JPH1187052A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH1187052A JPH1187052A JP9282472A JP28247297A JPH1187052A JP H1187052 A JPH1187052 A JP H1187052A JP 9282472 A JP9282472 A JP 9282472A JP 28247297 A JP28247297 A JP 28247297A JP H1187052 A JPH1187052 A JP H1187052A
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- H05B33/06—Electrode terminals
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- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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Abstract
(57)【要約】
【課題】有機ＥＬ素子において陰極を基板上に取り出す
構造を提案する。 【解決手段】基板１上には多数本の帯状の陽極２があ
る。陽極２はＩＴＯからなる。陽極２の上には正孔輸送
層６、有機発光層７、陰極８がある。陰極８はＭｇとＡ
ｇの合金からなり、陽極２と直交する複数本の帯状であ
る。基板１上には多数本の帯状の取り出し電極５があ
る。取り出し電極５は陰極８に平行で、陰極８に対応し
たピッチ・本数である。陰極８の片方の端部には、陰極
８よりも幅の狭い接続端部９が形成され、対応する取り
出し電極５の端部の上に接続される。幅広の取り出し電
極５に対し、これに同一ピッチで対応する細い接続端部
９を接続する構造なので、陰極８と接続端部９の形成位
置が帯の幅方向にずれても、取り出し電極５と陰極８の
接続部の接続抵抗が変化する等の電気的接続の支障が生
じにくい。陰極の微細ピッチに対応でき、陰極の素子外
への引き出しに関して位置ずれの問題がない。
構造を提案する。 【解決手段】基板１上には多数本の帯状の陽極２があ
る。陽極２はＩＴＯからなる。陽極２の上には正孔輸送
層６、有機発光層７、陰極８がある。陰極８はＭｇとＡ
ｇの合金からなり、陽極２と直交する複数本の帯状であ
る。基板１上には多数本の帯状の取り出し電極５があ
る。取り出し電極５は陰極８に平行で、陰極８に対応し
たピッチ・本数である。陰極８の片方の端部には、陰極
８よりも幅の狭い接続端部９が形成され、対応する取り
出し電極５の端部の上に接続される。幅広の取り出し電
極５に対し、これに同一ピッチで対応する細い接続端部
９を接続する構造なので、陰極８と接続端部９の形成位
置が帯の幅方向にずれても、取り出し電極５と陰極８の
接続部の接続抵抗が変化する等の電気的接続の支障が生
じにくい。陰極の微細ピッチに対応でき、陰極の素子外
への引き出しに関して位置ずれの問題がない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機発光層を備え
た有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ
素子とも呼ぶ）に関する。特に本発明は、一般に金属の
蒸着によって形成される陰極を有する有機ＥＬ素子に関
する。
た有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ
素子とも呼ぶ）に関する。特に本発明は、一般に金属の
蒸着によって形成される陰極を有する有機ＥＬ素子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、電子注入電極と正孔注
入電極の間に蛍光性有機化合物を含む薄膜を挟んだ構造
を有し、前記薄膜に電子および正孔を注入して再結合さ
せることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この
エキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利
用して表示を行う表示素子である。
入電極の間に蛍光性有機化合物を含む薄膜を挟んだ構造
を有し、前記薄膜に電子および正孔を注入して再結合さ
せることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この
エキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利
用して表示を行う表示素子である。
【０００３】前記有機ＥＬ素子の基本構成の一つを図３
に示した。この有機ＥＬ素子は、ガラス製の基板１００
上の陽極１０１にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）、正孔輸送層１０２としてトリフェニルアミン
誘導体（Ｄｉａｍｉｎｅ）、有機発光層１０３としてト
リス（８−キノリライト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａ
ｌｑ３）、陰極１０４としてマグネシウムと銀の合金を
使用している。有機の各層の厚みは５０ｎｍ程度であ
る。各層の成膜は真空蒸着で行っている。この有機ＥＬ
素子において、陰極１０４と陽極１０１の間に１０Ｖの
直流電圧を加えると、１０００ｃｄ／ｍ２程度の緑色の
発光が得られる。
に示した。この有機ＥＬ素子は、ガラス製の基板１００
上の陽極１０１にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）、正孔輸送層１０２としてトリフェニルアミン
誘導体（Ｄｉａｍｉｎｅ）、有機発光層１０３としてト
リス（８−キノリライト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａ
ｌｑ３）、陰極１０４としてマグネシウムと銀の合金を
使用している。有機の各層の厚みは５０ｎｍ程度であ
る。各層の成膜は真空蒸着で行っている。この有機ＥＬ
素子において、陰極１０４と陽極１０１の間に１０Ｖの
直流電圧を加えると、１０００ｃｄ／ｍ２程度の緑色の
発光が得られる。
【０００４】前記有機ＥＬ素子においては、陰極の素材
として仕事関数の小さい金属材料（例えばＬｉ、Ｎａ、
Ｍｇ、Ｃａ等）を単体として使用し、又はＡｌ：Ｌｉ、
Ｍｇ：Ｉｎ、Ｍｇ：Ａｇ等の合金として使用している。
前述した基本構造の有機ＥＬ素子においては、陽極１０
１と陰極１０４を外部の駆動回路に接続するために、陰
極１０４を基板１００上に引き出しておく必要がある。
ところが、陰極に使用している仕事関数の小さな金属材
料は活性が高いので酸化しやすく、このため外部回路と
の接続を行う端子部分に使用すると酸化による剥離、変
質、高抵抗化が起こりやすい。
として仕事関数の小さい金属材料（例えばＬｉ、Ｎａ、
Ｍｇ、Ｃａ等）を単体として使用し、又はＡｌ：Ｌｉ、
Ｍｇ：Ｉｎ、Ｍｇ：Ａｇ等の合金として使用している。
前述した基本構造の有機ＥＬ素子においては、陽極１０
１と陰極１０４を外部の駆動回路に接続するために、陰
極１０４を基板１００上に引き出しておく必要がある。
ところが、陰極に使用している仕事関数の小さな金属材
料は活性が高いので酸化しやすく、このため外部回路と
の接続を行う端子部分に使用すると酸化による剥離、変
質、高抵抗化が起こりやすい。
【０００５】また、陰極としての膜厚は２００ｎｍ以下
でよいが、端子として使用する場合には機械的強度が不
十分となり、キズによる断線や接触不良が発生すること
があった。
でよいが、端子として使用する場合には機械的強度が不
十分となり、キズによる断線や接触不良が発生すること
があった。
【０００６】これらの事情から、従来の有機ＥＬ素子に
おいては陰極金属をそのまま外部回路との接続端子とし
て使用することは困難であった。
おいては陰極金属をそのまま外部回路との接続端子とし
て使用することは困難であった。
【０００７】図４は、特開平３−２７４６９４号に記載
された有機ＥＬ素子の断面図であり、この有機ＥＬは陽
極が設けられた基板１００上に陰極１０４を取り出す構
造を有している。図４において、前述した有機ＥＬ素子
の基本構造に相当する部分には図３と同一の符号を付し
て説明を省略する。図４においては、基板１００上に陰
極１０４の取り出し電極１０５が形成されており、陽極
１０１と取り出し電極１０５の一部を覆って絶縁層１０
６が形成されている。絶縁層１０６の一部には、発光を
取り出すための開口１０７と、取り出し電極１０５と陰
極１０４を接続するためのスルーホール１０８が形成さ
れている。陰極１０４は、このスルーホール１０８にま
で延設されて前記取り出し電極１０５と接続されてい
る。
された有機ＥＬ素子の断面図であり、この有機ＥＬは陽
極が設けられた基板１００上に陰極１０４を取り出す構
造を有している。図４において、前述した有機ＥＬ素子
の基本構造に相当する部分には図３と同一の符号を付し
て説明を省略する。図４においては、基板１００上に陰
極１０４の取り出し電極１０５が形成されており、陽極
１０１と取り出し電極１０５の一部を覆って絶縁層１０
６が形成されている。絶縁層１０６の一部には、発光を
取り出すための開口１０７と、取り出し電極１０５と陰
極１０４を接続するためのスルーホール１０８が形成さ
れている。陰極１０４は、このスルーホール１０８にま
で延設されて前記取り出し電極１０５と接続されてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図４に示したように、
有機ＥＬ素子の陰極１０４と取り出し電極１０５をスル
ーホール１０８を介して接続する構造によれば、微細な
ピッチで形成された多数の陰極を有する有機ＥＬ素子、
例えばストライプ状の陽極と陰極を交差させてマトリク
スを構成したグラフィックタイプの有機ＥＬの場合等に
は、次のような問題が生じた。即ち、このような有機Ｅ
Ｌの場合には、各陰極に対応する微細なピッチで多数の
スルーホールを形成し、各スルーホールを介して対応す
る取り出し電極と接続しなければならないが、グラフィ
ックタイプの有機ＥＬに要求される陰極のピッチはかな
り微細であり、絶縁層にそのような微細なピッチでスル
ーホールを形成することは技術的に困難であった。
有機ＥＬ素子の陰極１０４と取り出し電極１０５をスル
ーホール１０８を介して接続する構造によれば、微細な
ピッチで形成された多数の陰極を有する有機ＥＬ素子、
例えばストライプ状の陽極と陰極を交差させてマトリク
スを構成したグラフィックタイプの有機ＥＬの場合等に
は、次のような問題が生じた。即ち、このような有機Ｅ
Ｌの場合には、各陰極に対応する微細なピッチで多数の
スルーホールを形成し、各スルーホールを介して対応す
る取り出し電極と接続しなければならないが、グラフィ
ックタイプの有機ＥＬに要求される陰極のピッチはかな
り微細であり、絶縁層にそのような微細なピッチでスル
ーホールを形成することは技術的に困難であった。
【０００９】本発明は、例えばグラフィックタイプの有
機ＥＬのように微細なピッチの多数の陰極を有する有機
ＥＬ素子において、陰極を外部に取り出すための新規な
構造を提供することを目的としている。
機ＥＬのように微細なピッチの多数の陰極を有する有機
ＥＬ素子において、陰極を外部に取り出すための新規な
構造を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された有
機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１と、前記基
板１の内面に設けられた陽極２と、前記陽極２の上に形
成された正孔輸送層６と、前記正孔輸送層６の上に形成
された発光層７と、前記発光層７の上に形成された陰極
８とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、前記陰極８とは異なる材料で前記基板１の内面に形
成される取り出し電極５と、前記陰極８の端部に前記取
り出し電極５よりも細い線幅で形成されて前記取り出し
電極５の端部の上に接続される接続端部９とを有してい
る。
機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１と、前記基
板１の内面に設けられた陽極２と、前記陽極２の上に形
成された正孔輸送層６と、前記正孔輸送層６の上に形成
された発光層７と、前記発光層７の上に形成された陰極
８とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て、前記陰極８とは異なる材料で前記基板１の内面に形
成される取り出し電極５と、前記陰極８の端部に前記取
り出し電極５よりも細い線幅で形成されて前記取り出し
電極５の端部の上に接続される接続端部９とを有してい
る。
【００１１】請求項２に記載された有機エレクトロルミ
ネッセンス素子は、基板１と、前記基板１の内面に所定
方向に沿って所定間隔をおいて形成された複数本の帯状
の陽極２と、前記陽極２の上に形成された正孔輸送層６
と、前記正孔輸送層６の上に形成された発光層７と、前
記発光層７の上に前記陽極２とは交差する方向に沿って
所定間隔をおいて形成された複数本の帯状の陰極８とを
有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前
記陰極８とは異なる材料からなり、前記基板１の内面に
前記陰極８と略平行に形成される複数本の取り出し電極
５と、前記各陰極８の端部に前記取り出し電極５よりも
細い線幅でそれぞれ形成されて前記各取り出し電極５の
端部の上に接続される接続端部９とを有している。
ネッセンス素子は、基板１と、前記基板１の内面に所定
方向に沿って所定間隔をおいて形成された複数本の帯状
の陽極２と、前記陽極２の上に形成された正孔輸送層６
と、前記正孔輸送層６の上に形成された発光層７と、前
記発光層７の上に前記陽極２とは交差する方向に沿って
所定間隔をおいて形成された複数本の帯状の陰極８とを
有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前
記陰極８とは異なる材料からなり、前記基板１の内面に
前記陰極８と略平行に形成される複数本の取り出し電極
５と、前記各陰極８の端部に前記取り出し電極５よりも
細い線幅でそれぞれ形成されて前記各取り出し電極５の
端部の上に接続される接続端部９とを有している。
【００１２】請求項３に記載された有機エレクトロルミ
ネッセンス素子は、請求項１又は２記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、前記取り出し電極５が
仕事関数４．５ｅＶ以上の材料からなることを特徴とし
ている。
ネッセンス素子は、請求項１又は２記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、前記取り出し電極５が
仕事関数４．５ｅＶ以上の材料からなることを特徴とし
ている。
【００１３】請求項４に記載された有機エレクトロルミ
ネッセンス素子は、請求項３記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、仕事関数４．５ｅＶ以上の前
記材料が、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）、ＺｎＯ：Ａｌ、ＳｎＯ２：Ｓｂ、Ｉｎ２Ｏ３、Ａ
ｕからなる群から選択された物質であることを特徴とし
ている。
ネッセンス素子は、請求項３記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、仕事関数４．５ｅＶ以上の前
記材料が、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）、ＺｎＯ：Ａｌ、ＳｎＯ２：Ｓｂ、Ｉｎ２Ｏ３、Ａ
ｕからなる群から選択された物質であることを特徴とし
ている。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例を図１
及び図２を参照して説明する。図１に示すように、ガラ
ス製の基板１の上には陽極２が形成されている。本例の
陽極２は、所定のピッチで互いに平行に配置された多数
本の帯状である。本例の陽極２はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる。その他、仕事関数
４．５ｅＶ以上の材料であれば陽極２として使用可能で
ある。例えば、ＺｎＯ：Ａｌ、ＳｎＯ２：Ｓｂ、Ｉｎ２
Ｏ３、Ａｕ等が使用できる。前記陽極２の周りには絶縁
層３が枠状に形成されており、陽極２が設けられた絶縁
層３の枠の内方が表示領域になる。前記各陽極２は絶縁
層３の枠の外側にそれぞれ引き出され、各々配線導体４
に接続されている。配線導体４は外部の駆動回路のマイ
ナス側の端子に接続される。
及び図２を参照して説明する。図１に示すように、ガラ
ス製の基板１の上には陽極２が形成されている。本例の
陽極２は、所定のピッチで互いに平行に配置された多数
本の帯状である。本例の陽極２はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる。その他、仕事関数
４．５ｅＶ以上の材料であれば陽極２として使用可能で
ある。例えば、ＺｎＯ：Ａｌ、ＳｎＯ２：Ｓｂ、Ｉｎ２
Ｏ３、Ａｕ等が使用できる。前記陽極２の周りには絶縁
層３が枠状に形成されており、陽極２が設けられた絶縁
層３の枠の内方が表示領域になる。前記各陽極２は絶縁
層３の枠の外側にそれぞれ引き出され、各々配線導体４
に接続されている。配線導体４は外部の駆動回路のマイ
ナス側の端子に接続される。
【００１５】基板１の上には、前記絶縁層３の外縁に接
して取り出し電極５が形成されている。取り出し電極５
は、所定のピッチで互いに平行に配置された多数本の帯
状である。その本数とピッチは後述する陰極８に合わせ
てある。取り出し電極５は、前記陽極２と直交して配置
される。取り出し電極５は、後述する陰極８と異なる材
料で構成されており、本例では前記陽極２と同一の材
料、即ちＩＴＯからなる。従って、本例では、陽極２と
取り出し電極５は同一工程でパターン形成することがで
きる。取り出し電極５は外部の駆動回路のマイナス側の
端子に接続される。
して取り出し電極５が形成されている。取り出し電極５
は、所定のピッチで互いに平行に配置された多数本の帯
状である。その本数とピッチは後述する陰極８に合わせ
てある。取り出し電極５は、前記陽極２と直交して配置
される。取り出し電極５は、後述する陰極８と異なる材
料で構成されており、本例では前記陽極２と同一の材
料、即ちＩＴＯからなる。従って、本例では、陽極２と
取り出し電極５は同一工程でパターン形成することがで
きる。取り出し電極５は外部の駆動回路のマイナス側の
端子に接続される。
【００１６】前記陽極２の上には正孔輸送層６が設けら
れている。正孔輸送層６は、例えばトリフェニルアミン
誘導体（Ｄｉａｍｉｎｅ）から構成される。正孔輸送層
６の縁部は絶縁層３の上に被着している。
れている。正孔輸送層６は、例えばトリフェニルアミン
誘導体（Ｄｉａｍｉｎｅ）から構成される。正孔輸送層
６の縁部は絶縁層３の上に被着している。
【００１７】前記正孔輸送層６の上には、有機発光層７
が設けられている。有機発光層７としては、用途に応じ
て所望の発光色の物質を選択すればよく、本例では例え
ばトリス（８−キノリライト）アルミニウム（ＩＩＩ）
（Ａｌｑ３）を使用した。
が設けられている。有機発光層７としては、用途に応じ
て所望の発光色の物質を選択すればよく、本例では例え
ばトリス（８−キノリライト）アルミニウム（ＩＩＩ）
（Ａｌｑ３）を使用した。
【００１８】前記有機発光層７の上には、陰極８が設け
られている。陰極８は、例えばマグネシウムと銀の合金
から構成される。本例の陰極８は、前記陽極２とは直交
する方向に沿って所定間隔をおいて形成された複数本の
帯状である。
られている。陰極８は、例えばマグネシウムと銀の合金
から構成される。本例の陰極８は、前記陽極２とは直交
する方向に沿って所定間隔をおいて形成された複数本の
帯状である。
【００１９】従って、帯状の多数本の陽極２と、これに
交差する帯状の多数本の陰極８により、マトリクス表示
領域が構成される。所望の陰極８及び陽極２に表示信号
を与えることによって、マトリクスの任意の交点に対応
した有機発光層７の領域を選択的に発光させることがで
き、これによって任意のグラフィック表示が行える。
交差する帯状の多数本の陰極８により、マトリクス表示
領域が構成される。所望の陰極８及び陽極２に表示信号
を与えることによって、マトリクスの任意の交点に対応
した有機発光層７の領域を選択的に発光させることがで
き、これによって任意のグラフィック表示が行える。
【００２０】前記各陰極８の片方の端部は、前記絶縁層
３の上を乗り越えて前記取り出し電極５の上面に達して
いる。図２に示すように、前記各陰極８の片方の端部に
は、陰極８よりも幅の狭い接続端部９がそれぞれ連続し
て形成されており、各接続端部９は対応する各取り出し
電極５の端部の上に接続されている。
３の上を乗り越えて前記取り出し電極５の上面に達して
いる。図２に示すように、前記各陰極８の片方の端部に
は、陰極８よりも幅の狭い接続端部９がそれぞれ連続し
て形成されており、各接続端部９は対応する各取り出し
電極５の端部の上に接続されている。
【００２１】前記取り出し電極５と前記接続端部９の各
部寸法上の設定について説明する。まず、取り出し電極
５同志の間隔Ａは、電気的な絶縁特性及びパターン形成
プロセス上の限界まで狭くする。具体的には、１０〜５
０μｍの範囲がよい。一方、マスク蒸着によって形成す
る接続端部９の線幅Ｂは、電圧低下や発熱等の電気的特
性から算出される最小線幅に設定される。具体的には５
０〜１００μｍの範囲がよい。
部寸法上の設定について説明する。まず、取り出し電極
５同志の間隔Ａは、電気的な絶縁特性及びパターン形成
プロセス上の限界まで狭くする。具体的には、１０〜５
０μｍの範囲がよい。一方、マスク蒸着によって形成す
る接続端部９の線幅Ｂは、電圧低下や発熱等の電気的特
性から算出される最小線幅に設定される。具体的には５
０〜１００μｍの範囲がよい。
【００２２】さらに具体的に陰極８及び取り出し電極５
のピッチを０．６ｍｍとした場合の接続を考える。取り
出し電極５の幅を０．５５ｍｍ、隣接する取り出し電極
５の間隔を０．０５ｍｍ（５０μｍ）、陰極８の接続端
部９の幅を０．１ｍｍ（１００μｍ）とする。工程の最
後に陰極８及び接続端部９を形成して取り出し電極５に
接続させる際には、陰極８及び接続端部９のパターンは
幅方向（帯状パターンの長手方向と直交する方向）にず
れる。このため、本例のように、幅広の取り出し電極５
に対し、これに同一ピッチで対応する細い接続端部９を
接続する構造であると、陰極８及び接続端部９の形成位
置がずれても、取り出し電極５と陰極８の接続部の接続
抵抗が変化する等、電気的接続に支障が生じるおそれは
少ない。前述した寸法例においては、位置決め許容差が
±０．２２５ｍｍであり、取り出し電極５と陰極８の接
続部の接続抵抗に変化は認められなかった。これに対
し、従来の構造において、陰極及び取り出し電極のピッ
チを０．６ｍｍ、取り出し電極の幅を０．３ｍｍ、陰極
の幅を０．３ｍｍとした場合には、位置決め許容差が±
０．２ｍｍであり、取り出し電極と陰極の接続部の接続
抵抗は常に変化してしまう。
のピッチを０．６ｍｍとした場合の接続を考える。取り
出し電極５の幅を０．５５ｍｍ、隣接する取り出し電極
５の間隔を０．０５ｍｍ（５０μｍ）、陰極８の接続端
部９の幅を０．１ｍｍ（１００μｍ）とする。工程の最
後に陰極８及び接続端部９を形成して取り出し電極５に
接続させる際には、陰極８及び接続端部９のパターンは
幅方向（帯状パターンの長手方向と直交する方向）にず
れる。このため、本例のように、幅広の取り出し電極５
に対し、これに同一ピッチで対応する細い接続端部９を
接続する構造であると、陰極８及び接続端部９の形成位
置がずれても、取り出し電極５と陰極８の接続部の接続
抵抗が変化する等、電気的接続に支障が生じるおそれは
少ない。前述した寸法例においては、位置決め許容差が
±０．２２５ｍｍであり、取り出し電極５と陰極８の接
続部の接続抵抗に変化は認められなかった。これに対
し、従来の構造において、陰極及び取り出し電極のピッ
チを０．６ｍｍ、取り出し電極の幅を０．３ｍｍ、陰極
の幅を０．３ｍｍとした場合には、位置決め許容差が±
０．２ｍｍであり、取り出し電極と陰極の接続部の接続
抵抗は常に変化してしまう。
【００２３】以上説明した有機ＥＬ素子の各有機層の厚
みは５０ｎｍ程度である。各層の成膜は真空蒸着で行っ
ている。そして、図１に示すように、前記取り出し電極
５の端部と、陽極２の配線導体４の端部を除き、基板１
の上面側の素子構造は保護層１０によって覆われてい
る。
みは５０ｎｍ程度である。各層の成膜は真空蒸着で行っ
ている。そして、図１に示すように、前記取り出し電極
５の端部と、陽極２の配線導体４の端部を除き、基板１
の上面側の素子構造は保護層１０によって覆われてい
る。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、基板上に陽極と正孔輸
送層と発光層と陰極とが積層された有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、基板の内面に陰極とは異なる
材料で取り出し電極を形成し、取り出し電極よりも細い
線幅の接続端部を陰極の端部に形成して取り出し電極の
端部の上に接続したので、陰極のパターンが幅方向に対
して位置ずれしても取り出し電極に対する接続には不都
合がなく、有機ＥＬ素子の陰極を素子外に引き出す構造
として効果がある。特に、多数の帯状パターンの陰極を
有するグラフィックタイプの有機ＥＬ素子等では、従来
のようなスルーホールを介して陰極と取り出し電極を接
続する構造と異なり、陰極の微細なピッチに対応でき、
陰極の素子外への引き出しに関して位置ずれの問題がな
いという特に顕著な効果が得られる。
送層と発光層と陰極とが積層された有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、基板の内面に陰極とは異なる
材料で取り出し電極を形成し、取り出し電極よりも細い
線幅の接続端部を陰極の端部に形成して取り出し電極の
端部の上に接続したので、陰極のパターンが幅方向に対
して位置ずれしても取り出し電極に対する接続には不都
合がなく、有機ＥＬ素子の陰極を素子外に引き出す構造
として効果がある。特に、多数の帯状パターンの陰極を
有するグラフィックタイプの有機ＥＬ素子等では、従来
のようなスルーホールを介して陰極と取り出し電極を接
続する構造と異なり、陰極の微細なピッチに対応でき、
陰極の素子外への引き出しに関して位置ずれの問題がな
いという特に顕著な効果が得られる。
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１における陰極の接続端部と取り出し電極の
接続部分を示す平面図である。
接続部分を示す平面図である。
【図３】従来の一般的な有機ＥＬ素子の構造を例示する
断面図である。
断面図である。
【図４】従来の有機ＥＬ素子の構造の一例を示す断面図
である。
である。
１ 基板 ２ 陽極 ５ 取り出し電極 ６ 正孔輸送層 ７ 有機発光層 ８ 陰極 ９ 接続端部
Claims (4)
- 【請求項１】 基板と、前記基板の内面に設けられた陽
極と、前記陽極の上に形成された正孔輸送層と、前記正
孔輸送層の上に形成された発光層と、前記発光層の上に
形成された陰極とを有する有機エレクトロルミネッセン
ス素子において、 前記陰極とは異なる材料で前記基板の内面に形成される
取り出し電極と、前記陰極の端部に前記取り出し電極よ
りも細い線幅で形成されて前記取り出し電極の端部の上
に接続される接続端部とを有する有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。 - 【請求項２】 基板と、前記基板の内面に所定方向に沿
って所定間隔をおいて形成された複数本の帯状の陽極
と、前記陽極の上に形成された正孔輸送層と、前記正孔
輸送層の上に形成された発光層と、前記発光層の上に前
記陽極とは交差する方向に沿って所定間隔をおいて形成
された複数本の帯状の陰極とを有する有機エレクトロル
ミネッセンス素子において、 前記陰極とは異なる材料からなり、前記基板の内面に前
記陰極と略平行に形成される複数本の取り出し電極と、 前記各陰極の端部に前記取り出し電極よりも細い線幅で
それぞれ形成されて前記各取り出し電極の端部の上に接
続される接続端部とを有する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。 - 【請求項３】 前記取り出し電極が仕事関数４．５ｅＶ
以上の材料からなる請求項１又は２記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子。 - 【請求項４】 仕事関数４．５ｅＶ以上の前記材料が、
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ：
Ａｌ、ＳｎＯ２：Ｓｂ、Ｉｎ２Ｏ３、Ａｕからなる群か
ら選択された物質である請求項３記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9282472A JPH1187052A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| GB9819650A GB2329280B (en) | 1997-09-09 | 1998-09-09 | Organic electroluminescence device |
| KR1019980037078A KR100304488B1 (ko) | 1997-09-09 | 1998-09-09 | 유기 전계발광소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9282472A JPH1187052A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187052A true JPH1187052A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17652882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9282472A Pending JPH1187052A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187052A (ja) |
| KR (1) | KR100304488B1 (ja) |
| GB (1) | GB2329280B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100561232B1 (ko) * | 2001-07-23 | 2006-03-15 | 파이오니아 코포레이션 | 은 또는 은합금 배선 및 그 형성방법 및 표시패널기판 |
| JP2006253164A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 有機トランジスタ、及びディスプレイ装置 |
| JP2006253163A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 有機トランジスタ、及びディスプレイ装置 |
| JP2006252774A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 有機トランジスタ、及びディスプレイ装置 |
| JP2009026770A (ja) * | 2008-10-02 | 2009-02-05 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| JP2009059705A (ja) * | 2008-10-02 | 2009-03-19 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| CN109994530A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-07-09 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示装置、显示面板及其制作方法 |
| US11362160B2 (en) | 2018-03-06 | 2022-06-14 | Japan Display Inc. | Organic EL display device |
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|---|---|---|---|---|
| JP2000082588A (ja) * | 1997-09-22 | 2000-03-21 | Fuji Electric Co Ltd | 有機発光素子およびその製造方法 |
| JP2001102169A (ja) | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| US6787989B2 (en) * | 2000-06-21 | 2004-09-07 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrate with transparent conductive film and organic electroluminescence device using the same |
| JP3804858B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2006-08-02 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| JP2007019132A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Seiko Epson Corp | 圧電振動装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5652067A (en) * | 1992-09-10 | 1997-07-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
-
1997
- 1997-09-09 JP JP9282472A patent/JPH1187052A/ja active Pending
-
1998
- 1998-09-09 KR KR1019980037078A patent/KR100304488B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-09-09 GB GB9819650A patent/GB2329280B/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100561232B1 (ko) * | 2001-07-23 | 2006-03-15 | 파이오니아 코포레이션 | 은 또는 은합금 배선 및 그 형성방법 및 표시패널기판 |
| JP2006253164A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 有機トランジスタ、及びディスプレイ装置 |
| JP2006253163A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 有機トランジスタ、及びディスプレイ装置 |
| JP2006252774A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 有機トランジスタ、及びディスプレイ装置 |
| JP2009026770A (ja) * | 2008-10-02 | 2009-02-05 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| JP2009059705A (ja) * | 2008-10-02 | 2009-03-19 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| US11362160B2 (en) | 2018-03-06 | 2022-06-14 | Japan Display Inc. | Organic EL display device |
| CN109994530A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-07-09 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示装置、显示面板及其制作方法 |
| US11665946B2 (en) | 2019-03-28 | 2023-05-30 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Display devices, display panels, and methods for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990029645A (ko) | 1999-04-26 |
| GB9819650D0 (en) | 1998-11-04 |
| GB2329280A (en) | 1999-03-17 |
| KR100304488B1 (ko) | 2001-09-29 |
| GB2329280B (en) | 2002-01-09 |
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