JP4474708B2

JP4474708B2 - 有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板およびそれを用いた有機エレクトロルミネセンス表示素子

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Publication number: JP4474708B2
Application number: JP37167099A
Authority: JP
Inventors: 克宏鈴木; 懿範銭
Original assignee: Toppan Inc
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1999-12-27
Filing date: 1999-12-27
Publication date: 2010-06-09
Anticipated expiration: 2019-12-27
Also published as: JP2001185361A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、産業用、民生用として情報表示を行う有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板および表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄型軽量、高視野角、高速応答、自発光型という特徴を有する有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬ）表示素子は、ＣＲＴ（Cathod Ray Tube ）やＬＣＤ（Liquid Crystal Display）に替わる表示素子として注目されている。有機ＥＬは、陽極層、有機層、陰極層の積層体であり、陽極、陰極からそれぞれ注入された正孔、電子が有機層で再結合して蛍光を発する。
【０００３】
有機層へ正孔、電子が注入されるよう、陽極には金属酸化物、陰極には金属が用いられる。この時、蛍光を外部へ取り出すために、陽極層には可視光を透過する材料として、一般にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が用いられる。
【０００４】
有機層は、正孔と電子が再結合して蛍光を発する発光層を挟むように、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層など複数層から構成されることもある。ここで用いられる有機物は、一般に耐熱性、耐溶媒性、耐水性、耐酸アルカリ性に劣ることが多いため、また素子の電気的特性を保つために材料の高純度が必要なため、積層体形成にはスパッタ法や蒸着法を採用する。
【０００５】
有機ＥＬ表示素子は、まず基板上に陽極層であるＩＴＯを設け、その上に有機層、陰極層が順次積層される。有機ＥＬ表示素子が様々な情報を表示できるためには、複数本の陽極と複数本の陰極が直交して配設されたマトリックス電極構造となっていなければならない。そのために、陽極に直交する複数本の陰極を形成しなければならないが、前述の有機層の物質の各種耐性の問題から、溶剤や酸アルカリ水溶液を用いるフォトリソグラフィ工程を陰極の形成法に採用することができない。陰極の形成には、金属マスクを用いたマスク蒸着法の適用も考えられる。しかしながら、この方法で大型化、高精細化に対応する場合、金属マスクのパターンは幅数１０μｍ程度の細線となり、しかも金属マスクがたるまないよう張力が与えられるので、次第に伸長変形を起こし、ついには陰極形成不良となる。微細で精度の高いパターンを有する金属マスクは高価であるため、伸長変形を起こす前に金属マスクを交換する工程とすると、製造コストの増大は避けられない。
【０００６】
この問題に対する技術として、米国特許第5,294,870 号、特開平8-315981号が公開されている。これらの技術は、電気絶縁性の隔壁を透明電極と直交するように設け、これにより陰極物質が蒸着時に分離するものである。これらの技術は非常に優れたものではあるが、問題点がある。
【０００７】
これらの技術で透明電極上に設けられる絶縁性の隔壁は、パターニング可能な有機物、例えばフォトレジストである。フォトレジストをパターンとして基板上に残す場合、樹脂分の硬化を促すためにポストベークと呼ばれる熱処理がなされる。ポストベークにより有機物分子の熱架橋が起こり形状が固定されるのだが、固相での反応のため分子中の反応箇所があまり動けずに未反応のまま残るので、反応率は１００％には届かない。このような未反応物は、有機層、陰極層形成時の真空プロセス中に隔壁より飛散してコンタミネーションを引き起こす可能性を有している。
【０００８】
また、フォトレジストには、紫外光で反応を引き起こすために光開始剤、増感剤などの添加剤が入っている。一般的にこれらはレジスト樹脂分に比べると分子量が小さく、前述の真空プロセス中に昇華しコンタミネーションを引き起こす可能性を有している。
【０００９】
有機ＥＬ表示素子において、電極と有機層の接触は電荷の注入に非常に影響するため、電極表面は可能な限り清浄であることが好ましい。電極表面を分子レベルで清浄化するためには、酸アルカリや界面活性剤を用いた洗浄よりも、プラズマアッシングやＵＶ洗浄の方が効果的である。しかしながら、これらの処理では、有機物で形成された隔壁自身も多大なダメージを被る。具体的には、隔壁形状の破壊、分解成分によるコンタミネーションが引き起こされる。
【００１０】
また、有機物からなる隔壁は、その内部に水分や残留溶媒、各種ガス成分を含みやすく、長時間の使用や高温下の使用において、これらが隔壁から放出される、いわゆるアウトガスが問題になる。特に水分は、有機ＥＬ表示素子の劣化を起こし拡大させることが知られている。
【００１１】
さらに、有機ＥＬ表示素子の表示情報量が増えて、走査する電極本数が増加すると、電極１本当たりの電圧印加時間が短くなるため、電圧の立ち上がりに影響する電極配線の電気抵抗の影響が大きくなってくる。電極として蒸着される金属層の厚みは通常数千Åであるが、電気抵抗を下げる目的でさらに蒸着で厚くすることは、工程のスループットを低下させる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上の問題を鑑みてなされたものであり、電極表面清浄化のために必要な処理に耐える上、真空プロセス中のコンタミネーションを避ける隔壁を備え、さらに低電気抵抗の陰極電極を有する有機ＥＬ表示素子を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述の問題は、隔壁材料として有機物を採用するために引き起こされるものである。よって、無機物、しかも加工が容易で電気抵抗など物性が活かせる金属で隔壁を形成することから、本発明は創作された。
【００１４】
請求項１は、透明基板または半透明基板表面に複数本の透明または半透明の導電膜と、前記導電膜間をつなぐ低電気抵抗の金属線とからなる陽極が形成されてなる有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記金属線の方向に直交し、かつ前記陽極と電気的に接続しないように複数本の導電性の無機物からなる隔壁が前記基板上に設けられ、かつ前記隔壁の前記金属線方向での断面が、前記陽極の前記金属線上の部分は両側にひさし形状を有する略Ｔ字型であり、それ以外は片側のみに壁面および壁面上部のひさしを有する形状であることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子用基である。
請求項２は、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記隔壁を表示領域外に伸長し電極引き出し部として用いることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子基板である。
請求項３は、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板に、少なくとも有機層、陰極層を順次積層したことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子である。
請求項４は、請求項１から３の何れか１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板に、少なくとも有機層、陰極層を順次積層し、かつ前記隔壁の片側において前記隔壁と前記陰極が電気的に接続していることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子である。
請求項５は、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板の製造方法であって、前記隔壁が無電解メッキ法により作製した金属膜をエッチングすることで形成されたものであることを特徴する有機エレクトロルミネセンス表示素子基板の製造方法である。
請求項６は、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板の製造方法であって、前記隔壁が無電解メッキ法と電解メッキ法の併用により作製した金属膜をエッチングすることで形成されたものであることを特徴する有機エレクトロルミネセンス表示素子基板の製造方法である。
請求項７は、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板の製造方法であって、前記隔壁が真空成膜法と電解メッキ法により作製した金属膜をエッチングすることで形成されたものであることを特徴する有機エレクトロルミネセンス表示素子基板の製造方法である。
請求項８は、請求項６又は７に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板の製造方法において、前記電解メッキ法により作製するメッキ膜が無機化合物を分散剤として含む機能メッキ膜であることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子基板の製造方法である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明について、図示しながら詳説する。
図１は、本発明による有機ＥＬ表示素子の有機層蒸着前の基板の概略図である。図１（Ａ）は基板面から見た図、図１（Ｂ）は１点破線１Ａ、１Ｂでの断面、図１（Ｃ）は隔壁部分の俯瞰図である。
【００１６】
透明電極１０１は、画素に対応するよう矩形にパターニングされる。透明電極材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide ）などを使用できる。これらの透明電極１０１は、導電性物質、例えばAl、Cu、Agのような低電気抵抗の金属からなる電極バス１０２で直線的に接続されており、これらで複数本の電極として機能する。これらの電極を陽極とする。透明電極１０１と電極バス１０２は、どちらを基板上に先に設けても構わない。また、透明電極１０１と電気的な接続を保つ限り電極バス１０２上には、電気絶縁性の皮膜を設けても良い。陽極に直交するよう、透明電極１０１の間に金属製の隔壁１０３が設けられる。隔壁１０３は、領域１０４の部分でのみ基板面に接する。図１（Ｂ）（Ｃ）に示すように、隔壁１０３は透明電極１０１とは平面的な位置関係で、電極バス１０２とは立体的な位置関係で離れている。このため透明電極１０１は、透明電極１０１、電極バス１０２と電気的な接続がない。なお、電極バス１０２上に電気絶縁膜を設けて、隔壁１０３と陽極の電気的接続を断ってもよい。隔壁１０３は、基板から離れた側にひさし形状を有している。このひさしにより、蒸着される陰極材料が分離される。
【００１７】
図３、４は、本発明の作製方法の説明図である。図３（Ａ）に示すように、基板上に透明電極３０１と電極バス３０２からなる陽極を形成する。基板材料としては、各種ガラスの他、プラスチックも使用することができる。また、透明電極の下地としてカラーフィルタ、光拡散膜、反射防止膜を設けてあってもよい。透明電極３０１、電極３０２の形成には、フォトリソグラフィ法が適用でき、それぞれのエッチングには、湿式、乾式いずれも使用することができる。図３（Ｂ）に示すように、陽極の形成された基板上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法により隔壁と基板が接する領域３０６のレジストを除去し、第１レジスト層３０３を得る。第１レジスト層３０３の厚みは、隔壁のひさしの高さとなり、その値は０．５μｍ〜１０μｍがよい。これより薄くなると、後で蒸着される有機層、陰極層の厚みでひさしが基板とつながってしまう可能性が高くなり、これより厚くなると、蒸着時の分子の回り込みの影響が大きくなり、蒸着時の分離が不完全になる可能性が高くなる。フォトレジスト材料は、ポジ型ネガ型いずれも使用できる。
【００１８】
図３（Ｃ）に示すように、第１レジスト層３０３および領域３０６表面に無電解メッキ法により、金属膜３０４を形成する。無電解メッキを施す前に、酸性溶液あるいはプラズマ処理で、領域３０６表面を脱脂、粗化しておくと、メッキ膜と基板の密着が向上するのでより好ましい。また、無電解メッキ液は、第１レジスト層３０３側のみスプレー、ノズルでかけるようにするのがよい。これは裏面への余分なメッキを避けるためである。無電解メッキする金属材料としては、Ni、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、Co、Snおよびそれらを含む合金が使用できる。多くの場合、レジストは強いアルカリ溶液に溶解するので、無電解メッキ液は、中性〜弱アルカリ性、望ましくは酸性がよい。金属膜３０４の厚みは、隔壁の形状を保てる程度の強度が確保できる値で良く、金属材料にも依るが数μｍ以上あればよい。無電解メッキで厚膜を得るのに、処理時間が長くなる場合がある。その場合、無電解メッキ膜に対し電解メッキを施すことで、処理時間を短縮することができる。この場合、先述の金属の他、Cr、Znも使用することができる。金属膜３０４は、無電解メッキ法の代わりに、スパッタ法、蒸着法を用いて形成しても良い。この場合、膜厚を稼ぐのが難しいため、ある程度の膜厚を成膜した後、電解メッキ法を適用するのが好ましい。
【００１９】
次に図４（Ｄ）に示すように、金属膜３０４上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法により隔壁部分３０５だけレジストを残す（第２レジスト層）。第２レジスト層の厚みは、エッチング可能であればいくらでもよい。第２レジスト層３０５の幅が、隔壁の略Ｔ字の頭部の幅となる。この幅は、隔壁と基板が接する領域３０６の幅より１０μｍ程度、好ましくは５μｍ程度広くする。続いて図４（Ｅ）に示すように、金属膜３０４をエッチングすると、レジスト３０５で保護された部分が残る。最後に図４（Ｆ）に示すように、第１レジスト層３０３、第２レジスト層３０５を除去する。除去方法には、溶剤洗浄、アルカリ洗浄、UV洗浄、プラズマ洗浄が使用できる。隔壁や電極を侵食するような酸洗浄は適用できない。以上の工程により、本発明である導電性の隔壁を有した有機ＥＬ表示素子用基板が得られる。
【００２０】
陽極表面の分子レベルの清浄度を得るために成膜前処理として、プラズマアッシングやUVアッシング、高温加熱処理をこの基板に施すことができる。これらの処理は、基板上に形成されたものがすべて無機物であるため、有機物では耐えられない条件で実施できる。よって、電極表面に残留している不要な有機物や水分を完全に除去できる。
【００２１】
続いて、有機層、陰極層を蒸着し、素子部分を封止して、有機ＥＬ表示素子を得る。
【００２２】
有機層は、単層または複数層であり、複数層の場合、蛍光を発する発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などから構成される。有機物質によっては、一層で、例えば発光と正孔輸送と複数の働きを有するものもある。有機層には、以下のような物質を使用することができる。
【００２３】
発光層としては、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、スチリルベンゼン系化合物、１２−フタロペリノン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、9,10- ジアリールアントラセン誘導体、サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、9,10- ビス（フェニルエチニル）アントラセン、8-キノリノラートリチウム、トリス（8-キノリノラート）アルミニウム錯体（以下Alq と略す）、Ｎ, Ｎ'-ジフェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジン（以下TPD と略す）、トリス（5,7-ジクロロ、8-キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（5-クロロ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（8-キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（5-フルオロ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（4-メチル-5- トリフルオロメチル-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（4-メチル-5- シアノ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス〔8-（パラートシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体およびカドミウム錯体、1,2,3,4-テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ-2,5- ジヘプチルオキシ-P- フェニレンビニレン、あるいは特開平４―３１４８８号公報、米国特許５１４１６７１号、同４７６９２９２号で言及されている蛍光物質やＮ, Ｎ’ジアリール置換ピロロピロール化合物等が使用できる。
【００２４】
正孔注入層としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物等が使用できる。
【００２５】
電子注入層としては、例えばニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が使用できる。
【００２６】
陰極層材料としては、アルミニウムの他MgAg、AlLi、CuLi等が使用できる。
なお、本発明に使用できる物質は、上記例に特に限定されるものではなく、さらなる発光性能を持つ物質を選択できる。
【００２７】
第２レジスト層３０５のパターニング形状を変更すると、図２に示すような形状の隔壁２０３を得られる。図２（Ｂ）に示すような隔壁２０３では、陽極の電極バス２０２の上だけ隔壁断面が略Ｔ字、それ以外の部分の断面は逆略Ｌ字となっているため、陰極層として金属を蒸着すると、図２（Ａ）、（Ｃ）に示すように陰極層と隔壁２０３は隔壁の片側で電気的に接続されることになる。この場合、隔壁材料としては、電気抵抗の低いCu、Au、Ag、Alなどを使用するのが好ましい。メッキで形成される隔壁２０３の厚みは、陰極層よりはるかに厚いため、電気抵抗が低くなり、隔壁２０３自体が電極バスとして機能することができる。さらに、図５に示すように隔壁４０２の端部を表示領域の外側へ伸長することにより、隔壁端部４０１を電極取り出し部として使用することができる。メッキ法により形成された隔壁端部４０１は、蒸着金属層より厚く緻密であるため、接続端子部としての強度を有している。
【００２８】
さらに、メッキをいわゆる機能メッキとすることで、さまざまな特性を隔壁に付与することが可能となる。
【００２９】
SiC 、Al₂O₃、ZrO₂、MoSi₂、TiC 、WC、Cr₃O₂などを分散剤とした分散メッキで隔壁を形成すれば、耐磨耗性、耐摩擦性に優れた隔壁が得られるため、基板のブラシ洗浄やマスク蒸着時のマスクによる隔壁の破損と防ぐことができる。Ni-MoS₂、Ni- グラファイト、Ni- フッ化黒鉛、Cu- グラファイト、Cu- フッ化黒鉛などを分散剤とした分散メッキで隔壁を形成すれば、隔壁に自己潤滑性を付与したものが得られるため、有機層蒸着時に余分な有機物が隔壁に付着することを防ぐことができる。Fe、Co、Niおよびその合金を含むメッキで隔壁を形成すれば、隔壁に磁性を付与することができ、表示素子に磁石マーカーなどを付けることができるようになる。
【００３０】
【実施例】
＜実施例１＞
ガラス基板上に電極バスとしてCu、透明電極としてＩＴＯを成膜、パターニングして、複数本の陽極を得た。その上にポジ型レジストMP-S1813（シプレイファーイースト社製）を５μｍ厚で塗布し、フォトリソグラフィ法により電極バス、透明電極に重ならないよう破線状にレジストを除去した。
【００３１】
無電解メッキの前処理として、クロム酸−硫酸水溶液に基板を３０秒浸して表面を粗面化した後、塩化錫−塩酸溶液、塩化パラジウム溶液で表面を活性化した。次に、硫酸ニッケル、ホスフィン酸ナトリウム、乳酸、プロピオン酸からなるニッケル無電解メッキ液（９０℃）を用いて、基板上にニッケル層を形成した。粗面化、活性化、無電解メッキは、いずれも基板片面にスプレーして、裏面へ溶液がかからないようした。得られたニッケル層表面に対し、硫酸銅−硫酸溶液中で電解メッキ法により銅を膜厚約１０μｍメッキした。
【００３２】
銅メッキ層上にポジ型レジストMP-S1813を塗布し、フォトリソグラフィ法により図１に示すような隔壁形状にパターニングした。次いで、露出した銅、ニッケルを塩化鉄溶液でエッチングした。エッチング後、超音波を併用しながらレジスト剥離液REMOVER １１１２Ａ（シプレイファーイースト社製）で第１レジスト層、第２レジスト層を除去した。以上の工程により、ニッケル／銅よりなる隔壁を基板上に形成した。テスターで確認したところ、陽極と隔壁は電気的絶縁が保たれていた。
【００３３】
この基板を、酸素プラズマ、アルゴンプラズマで処理した後、有機層としてＴＰＤ（Ｎ, Ｎ'-ジフェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジン）、Ａｌｑ（トリス（8-キノリノラート）アルミニウム錯体）、陰極層としてアルミニウムを順次蒸着した。テスターで確認したところ、陽極の陰極の電気的絶縁は保たれていた。陽極陰極間に電圧を印加したところ、選択した画素のみが発光した。
【００３４】
＜実施例２＞
実施例１と同様にして、ニッケル／銅メッキ層を得た。この上に、ポジ型レジストMP-1813 を塗布し、フォトリソグラフィ法により図２に示すような隔壁形状にパターニングした。次いで、露出した銅、ニッケルを塩化鉄溶液でエッチングした。エッチング後、超音波を併用しながら、レジスト剥離液REMOVER １１１２Ａで第１レジスト層、第２レジスト層を除去した。以上の工程により、ニッケル／銅よりなる隔壁を基板上に形成した。テスターで確認したところ、陽極と隔壁は電気的絶縁が保たれていた。
【００３５】
この基板を、酸素プラズマ、アルゴンプラズマで処理した後、有機層としてＴＰＤ（Ｎ, Ｎ'-ジフェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジン）、Ａｌｑ（トリス（8-キノリノラート）アルミニウム錯体）、陰極層としてアルミニウムを順次蒸着した。テスターで確認したところ、陽極の陰極の電気的絶縁は保たれていた。また、陰極と隔壁は、１本づつ対になって電気的に接続されており、陰極／隔壁の対同士の電気的絶縁は保たれていた。陽極陰極間に電圧を印加したところ、選択した画素のみが発光した。
【００３６】
【発明の効果】
本発明により、有機層、陰極層を蒸着時に分離することが可能になる上、有機層と接触する電極表面、隔壁、基板から有機物や水分を完全に除去する処理ができるようになる。そのために、有機物汚染による発光不良、水分による発光不良領域の拡大を未然に防ぐことができ、長寿命の有機ＥＬ表示素子を得ることができる。さらに、隔壁を電極バスとすることで配線抵抗を低減できるので、駆動回路の負担が軽減する上、印加信号の鈍りをなくし、走査できる電極の本数が増やせるようになる。さらに、隔壁を表示部外へ伸ばして電極引き出し部とすることで、引き出し部の損傷を防ぎ、より確実な電気的接続を得ることができる。さらに、隔壁を機能メッキ膜とすることで、蒸着マスクによる隔壁の破損を防いだり、余分な有機物付着を防いだり、画面に磁石を貼り付けたりできるようになる。
【００３７】
また、メッキ法を使用するために、工程ほぼすべてを湿式プロセスで構成できるため、多大な設備投資は要らず、バッチ式で大量に生産できるため、生産コストを低減させることが容易である。
【００３８】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による隔壁形状の説明図である。
【図２】本発明による電極バスを兼ねる隔壁形状の説明図である。
【図３】本発明による表示素子用基板の作製方法の説明図である。
【図４】本発明による表示素子用基板の作製方法の説明図である。
【図５】本発明による電極引き出し部の説明図である。
【符号の説明】
１０１…透明電極
１０２…電極バス
１０３…隔壁
１０４…隔壁１０３と基板が接する領域部分
２０１…透明電極
２０２…電極バス
２０３…隔壁
２０４…隔壁２０３と基板が接する領域部分
３０１…透明電極
３０２…電極バス
３０３…第１レジスト層
３０４…金属膜
３０５…第２レジスト層
３０６…隔壁と基板が接する領域
４０１…電極取り出し部として使用する隔壁端部
４０２…隔壁

Claims

透明基板または半透明基板表面に複数本の透明または半透明の導電膜と、前記導電膜間をつなぐ低電気抵抗の金属線とからなる陽極が形成されてなる有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記金属線の方向に直交し、かつ前記陽極と電気的に接続しないように複数本の導電性の無機物からなる隔壁が前記基板上に設けられ、かつ前記隔壁の前記金属線方向での断面が、前記陽極の前記金属線上の部分は両側にひさし形状を有する略Ｔ字型であり、それ以外は片側のみに壁面および壁面上部のひさしを有する形状であることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子用基。
請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記隔壁を表示領域外に伸長し電極引き出し部として用いることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子基板。
請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板に、少なくとも有機層、陰極層を順次積層したことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子。
請求項１から３の何れか１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板に、少なくとも有機層、陰極層を順次積層し、かつ前記隔壁の片側において前記隔壁と前記陰極が電気的に接続していることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子。
請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板の製造方法であって、前記隔壁が無電解メッキ法により作製した金属膜をエッチングすることで形成されたものであることを特徴する有機エレクトロルミネセンス表示素子基板の製造方法。
請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板の製造方法であって、前記隔壁が無電解メッキ法と電解メッキ法の併用により作製した金属膜をエッチングすることで形成されたものであることを特徴する有機エレクトロルミネセンス表示素子基板の製造方法。
請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板の製造方法であって、前記隔壁が真空成膜法と電解メッキ法により作製した金属膜をエッチングすることで形成されたものであることを特徴する有機エレクトロルミネセンス表示素子基板の製造方法。
請求項６又は７に記載の有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板の製造方法において、前記電解メッキ法により作製するメッキ膜が無機化合物を分散剤として含む機能メッキ膜であることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示素子基板の製造方法。