JP2000509560A - マルチチップモジュール - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、支持基板を有するマルチチップモジュールに関し、この支持基板の実装側にはIC構成素子および別の電子構成部材が設けられている。これらIC構成素子および別の電子構成部材は導電接続を介して相互に接続されている。電気スルー線路が支持基板の実装側から裏側へ導かれており、裏側でマルチチップモジュールの接続のために、構成群支持体に配置されたハンダ接点と接続されている。本発明では、マルチチップモジュール表側の導体路密度を低減し、支持基板の必要な層数を低減するために、それぞれIC構成素子と支持基板との間に支持部材を配属することが提案される。この支持部材は導体路および構成素子を有し、これらの素子は第1の端子面を介してそれぞれのIC構成素子と接続され、また第2の端子面を介して支持基板の端子と接続される。
Description
【発明の詳細な説明】
マルチチップモジュール
従来の技術
本発明は、請求項1の上位概念によるマルチチップモジュールから出発する。
マルチチップモジュールは支持基板からなり、この支持基板には複数のケーシ
ング無しIC構成素子および別の電子構成素子、例えばSMD構成素子が設けら
れる。脆弱な構成素子を環境の影響から保護するためにカバーまたはキャップが
支持基板に設けられる。支持基板は通常、多層導体基板または多層セラミックと
して構成されており、これによりIC構成素子および別の電子構成素子を支持基
板の複数の層を介して相互に接続することができる。マルチチップモジュールの
電気端子はスルー接点を介して支持基板の裏側に設けられたハンダ接点と接続さ
れている。ハンダ接点は有利にはハンダ***部の形態に構成されており、マルチ
チップモジュールを機械的および電気的に、相応に配向された構成群支持体の接
触面に接続するため用いる。実装側として設けられたマルチチップモジュールの
表側に設けられたIC構成素子は多数の端子を有し、この端子はマルチチップモ
ジュールの表側で導体路と接続されている。この目的のために、IC構成素子は
モジュールの表側に接着されるか、または他の適切な手段で被着され、ボンドワ
イヤを介しておづたい炉に集積された端子と接続される。電気的ノイズ信号のク
ロストークを抑圧するためにさらに、ボンドワイヤと接続されたIC構成素子の
個々の接続導体路に離散抵抗を接続することが公知である。この抵抗はマルチチ
ップモジュールに、それぞれのIC構成素子を設けるために必要な面の外側で設
けなければならない。この従来技術の欠点は、IC構成素子を設けるために必要
なマルチチップモジュールの面積がIC構成素子の基本面積よりも大きくなけれ
ばならないことである。これは、モジュール表側の回路部分と個々の構成素子が
ICの取付中に損傷するのを回避するためである。この面には小さな導体路およ
び構成素子、例えば抵抗しか設けられないので、マルチチップモジュールの表側
を相応に拡大し、所要のすべての構成素子および導体路を表側に設けることがで
きるようにしなければならない。マルチチップモジュールが複数のICを有し、
それらICの各々が個別に多数の端子を有していて、これらの端子をノイズ除去
抵抗と接続しなければならない場合、マルチチップモジュール表側での必要面積
は非常に増大する。このことは欠点として製造コストおよびモジュールの大きさ
に影響する。さらにノイズ信号を抑圧するために設けられた離散抵抗素子とその
電気接続部もマルチチップモジュールの実装側で比較
的大きな面積を必要とする。とりわけ欠点となるのは、ノイズ除去のために設け
られた抵抗を備えたIC構成素子の電気接続が多数あるため、支持基板の層数を
増やさなければならないことである。このことはまた導体路レイアウトの設計を
困難にし、製造コストに欠点として作用する。
発明の利点
これに対して請求項1の構成を有する本発明のマルチチップモジュールは、モ
ジュールの各IC構成素子と支持基板との間に支持部材を設け、この支持部材に
構成素子および導体路ワイヤの一部を設けることができるという利点を有する。
支持部材は支持基板の製造方法に依存しないで製造することができるから、適切
な製造方法を選択することにより微細な導体路構造体およびサイズの小さな構成
素子を支持部材に設けることができる。このことによって支持基板表側のスペー
スが節約され、さらに支持基板で必要な層数が低減される。これによりモジュー
ルの製造コストを低減することができる。
本発明の別の構成および改善形態は従属請求項に記載されている。有利には支
持部材の基本面積を相応するIC構成素子の基本面積よりも大きくする。このよ
うにすればIC構成素子によって覆われない支持部材の部分に、支持部材に設け
られた構成素子および導体路に対する第1および第2の接続面をスペースを節約
して設け、ボンドワイヤを介してIC構成素子および端子に支持基板の実装側で
接続することができる。支持部材はIC構成素子と共に支持基板の実装側に、接
続導体路に小さな間隔で近接するように設けることができるから、従来技術で使
用されなかった、接続導体路とIC構成素子との間の面を使用することができる
。
ノイズ信号を抑圧するために必要な離散抵抗を直接、支持部材の表側に設ける
ことができるので非常に有利である。抵抗の電気接続が支持部材で行われるので
、モジュールの支持基板では抵抗およびその配線に対するスペースが必要なくな
る。
さらに支持部材としてシリコン基板を設けると有利であり、これに導体路およ
び抵抗を高精度で設けることができる。
とくに有利なのは、支持部材をセラミック基板、とりわけセラミック多層基板
として設ける。なぜならこれにより、導体路接続と個々の構成素子を比較的簡単
に支持部材の異なる層に配置することができるからである。これによって導体路
の密度と配線ワイヤ層の数が支持基板上で格段に低減される。
さらにとくに有利には、ノイズ除去のために設けられる抵抗を薄膜または硬膜
技術でセラミック支持部材に製造する。この種の構造体は非常に小さく製造する
ことができるので、これによって抵抗に対するスペー
ス需要が格段に低減される。
さらにセラミック多層基板では構成素子に容量性または誘導性機能を設けるこ
とができ、この機能は公知のようにセラミック基板に集積することができる。
有利には支持部材をIC構成素子と共にモジュールの支持基板に簡単に接着す
ることができる。IC構成素子により形成された熱をさらに良好に熱放出するた
めに熱伝導接着剤を使用することができる。
図面
本発明の実施例が図面に示されており、以下詳細に説明する。図は簡略的に縮
尺通りではなく、本発明のマルチチップモジュールの第1実施例の横断面を示す
。この実施例ではマルチチップモジュールは接着された支持部材と個々のIC構
成素子を有する。
実施例の説明
図1には、本発明のマルチチップモジュールの第1実施例が示されている。こ
こに示された実施例では、マルチチップモジュール1の支持基板2は多層導体板
からなる。実装側として設けられたモジュール1の表側3には、種々の構成素子
7が配置されており、これらの構成素子は導体路9を介して表側および導体板2
の内側層で、またスルー接点を介して公知のように相互に接続されている。マル
チチップモジュールに設けられた回路の電気端子はスルー接点6を介して導体板
2の裏側4に導かれ、そこでハンダ***体の形態のハ
ンダ接点5と接続されている。マルチチップモジュール1はハンダ***体5と共
に相応に配向された、図示しない構成分枝自体の接触面に載置され、***体とリ
フローハンダ付け法でハンダ付けされる。
多層導体板2の表側3には、構成素子7の他に複数のIC構成素子30(集積
回路)が設けられており、これらのうち図1には簡単にするため1つだけが図示
されている。IC構成素子30はプレート状の支持部材20に、チップオンボー
ド技術で取り付けられている。支持部材20も導体板2の表側3に載置されてい
る。プレート状の支持部材20は図示の実施例では、セラミック多層基板(多層
セラミック)として構成されており、絶縁された複数のセラミック層からなる。
これら層の間には導体路が設けられており、この導体路はスルー接点(Vias
)を介して相互に接続されている。導体路とスルー接点のセラミック多層基板に
おける構造的大きさは典型的には、導体板2の相応する構造的大きさよりも小さ
い。しかし他の支持基板を支持部材に対して使用することも考えられる。例えば
、シリコン基板または簡単なセラミック板を使用することも考えられる。
図1に示されたIC構成素子30は接着層31を介して多層セラミック20と
結合している。多層セラミック20もまた接着層11を介して導体板2と結合さ
れている。この接着層は熱伝導性接着剤からなる多層
セラミック20の基本面は片方の側でIC構成素子の基本面よりも大きく構成さ
れている。しかし他方の側では、多層セラミック20を導体路9の端子間で、I
C構成素子の取り付けのために設けられた領域で導体板2に接着することができ
るように小さく構成されている。IC構成素子30により覆われない、多層セラ
ミック20の表側25の部分には、端子面21と端子面22がボンドパッドの形
態で設けられてる。端子面21はボンドワイヤ23を介してIC構成素子30の
端子と接続されている。端子面22もまた別のボンドワイヤ12を介して導体路
9の端子10と接続されている。さらに表側25では第1の端子面21と第2の
端子面22との間に薄膜技術で製造された離散抵抗24が電気ノイズ信号の抑圧
のために設けられている。抵抗24は直接、または表側25に設けられた別の導
体路を介して接触面21および22と接続することができる。導体路および抵抗
は択一的に、厚膜技術でも製造することができる。さらに導体路および抵抗を表
側25かつIC構成素子の下方に設けることもできる。このことは、支持部材2
0としてただ1つの単層セラミック板を使用する場合に有利である。この場合I
C構成素子は絶縁性の接着剤により分離され、表側25に導体路および抵抗と共
に取り付けられる。支持部材20が図1に示した実施例のように多層セラミック
の場合は、導体路も多層セラミック20の0内側層に
設けられ、これらの層はスルー接点(Vias)を介して導体路および表側25
の端子面21,22に接続される。従って表側25および多層セラミック20の
内側層に、IC構成素子30と抵抗24との間の電気線路接続の大部分が設けら
れる。従って導体板2では導体路密度と層数を低減することができる。
導体路と離散抵抗24の他に、ここに図示した実施例ではさらに容量性構成素
子28と誘導性構成素子27を集積構成素子として多層セラミック20の表側2
5または内側層の1つに設けることができる。その際容量性構成素子28、例え
ばコンデンサを、個々の層に設けられ、電極として用いる導体路(この導体路は
誘電性中間相によって分離されている)に平坦に公知のように形成することがで
きる。誘導性構成素子、例えばコイルは適切な長さと形状を有する個々の導体路
によって形成することができる。
微細構造の導体路によって、抵抗24と容量性および誘導性構成素子27と2
8は、多層セラミック20の表側25および内側層に設け、並びに端子面20を
構成素子30により覆われていない、図示しない部分に設けることによって、マ
ルチチップモジュールをこれまでよりも小さくかつ安価に製造することができる
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1. 支持基板(2)を有するマルチチップモジュール(1)であって、該支持 基板の実装側(3)には少なくとも1つのIC構成素子(30)および他の電子 構成部材(7)が設けられており、 当該IC構成素子および他の電子構成部材は導電接続(9,12,23)を介 して相互に接続されており、 電気スルー線路(6)が支持基板の実装側(3)から裏側(4)に導かされて おり、かつ裏側(4)でマルチチップモジュール(1)の電気接続のために、構 成群支持体に配置されたハンダ接点(5)と接続されている形式のマルチチップ モジュールにおいて、 それぞれのIC構成素子(30)と支持基板(2)との間に支持部材(20) が配置されており、 該支持部材は導体路および/または構成素子(24,27,28)を有し、 該導体路および/または構成素子は、支持部材に配置された端子面(21)を 介してそれぞれのIC構成素子(30)と接続されており、かつ支持部材に配置 された第2の端子面(22)を介して、支持基板(2)上の端子(10)と接続 されている、 ことを特徴とするマルチチップモジュール。 2. 支持部材(20)の基本面は、少なくとも1つ のIC構成素子(30)の基本面よりも大きく構成されており、 IC構成素子(30)によって覆われていない支持部材(20)の表側(25 )には第1および第2の端子面(21,22)が設けられており、 第1の端子面(21)はボンドワイヤ(23)を介してIC構成素子(30) と電気的に接続されており、 第2の端子面(22)は別のボンドワイヤ(12)を介して、支持基板(2) の実装側(3)の端子(10)と接続されている、請求項1記載のマルチチップ モジュール。 3. 支持部材(20)の表側(25)には、電気構成素子(24)として離散 抵抗が電気の伊豆信号の抑圧のために設けられており、 当該離散抵抗は第1および第2の端子面(21,22)と電気的に接続されて いる、請求項2記載のマルチチップモジュール。 4. 支持部材(20)はシリコン基板である、請求項3記載のマルチチップモ ジュール。 5. 支持部材(20)はセラミック基板である、請求項3記載のマルチチップ モジュール。 6. 支持部材(20)はセラミック多層基板であり、該セラミック多層基板で は、導体路および構成素子(24,27,28)が、絶縁セラミック層により相 互に分離された複数の層に設けられており、 当該複数の層はスルー接点(Vias)を介して電気的に接続されている、請 求項5記載のマルチチップモジュール。 7. 抵抗(24)および導体路は薄膜技術または厚膜技術で設けられている、 請求項5または6記載のマルチチップモジュール。 8. セラミック多層基板(20)の表側(25)または内側層の1つには、誘 導性構成素子(27)および/または容量性構成素子(28)が設けられている 、請求項6記載のマルチチップモジュール。 9. 支持部材(20)は支持基板(2)に接着されている、請求項1から8ま でのいずれか1項記載のマルチチップモジュール。 10.支持部材(20)は熱伝導接着剤(11)によって支持基板(2)に接着 されている、請求項9記載のマルチチップモジュール。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007081146A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | インダクタ付半導体装置 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19830158C2 (de) * | 1997-09-30 | 2001-05-10 | Tyco Electronics Logistics Ag | Zwischenträgersubstrat mit hoher Verdrahtungsdichte für elektronische Bauelemente |
DE69937936T2 (de) * | 1998-03-27 | 2009-01-08 | Nxp B.V. | Datenträger mit einem auf leiterrahmen basierten modul mit doppelseitiger chip-abdeckung |
JP2000068007A (ja) | 1998-08-20 | 2000-03-03 | Fujitsu Takamisawa Component Ltd | ケーブル付き平衡伝送用コネクタ |
US6268660B1 (en) * | 1999-03-05 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Silicon packaging with through wafer interconnects |
US6198635B1 (en) * | 1999-05-18 | 2001-03-06 | Vsli Technology, Inc. | Interconnect layout pattern for integrated circuit packages and the like |
US6137174A (en) * | 1999-05-26 | 2000-10-24 | Chipmos Technologies Inc. | Hybrid ASIC/memory module package |
US6297551B1 (en) * | 1999-09-22 | 2001-10-02 | Agere Systems Guardian Corp. | Integrated circuit packages with improved EMI characteristics |
US6380623B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-04-30 | Hughes Electronics Corporation | Microcircuit assembly having dual-path grounding and negative self-bias |
JP4224924B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2009-02-18 | 株式会社デンソー | 指示計器の製造方法 |
JP3796099B2 (ja) * | 2000-05-12 | 2006-07-12 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用インターポーザー、その製造方法および半導体装置 |
US6448507B1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-09-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Solder mask for controlling resin bleed |
JP4780844B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2011-09-28 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
US6787926B2 (en) * | 2001-09-05 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Wire stitch bond on an integrated circuit bond pad and method of making the same |
JP3888263B2 (ja) * | 2001-10-05 | 2007-02-28 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
US6534844B1 (en) * | 2001-10-30 | 2003-03-18 | Agilent Technologies, Inc. | Integrated decoupling networks fabricated on a substrate having shielded quasi-coaxial conductors |
US6975035B2 (en) | 2002-03-04 | 2005-12-13 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for dielectric filling of flip chip on interposer assembly |
TW577153B (en) * | 2002-12-31 | 2004-02-21 | Advanced Semiconductor Eng | Cavity-down MCM package |
JP4000160B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2007-10-31 | 富士通株式会社 | プリント基板およびその製造方法 |
DE102004013733B4 (de) * | 2004-03-18 | 2006-04-06 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil in Stapelbauweise mit einem optisch aktiven Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung |
US7402442B2 (en) * | 2005-12-21 | 2008-07-22 | International Business Machines Corporation | Physically highly secure multi-chip assembly |
US7473102B2 (en) * | 2006-03-31 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Space transforming land grid array interposers |
US7863189B2 (en) * | 2007-01-05 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Methods for fabricating silicon carriers with conductive through-vias with low stress and low defect density |
US20080284037A1 (en) | 2007-05-15 | 2008-11-20 | Andry Paul S | Apparatus and Methods for Constructing Semiconductor Chip Packages with Silicon Space Transformer Carriers |
US9313874B2 (en) | 2013-06-19 | 2016-04-12 | SMART Storage Systems, Inc. | Electronic system with heat extraction and method of manufacture thereof |
FR3024506B1 (fr) * | 2014-07-30 | 2016-07-29 | Saint Gobain | Vitrage comprenant un pion et procede de fabrication du vitrage. |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4617730A (en) * | 1984-08-13 | 1986-10-21 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a chip interposer |
JPS62216259A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 混成集積回路の製造方法および構造 |
FR2611986B1 (fr) * | 1987-03-03 | 1989-12-08 | Thomson Semiconducteurs | Structure de circuit hybride complexe et procede de fabrication |
KR930010076B1 (ko) * | 1989-01-14 | 1993-10-14 | 티디케이 가부시키가이샤 | 다층혼성집적회로 |
US5200362A (en) * | 1989-09-06 | 1993-04-06 | Motorola, Inc. | Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film |
DE4108154A1 (de) * | 1991-03-14 | 1992-09-17 | Telefunken Electronic Gmbh | Elektronische baugruppe und verfahren zur herstellung von elektronischen baugruppen |
JP3461204B2 (ja) * | 1993-09-14 | 2003-10-27 | 株式会社東芝 | マルチチップモジュール |
US5490324A (en) * | 1993-09-15 | 1996-02-13 | Lsi Logic Corporation | Method of making integrated circuit package having multiple bonding tiers |
FR2716037B1 (fr) * | 1994-02-10 | 1996-06-07 | Matra Marconi Space France | Procédé pour connecter des circuits électoniques dans un module multi-puces à substrat co-cuit, et module multi-puces ainsi obtenu. |
GB2288286A (en) * | 1994-03-30 | 1995-10-11 | Plessey Semiconductors Ltd | Ball grid array arrangement |
JPH0888474A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層混成集積回路素子 |
US5729438A (en) * | 1996-06-07 | 1998-03-17 | Motorola, Inc. | Discrete component pad array carrier |
US5751555A (en) * | 1996-08-19 | 1998-05-12 | Motorola, Inc. | Electronic component having reduced capacitance |
-
1996
- 1996-08-09 DE DE19632200A patent/DE19632200C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007081146A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | インダクタ付半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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