JP2001019465A - エキシマレーザ用合成石英ガラス部材及びその製造方法 - Google Patents
エキシマレーザ用合成石英ガラス部材及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 （ｉ）ＡｒＦエキシマレーザを２ｍＪ／
ｃｍ2／パルスで４×１０4ショット照射したときの波長
１９３ｎｍにおける透過率変化が吸光係数で０．００２
ｃｍ-1以下、（ｉｉ）１９３ｎｍでの初期透過率が９
９．６％以上、（ｉｉｉ）水素分子含有量が５×１０17
分子数／ｃｍ3以上、（ｉｖ）屈折率変動幅が１×１０
-6以下、（ｖ）複屈折が１ｎｍ／ｃｍ以下であることを
特徴とするエキシマレーザ用合成石英ガラス部材。 【効果】 本発明によれば、光透過率変化の少ないエキ
シマレーザ用合成石英ガラス部材を製造することができ
る。
ｃｍ2／パルスで４×１０4ショット照射したときの波長
１９３ｎｍにおける透過率変化が吸光係数で０．００２
ｃｍ-1以下、（ｉｉ）１９３ｎｍでの初期透過率が９
９．６％以上、（ｉｉｉ）水素分子含有量が５×１０17
分子数／ｃｍ3以上、（ｉｖ）屈折率変動幅が１×１０
-6以下、（ｖ）複屈折が１ｎｍ／ｃｍ以下であることを
特徴とするエキシマレーザ用合成石英ガラス部材。 【効果】 本発明によれば、光透過率変化の少ないエキ
シマレーザ用合成石英ガラス部材を製造することができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エキシマレーザ
用、特にＡｒＦエキシマレーザ用に使用されるレンズ、
プリズム、ミラー、窓材等の光学用素材及びフォトマス
ク用合成石英ガラス基板等の基板材料として光透過率変
化の少ないエキシマレーザ用合成石英ガラス部材及びそ
の製造方法に関する。
用、特にＡｒＦエキシマレーザ用に使用されるレンズ、
プリズム、ミラー、窓材等の光学用素材及びフォトマス
ク用合成石英ガラス基板等の基板材料として光透過率変
化の少ないエキシマレーザ用合成石英ガラス部材及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
ＬＳＩの高集積化に伴い、ウェーハ上に集積回路パター
ンを描画する光リソグラフィー技術においても、サブミ
クロン単位の描画技術が要求されており、より微細な線
幅描画を行うために、露光系の光源の短波長化が進めら
れてきている。このため、例えば、リソグラフィー用の
ステッパーレンズには、優れた均質性と紫外線の透過性
及び紫外線照射に対して強い耐性が要求されている。
ＬＳＩの高集積化に伴い、ウェーハ上に集積回路パター
ンを描画する光リソグラフィー技術においても、サブミ
クロン単位の描画技術が要求されており、より微細な線
幅描画を行うために、露光系の光源の短波長化が進めら
れてきている。このため、例えば、リソグラフィー用の
ステッパーレンズには、優れた均質性と紫外線の透過性
及び紫外線照射に対して強い耐性が要求されている。
【０００３】このような観点から、不純物含有量の少な
い合成石英ガラスが用いられているが、合成石英ガラス
は、通常、紫外線吸収の原因となる金属不純物の混入を
避けるために、四塩化ケイ素など高純度のシリコーン化
合物の蒸気を直接酸水素火炎中に導入して、火炎加水分
解させてシリカ微粒子を生成させて直接回転する石英ガ
ラスなどの耐熱性基体上に堆積・溶融ガラス化させて、
透明な合成石英ガラスとして製造される。
い合成石英ガラスが用いられているが、合成石英ガラス
は、通常、紫外線吸収の原因となる金属不純物の混入を
避けるために、四塩化ケイ素など高純度のシリコーン化
合物の蒸気を直接酸水素火炎中に導入して、火炎加水分
解させてシリカ微粒子を生成させて直接回転する石英ガ
ラスなどの耐熱性基体上に堆積・溶融ガラス化させて、
透明な合成石英ガラスとして製造される。
【０００４】このようにして製造された透明な合成石英
ガラスは、１９０ｎｍ程度の短波長領域まで良好な光透
過性を示し、紫外線レーザ光、具体的にはｉ線の他、Ｋ
ｒＦ（２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＸｅＢ
ｒ（２８２ｎｍ）、ＸｅＦ（３５１，３５３ｎｍ）、Ａ
ｒＦ（１９３ｎｍ）等のエキシマレーザ光及びＹＡＧの
４倍高調波（２５０ｎｍ）等についての透過材料として
用いられてきた。
ガラスは、１９０ｎｍ程度の短波長領域まで良好な光透
過性を示し、紫外線レーザ光、具体的にはｉ線の他、Ｋ
ｒＦ（２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＸｅＢ
ｒ（２８２ｎｍ）、ＸｅＦ（３５１，３５３ｎｍ）、Ａ
ｒＦ（１９３ｎｍ）等のエキシマレーザ光及びＹＡＧの
４倍高調波（２５０ｎｍ）等についての透過材料として
用いられてきた。
【０００５】ところで、合成石英ガラスにエキシマレー
ザのような強烈なエネルギーをもつ紫外線を照射するこ
とによって新たに生じる紫外線領域における光の吸収
は、合成石英ガラス中の固有欠陥から光反応により生じ
た常磁性欠陥によるものと考えられている。このような
常磁性欠陥による光吸収は、これまでＥＳＲスペクトル
などで数多く同定されており、例えば、Ｅ’センター
（Ｓｉ・）やＮＢＯＨＣ（Ｓｉ−Ｏ・）などがある。
ザのような強烈なエネルギーをもつ紫外線を照射するこ
とによって新たに生じる紫外線領域における光の吸収
は、合成石英ガラス中の固有欠陥から光反応により生じ
た常磁性欠陥によるものと考えられている。このような
常磁性欠陥による光吸収は、これまでＥＳＲスペクトル
などで数多く同定されており、例えば、Ｅ’センター
（Ｓｉ・）やＮＢＯＨＣ（Ｓｉ−Ｏ・）などがある。
【０００６】このように、常磁性欠陥は、一般的に光学
的吸収帯を有しているため、石英ガラスに紫外線を照射
した場合、紫外線領域において石英ガラスの常磁性欠陥
による問題となる吸収帯は、例えばＥ’センター（Ｓｉ
・）の２１５ｎｍと、まだ正確に同定されていないが、
２６０ｎｍである。これらの吸収帯は、比較的ブロード
で、しかも強い吸収を生じる場合があり、例えば、Ａｒ
ＦエキシマレーザやＫｒＦエキシマレーザの透過材料と
して用いる場合には大きな問題となっていた。
的吸収帯を有しているため、石英ガラスに紫外線を照射
した場合、紫外線領域において石英ガラスの常磁性欠陥
による問題となる吸収帯は、例えばＥ’センター（Ｓｉ
・）の２１５ｎｍと、まだ正確に同定されていないが、
２６０ｎｍである。これらの吸収帯は、比較的ブロード
で、しかも強い吸収を生じる場合があり、例えば、Ａｒ
ＦエキシマレーザやＫｒＦエキシマレーザの透過材料と
して用いる場合には大きな問題となっていた。
【０００７】常磁性欠陥の原因となる合成石英ガラス中
の固有欠陥は、例えばＳｉ−ＯＨ、Ｓｉ−ＣｌなどのＳ
ｉＯ2以外の構造や、Ｓｉ−Ｓｉ、Ｓｉ−Ｏ−Ｏ−Ｓｉ
などの酸素欠損、酸素過剰の構造に起因している。
の固有欠陥は、例えばＳｉ−ＯＨ、Ｓｉ−ＣｌなどのＳ
ｉＯ2以外の構造や、Ｓｉ−Ｓｉ、Ｓｉ−Ｏ−Ｏ−Ｓｉ
などの酸素欠損、酸素過剰の構造に起因している。
【０００８】そこで、常磁性欠陥を抑制する方法とし
て、塩素を含有しないテトラメトキシシランのようなア
ルコキシシランをシラン化合物として用いることによ
り、常磁性欠陥の一つであるＳｉ−Ｃｌをガラス中に含
有させなくさせる方法が提案されている（特開平６−１
９９５３２号公報）。
て、塩素を含有しないテトラメトキシシランのようなア
ルコキシシランをシラン化合物として用いることによ
り、常磁性欠陥の一つであるＳｉ−Ｃｌをガラス中に含
有させなくさせる方法が提案されている（特開平６−１
９９５３２号公報）。
【０００９】また、特にＡｒＦレーザ照射初期に、１×
１０4ショット程度で透過率が急激に低下し、その後の
照射継続と共に、１×１０6ショット程度は透過率が回
復するという現象を利用する方法がある。これは、ガラ
ス中に含有する水素濃度に起因しており、水素分子濃度
が高いとレーザ照射初期時の透過率低下が大きく、水素
分子濃度が低いとレーザ照射初期時の透過率低下は小さ
い。但し、逆に長期的照射時の場合は、水素分子濃度が
高いと長期的照射時の透過率低下は小さく、水素分子濃
度が低いと長期的照射時の透過率低下は大きくなる。こ
れは、下記式（４）又は（５）のように考えられている
（特開平７−４３８９１号公報）。
１０4ショット程度で透過率が急激に低下し、その後の
照射継続と共に、１×１０6ショット程度は透過率が回
復するという現象を利用する方法がある。これは、ガラ
ス中に含有する水素濃度に起因しており、水素分子濃度
が高いとレーザ照射初期時の透過率低下が大きく、水素
分子濃度が低いとレーザ照射初期時の透過率低下は小さ
い。但し、逆に長期的照射時の場合は、水素分子濃度が
高いと長期的照射時の透過率低下は小さく、水素分子濃
度が低いと長期的照射時の透過率低下は大きくなる。こ
れは、下記式（４）又は（５）のように考えられている
（特開平７−４３８９１号公報）。
【００１０】 ＜照射初期時＞ Ｓｉ−Ｈ＋ｈν → Ｓｉ・＋Ｈ …（４） ＜回復現象＞ Ｓｉ・＋Ｈ → Ｓｉ−Ｈ …（５）
【００１１】また、合成石英ガラス中の水素分子濃度の
制御方法も提案されており（特開平６−３０５７３６号
公報）、ＡｒＦレーザのエネルギー使用条件によって、
ガラス中の水素分子濃度の調整が行われてきた。
制御方法も提案されており（特開平６−３０５７３６号
公報）、ＡｒＦレーザのエネルギー使用条件によって、
ガラス中の水素分子濃度の調整が行われてきた。
【００１２】しかし、最近ではこの水素分子濃度の調整
だけでは透過率変化を十分抑制することができず、実用
上問題を生じていた。
だけでは透過率変化を十分抑制することができず、実用
上問題を生じていた。
【００１３】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、エキシマレーザに使用される合成石英ガラスにおい
て、強い紫外線照射に伴って生じる紫外線領域における
光透過率の変化を抑えるエキシマレーザ用合成石英ガラ
ス部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
で、エキシマレーザに使用される合成石英ガラスにおい
て、強い紫外線照射に伴って生じる紫外線領域における
光透過率の変化を抑えるエキシマレーザ用合成石英ガラ
ス部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結
果、ＡｒＦエキシマレーザを２ｍＪ／ｃｍ2／パルスで
４×１０4ショット照射したときの波長１９３ｎｍにお
ける透過率変化が吸光係数で０．００２ｃｍ-1以下、１
９３ｎｍでの初期透過率が９９．６％以上、水素分子含
有量が５×１０17分子数／ｃｍ3以上、屈折率変動幅が
１×１０-6以下、複屈折が１ｎｍ／ｃｍ以下である合成
石英ガラスをエキシマレーザ用合成石英ガラス部材、特
にＡｒＦエキシマレーザ用合成石英ガラス部材又はフォ
トマスク用合成石英ガラス基板として用いることによ
り、強い紫外線照射に伴って生じる紫外線領域における
光透過率変化を抑えることができることを知見し、本発
明をなすに至ったものである。
発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結
果、ＡｒＦエキシマレーザを２ｍＪ／ｃｍ2／パルスで
４×１０4ショット照射したときの波長１９３ｎｍにお
ける透過率変化が吸光係数で０．００２ｃｍ-1以下、１
９３ｎｍでの初期透過率が９９．６％以上、水素分子含
有量が５×１０17分子数／ｃｍ3以上、屈折率変動幅が
１×１０-6以下、複屈折が１ｎｍ／ｃｍ以下である合成
石英ガラスをエキシマレーザ用合成石英ガラス部材、特
にＡｒＦエキシマレーザ用合成石英ガラス部材又はフォ
トマスク用合成石英ガラス基板として用いることによ
り、強い紫外線照射に伴って生じる紫外線領域における
光透過率変化を抑えることができることを知見し、本発
明をなすに至ったものである。
【００１５】従って、本発明は、（１）（ｉ）ＡｒＦエ
キシマレーザを２ｍＪ／ｃｍ2／パルスで４×１０4ショ
ット照射したときの波長１９３ｎｍにおける透過率変化
が吸光係数で０．００２ｃｍ-1以下、（ｉｉ）１９３ｎ
ｍでの初期透過率が９９．６％以上、（ｉｉｉ）水素分
子含有量が５×１０17分子数／ｃｍ3以上、（ｉｖ）屈
折率変動幅が１×１０-6以下、（ｖ）複屈折が１ｎｍ／
ｃｍ以下であることを特徴とするエキシマレーザ用合成
石英ガラス部材、（２）エキシマレーザがＡｒＦエキシ
マレーザであることを特徴とする（１）記載のエキシマ
レーザ用合成石英ガラス部材、（３）エキシマレーザ用
合成石英ガラス部材がフォトマスク用合成石英ガラス基
板であることを特徴とする（１）又は（２）記載のエキ
シマレーザ用合成石英ガラス部材、（４）有機ケイ素化
合物から酸水素火炎によって合成石英ガラスを製造する
に際し、バーナー中心のノズルに供給する際の有機ケイ
素化合物と酸素との混合比を酸素量論量の２倍モル以上
とすることを特徴とする（１）乃至（３）のいずれか１
に記載のエキシマレーザ用合成石英ガラス部材の製造方
法、（５）有機ケイ素化合物から酸水素火炎によって合
成石英ガラスを製造するに際し、バーナー中心のノズル
に供給する際の有機ケイ素化合物と酸素との混合比を酸
素量論量の２倍モル以上とし、得られた合成石英ガラス
部材をアニール処理することを特徴とする（１）乃至
（３）のいずれか１に記載のエキシマレーザ用合成石英
ガラス部材の製造方法、及び、（６）有機ケイ素化合物
から酸水素火炎によって合成石英ガラス部材を製造する
に際し、バーナー中心のノズルに供給する際の有機ケイ
素化合物と酸素との混合比を酸素量論量の２倍モル以上
とし、得られた合成石英ガラス部材を更に均質化した
後、アニール処理することを特徴とする（１）乃至
（３）のいずれか１に記載のエキシマレーザ用合成石英
ガラス部材の製造方法を提供する。
キシマレーザを２ｍＪ／ｃｍ2／パルスで４×１０4ショ
ット照射したときの波長１９３ｎｍにおける透過率変化
が吸光係数で０．００２ｃｍ-1以下、（ｉｉ）１９３ｎ
ｍでの初期透過率が９９．６％以上、（ｉｉｉ）水素分
子含有量が５×１０17分子数／ｃｍ3以上、（ｉｖ）屈
折率変動幅が１×１０-6以下、（ｖ）複屈折が１ｎｍ／
ｃｍ以下であることを特徴とするエキシマレーザ用合成
石英ガラス部材、（２）エキシマレーザがＡｒＦエキシ
マレーザであることを特徴とする（１）記載のエキシマ
レーザ用合成石英ガラス部材、（３）エキシマレーザ用
合成石英ガラス部材がフォトマスク用合成石英ガラス基
板であることを特徴とする（１）又は（２）記載のエキ
シマレーザ用合成石英ガラス部材、（４）有機ケイ素化
合物から酸水素火炎によって合成石英ガラスを製造する
に際し、バーナー中心のノズルに供給する際の有機ケイ
素化合物と酸素との混合比を酸素量論量の２倍モル以上
とすることを特徴とする（１）乃至（３）のいずれか１
に記載のエキシマレーザ用合成石英ガラス部材の製造方
法、（５）有機ケイ素化合物から酸水素火炎によって合
成石英ガラスを製造するに際し、バーナー中心のノズル
に供給する際の有機ケイ素化合物と酸素との混合比を酸
素量論量の２倍モル以上とし、得られた合成石英ガラス
部材をアニール処理することを特徴とする（１）乃至
（３）のいずれか１に記載のエキシマレーザ用合成石英
ガラス部材の製造方法、及び、（６）有機ケイ素化合物
から酸水素火炎によって合成石英ガラス部材を製造する
に際し、バーナー中心のノズルに供給する際の有機ケイ
素化合物と酸素との混合比を酸素量論量の２倍モル以上
とし、得られた合成石英ガラス部材を更に均質化した
後、アニール処理することを特徴とする（１）乃至
（３）のいずれか１に記載のエキシマレーザ用合成石英
ガラス部材の製造方法を提供する。
【００１６】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明のエキシマレーザ用合成石英ガラス部材は、
ＡｒＦエキシマレーザを２ｍＪ／ｃｍ2／パルスで４×
１０4ショット照射したときの波長１９３ｎｍにおける
透過率変化が吸光係数で０．００２ｃｍ-1以下、好まし
くは０．００１５ｃｍ-1以下である。透過率変化が大き
すぎると、例えばステッパーのレンズ材として使用した
場合に、吸収に伴う熱収差によりパターン回路等を転写
すると像が歪む等の問題を生じてしまうこととなる。
と、本発明のエキシマレーザ用合成石英ガラス部材は、
ＡｒＦエキシマレーザを２ｍＪ／ｃｍ2／パルスで４×
１０4ショット照射したときの波長１９３ｎｍにおける
透過率変化が吸光係数で０．００２ｃｍ-1以下、好まし
くは０．００１５ｃｍ-1以下である。透過率変化が大き
すぎると、例えばステッパーのレンズ材として使用した
場合に、吸収に伴う熱収差によりパターン回路等を転写
すると像が歪む等の問題を生じてしまうこととなる。
【００１７】また、１９３ｎｍでの初期透過率は９９．
６％以上、好ましくは９９．７％以上である。初期透過
率が小さすぎる場合も上記と同様の問題を生じる。
６％以上、好ましくは９９．７％以上である。初期透過
率が小さすぎる場合も上記と同様の問題を生じる。
【００１８】水素分子含有量は５×１０17分子数／ｃｍ
3以上、好ましくは１０×１０17分子数／ｃｍ3以上であ
る。水素分子含有量が５×１０17分子数／ｃｍ3未満で
あると、レーザを長期的に照射した際に、透過率変化が
吸光係数で０．００２ｃｍ-1を超えてしまうこととな
る。水素分子含有量の上限は特に制限されるものではな
いが、通常１×１０19分子数／ｃｍ3以下である。な
お、長期的な透過率変化を抑制するためには、水素分子
含有量を上記範囲にすることが好ましい。
3以上、好ましくは１０×１０17分子数／ｃｍ3以上であ
る。水素分子含有量が５×１０17分子数／ｃｍ3未満で
あると、レーザを長期的に照射した際に、透過率変化が
吸光係数で０．００２ｃｍ-1を超えてしまうこととな
る。水素分子含有量の上限は特に制限されるものではな
いが、通常１×１０19分子数／ｃｍ3以下である。な
お、長期的な透過率変化を抑制するためには、水素分子
含有量を上記範囲にすることが好ましい。
【００１９】屈折率変動幅は１×１０-6以下、好ましく
は０．５×１０-6以下であり、複屈折は１ｎｍ／ｃｍ以
下が好ましい。屈折率変動幅及び複屈折が上記範囲を超
えると、例えばステッパーのレンズ材として使用する場
合、回路パターンの転写像が歪むこととなる。
は０．５×１０-6以下であり、複屈折は１ｎｍ／ｃｍ以
下が好ましい。屈折率変動幅及び複屈折が上記範囲を超
えると、例えばステッパーのレンズ材として使用する場
合、回路パターンの転写像が歪むこととなる。
【００２０】なお、本発明において、上記透過率変化と
は、厚さ１０ｍｍの二面を磨いた合成石英ガラス板にＡ
ｒＦエキシマレーザをエネルギー密度２ｍＪ／ｃｍ2／
パルス、２００Ｈｚ、４×１０4ショットの条件下で照
射した時に、合成石英ガラスに誘起される２１５ｎｍの
吸収に伴う１９３ｎｍにおける吸光係数と照射前の１９
３ｎｍにおける吸光係数の差の最大値をいう。
は、厚さ１０ｍｍの二面を磨いた合成石英ガラス板にＡ
ｒＦエキシマレーザをエネルギー密度２ｍＪ／ｃｍ2／
パルス、２００Ｈｚ、４×１０4ショットの条件下で照
射した時に、合成石英ガラスに誘起される２１５ｎｍの
吸収に伴う１９３ｎｍにおける吸光係数と照射前の１９
３ｎｍにおける吸光係数の差の最大値をいう。
【００２１】なお、初期透過率とは、エキシマレーザを
照射していない合成石英ガラスの内部透過率をいう。こ
こで、内部透過率（Ｔｉ）とは、厚さ１０ｍｍの二面を
磨いた合成石英ガラスを紫外分光光度計で測定して得ら
れる見掛け透過率を理論透過率で割った値をいい、波長
１９３ｎｍにおける見掛け透過率をＴａとした場合、Ｔ
ｉ＝Ｔａ／９０．８５で求められる。また、波長１９３
ｎｍにおける吸光係数とは、−ｌｏｇＴｉで表される。
屈折率変動幅とは、厚さ５０ｍｍの合成石英ガラスの波
長６３２．８ｎｍにおける屈折率の最大値と最小値の差
（Δｎ）をいう。
照射していない合成石英ガラスの内部透過率をいう。こ
こで、内部透過率（Ｔｉ）とは、厚さ１０ｍｍの二面を
磨いた合成石英ガラスを紫外分光光度計で測定して得ら
れる見掛け透過率を理論透過率で割った値をいい、波長
１９３ｎｍにおける見掛け透過率をＴａとした場合、Ｔ
ｉ＝Ｔａ／９０．８５で求められる。また、波長１９３
ｎｍにおける吸光係数とは、−ｌｏｇＴｉで表される。
屈折率変動幅とは、厚さ５０ｍｍの合成石英ガラスの波
長６３２．８ｎｍにおける屈折率の最大値と最小値の差
（Δｎ）をいう。
【００２２】次に、本発明のエキシマレーザ用合成石英
ガラス部材の製造方法について説明すると、原料の有機
ケイ素化合物としては、下記一般式（１）、（２）又は
（３）で示されるシラン化合物、シロキサン化合物が用
いられる。
ガラス部材の製造方法について説明すると、原料の有機
ケイ素化合物としては、下記一般式（１）、（２）又は
（３）で示されるシラン化合物、シロキサン化合物が用
いられる。
【００２３】 （Ｒ1）nＳｉ（ＯＲ2）4-n …（１） （式中、Ｒ1，Ｒ2は同一又は異種の脂肪族一価炭化水素
基を示し、ｎは０〜３の整数を示す。）
基を示し、ｎは０〜３の整数を示す。）
【００２４】
【化１】 （式中、Ｒ3は水素原子又は脂肪族一価炭化水素基を示
し、ｍは１以上，特に１又は２である。また、ｐは３〜
５の整数である。）
し、ｍは１以上，特に１又は２である。また、ｐは３〜
５の整数である。）
【００２５】ここで、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3の脂肪族一価炭化
水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜４のア
ルキル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜６のシクロ
アルキル基、ビニル基、アリル基等の炭素数２〜４のア
ルケニル基等が挙げられる。
水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜４のア
ルキル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜６のシクロ
アルキル基、ビニル基、アリル基等の炭素数２〜４のア
ルケニル基等が挙げられる。
【００２６】具体的に上記一般式（１）で示されるシラ
ン化合物としては、Ｓｉ（ＯＣＨ3）4、Ｓｉ（ＯＣＨ2
ＣＨ3）4、ＣＨ3Ｓｉ（ＯＣＨ3）3等が挙げられ、一般
式（２），（３）で示されるシロキサン化合物として
は、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルシクロト
リシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、
デカメチルシクロペンタシロキサンが挙げられる。
ン化合物としては、Ｓｉ（ＯＣＨ3）4、Ｓｉ（ＯＣＨ2
ＣＨ3）4、ＣＨ3Ｓｉ（ＯＣＨ3）3等が挙げられ、一般
式（２），（３）で示されるシロキサン化合物として
は、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルシクロト
リシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、
デカメチルシクロペンタシロキサンが挙げられる。
【００２７】そして、酸水素火炎を形成する石英製バー
ナーに原料のシラン又はシロキサン化合物、水素、一酸
化炭素、メタン、プロパン等の可燃性ガス、酸素等の支
燃性ガスの各々を供給する際に、シラン又はシロキサン
化合物と酸素との混合比を酸素量論量の少なくとも２倍
モル以上に調整することにより、エキシマレーザ、特に
はＡｒＦエキシマレーザのように高エネルギーレーザを
照射した時に生じる構造欠陥や波長２１５ｎｍに吸収帯
を有するＥ’センター（Ｓｉ・）起因の吸収を抑制でき
る。
ナーに原料のシラン又はシロキサン化合物、水素、一酸
化炭素、メタン、プロパン等の可燃性ガス、酸素等の支
燃性ガスの各々を供給する際に、シラン又はシロキサン
化合物と酸素との混合比を酸素量論量の少なくとも２倍
モル以上に調整することにより、エキシマレーザ、特に
はＡｒＦエキシマレーザのように高エネルギーレーザを
照射した時に生じる構造欠陥や波長２１５ｎｍに吸収帯
を有するＥ’センター（Ｓｉ・）起因の吸収を抑制でき
る。
【００２８】ここで、エキシマレーザ用合成石英ガラス
部材を製造する装置は、竪型又は横型のいずれも使用す
ることができるが、横型の装置を用いる場合は、シラン
化合物と酸素との混合比は酸素量論量の２倍モル以上、
特に２．５〜３．０倍モルの範囲であることが好まし
い。
部材を製造する装置は、竪型又は横型のいずれも使用す
ることができるが、横型の装置を用いる場合は、シラン
化合物と酸素との混合比は酸素量論量の２倍モル以上、
特に２．５〜３．０倍モルの範囲であることが好まし
い。
【００２９】一方、合成石英ガラス部材の径が、自重も
加わって、２００ｍｍφ以上の大口径品のものが得やす
い竪型の装置においては、バーナーのノズルサイズが大
口径となるため、バーナー中心のノズルに供給するシラ
ン化合物と酸素との混合比は３倍モル以上、特に３．５
〜４．０倍モルの範囲であることが好ましい。
加わって、２００ｍｍφ以上の大口径品のものが得やす
い竪型の装置においては、バーナーのノズルサイズが大
口径となるため、バーナー中心のノズルに供給するシラ
ン化合物と酸素との混合比は３倍モル以上、特に３．５
〜４．０倍モルの範囲であることが好ましい。
【００３０】シラン化合物と酸素との混合比が２倍モル
に満たない場合には、波長２１５ｎｍでの吸光係数が
０．００３ｃｍ-1を超えてしまうため、１９３ｎｍでの
透過率変化も０．００２ｃｍ-1を上回ることになる。
に満たない場合には、波長２１５ｎｍでの吸光係数が
０．００３ｃｍ-1を超えてしまうため、１９３ｎｍでの
透過率変化も０．００２ｃｍ-1を上回ることになる。
【００３１】また、バーナーに供給するシラン又はシロ
キサン化合物、水素が必要とする酸素量論量に対する実
酸素量とのモル比は０．６〜１．３、特に０．７〜０．
９の範囲とすることが好ましい。これにより、合成石英
ガラス部材中に含有される水素分子含有量を５×１０17
分子数／ｃｍ3以上に保つことが可能になり、エキシマ
レーザ照射時の長期的安定性（透過率変化抑制）を十分
維持できる。上記比が０．６未満の場合、シリカ微粒子
の堆積・溶融面の温度が低下してシリカの成長が困難に
なり、レーザ照射初期の波長２１５ｎｍでの吸光係数が
０．００３ｃｍ -1を超えてしまう結果、波長１９３ｎｍ
での透過率変化が吸光係数で０．００２ｃｍ-1を超える
こととなる。上記比が１．３を超える場合、水素分子含
有量が５×１０17分子数／ｃｍ3未満になり、エキシマ
レーザ照射中の長期的安定性が維持できなくなる。
キサン化合物、水素が必要とする酸素量論量に対する実
酸素量とのモル比は０．６〜１．３、特に０．７〜０．
９の範囲とすることが好ましい。これにより、合成石英
ガラス部材中に含有される水素分子含有量を５×１０17
分子数／ｃｍ3以上に保つことが可能になり、エキシマ
レーザ照射時の長期的安定性（透過率変化抑制）を十分
維持できる。上記比が０．６未満の場合、シリカ微粒子
の堆積・溶融面の温度が低下してシリカの成長が困難に
なり、レーザ照射初期の波長２１５ｎｍでの吸光係数が
０．００３ｃｍ -1を超えてしまう結果、波長１９３ｎｍ
での透過率変化が吸光係数で０．００２ｃｍ-1を超える
こととなる。上記比が１．３を超える場合、水素分子含
有量が５×１０17分子数／ｃｍ3未満になり、エキシマ
レーザ照射中の長期的安定性が維持できなくなる。
【００３２】なお、シラン化合物、水素等の可燃性ガ
ス、酸素等の支燃性ガスを供給するバーナーは、通常と
同様に、中心部が多重管、特に三重管又は五重管バーナ
ーが用いられる。
ス、酸素等の支燃性ガスを供給するバーナーは、通常と
同様に、中心部が多重管、特に三重管又は五重管バーナ
ーが用いられる。
【００３３】このような方法により製造されたエキシマ
レーザ用合成石英ガラス部材は、ＡｒＦエキシマレーザ
をエネルギー密度２ｍＪ／ｃｍ2／パルス、２００Ｈ
ｚ、４×１０4ショットの条件下で照射した後における
波長２１５ｎｍの吸光係数を０．００３ｃｍ-1以下にす
ることができ、波長１９３ｎｍでの透過率変化を吸光係
数で０．００２ｃｍ-1以下に抑えることが可能になる。
これは、波長２１５ｎｍでの吸収帯は、波長１９３ｎｍ
の領域まで吸収帯の裾がかかるため、透過率変化に繋が
ることによる。なお、吸収スペクトルの解析によると、
１９３ｎｍの吸光係数は２１５ｎｍの吸光係数の６０％
程度であるので、２１５ｎｍの吸光係数に０．６を乗じ
ることにより求められる。
レーザ用合成石英ガラス部材は、ＡｒＦエキシマレーザ
をエネルギー密度２ｍＪ／ｃｍ2／パルス、２００Ｈ
ｚ、４×１０4ショットの条件下で照射した後における
波長２１５ｎｍの吸光係数を０．００３ｃｍ-1以下にす
ることができ、波長１９３ｎｍでの透過率変化を吸光係
数で０．００２ｃｍ-1以下に抑えることが可能になる。
これは、波長２１５ｎｍでの吸収帯は、波長１９３ｎｍ
の領域まで吸収帯の裾がかかるため、透過率変化に繋が
ることによる。なお、吸収スペクトルの解析によると、
１９３ｎｍの吸光係数は２１５ｎｍの吸光係数の６０％
程度であるので、２１５ｎｍの吸光係数に０．６を乗じ
ることにより求められる。
【００３４】更に、得られた合成石英ガラス部材は、ア
ニール処理を行うことが好ましい。アニール処理は、真
空又はアルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス雰囲
気中で１５００℃、好ましくは１８００℃以上に加熱し
て所望の形状に成型する。そして、この成型物を１１０
０〜１２５０℃、好ましくは１１５０〜１２００℃に加
熱し、６００℃の温度になるまで０．１℃／分以下の降
温速度で徐冷することにより、光学的に高均質なエキシ
マレーザ用合成石英ガラス部材を得ることができる。
ニール処理を行うことが好ましい。アニール処理は、真
空又はアルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス雰囲
気中で１５００℃、好ましくは１８００℃以上に加熱し
て所望の形状に成型する。そして、この成型物を１１０
０〜１２５０℃、好ましくは１１５０〜１２００℃に加
熱し、６００℃の温度になるまで０．１℃／分以下の降
温速度で徐冷することにより、光学的に高均質なエキシ
マレーザ用合成石英ガラス部材を得ることができる。
【００３５】なお、本発明のエキシマレーザ用合成石英
ガラス部材の製造方法においては、必要に応じて、均質
化処理を行うことができる。合成石英ガラス部材の径が
２００ｍｍφ以上の大口径品のものが得やすい竪型の装
置においては、インゴット径が大口径であるため、溶融
面に成長するシリカの一層当たりの厚みが薄くなり、光
学的に均質なものが得やすいことで、特に均質化処理は
必要ないが、横型の装置においては均質化処理を行うこ
とが好ましい。
ガラス部材の製造方法においては、必要に応じて、均質
化処理を行うことができる。合成石英ガラス部材の径が
２００ｍｍφ以上の大口径品のものが得やすい竪型の装
置においては、インゴット径が大口径であるため、溶融
面に成長するシリカの一層当たりの厚みが薄くなり、光
学的に均質なものが得やすいことで、特に均質化処理は
必要ないが、横型の装置においては均質化処理を行うこ
とが好ましい。
【００３６】均質化処理は、合成石英ガラス部材を１６
００℃、好ましくは１７００℃以上の温度下で、せん断
力を与えて均質化することにより行われ、その結果、三
方向において脈理を有しない高均質な合成石英ガラスを
得ることができる。
００℃、好ましくは１７００℃以上の温度下で、せん断
力を与えて均質化することにより行われ、その結果、三
方向において脈理を有しない高均質な合成石英ガラスを
得ることができる。
【００３７】このようにして得られた合成石英ガラス
は、ステッパーの照明系レンズ、投影光学用レンズ、窓
材、ミラー、ビームスプリッター、プリズム等のほか、
レチクル用基板等のフォトマスク用合成石英ガラス基板
に用いられる。
は、ステッパーの照明系レンズ、投影光学用レンズ、窓
材、ミラー、ビームスプリッター、プリズム等のほか、
レチクル用基板等のフォトマスク用合成石英ガラス基板
に用いられる。
【００３８】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００３９】［実施例１］原料としてメチルトリメトキ
シシランを石英製バーナーに供給し、酸水素炎にて酸化
又は燃焼分解させてシリカ微粒子を生成させ、これを回
転している石英製ターゲット上に堆積すると同時に溶融
ガラス化して合成石英ガラス部材を得た。
シシランを石英製バーナーに供給し、酸水素炎にて酸化
又は燃焼分解させてシリカ微粒子を生成させ、これを回
転している石英製ターゲット上に堆積すると同時に溶融
ガラス化して合成石英ガラス部材を得た。
【００４０】この場合、図１に示したように、回転する
支台１上に石英ガラス製ターゲット２を取り付ける一
方、原料蒸発器３内に入れたメチルトリメトキシシラン
４にアルゴンガス５を導入し、このアルゴンガス５にメ
チルトリメトキシシラン４の蒸気を随伴させ、かつこれ
に酸素ガス６を混合した混合ガスを石英製バーナー７の
中心ノズルに供給すると共に、このバーナー７には、更
に上記混合ガスを中心にして順次内側から外側に酸素ガ
ス８、水素ガス９、水素ガス１０、酸素ガス１１を供給
し、バーナー７から上記原料メチルトリメトキシシラ
ン、酸水素火炎１２をターゲット２に向けて噴出して、
シリカ微粒子１３をターゲット２に堆積させ、同時に溶
融透明ガラス化させて合成石英ガラス１４を得た。な
お、この時の各々のガス流量バランスを図１に示す。
支台１上に石英ガラス製ターゲット２を取り付ける一
方、原料蒸発器３内に入れたメチルトリメトキシシラン
４にアルゴンガス５を導入し、このアルゴンガス５にメ
チルトリメトキシシラン４の蒸気を随伴させ、かつこれ
に酸素ガス６を混合した混合ガスを石英製バーナー７の
中心ノズルに供給すると共に、このバーナー７には、更
に上記混合ガスを中心にして順次内側から外側に酸素ガ
ス８、水素ガス９、水素ガス１０、酸素ガス１１を供給
し、バーナー７から上記原料メチルトリメトキシシラ
ン、酸水素火炎１２をターゲット２に向けて噴出して、
シリカ微粒子１３をターゲット２に堆積させ、同時に溶
融透明ガラス化させて合成石英ガラス１４を得た。な
お、この時の各々のガス流量バランスを図１に示す。
【００４１】なお、合成石英ガラスインゴットのサイズ
は１４０ｍｍφ×５００ｍｍＬであった。この合成石英
ガラス部材に対し処理Ａを行った結果を表１に示す。
は１４０ｍｍφ×５００ｍｍＬであった。この合成石英
ガラス部材に対し処理Ａを行った結果を表１に示す。
【００４２】〔処理Ａ〕合成石英ガラスインゴットをア
ルゴンガス雰囲気中、−２００Ｔｏｒｒで１７５０℃ま
で昇温し、１時間保持して、２５０ｍｍφ×１５７ｍｍ
Ｌの成型体を得た。次に、大気中雰囲気下で１１５０℃
まで昇温後、１００時間保持した後、６００℃の温度に
なるまで０．１℃／ｍｉｎ以下の降温速度で徐冷した。
ルゴンガス雰囲気中、−２００Ｔｏｒｒで１７５０℃ま
で昇温し、１時間保持して、２５０ｍｍφ×１５７ｍｍ
Ｌの成型体を得た。次に、大気中雰囲気下で１１５０℃
まで昇温後、１００時間保持した後、６００℃の温度に
なるまで０．１℃／ｍｉｎ以下の降温速度で徐冷した。
【００４３】［実施例２］表１に示す条件下、処理Ａの
代わりに下記の処理Ｂを行った以外は、実施例１と同様
に行った結果を表１に示す。
代わりに下記の処理Ｂを行った以外は、実施例１と同様
に行った結果を表１に示す。
【００４４】〔処理Ｂ〕合成石英ガラスインゴットの両
端部に石英ガラス製の支持棒を取り付け、旋盤のチャッ
クに固定した。プロパンガスバーナーにより、上記の棒
状合成石英ガラス部材を加熱し、旋盤を回転させ、棒状
合成石英ガラス部材の軟化部分にせん断を与えた。この
時の作業温度は約２０００℃であった。その後、上記の
処理Ａを実施した。
端部に石英ガラス製の支持棒を取り付け、旋盤のチャッ
クに固定した。プロパンガスバーナーにより、上記の棒
状合成石英ガラス部材を加熱し、旋盤を回転させ、棒状
合成石英ガラス部材の軟化部分にせん断を与えた。この
時の作業温度は約２０００℃であった。その後、上記の
処理Ａを実施した。
【００４５】上記処理Ａ及び処理Ｂにより得られた合成
石英ガラス部材から、サイズ２００ｍｍφ×１００ｍｍ
を切り出し、ＺｙｇｏＭａｒｋＩＶ（Ｚｙｇｏ社製）に
よる検査を行った結果、三方向に脈理を有さず、屈折率
変動幅も１×１０-6以下であり、複屈折は１ｎｍ／ｃｍ
以下であった（型式ＡＢＲ−１０Ａ，ユニオプト社
製）。
石英ガラス部材から、サイズ２００ｍｍφ×１００ｍｍ
を切り出し、ＺｙｇｏＭａｒｋＩＶ（Ｚｙｇｏ社製）に
よる検査を行った結果、三方向に脈理を有さず、屈折率
変動幅も１×１０-6以下であり、複屈折は１ｎｍ／ｃｍ
以下であった（型式ＡＢＲ−１０Ａ，ユニオプト社
製）。
【００４６】次に、紫外線照射に対する常磁性欠陥の生
成を調査するため、サンプルとして一部（１０×１０×
４０ｍｍ）を切り出し、鏡面に研摩加工した。このガラ
ス体の１９３ｎｍにおける初期透過率（型式Ｃａｒｙ４
００，バリアン社製）を測定した。また、このガラス体
にＡｒＦエキシマレーザ（型式ＬＰＸ−２００，ラムダ
フィジック社製）を２ｍＪ／ｃｍ2／パルス、２００Ｈ
ｚの照射条件にて４×１０4ショット照射し、波長２１
５ｎｍでの吸光係数を測定した。なお、２１５ｎｍでの
吸光係数の測定は、図４で示される装置により行い、２
１５ｎｍの吸光係数は−ｌｏｇ（１ｃｍ当たりの内部透
過率）を用いて計算した。ここで、上記内部透過率と
は、見掛け透過率を理論透過率で除した数値である。次
に、吸光係数の変化の測定方法について説明する。図４
は、透過率変化測定装置の概略図で、ａはエキシマレー
ザで、ラムダフィジック社製ＬＰＸ２０００を用い、パ
ルス当たりのエネルギー密度１５０ｍＪ／ｃｍ2／パル
ス，１００Ｈｚにて、各試料ｂのレーザ照射面に直角に
レーザ照射を行うように構成している。透過率測定装置
は、紫外線の光源としてＤ２ランプｃ、その光を２１５
ｎｍに分光する第１のモノクロメータｇ、ビームスプリ
ッターｄを介して入射光の光量を測定するための第１の
ホトマルｅ、及び試料ｂを挟んで第２のモノクロメータ
ｈ及び透過してくる光量を測定するためのホトマルｆに
よって構成されている。Ｄ２ランプｃより照射された光
は、ビームスプリッターｄを介して一部ホトマルｅに入
射すると共に、他の光はモノクロメータｇにより２１５
ｎｍに分光され、試料ｂ、モノクロメータｈを経てホト
マルｆに受光され、ホトマルｅとｆの受光比により透過
率が測定できる。ここでホトマルｅ，ｆの受光量の計測
は、エキシマレーザの発振パルスと同期しているため
に、レーザ照射を行いながら同時に透過率の測定が行え
る。その結果を表１及び図２，３に示す。
成を調査するため、サンプルとして一部（１０×１０×
４０ｍｍ）を切り出し、鏡面に研摩加工した。このガラ
ス体の１９３ｎｍにおける初期透過率（型式Ｃａｒｙ４
００，バリアン社製）を測定した。また、このガラス体
にＡｒＦエキシマレーザ（型式ＬＰＸ−２００，ラムダ
フィジック社製）を２ｍＪ／ｃｍ2／パルス、２００Ｈ
ｚの照射条件にて４×１０4ショット照射し、波長２１
５ｎｍでの吸光係数を測定した。なお、２１５ｎｍでの
吸光係数の測定は、図４で示される装置により行い、２
１５ｎｍの吸光係数は−ｌｏｇ（１ｃｍ当たりの内部透
過率）を用いて計算した。ここで、上記内部透過率と
は、見掛け透過率を理論透過率で除した数値である。次
に、吸光係数の変化の測定方法について説明する。図４
は、透過率変化測定装置の概略図で、ａはエキシマレー
ザで、ラムダフィジック社製ＬＰＸ２０００を用い、パ
ルス当たりのエネルギー密度１５０ｍＪ／ｃｍ2／パル
ス，１００Ｈｚにて、各試料ｂのレーザ照射面に直角に
レーザ照射を行うように構成している。透過率測定装置
は、紫外線の光源としてＤ２ランプｃ、その光を２１５
ｎｍに分光する第１のモノクロメータｇ、ビームスプリ
ッターｄを介して入射光の光量を測定するための第１の
ホトマルｅ、及び試料ｂを挟んで第２のモノクロメータ
ｈ及び透過してくる光量を測定するためのホトマルｆに
よって構成されている。Ｄ２ランプｃより照射された光
は、ビームスプリッターｄを介して一部ホトマルｅに入
射すると共に、他の光はモノクロメータｇにより２１５
ｎｍに分光され、試料ｂ、モノクロメータｈを経てホト
マルｆに受光され、ホトマルｅとｆの受光比により透過
率が測定できる。ここでホトマルｅ，ｆの受光量の計測
は、エキシマレーザの発振パルスと同期しているため
に、レーザ照射を行いながら同時に透過率の測定が行え
る。その結果を表１及び図２，３に示す。
【００４７】［比較例］表１に示す条件下、比較例１，
２については処理Ｂを、比較例３については処理Ａを行
った。結果を表１に示す。
２については処理Ｂを、比較例３については処理Ａを行
った。結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、光透過率変化の少ない
エキシマレーザ用合成石英ガラス部材を製造することが
できる。
エキシマレーザ用合成石英ガラス部材を製造することが
できる。
【図１】合成石英ガラスの製造装置の一例を示す概略図
である。
である。
【図２】バーナー中心部の原料シランと酸素との混合比
と石英ガラスの透過率変化との関係を示すグラフであ
る。
と石英ガラスの透過率変化との関係を示すグラフであ
る。
【図３】ＡｒＦエキシマレーザ照射による２１５ｎｍの
吸光係数変化を示すグラフである。
吸光係数変化を示すグラフである。
【図４】２１５ｎｍでの吸光係数の測定に用いた装置の
概略図である。
概略図である。
【符号の説明】 １ 支台 ２ 石英ガラス製ターゲット ３ 原料蒸発器 ４ メチルトリメトキシシラン ５ アルゴンガス ６ 酸素ガス ７ バーナー ８ 酸素ガス ９ 水素ガス １０ 水素ガス １１ 酸素ガス １２ 酸水素火炎 １３ シリカ微粒子 １４ 合成石英ガラス
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年７月１４日（２０００．７．１
４）
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】この場合、図１に示したように、回転する
支台１上に石英ガラス製ターゲット２を取り付ける一
方、原料蒸発器３内に入れたメチルトリメトキシシラン
４にアルゴンガス５を導入し、このアルゴンガス５にメ
チルトリメトキシシラン４の蒸気を随伴させ、かつこれ
に酸素ガス６を混合した混合ガスを石英製バーナー７の
中心ノズルに供給すると共に、このバーナー７には、更
に上記混合ガスを中心にして順次内側から外側に酸素ガ
ス８、水素ガス９、水素ガス１０、酸素ガス１１を供給
し、バーナー７から上記原料メチルトリメトキシシラ
ン、酸水素火炎１２をターゲット２に向けて噴出して、
シリカ微粒子１３をターゲット２に堆積させ、同時に溶
融透明ガラス化させて合成石英ガラス１４を得た。な
お、この時の各々のガス流量バランスを表１に示す。
支台１上に石英ガラス製ターゲット２を取り付ける一
方、原料蒸発器３内に入れたメチルトリメトキシシラン
４にアルゴンガス５を導入し、このアルゴンガス５にメ
チルトリメトキシシラン４の蒸気を随伴させ、かつこれ
に酸素ガス６を混合した混合ガスを石英製バーナー７の
中心ノズルに供給すると共に、このバーナー７には、更
に上記混合ガスを中心にして順次内側から外側に酸素ガ
ス８、水素ガス９、水素ガス１０、酸素ガス１１を供給
し、バーナー７から上記原料メチルトリメトキシシラ
ン、酸水素火炎１２をターゲット２に向けて噴出して、
シリカ微粒子１３をターゲット２に堆積させ、同時に溶
融透明ガラス化させて合成石英ガラス１４を得た。な
お、この時の各々のガス流量バランスを表１に示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５Ｄ (72)発明者 代田 和雄 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28−１ 信越化学工業株式会社合成技術研究所内 (72)発明者 藤ノ木 朗 福島県郡山市田村町金屋字川久保88 信越 石英株式会社石英技術研究所内 Ｆターム(参考） 2H095 BA07 BC27 4G014 AH11 AH12 4G062 AA04 BB02 CC07 MM02 NN01 5F046 BA05 CB02 CB10 CB12 CB17 CB19
Claims (6)
- 【請求項１】 （ｉ）ＡｒＦエキシマレーザを２ｍＪ／
ｃｍ2／パルスで４×１０4ショット照射したときの波長
１９３ｎｍにおける透過率変化が吸光係数で０．００２
ｃｍ-1以下、（ｉｉ）１９３ｎｍでの初期透過率が９
９．６％以上、（ｉｉｉ）水素分子含有量が５×１０17
分子数／ｃｍ3以上、（ｉｖ）屈折率変動幅が１×１０
-6以下、（ｖ）複屈折が１ｎｍ／ｃｍ以下であることを
特徴とするエキシマレーザ用合成石英ガラス部材。 - 【請求項２】 エキシマレーザがＡｒＦエキシマレーザ
であることを特徴とする請求項１記載のエキシマレーザ
用合成石英ガラス部材。 - 【請求項３】 エキシマレーザ用合成石英ガラス部材が
フォトマスク用合成石英ガラス基板であることを特徴と
する請求項１又は２記載のエキシマレーザ用合成石英ガ
ラス部材。 - 【請求項４】 有機ケイ素化合物から酸水素火炎によっ
て合成石英ガラスを製造するに際し、バーナー中心のノ
ズルに供給する際の有機ケイ素化合物と酸素との混合比
を酸素量論量の２倍モル以上とすることを特徴とする請
求項１乃至３のいずれか１項記載のエキシマレーザ用合
成石英ガラス部材の製造方法。 - 【請求項５】 有機ケイ素化合物から酸水素火炎によっ
て合成石英ガラスを製造するに際し、バーナー中心のノ
ズルに供給する際の有機ケイ素化合物と酸素との混合比
を酸素量論量の２倍モル以上とし、得られた合成石英ガ
ラス部材をアニール処理することを特徴とする請求項１
乃至３のいずれか１項記載のエキシマレーザ用合成石英
ガラス部材の製造方法。 - 【請求項６】 有機ケイ素化合物から酸水素火炎によっ
て合成石英ガラスを製造するに際し、バーナー中心のノ
ズルに供給する際の有機ケイ素化合物と酸素との混合比
を酸素量論量の２倍モル以上とし、得られた合成石英ガ
ラス部材を更に均質化した後、アニール処理することを
特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のエキシ
マレーザ用合成石英ガラス部材の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19335399A JP2001019465A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | エキシマレーザ用合成石英ガラス部材及びその製造方法 |
| US09/610,860 US6541405B1 (en) | 1999-07-07 | 2000-07-06 | Synthetic quartz glass member for excimer laser and method of making |
| EP00305786A EP1067096B1 (en) | 1999-07-07 | 2000-07-07 | Quartz glass members for excimer laser, and their method of manufacture |
| AT00305786T ATE372306T1 (de) | 1999-07-07 | 2000-07-07 | Quarzglaselemente für excimer-laser und verfahren zu deren herstellung |
| DE60036252T DE60036252T2 (de) | 1999-07-07 | 2000-07-07 | Quarzglaselemente für Excimer-Laser und Verfahren zu deren Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19335399A JP2001019465A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | エキシマレーザ用合成石英ガラス部材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001019465A true JP2001019465A (ja) | 2001-01-23 |
Family
ID=16306505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19335399A Pending JP2001019465A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | エキシマレーザ用合成石英ガラス部材及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6541405B1 (ja) |
| EP (1) | EP1067096B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001019465A (ja) |
| AT (1) | ATE372306T1 (ja) |
| DE (1) | DE60036252T2 (ja) |
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| US7232778B2 (en) | 2001-12-11 | 2007-06-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic quartz glass ingot, synthetic quartz glass, and methods of manufacture thereof |
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| US6317209B1 (en) | 1999-12-09 | 2001-11-13 | Corning Incorporated | Automated system for measurement of an optical property |
| JP3865039B2 (ja) * | 2000-08-18 | 2007-01-10 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラスの製造方法および合成石英ガラス並びに合成石英ガラス基板 |
| CN1558875A (zh) * | 2001-09-27 | 2004-12-29 | 康宁股份有限公司 | 内透射率高并且双折射低的熔凝硅石 |
| US20040162211A1 (en) * | 2001-09-27 | 2004-08-19 | Domey Jeffrey J. | Fused silica having high internal transmission and low birefringence |
| US6761951B2 (en) | 2001-12-11 | 2004-07-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic quartz glass blank |
| JP4017863B2 (ja) | 2001-12-18 | 2007-12-05 | 信越石英株式会社 | アニール炉及び光学用合成石英ガラスの製造方法 |
| EP1340723B1 (de) * | 2002-03-01 | 2010-08-11 | Schott AG | Verfahren zu Herstellung von Quarzglas und einer Quarzglasvorform |
| AU2003221105A1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-10-08 | Nikon Corporation | Synthetic quartz glass member and process for producing the same |
| JP2005255423A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Asahi Glass Co Ltd | 合成石英ガラス製フォトマスク基板およびフォトマスク |
| JP2008063181A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エキシマレーザー用合成石英ガラス基板及びその製造方法 |
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| ATE116448T1 (de) | 1989-06-09 | 1995-01-15 | Heraeus Quarzglas | Optische teile und rohlinge aus synthetischem siliziumdioxidglas und verfahren zu ihrer herstellung. |
| JP2881930B2 (ja) * | 1990-03-28 | 1999-04-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 光伝送用石英ガラスの製造方法 |
| JP3114979B2 (ja) | 1990-04-05 | 2000-12-04 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス部材およびその製造方法 |
| JP3007510B2 (ja) | 1993-04-27 | 2000-02-07 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス部材の製造方法 |
| DE69806672T2 (de) | 1997-04-08 | 2003-03-20 | Shinetsu Quartz Prod | Optisches synthetisches Quarzglas, Herstellungsverfahren davon, und optisches Element für Excimer-Laser mit dem synthetischen Quarzglas |
| TW440548B (en) | 1997-05-14 | 2001-06-16 | Nippon Kogaku Kk | Synthetic silica glass optical member and method of manufacturing the same |
| US6143676A (en) * | 1997-05-20 | 2000-11-07 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Synthetic silica glass used with uv-rays and method producing the same |
| EP0978487A3 (en) | 1998-08-07 | 2001-02-21 | Corning Incorporated | Sealed, nozzle-mix burners for silica deposition |
| ATE303978T1 (de) | 1998-12-28 | 2005-09-15 | Pirelli & C Spa | Verfahren zur herstellen von siliciumdioxyd durch zersetzung eines organosilans |
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1999
- 1999-07-07 JP JP19335399A patent/JP2001019465A/ja active Pending
-
2000
- 2000-07-06 US US09/610,860 patent/US6541405B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-07 EP EP00305786A patent/EP1067096B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-07 AT AT00305786T patent/ATE372306T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-07-07 DE DE60036252T patent/DE60036252T2/de not_active Expired - Lifetime
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