変形を施すことが可能であることは、当業者に理解
されるだろう。
ないことは、当業者に理解されるだろう。ここで述べた
実施例に対して本発明の思想及び範囲から逸脱すること
なく変形を施すことが可能であることは、当業者に理解
されるだろう。
【図１】燐光変換基板を有する本発明の発光ダイオード
デバイスの斜視図である。
デバイスの斜視図である。
【図２】発光ダイオードデバイスの発光構造体によって
発せられる一次放射光の一部のみを吸収する単結晶の燐
光体からなる基板を有する、本発明の一つの実施例の発
光ダイオードデバイスの側面図である。
発せられる一次放射光の一部のみを吸収する単結晶の燐
光体からなる基板を有する、本発明の一つの実施例の発
光ダイオードデバイスの側面図である。
【図３】発光ダイオードデバイスの発光構造体によって
発せられる一次放射光のほぼ全てを吸収する単結晶の燐
光体からなる基板を有する、本発明の他の実施例の発光
ダイオードデバイスの側面図である。
発せられる一次放射光のほぼ全てを吸収する単結晶の燐
光体からなる基板を有する、本発明の他の実施例の発光
ダイオードデバイスの側面図である。
２ 発光構造体 １０ 基板 ２０ 発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイス ２１ 反射電極 ３０ 発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイス ３２ 反射面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲルト オー ミューラー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95132 サン ホセ スウェイガート ロ ード 3491 (72)発明者 ディヴィッド エイ ヴァンダーウォータ ー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95125 サン ホセ レッシャー コート 1460
Claims (14)
- 【請求項１】 白色光を生成するための発光ダイオード
デバイスであって、 駆動されたときに特定の波長の一次放射光を放射する発
光構造体と、 光を透過する基板とを有し、 発光構造体から発せられた一次放射光の少なくとも一部
が基板内を伝搬し、基板は、基板内を伝搬する一次放射
光の少なくとも一部が一又は二以上の別の波長の放射光
へと変換されるようドープされ、さらに、発光構造体に
よって発せられた一次放射光の一部は前記一又は二以上
の別の波長の放射光には変換されず、変換されなかった
部分の一次放射光は前記一又は二以上の波長の放射光と
混ざり合って白色光を生成することを特徴とする発光ダ
イオードデバイス。 - 【請求項２】 請求項１記載の発光ダイオードデバイス
において、さらに反射面が設けられ、前記光を透過する
基板は、前記発光構造体と前記反射面との間にサンドイ
ッチ状に挟まれ、基板内を伝搬する一次放射光のほぼす
べてが一又は二以上の別の波長の放射光に変換され、一
次放射光のうちの変換されたかった部分は発光構造体に
よって基板から遠ざかる方向へ発せられた一次放射光に
対応し、反射面は一又は二以上の別の波長の放射光を基
板及び発光構造体を通るように反射し、反射された放射
光及び変換されなかった一次放射光は混ざり合って白色
光を生成することを特徴とする請求項１記載の発光ダイ
オードデバイス。 - 【請求項３】 請求項１記載の発光ダイオードデバイス
において、さらに発光構造体の第一の面に配置された反
射電極が設けられ、発光構造体によって発せられ反射電
極に当たるすべての一次放射光は、反射電極によって反
射された放射光が基板の方向へ導かれるよう発光構造体
に向かう方向に反射されることを特徴とする請求項１記
載の発光ダイオードデバイス。 - 【請求項４】 前記基板は単結晶のイットリウム−アル
ミニウム−ガーネット（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）化合物からな
り、前記一又は二以上の別の波長の放射光は黄色光であ
り、黄色光は変換されなかった一次放射光と混ざり合っ
て白色光を生成することを特徴とする請求項１記載の発
光ダイオードデバイス。 - 【請求項５】 前記一次放射光は青色光であることを特
徴とする請求項４記載の発光ダイオードデバイス。 - 【請求項６】 前記単結晶のイットリウム−アルミニウ
ム−ガーネット化合物は、これにセリウムがドープさ
れ、化学的にＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+と定式化される化合
物が生成されたものであることを特徴とする請求項４記
載の発光ダイオードデバイス。 - 【請求項７】 前記単結晶のイットリウム−アルミニウ
ム−ガーネット化合物は、これにホルミウムがドープさ
れ、化学的にＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｈｏ3+と定式化される化合
物が生成されたものであることを特徴とする請求項４記
載の発光ダイオードデバイス。 - 【請求項８】 前記単結晶のイットリウム−アルミニウ
ム−ガーネット（Ｙ 3Ａｌ5Ｏ12）化合物は、これにプラ
セオジムがドープされ、化学的にＹ3Ａｌ5Ｏ 12：Ｐｒ3+
と定式化される化合物が生成されたものであることを特
徴とする請求項４記載の発光ダイオードデバイス。 - 【請求項９】 基板はシリコンカーバイドからなり、基
板内を伝搬する一次放射光の一部が赤色光に変換され、
かつ基板内を伝搬する一次放射光の一部が緑色光に変換
されるようシリコンカーバイド基板がドープされ、赤色
光及び緑色光は変換されなかった一次放射光と混ざり合
って白色光を生成することを特徴とする請求項１記載の
発光ダイオードデバイス。 - 【請求項１０】 前記一次放射光は青色光であることを
特徴する請求項９記載の発光ダイオードデバイス。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の発光ダイオードデバ
イスにおいて、さらに発光構造体の第二の面に配置され
た反射電極が設けられ、発光構造体によって発せられ反
射電極に当たった一次放射光は、反射電極によって、反
射された放射光が基板方向に導かれるよう発光構造体に
向かう方向に反射されることを特徴とする請求項１０記
載の発光ダイオードデバイス。 - 【請求項１２】 請求項１記載の発光ダイオードデバイ
スにおいて、前記基板は酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）
からなり、当該酸化アルミニウムの基板は、基板内を伝
搬する一次放射光の一部が赤色光に変換され、基板内を
伝搬する一次放射光の一部が緑色光に変換されるように
ドープされ、赤色光及び緑色光は変換されなかった一次
放射光と混ざり合って白色光を生成することを特徴する
発光ダイオードデバイス。 - 【請求項１３】 前記一次放射光は青色光であることを
特徴とする請求項１２記載の発光ダイオードデバイス。 - 【請求項１４】 請求項１２記載の発光ダイオードデバ
イスにおいて、さらに発光構造体の第二の面に配置され
た反射電極が設けられ、発光構造体によって発せられ反
射電極に当たった一次放射光は、反射された放射光が基
板の方向へ導かれるように反射電極によって発光構造体
に向かう方向に反射されることを特徴する発光ダイオー
ドデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/407,231 US6630691B1 (en) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion |
| US09/407231 | 1999-09-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001203383A true JP2001203383A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=23611188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000335223A Pending JP2001203383A (ja) | 1999-09-27 | 2000-09-27 | 燐光変換を行う発光基板を有する発光ダイオードデバイス |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6630691B1 (ja) |
| EP (1) | EP1142034B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001203383A (ja) |
| KR (1) | KR100705053B1 (ja) |
| AU (1) | AU7720900A (ja) |
| DE (1) | DE60035856T2 (ja) |
| WO (1) | WO2001024285A1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006299168A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
| JPWO2005097938A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2008-02-28 | 日本電気硝子株式会社 | 蛍光体及び発光ダイオード |
| JPWO2006043719A1 (ja) * | 2004-10-21 | 2008-05-22 | 宇部興産株式会社 | 発光ダイオード素子、発光ダイオード用基板及び発光ダイオード素子の製造方法 |
| JP2008231218A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 蛍光体材料及び白色ｌｅｄ |
| JP2010024278A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Stanley Electric Co Ltd | 蛍光体セラミック板およびそれを用いた発光素子 |
| WO2012057330A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 株式会社光波 | 発光装置 |
| JP2013539477A (ja) * | 2010-07-19 | 2013-10-24 | レンセレイアー ポリテクニック インスティテュート | フルスペクトル半導体白色光源、製造方法および応用 |
| JP2015023291A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 中国科学院福建物質構造研究所Ｆｕｊｉａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｏｎ Ｔｈｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｏｆ Ｍａｔｔｅｒ， Ｃｈｉｎｅｓｅ Ａｃａｄｅｍｙｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ | ＧａＮ系ＬＥＤエピタキシャル構造およびその製造方法 |
Families Citing this family (81)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030133292A1 (en) | 1999-11-18 | 2003-07-17 | Mueller George G. | Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions |
| US20020176259A1 (en) * | 1999-11-18 | 2002-11-28 | Ducharme Alfred D. | Systems and methods for converting illumination |
| US7202506B1 (en) * | 1999-11-19 | 2007-04-10 | Cree, Inc. | Multi element, multi color solid state LED/laser |
| US7053413B2 (en) | 2000-10-23 | 2006-05-30 | General Electric Company | Homoepitaxial gallium-nitride-based light emitting device and method for producing |
| US7615780B2 (en) | 2000-10-23 | 2009-11-10 | General Electric Company | DNA biosensor and methods for making and using the same |
| GB2373368B (en) * | 2001-03-12 | 2004-10-27 | Arima Optoelectronics Corp | Light emitting devices |
| US6784074B2 (en) | 2001-05-09 | 2004-08-31 | Nsc-Nanosemiconductor Gmbh | Defect-free semiconductor templates for epitaxial growth and method of making same |
| US6653166B2 (en) * | 2001-05-09 | 2003-11-25 | Nsc-Nanosemiconductor Gmbh | Semiconductor device and method of making same |
| US7633093B2 (en) * | 2003-05-05 | 2009-12-15 | Lighting Science Group Corporation | Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product |
| US7777235B2 (en) | 2003-05-05 | 2010-08-17 | Lighting Science Group Corporation | Light emitting diodes with improved light collimation |
| US7157745B2 (en) * | 2004-04-09 | 2007-01-02 | Blonder Greg E | Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them |
| US7528421B2 (en) * | 2003-05-05 | 2009-05-05 | Lamina Lighting, Inc. | Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation |
| US20050006659A1 (en) * | 2003-07-09 | 2005-01-13 | Ng Kee Yean | Light emitting diode utilizing a discrete wavelength-converting layer for color conversion |
| US7009215B2 (en) | 2003-10-24 | 2006-03-07 | General Electric Company | Group III-nitride based resonant cavity light emitting devices fabricated on single crystal gallium nitride substrates |
| US7837348B2 (en) | 2004-05-05 | 2010-11-23 | Rensselaer Polytechnic Institute | Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element |
| CN1981157B (zh) | 2004-05-05 | 2011-03-16 | 伦斯勒工业学院 | 使用固态发射器和降频转换材料的高效光源 |
| US20050274965A1 (en) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Phillips David L | Sterilizing method, system, and device utilizing ultraviolet light emitting diodes powered by direct current or solar power in a recreational vehicle or marine environment |
| US8227820B2 (en) | 2005-02-09 | 2012-07-24 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor light-emitting device |
| US7361938B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
| US7345298B2 (en) * | 2005-02-28 | 2008-03-18 | The Regents Of The University Of California | Horizontal emitting, vertical emitting, beam shaped, distributed feedback (DFB) lasers by growth over a patterned substrate |
| US20070267646A1 (en) * | 2004-06-03 | 2007-11-22 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Light Emitting Device Including a Photonic Crystal and a Luminescent Ceramic |
| US7553683B2 (en) * | 2004-06-09 | 2009-06-30 | Philips Lumiled Lighting Co., Llc | Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices |
| US7223998B2 (en) * | 2004-09-10 | 2007-05-29 | The Regents Of The University Of California | White, single or multi-color light emitting diodes by recycling guided modes |
| US7671529B2 (en) * | 2004-12-10 | 2010-03-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Phosphor converted light emitting device |
| CN101120453B (zh) * | 2005-02-16 | 2012-03-21 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包括无机发光二极管的发光设备 |
| US8748923B2 (en) * | 2005-03-14 | 2014-06-10 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
| US7341878B2 (en) * | 2005-03-14 | 2008-03-11 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
| JP5042999B2 (ja) | 2005-06-02 | 2012-10-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 色不足分を補償する発光材料を備えた照明システム |
| EP1894257A1 (en) | 2005-06-23 | 2008-03-05 | Rensselaer Polytechnic Institute | Package design for producing white light with short-wavelength leds and down-conversion materials |
| US8425858B2 (en) | 2005-10-14 | 2013-04-23 | Morpho Detection, Inc. | Detection apparatus and associated method |
| US7514721B2 (en) * | 2005-11-29 | 2009-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Luminescent ceramic element for a light emitting device |
| CN100389504C (zh) * | 2005-12-19 | 2008-05-21 | 中山大学 | 一种yag晶片式白光发光二极管及其封装方法 |
| US7772604B2 (en) | 2006-01-05 | 2010-08-10 | Illumitex | Separate optical device for directing light from an LED |
| CN101370907A (zh) * | 2006-01-16 | 2009-02-18 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有含Eu的磷光体材料的发光器件 |
| US7285791B2 (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-23 | Goldeneye, Inc. | Wavelength conversion chip for use in solid-state lighting and method for making same |
| US8481977B2 (en) | 2006-03-24 | 2013-07-09 | Goldeneye, Inc. | LED light source with thermally conductive luminescent matrix |
| US7795600B2 (en) * | 2006-03-24 | 2010-09-14 | Goldeneye, Inc. | Wavelength conversion chip for use with light emitting diodes and method for making same |
| CN101431934B (zh) * | 2006-04-26 | 2011-01-05 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有改进的转换元件的光传输装置 |
| JP4959693B2 (ja) | 2006-05-23 | 2012-06-27 | 学校法人 名城大学 | 半導体発光素子 |
| JP2008041739A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Tokai Kogaku Kk | 蛍光発光装置 |
| EP2057693A1 (en) * | 2006-08-29 | 2009-05-13 | Osram-Sylvania Inc. | Enhanced emission from phosphor-converted leds using interferometric filters |
| US7703942B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-04-27 | Rensselaer Polytechnic Institute | High-efficient light engines using light emitting diodes |
| US7789531B2 (en) | 2006-10-02 | 2010-09-07 | Illumitex, Inc. | LED system and method |
| US9018619B2 (en) | 2006-10-09 | 2015-04-28 | Cree, Inc. | Quantum wells for light conversion |
| US7889421B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-02-15 | Rensselaer Polytechnic Institute | High-power white LEDs and manufacturing method thereof |
| US7521862B2 (en) * | 2006-11-20 | 2009-04-21 | Philips Lumileds Lighting Co., Llc | Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material |
| US7902564B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-03-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices |
| US8704254B2 (en) | 2006-12-22 | 2014-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Light emitting device including a filter |
| US20080283864A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Letoquin Ronan P | Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices |
| US7810956B2 (en) * | 2007-08-23 | 2010-10-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light source including reflective wavelength-converting layer |
| US8119028B2 (en) * | 2007-11-14 | 2012-02-21 | Cree, Inc. | Cerium and europium doped single crystal phosphors |
| US20090140279A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Goldeneye, Inc. | Substrate-free light emitting diode chip |
| CN101897039B (zh) * | 2007-12-11 | 2012-10-03 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有混合顶部反射体的侧发射器件 |
| US7829358B2 (en) | 2008-02-08 | 2010-11-09 | Illumitex, Inc. | System and method for emitter layer shaping |
| US8575641B2 (en) * | 2011-08-11 | 2013-11-05 | Goldeneye, Inc | Solid state light sources based on thermally conductive luminescent elements containing interconnects |
| US7859000B2 (en) * | 2008-04-10 | 2010-12-28 | Cree, Inc. | LEDs using single crystalline phosphor and methods of fabricating same |
| CN100565000C (zh) * | 2008-08-11 | 2009-12-02 | 山东华光光电子有限公司 | 利用yag透明陶瓷制备白光led的方法 |
| TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
| US8169135B2 (en) * | 2008-12-17 | 2012-05-01 | Lednovation, Inc. | Semiconductor lighting device with wavelength conversion on back-transferred light path |
| US8123981B2 (en) * | 2009-02-19 | 2012-02-28 | Nitto Denko Corporation | Method of fabricating translucent phosphor ceramics |
| US8137587B2 (en) * | 2009-02-19 | 2012-03-20 | Nitto Denko Corporation | Method of manufacturing phosphor translucent ceramics and light emitting devices |
| WO2010141235A1 (en) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Nitto Denko Corporation | Light-emitting divice comprising a dome-shaped ceramic phosphor |
| US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
| US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
| TWI492422B (zh) | 2010-03-18 | 2015-07-11 | Everlight Electronics Co Ltd | 具有螢光粉層之發光二極體晶片的製作方法 |
| US8154052B2 (en) * | 2010-05-06 | 2012-04-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting device grown on wavelength converting substrate |
| CN101931040A (zh) * | 2010-07-20 | 2010-12-29 | 嘉兴嘉尼光电科技有限公司 | Led面光源封装 |
| US9070851B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
| TWI446590B (zh) * | 2010-09-30 | 2014-07-21 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光二極體封裝結構及其製作方法 |
| JP2012186414A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| JP2012216712A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-11-08 | Nitto Denko Corp | 発光ダイオード装置の製造方法および発光ダイオード素子 |
| US8492182B2 (en) * | 2011-04-29 | 2013-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip |
| JP2013203762A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 波長変換部品及びその製造方法並びに発光装置 |
| US9685585B2 (en) | 2012-06-25 | 2017-06-20 | Cree, Inc. | Quantum dot narrow-band downconverters for high efficiency LEDs |
| TWI474516B (zh) | 2012-08-30 | 2015-02-21 | Lextar Electronics Corp | 覆晶式發光二極體結構及其製造方法 |
| JP5620562B1 (ja) * | 2013-10-23 | 2014-11-05 | 株式会社光波 | 単結晶蛍光体及び発光装置 |
| CZ307024B6 (cs) * | 2014-05-05 | 2017-11-22 | Crytur, Spol.S R.O. | Světelný zdroj |
| CN104952986B (zh) * | 2015-06-03 | 2017-12-08 | 西安交通大学 | 一种GaN基白光LED外延结构的制备方法 |
| CN205944139U (zh) | 2016-03-30 | 2017-02-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块 |
| US20200243726A1 (en) * | 2017-11-21 | 2020-07-30 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Wavelength conversion member and light emitting device |
| USD920934S1 (en) * | 2018-07-27 | 2021-06-01 | Creeled, Inc. | Light emitting diode chip |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493899A (ja) * | 1972-05-04 | 1974-01-14 | ||
| JPS60144381A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-07-30 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | 可視表示装置 |
| JPH1056203A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Nippon Sanso Kk | 発光素子 |
| JPH10319877A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 画像表示装置及び発光装置 |
| JPH11307813A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-11-05 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光装置、その製造方法およびディスプレイ |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7707008A (nl) * | 1977-06-24 | 1978-12-28 | Philips Nv | Luminescentiescherm. |
| JPH04206979A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hoya Corp | Ｑスイッチ固体レーザ装置 |
| JP3717196B2 (ja) * | 1994-07-19 | 2005-11-16 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
| TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
| US6239901B1 (en) * | 1998-04-03 | 2001-05-29 | Agilent Technologies, Inc. | Light source utilizing a light emitting device constructed on the surface of a substrate and light conversion device that includes a portion of the substrate |
| TW406442B (en) | 1998-07-09 | 2000-09-21 | Sumitomo Electric Industries | White colored LED and intermediate colored LED |
| TW413956B (en) | 1998-07-28 | 2000-12-01 | Sumitomo Electric Industries | Fluorescent substrate LED |
| JP3785820B2 (ja) * | 1998-08-03 | 2006-06-14 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
| US6291839B1 (en) * | 1998-09-11 | 2001-09-18 | Lulileds Lighting, U.S. Llc | Light emitting device having a finely-patterned reflective contact |
-
1999
- 1999-09-27 US US09/407,231 patent/US6630691B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-09-26 DE DE60035856T patent/DE60035856T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-26 KR KR1020017006557A patent/KR100705053B1/ko active IP Right Grant
- 2000-09-26 AU AU77209/00A patent/AU7720900A/en not_active Abandoned
- 2000-09-26 EP EP00966936A patent/EP1142034B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-26 WO PCT/US2000/026507 patent/WO2001024285A1/en active IP Right Grant
- 2000-09-27 JP JP2000335223A patent/JP2001203383A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493899A (ja) * | 1972-05-04 | 1974-01-14 | ||
| JPS60144381A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-07-30 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | 可視表示装置 |
| JPH1056203A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Nippon Sanso Kk | 発光素子 |
| JPH10319877A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 画像表示装置及び発光装置 |
| JPH11307813A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-11-05 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光装置、その製造方法およびディスプレイ |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005097938A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2008-02-28 | 日本電気硝子株式会社 | 蛍光体及び発光ダイオード |
| JP5013405B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2012-08-29 | 日本電気硝子株式会社 | 蛍光体及び発光ダイオード |
| JPWO2006043719A1 (ja) * | 2004-10-21 | 2008-05-22 | 宇部興産株式会社 | 発光ダイオード素子、発光ダイオード用基板及び発光ダイオード素子の製造方法 |
| JP4586802B2 (ja) * | 2004-10-21 | 2010-11-24 | 宇部興産株式会社 | 発光ダイオード素子、発光ダイオード用基板及び発光ダイオード素子の製造方法 |
| JP2006299168A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
| JP2008231218A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 蛍光体材料及び白色ｌｅｄ |
| JP2010024278A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Stanley Electric Co Ltd | 蛍光体セラミック板およびそれを用いた発光素子 |
| US9722154B2 (en) | 2010-07-19 | 2017-08-01 | Rensselaer Polytechnic Institute | Full spectrum solid state white light source, method for manufacturing and applications |
| JP2013539477A (ja) * | 2010-07-19 | 2013-10-24 | レンセレイアー ポリテクニック インスティテュート | フルスペクトル半導体白色光源、製造方法および応用 |
| WO2012057330A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 株式会社光波 | 発光装置 |
| US9112123B2 (en) | 2010-10-29 | 2015-08-18 | National Institute For Materials Science | Light-emitting device |
| JPWO2012057330A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2014-05-12 | 株式会社光波 | 発光装置 |
| JP2015023291A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 中国科学院福建物質構造研究所Ｆｕｊｉａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｏｎ Ｔｈｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｏｆ Ｍａｔｔｅｒ， Ｃｈｉｎｅｓｅ Ａｃａｄｅｍｙｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ | ＧａＮ系ＬＥＤエピタキシャル構造およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100705053B1 (ko) | 2007-04-06 |
| US6630691B1 (en) | 2003-10-07 |
| DE60035856T2 (de) | 2008-04-30 |
| KR20010089505A (ko) | 2001-10-06 |
| AU7720900A (en) | 2001-04-30 |
| EP1142034B1 (en) | 2007-08-08 |
| DE60035856D1 (de) | 2007-09-20 |
| EP1142034A1 (en) | 2001-10-10 |
| WO2001024285A1 (en) | 2001-04-05 |
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|---|---|---|
| US6630691B1 (en) | Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion | |
| US6501102B2 (en) | Light emitting diode (LED) device that produces white light by performing phosphor conversion on all of the primary radiation emitted by the light emitting structure of the LED device | |
| KR100832927B1 (ko) | 발광 다이오드 디바이스 | |
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