JPH10173083A

JPH10173083A - 電子部品搭載用配線基板とその製造方法

Info

Publication number: JPH10173083A
Application number: JP8325414A
Authority: JP
Inventors: Kazue Akita; 和重秋田; Masahito Morita; 雅仁森田
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1996-12-05
Filing date: 1996-12-05
Publication date: 1998-06-26
Anticipated expiration: 2016-12-05
Also published as: JP3725949B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＩＣチップ等の電子部品を表面上に搭載す
る配線基板に関し、この表面上の電子部品搭載部分を平
坦化して電子部品を強固に固着できる配線基板とその製
造方法を提供する。【解決手段】ＩＣチップ２を搭載する表面４ａを有し、
且つ複数のセラミックからなる絶縁層４〜８と、これら
の絶縁層４〜８の間に配設されたメタライズ配線１２を
有し、上記表面４ａを有する第１の絶縁層４とこれに隣
接する第２の絶縁層５との間に配置され、且つＩＣチッ
プ２搭載部分の直下に位置するメタライズ配線１２の少
なくとも近傍、配線１２の相互間、又は配線１２の相互
間及び配線１２の近傍の何れかに、絶縁部２０を埋設し
た電子部品搭載用配線基板１。この絶縁部２０には、各
絶縁層４〜８と同種のセラミックを用いることもでき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面上に集積回路
チップ(以下、ＩＣチップともいう)、トランジスタ、コ
ンデンサ等の電子部品を搭載する配線基板とその製造方
法に関し、特にＩＣチップ等を搭載する表面を平坦にし
た配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＩＣチップを表面上に搭載する
セラミック製の配線基板は、アルミナ等からなるグリー
ンシート上にタングステン、モリブデン等の高融点金属
の導体ペーストをスクリーン印刷等して、所望の回路パ
ターンを有する導体ペースト層を設け、この導体ペース
ト層を有する複数のグリーンシートを積層し圧着した
後、焼成することにより製造されている。一方、近年に
おける小型化、薄肉化の要求に連れて、ＩＣチップ搭載
用配線基板も小型化、薄肉化に対応するため、配線の高
密度化と併せて、ＩＣチップ搭載部の下方の位置にもメ
タライズ配線による導体配線層を設ける構造とすること
がある。

【０００３】例えば、図４(Ａ)に縦断面図を示すＩＣチ
ップ搭載用配線基板５０は、複数のセラミックからなる
絶縁層５２〜５６を積層してなり、第１の絶縁層５２と
第２の絶縁層５３との間には、メタライズ配線５１が埋
設されている。上記第１の絶縁層５２上の周囲には、枠
状の絶縁層５５，５６が断面で階段状になるよう積層さ
れ、これらに囲まれた第１の絶縁層５２の表面５２ａの
図示しないメタライズ層(所謂ダイアタッチ)上には、Ｉ
Ｃチップを搭載するためのキャビティー５８が形成され
る。また、上記枠状の絶縁層５５の上面の内周寄りに
は、ＩＣチップとメタライズ配線５１等からなる導体配
線層を接続するための接続用パッド５９が所要数設けら
れている。

【０００４】ところで、このような配線基板５０を製造
した場合には、第１の絶縁層５２の表面５２ａ上には、
メタライズ配線５１が埋された位置の上方にその厚みに
起因する突起５７が生じることがある。この突起５７
は、第１の絶縁層５２が薄い程顕著に生じる傾向があ
る。そして、図４(Ｂ)に示すように、第１の絶縁層５２
の表面５２ａ上におけるＩＣチップ搭載部分に、例えば
Au−Siのプリフォームされたロウ材６２を載置し、その
上面にＩＣチップ６０を載置した後、約４００℃に加熱
してＩＣチップ６０を固着する。ところが、第１の絶縁
層５２の表面５２ａ上に前記突起５７が存在すると、上
記ＩＣチップ６０の固着時に上記突起５７間でロウ材６
２中に隙間Ｓが生じ、ＩＣチップ６０の接着が不十分と
なることがある。また、係る隙間Ｓの発生を防止するた
め、ロウ材６２等の使用量を増やす方法もあるが、コス
ト高になるという問題点があった。同様な問題は、ロウ
材のペーストや樹脂系接着剤によってＩＣチップ６０を
固着する場合にも生ずる。

【０００５】

【発明が解決すべき課題】本発明は、以上の従来技術に
おける問題点を解決し、上記ＩＣチップやその他の電子
部品の搭載部分における突起を無くすか又は低減して、
ロウ材等の使用量を増やすことなく、その内部に隙間を
生じさせないようにした電子部品搭載用配線基板とその
製造方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、電子部品の搭載部分の直下に位置するメタ
ライズ配線の近傍やその配線相互間に別の絶縁体を埋設
することにより、上記搭載部分の表面に突起が生じるこ
とを防ぐことに着想して成されたものである。即ち、本
発明の電子部品搭載用配線基板は、電子部品を搭載する
ための表面を有し、且つ複数のセラミックからなる絶縁
層と、この絶縁層の間に配設されたメタライズ配線とを
有する配線基板であって、上記表面を有する第１の絶縁
層とこれに隣接する第２の絶縁層との間に配設され、且
つ前記電子部品搭載部分の直下に位置するメタライズ配
線の少なくとも近傍、メタライズ配線相互間、又は、メ
タライズ配線相互間及びにメタライズ配線の近傍の何れ
かに、絶縁部を埋設したことを特徴とする。係る構成に
よれば、メタライズ配線の近傍や配線相互間には絶縁部
が埋設されているので、電子部品搭載部分の表面に突起
を生じず、又は極く小さくでき、電子部品を固着するた
めのロウ材等中に隙間が生じることを防止できる。

【０００７】また、前記絶縁部が、前記メタライズ配線
の第１の絶縁層側又は第２の絶縁層側の何れかを覆って
なる電子部品搭載用配線基板も含まれる。係る構成によ
れば、絶縁部とメタライズ配線との間に隙間が無くなる
ので、電子部品搭載部分の表面がより平坦になり、突起
が生じにくくなる。前記絶縁部が、前記表面上の電子部
品搭載部分の直下よりも広く埋設されてなる電子部品搭
載用配線基板も含まれる。この構成によれば、電子部品
搭載部分の表面に突起が確実に生じにくくなり、搭載部
分を含む広い表面が平坦となり、電子部品の搭載がより
容易となる。更に、前記絶縁部が前記絶縁層と同種のセ
ラミックからなる電子部品搭載用配線基板も含まれる。
係る構成によれば、第１、第２の絶縁層と同様な特性
（熱膨張率、熱伝導率）の絶縁部が得られ、基板内が同
種のセラミックにて一体的且つ強固に構成でき、製造も
容易に行うことができる。また、前記第１の絶縁層の厚
さが０.０１〜０.６５mmの範囲内である配線基板も含ま
れる。この厚さを０.０１mm以上としたのは、セラミック
の絶縁層として実質的な最小の厚さであるためであり、
０.６５mm以下としたのはこれよりも厚くなると突起が
生じにくくなる傾向が現れるためである。

【０００８】また、本発明は、以上の各配線基板を製造
する方法、即ち、焼成後に前記第１の絶縁層となるグリ
ーンシートの下面又は第２の絶縁層となるグリーンシー
トの上面に、焼成後に前記メタライズ配線となる導体ペ
ースト層を形成した後に、この導体ペースト層のうち少
なくとも前記電子部品搭載部分の直下に位置する部位を
略覆うように絶縁性ペーストを塗布し、この上方に前記
第２の絶縁層又は第１の絶縁層となるグリーンシートを
積層して焼成することを特徴とする電子部品搭載用配線
基板の製造方法も含む。この方法によれば、前記突起の
ない表面、又は極く小さくした表面を有する基板を、僅
かな工程を付加するのみで効率良く生産することができ
る。更に、上記絶縁性ペーストに含有されるセラミック
素材が、第１及び第２の絶縁層となるグリーンシートと
同種のセラミック素材である配線基板の製造方法も含ま
れる。この方法によれば、安価に製造することができ
る。また、絶縁層となるグリーンシートと同様な焼成収
縮率や熱膨張率を持たせることができるので、焼成時に
クラック等の不具合が生じることがなく、更に絶縁層と
絶縁部が一体的且つ強固に接合した配線基板とすること
ができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施に好適な形態
を図面と共に説明する。図１(Ａ)は、本発明の配線基板
１の表面上にＩＣチップ２を搭載した状態を示す斜視図
である。配線基板１は、全体が略平らな矩形状を呈し、
図１(Ｂ)に示すように、セラミックからなる複数の絶縁
層４,５,６と、絶縁層４の表面４ａの周囲に階段状に設
けられたセラミックからなる四角枠形状の絶縁層７，８
を一体に積層した本体１０を有する。各絶縁層４〜８の
間には、メタライズ配線１２等が設けられ、且つこれら
のメタライズ配線の相互間を導通するビア(図示せず)が
各絶縁層４〜８を貫通して形成されている。また、階段
状の絶縁層７の内周面上には、上記導体配線層をＩＣチ
ップ２に金属細線(図示せず)を介して導通するための接
続用パッド９が、各辺に沿って所要数設けられている。
更に、上記絶縁層７，８に囲まれてキャビティ１１が形
成される。

【００１０】例えば、ＩＣチップ２を搭載するための表
面４ａを有する第１の絶縁層４と、この下方に隣接する
第２の絶縁層５との間には、予め絶縁層５の図中上面に
設けられたメタライズ配線１２における配線１２相互間
とその近傍、及び配線１２の第１の絶縁層４側を覆って
絶縁部２０が埋設されている。尚、表面４ａのうち、キ
ャビティ１１側に露出している部分には、図示しないメ
タライズ層が形成されている。この絶縁部２０は、各絶
縁層４〜８と同種のセラミックからなり、配線１２の厚
さと略同様の厚みを有し、且つ、平面視においても、Ｉ
Ｃチップ２の搭載部分の直下よりも広く形成されてい
る。このような絶縁部２０を設けることにより、メタラ
イズ配線１２によって従来表面４ａに発生していた突起
は解消され、表面４ａは平坦なＩＣチップ搭載部分を有
するものとなる。従って、表面４ａ上にNiメッキ及びAu
メッキを施した後、例えばAu−Si系の薄板状にプリフォ
ームされたロウ材２２を載せ、その上方からＩＣチップ
２を載置して約４００℃に加熱し固着しても、その後の
ロウ材２２の内部には隙間が殆ど見られず、ＩＣチップ
２は表面４ａ上の所定の位置に所定の姿勢にて強固に固
着される。尚、絶縁部２０は、表面４ａの平坦性に影響
する第１の絶縁層４とこれに隣接する第２の絶縁層５間
の上記メタライズ配線１２付近にのみ設けられる。

【００１１】次に、配線基板１の製造方法について説明
する。前記各絶縁層４〜８を形成するため、アルミナ等
からなるグリーンシートを用意し、各絶縁層４〜８に応
じて抜き打ち加工等により所定の形状に成形する。次い
で、各グリーンシートの表面にタングステンやモリブデ
ン等の高融点金属又はそれらの合金の粉末を含む導体ペ
ーストをスクリーン印刷によって、所望の導体ペースト
層を形成する。そして、第２の絶縁層５となるグリーン
シートの上面に形成された前記導体ペースト層のうち、
ＩＣチップ搭載部分の直下の導体ペースト層上、導体ペ
ースト層相互間およびその近傍に、グリーンシートと同
様なセラミック素材を用いたアルミナ系の絶縁性ペース
トをスクリーン印刷する。すると、絶縁性ペーストが若
干流動して導体ペースト層上では薄くなり、全体に略同
じ高さを有する絶縁性ペースト層となる。

【００１２】係る各グリーンシートを所定の順序に積層
し圧着すると、上記アルミナ系絶縁性ペースト層は、第
１の絶縁層４となるグリーンシートと第２の絶縁層５と
なるグリーンシートとの間に位置する。その後、焼成す
ると各グリーンシートはセラミックの各絶縁層４〜８に
なり、上記アルミナ系絶縁性ペースト層は絶縁部２０に
なると共に、第１の絶縁層４の表面４ａが平坦となっ
た、一体のセラミックからなる配線基板１を得ることが
できる。

【００１３】ここで、本発明の配線基板の効果を従来構
造の配線基板と比較する。前記図１(Ｂ)と図４(Ａ)それ
ぞれと同様な断面構造を有する同じアルミナ質からなる
基板１，５０を用意し、第１の絶縁層４，５２の厚さを
０．２５mm、第２の絶縁層５，５３を含む他の絶縁層の
厚さを０．５mmとすると共に、第２の絶縁層５，５３上
に形成したメタライズ配線１２，５１の厚さを１５μｍ
とした。また、基板１にはメタライズ配線１２を覆うよ
うアルミナからなる絶縁部２０を１５〜２０μｍの厚さ
で埋設した。このような基板１，５０のＩＣチップ搭載
部分となる表面４ａ，５２ａにおける突起の平均高さ
は、各々２μｍと１２μｍであった。また、表面４ａ，
５２ａを有する第１の絶縁層４，５２の厚さを変化させ
て、各々の表面４ａ，５２ａにおける突起の高さを測定
した。その結果を表１に示す。尚、各データは２０個ず
つの基板１，５０を接触型表面粗さ計で測定した平均値
を示す。

【００１４】

【表１】

【００１５】表１の結果から、本発明の基板１における
突起の高さは、２〜３μｍの極く微小な範囲となったの
に対し、比較例の基板５０における突起の高さは、２〜
１５μｍの範囲となり、且つ、その第１の絶縁層５２の
厚さが薄くなる程高くなる傾向を示した。これは、両者
共に第１の絶縁層４，５２が薄い程、前記メタライズ配
線１２，５１の影響を受けやすいことによる。しかし、
本発明の基板１では第１の絶縁層４が薄くても突起の高
さは微小となるのに対し、比較例の基板５０では第１の
絶縁層５２が薄くなると急激に突起が高くなっている。
このことからも、基板１中に前記絶縁部２０を埋設する
ことによって、表面４ａが平坦化されたことが明らかで
ある。尚、第１の絶縁層４，５２が0.80mmと厚い場合、
両者共に突起の高さは２μｍと低い値なった。これは、
第１の絶縁層４，５２が前記メタライズ配線１２，５１
による影響を吸収したものと思われる。このことから、
本発明の絶縁部２０を設けてその効果が得られるのは、
第１の絶縁層４の厚さが０．６５mm以下であることも理
解される。

【００１６】尚、配線基板１の前記接続用パッド９やキ
ャビティ１１内の表面４ａの図示しないメタライズ層上
にはＮｉメッキを施した後、更にAuメッキを施す。係る
メッキが施された配線基板１のキァビティ１１内の表面
４ａ上におけるＩＣチップ２の搭載部分には、所定厚さ
のAu−Si系の薄板状のロウ材２２が載置され、その上に
ＩＣチップ２を載置した後、約４００℃に加熱してＩＣ
チップ２を固着する。その後、前記接続パッド９とＩＣ
チップ２とを金属細線を介して接続し、最後にＩＣチッ
プ２を封止するため、本体１０最上段の絶縁層８の上面
全体を覆うように金属又はセラミック製の蓋(図示せず)
が半田付け等により接着され、所謂半導体装置となる。

【００１７】ここで、本発明と従来構造の配線基板１,
５０のロウ材２２,６２中の隙間を比較する。同じ高さ
の突起を有する基板１，５０を各々について３個ずつ用
意し、前記と同じ条件で各表面４ａ，５２ａ上に一辺１
０mm角のＩＣチップ２を、厚さ２５μｍで一辺７mm角の
Au−Si系のロウ材プリフォームを用いて固着した。次い
で、これらの各ロウ材２２，６２中に存在する隙間Ｓを
超音波探査映像装置を用いて、各ロウ材２２，６２中に
全隙間Ｓが存在する面積比を空孔率として測定し、平均
値を算出した。その結果を表２に示す。

【００１８】

【表２】

【００１９】表２の結果から、本発明の基板１を用いた
場合の空孔率は５〜１０％であったのに対し、比較例の
基板５０を用いた場合の空孔率は３５〜５０％と、前者
の方が約３分の一乃至７分の一と少ない。この結果から
本発明の基板１を用いた場合、ＩＣチップ２を強固に固
着できることが容易に理解することができる。また、表
２は、基板１，５０の各表面４ａ，５２ａにおける突起
が低い程、空孔率が低いことも示しており、これからも
本発明の意義と効果が理解されよう。尚、絶縁性ペース
トの粘度やスクリーンマスク(或いはメタルマスク)の厚
さ等を調整することにより、絶縁性ペースト層による絶
縁部２０の厚みを調整することができる。

【００２０】図２(Ａ)は、図１(Ｂ)中の部分拡大図を示
し、第２の絶縁層５上面のメタライズ配線１２と絶縁部
２０のうちメタライズ配線１２の間に位置する部分の厚
さとが略同じ厚さとされており、従ってメタライズ配線
１２の頂部付近の絶縁部２０の厚さは極く薄くされて埋
設されている。一方、図２(Ｂ)に示すように、メタライ
ズ配線１２の頂部付近も比較的厚く覆うように絶縁部２
０全体をより厚くして埋設すると、第１の絶縁層４の表
面４ａを確実に平坦化することができる。但し、逆に絶
縁部２０のうちメタライズ配線１２の間に位置する部分
の厚さを、メタライズ配線１２の厚さよりもやや薄くし
ても、表面４ａ上に生じる突起を低くすることができ
る。

【００２１】また、図２(Ｃ)に示すように、メタライズ
配線１２の相互間や配線１２の近傍(図中、左端や右端
部分)にのみ絶縁性ペーストを塗布して絶縁部２０を形
成しても、同様に突起を低くし、或いは無くすことがで
きる。但し、絶縁性ペーストの印刷パターンが複雑にな
り、位置合わせが煩雑になる点で不利であるが、ペース
トの使用量を節約できる利点がある。更に、外側のメタ
ライズ配線１２がＩＣチップ搭載部分の輪郭と略一致す
る場合には、図２(Ｄ)に示すように、メタライズ配線１
２の相互間にのみ絶縁部２０を設けても良い。

【００２２】図３は、異なる形態の配線基板３０の縦断
面図を示し、前記同様の第１の絶縁層３２の下面にメタ
ライズ配線３６を形成し、これを覆うように絶縁部４０
を第１の絶縁層３２と第２の絶縁層３４との間に埋設し
たものである。即ち、第１の絶縁層３２となるグリーン
シートの下面に印刷にてメタライズ配線３６となる導体
ペースト層を形成し、これを覆うように同種のセラミッ
クの絶縁性ペーストを印刷した後、第２の絶縁層３４と
なる他のグリーンシートと積層して圧着し焼成すると、
メタライズ配線３６と絶縁部４０は、図示のように第１
の絶縁層３２と第２の絶縁層３４との間に位置した状態
となり、各絶縁層３２，３４は絶縁部４０と共に一体化
されたセラミックの配線基板３０となる。この配線基板
３０における第１の絶縁層３２の表面３３ａは、絶縁部
４０がメタライズ配線３６を覆うため平坦化される。従
って、表面３３ａ上の図示しないメタライズ層にNiメッ
キ及びAuメッキを施した後、ロウ材２２を用いてＩＣチ
ップ２を接着すると、係るロウ材２２中に隙間が少ない
強固な固着状態を得ることができる。

【００２３】尚、以上の実施の各形態においては、１つ
のＩＣチップを基板の表面に搭載するタイプの所謂シン
グルチップタイプの配線基板を例として説明したが、本
発明はこれに限定されるものではない。即ち、複数個の
ＩＣチップを固着して用いるマルチチップモジュールに
も適用することができるし、更には、トランジスタ、Ｆ
ＥＴ等の半導体素子やコンデンサ、抵抗、インダクタ、
ＳＡＷフィルタ、その他の電子部品を表面に搭載する場
合であっても良いことは明らかである。

【００２４】更に、配線基板を構成するセラミックとし
て、アルミナを主成分とするものを用いた例を示した
が、これに限定されず、例えば窒化アルミニウム(Ａｌ
Ｎ)やガラスセラミック、ムライト等、配線基板を構成
できるものであれば、特に限定されない。また、メタラ
イズ配線についても、使用するセラミックの材質に適合
したものを使用すれば良いし、例示したＭｏやＷ等の
他、Ｍｏ-Ｍｎ,Ａｇ,Ｃｕ,Ａｇ-Ｐｄ,Ａｇ-Ｐｔその他の
材質を用いても良い。

【００２５】絶縁性ペーストとして絶縁層となるグリー
ンシートと同様なアルミナ系ペーストを用い、従って絶
縁部としてもアルミナを主成分とするものとなる例を示
したが、使用する絶縁層の材質によって適宜選択すれば
良い。即ち、例えば絶縁層がＡｌＮを主体とするセラミ
ックで構成される場合には、絶縁性ペーストもＡｌＮを
主成分とするペーストを用いるのが良いが、これに限定
されず、焼成収縮、熱膨張率その他を考慮して、絶縁層
と異なる材質の絶縁性ペーストを用いることも可能であ
る。

【００２６】更に、前述した形態においては、ＩＣチッ
プをＡｕ−Ｓｉ系のロウ材で固着した場合を示したが、
これに限定されるものではなく、Ａｕ−Ｓｎ，Ａｕ−Ｇ
ｅ，Ｐｄ−Ｓｎ系等のロウ材(半田材)や、エポキシ樹脂
等の樹脂系接着剤でＩＣチップやその他の電子部品を固
着する場合においても適用できる。また、Ａｕ−Ｓｉ系
のロウ材として、プリフォームされた薄板材を用いた例
を示したが、ペースト状のロウ材(半田材)や樹脂系接着
剤を用いても良い。

【００２７】

【発明の効果】以上において説明した本発明の電子部品
搭載用配線基板によれば、第１の絶縁層の表面上におけ
る電子部品搭載部分に、突起がないか、極く低い突起の
みしかない平坦な表面を得ることができるので、ロウ材
等を用いて電子部品を固着してもこのロウ材等中の隙間
を大幅に低減でき、電子部品を強固で且つ適正な姿勢に
て搭載することができる。また、請求項４及び７の発明
によれば、絶縁部と絶縁層とが同じ種類のセラミックに
て形成でき、基板の本体自体も強固に構成することがで
きる。更に、請求項６の製造方法によれば、上記配線基
板を僅かの工程を付すのみで、確実且つ大量に生産する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(Ａ)はＩＣチップを搭載した本発明の配線基板
の斜視図、(Ｂ)は(Ａ)中のＢ−Ｂ断面図である。

【図２】(Ａ)は図１(Ｂ)中の部分拡大図、(Ｂ)乃至(Ｄ)
は異なる形態の部分拡大図である。

【図３】本発明の配線基板の異なる形態を示す縦断面図
である。

【図４】(Ａ)は従来の配線基板を示す縦断面図、(Ｂ)は
(Ａ)中の部分拡大図である。

【符号の説明】

１，３０……………………配線基板２……………………………ＩＣチップ４，３２……………………第１の絶縁層４ａ，３３ａ………………表面５，３４……………………第２の絶縁層６,７,８……………………絶縁層１２，３６…………………メタライズ配線２０，４０…………………絶縁部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子部品を搭載するための表面を有し、且
つ複数のセラミックからなる絶縁層と、この絶縁層の間
に配設されたメタライズ配線とを有する配線基板であっ
て、上記表面を有する第１の絶縁層とこれに隣接する第２の
絶縁層との間に配設され、且つ前記電子部品搭載部分の
直下に位置するメタライズ配線の少なくとも近傍、メタ
ライズ配線相互間、又は、メタライズ配線相互間及びメ
タライズ配線の近傍の何れかに、絶縁部を埋設したこと
を特徴とする電子部品搭載用配線基板。
【請求項２】前記絶縁部が、前記メタライズ配線の第１
の絶縁層側又は第２の絶縁層側の何れかを覆って設けら
れてなることを特徴とする請求項１に記載の電子部品搭
載用配線基板。
【請求項３】前記絶縁部が、前記表面上の電子部品搭載
部分の直下よりも広く埋設されてなることを特徴とする
請求項１又は２に記載の電子部品搭載用配線基板。
【請求項４】前記絶縁部が前記絶縁層と同種のセラミッ
クからなることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに
記載の電子部品搭載用配線基板。
【請求項５】前記第１の絶縁層の厚さが０.０１〜０.６
５mmの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至４の
何れかに記載の電子部品搭載用配線基板。
【請求項６】請求項１乃至５に記載の配線基板の製造方
法であって、焼成後に前記第１の絶縁層となるグリーンシートの下面
又は第２の絶縁層となるグリーンシートの上面に、焼成
後に前記メタライズ配線となる導体ペースト層を形成し
た後に、この導体ペースト層のうち少なくとも前記電子
部品搭載部分の直下に位置する部位を略覆うように絶縁
性ペーストを塗布し、この上方に前記第２の絶縁層又は
第１の絶縁層となるグリーンシートを積層して焼成する
ことを特徴とする電子部品搭載用配線基板の製造方法。
【請求項７】前記絶縁性ペーストに含有されるセラミッ
ク素材が、前記第１及び第２の絶縁層となるグリーンシ
ートと同種のセラミック素材であることを特徴とする請
求項６に記載の電子部品搭載用配線基板の製造方法。