JP2000338188A - 半導体集積回路の試験回路 - Google Patents

半導体集積回路の試験回路

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JP2000338188A
JP2000338188A JP11146874A JP14687499A JP2000338188A JP 2000338188 A JP2000338188 A JP 2000338188A JP 11146874 A JP11146874 A JP 11146874A JP 14687499 A JP14687499 A JP 14687499A JP 2000338188 A JP2000338188 A JP 2000338188A
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Tetsuya Mizuguchi
哲也 水口
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Abstract

(57)【要約】 【課題】従来の試験回路では、大規模な半導体集積回路
のスキャンパステストを実行した場合、スキャンパステ
スト専用のテストパターンのパターン長が長くなり、テ
スト時間が長くなる。また、テスタのパターンメモリを
多量に必要とする。加えて、集積回路の規模が大きくな
るほどスキャンデータをシフトして行くのに要する時間
が増え試験効率が悪くなる。 【解決手段】スキャンパステスト用入力データをパラレ
ルに変換するシリアル−パラレル変換回路及びスキャン
パステスト結果出力データを選択出力する出力選択回路
を設け、さらに半導体集積回路を機能モジュール毎に回
路を分割し、機能モジュール毎にスキャンパス用シフト
レジスタを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
おける試験回路に関し、特にスキャンパステスト方式の
試験回路に関する。
【0002】
【従来の技術】スキャンパステスト方式は、従来、半導
体集積回路の故障を検出するうえで、簡単な回路構成で
高い故障検出率を得ることを目的として用いられてい
る。図8は従来のスキャンパステスト方式の回路の一例
を示すブロック図である。スキャンパステスト方法は、
図9に示すように回路の総てのフリップフロップ回路2
1の入力部分にセレクタ回路20を追加して、このセレ
クタ回路20をスキャンデータの取り込み及び出力を行
うシフトモードと組み合わせ回路の試験を行うノーマル
モードとに切り替えてテストを行っている。
【0003】そして、このシフトモードとスキャンモー
ドを繰り返し行うことで半導体集積回路の故障検出率を
高めている。具体的には、シフトモード時にはスキャン
パステスト用データ入力端子7よりスキャンデータをシ
リアルに入力し、これをスキャンパステスト用フリップ
フロップX1に取り込み、次段のスキャンパステスト用
フリップフロップX2〜Xnまでシフトすることにより
組み合わせ回路2にデータを設定することができる。次
にノーマルモードに切り替えて、組み合わせ回路2の出
力データをスキャンパステスト用フリップフロップY1
〜Ynに取り込む。そして再びシフトモードに切り替え
て、スキャンパステスト用フリップフロップY1〜Yn
の値をシフトしてスキャンデータ専用出力端子12から
出力する。この出力端子12から出力されるデータをチ
ェックすることにより、半導体集積回路内部の故障を検
出することができる。そして、これらの動作を繰り返し
行ない半導体集積回路の故障検出の精度を高めている。
【0004】そして1回の試験に少なくとも、(フリッ
プフロップの数+1)個のクロックが必要となるため、
高い故障検出率を得るためにn回の試験を行った場合に
は、{(フリップフロップの数+1)×2}×nパター
ンが必要になる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の技
術には次のような問題があった。第一の問題点は、大規
模な半導体集積回路のスキャンパステストを実行した場
合、テストに必要なコストが高くなることである。その
理由は、スキャンパステスト専用のテストパターンのパ
ターン長が長くなるため、テスト時間が長くなる。ま
た、テスタのパターンメモリを多量に使用するため、同
時に別の半導体集積回路の試験を行うことが困難となる
点にある。
【0006】第二の問題点は、半導体集積回路が大規模
になるほど試験効率が悪くなることにある。なぜなら
ば、半導体集積回路内部のある1個の組み合わせ回路の
試験を行うために、半導体集積回路内部に存在するフリ
ップフロップの数の分だけクロックの繰り返しが必要に
なり、このため、スキャンデータをシフトして行くだけ
の時間が増えるためである。これは、結果として第一の
問題点であるテスト時間の増大にも繋がる。
【0007】本発明の目的は、以上の問題点を解決する
半導体集積回路の試験回路を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
の試験回路は、スキャンパステスト用フリップフロップ
と、スキャンパステスト用データ入力端子から入力され
るスキャンデータをパラレルに変換するシリアル−パラ
レル変換回路と、スキャンパステスト結果出力データを
スキャンパステスト用出力端子にシリアルで出力する出
力選択回路を半導体集積回路内に有し、かつ半導体集積
回路を機能モジュール毎に回路を分割し、前記機能モジ
ュール毎にスキャンパス用シフトレジスタを構成したこ
とを特徴としている。
【0009】また、本発明の半導体集積回路の試験回路
は、スキャンパステスト用フリップフロップと、スキャ
ンパステスト用データ入力端子から入力されるスキャン
データをパラレルに変換するシリアル−パラレル変換回
路を半導体集積回路内に有し、かつ半導体集積回路を機
能モジュール毎に回路を分割し、前記機能モジュール毎
にスキャンパス用シフトレジスタを構成し、前記各機能
モジュールに接続されているスキャンパステスト用出力
端子の出力をそれぞれ観測することを特徴としている。
【0010】また、本発明の半導体集積回路の試験回路
は、スキャンパステスト用フリップフロップと、スキャ
ンパステスト用データ入力端子から入力されるスキャン
データをパラレルに変換するシリアル−パラレル変換回
路と、スキャンパステスト結果出力データをスキャンパ
ステスト用出力端子にシリアルで出力する出力選択回路
を半導体集積回路内に有し、かつ半導体集積回路を機能
モジュール毎に回路を分割し、前記機能モジュール毎に
スキャンパス用シフトレジスタを構成し、前記各機能モ
ジュール内に存在する組み合わせ回路の出力総てのEX
−ORを取ることを特徴としている。
【0011】また、本発明の半導体集積回路の試験回路
は、EX−OR回路を備えたスキャンパステスト用フリ
ップフロップと、スキャンパステスト用データ入力端子
から入力されるスキャンデータをパラレルに変換するシ
リアル−パラレル変換回路と、スキャンパステスト結果
出力データをスキャンパステスト用出力端子にシリアル
で出力する出力選択回路を半導体集積回路内に有し、か
つ半導体集積回路を機能モジュール毎に回路を分割し、
前記機能モジュール毎にスキャンパス用シフトレジスタ
を構成し、前記各機能モジュール内に存在する組み合わ
せ回路の出力を前記スキャンパステスト用フリップフロ
ップが有するEX−OR回路を通して出力することを特
徴としている。
【0012】また、本発明の半導体集積回路の試験回路
は、スキャンパステスト用フリップフロップと、スキャ
ンパステスト用データ入力端子から入力されるスキャン
データをパラレルに変換するシリアル−パラレル変換回
路を半導体集積回路内に有し、かつ半導体集積回路を機
能モジュール毎に回路を分割し、前記機能モジュール毎
にスキャンパス用シフトレジスタを構成し、前記各機能
モジュールに接続されているスキャンパステスト用出力
端子の出力をそれぞれ観測し、前記各機能モジュール内
に存在する組み合わせ回路の出力総てのEX−ORを取
ることを特徴としている。
【0013】また、本発明の半導体集積回路の試験回路
は、EX−OR回路を備えたスキャンパステスト用フリ
ップフロップと、スキャンパステスト用データ入力端子
から入力されるスキャンデータをパラレルに変換するシ
リアル−パラレル変換回路を半導体集積回路内に有し、
かつ半導体集積回路を機能モジュール毎に回路を分割
し、前記機能モジュール毎にスキャンパス用シフトレジ
スタを構成し、前記各機能モジュールに接続されている
スキャンパステスト用出力端子の出力をそれぞれ観測
し、前記各機能モジュール内に存在する組み合わせ回路
の出力を前記スキャンパステスト用フリップフロップが
有するEX−OR回路を通して出力することを特徴とし
ている。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照して詳細に説明する。図1は本発明の第一の実施
の形態を示す半導体集積回路の試験回路であり、その構
成は、スキャンパステスト用フリップフロップX1〜Z
nと、スキャンパステスト用データ入力端子7から入力
されるスキャンデータをパラレルに変換するシリアル−
パラレル変換回路9と、スキャンパステスト結果出力デ
ータをスキャンパステスト用出力端子12にシリアルで
出力する出力選択回路11と、を半導体集積回路内に有
し、かつ半導体集積回路を機能モジュール15及び16
に分割し、機能モジュール毎にスキャンパス用シフトレ
ジスタを構成したものである。
【0015】図1において、スキャンパステスト用デー
タ入力端子7から入力されるスキャンパステスト用入力
データをシリアル−パラレル変換回路9に入力して、テ
ストパターンデータを複数(図1では2種類)同時に設
定する。一方、データ入力端子1と出力端子4をもつ半
導体集積回路を、組み合わせ回路2と組み合わせ回路3
とをそれぞれ含む機能モジュールに分割(図1では2分
割)し、前記シリアル−パラレル変換回路9を出力した
テストパターンデータを分割した機能モジュール回路1
5、及び16それぞれに入力して、同時並列に試験を行
う。さらに、並列に試験された機能モジュール回路1
5、及び16のスキャンパステスト結果を出力選択回路
11に入力し、スキャンパステスト用出力端子12にお
いてシリアルに故障を検出する。この結果、半導体集積
回路を機能モジュール毎に分割し、スキャンパステスト
をパラレルに行うことによりテストパターン数、及びテ
スト時間を大幅に削減することが可能となり、半導体集
積回路の試験コストを低減できるという効果が得られ
る。
【0016】以下、本実施例の動作について図1を参照
にして説明する。
【0017】最初に、機能モジュール15、及び16内
に存在するスキャンパステスト用フリップフロップX1
〜Znに内蔵される図9のセレクタ20をスキャンパス
テスト用モード切り替え制御端子5及び6からの入力に
よりシフトモードにして、スキャンパステスト用データ
入力端子7から入力され、シリアル−パラレル変換回路
9によりパラレルに変換された2種類のスキャンデータ
を、スキャンパステスト用フリップフロップX1及びY
nのスキャンデータ入力端子にそれぞれ入力する。この
時、シリアル−パラレル変換回路9によりパラレルに変
換した2種類のスキャンデータを、機能モジュール15
または16のどちらへ入力するかはスキャンデータ用セ
レクタ回路10により、スキャンデータ用セレクタ回路
制御信号13に基づいて決定する。続いて、前記スキャ
ンパステスト用フリップフロップX1及びYnに入力さ
れたデータをX1〜Yn−m及びYn〜Znまでそれぞ
れシフトして行き、スキャンパステスト用フリップフロ
ップYn−m及びZnの出力を出力データ選択回路11
に入力し、出力データ選択回路制御信号14に基づいて
選択出力することで、スキャンパステスト用出力端子1
2から機能モジュール15及び16の故障が検出され
る。つまり、シリアル−パラレル変換回路9によりパラ
レルに変換されたスキャンデータが、機能モジュール1
5及び16に設定される。そして、それぞれの機能モジ
ュール15及び16から出力されるスキャンデータを出
力選択回路11を通してシリアルに変換し、スキャンパ
ステスト用出力端子12から出力する。これにより、機
能モジュール15及び16の故障が検出可能となる。ク
ロック信号はクロック入力端子8から供給される。
【0018】例えば、半導体集積回路内部にフリップフ
ロップが100個存在し、100通りのパターンを入力
する場合、従来の方法では(100+1)×100×2
=20200パターン必要であるが、図1の実施形態で
は機能モジュール15及び16にそれぞれ50個のフリ
ップフロップが存在するものとすると、最大でも((5
0+1)×100+2))×2=10204パターンあ
れば、従来と同等の故障が検出できることになる。
【0019】次に、本発明の第二の実施形態の半導体集
積回路の試験回路を図2参照して説明する。図2の第二
の実施形態では、図1の第一の実施形態の回路構成から
出力選択回路11が削除され、スキャンパステスト用出
力端子12及び17が機能モジュール毎に設けられてい
る。
【0020】動作は以下のようになる。シリアル−パラ
レル変換回路9によりパラレルに変換された2種類のス
キャンデータを、スキャンパステスト用フリップフロッ
プX1及びYnのスキャンデータ入力端子にそれぞれ入
力する。この時、シリアル−パラレル変換回路9により
パラレルに変換した2種類のスキャンデータを、機能モ
ジュール15または16のどちらへ入力するかはセレク
タ回路10により決定する。続いて、前記スキャンパス
テスト用フリップフロップX1及びYnに入力されたデ
ータをX1〜Yn−m及びYn〜Znまでそれぞれシフ
トして行くことで、スキャンパステスト用フリップフロ
ップYn−m及びZnの出力に接続されたスキャンパス
テスト用出力端子12及び17から、機能モジュール1
5及び16の故障が検出される。つまり、シリアル−パ
ラレル変換回路9によりパラレルに変換されたスキャン
データが、機能モジュール15及び16に設定される。
そして、それぞれの機能モジュール15及び16から出
力されるスキャンデータをスキャンパステスト用出力端
子12及び17から出力する。これにより、機能モジュ
ール15及び16の故障が図1の実施例よりも更に早く
検出可能となる。
【0021】次に、本発明の第三の実施形態の半導体集
積回路の試験回路を図3参照して説明する。図3の第三
の実施形態では、図1の第一の実施形態において組み合
わせ回路2及び3の出力それぞれのすべての排他的論理
和を取るEX−OR回路18及び19が設けられてい
る。
【0022】動作は以下のようになる。シリアル−パラ
レル変換回路9によりパラレルに変換された2種類のス
キャンデータを、スキャンパステスト用フリップフロッ
プX1及びYnのスキャンデータ入力端子にそれぞれ入
力する。この時、シリアル−パラレル変換回路9により
パラレルに変換した2種類のスキャンデータを、機能モ
ジュール15または16のどちらへ入力するかはセレク
タ回路10により決定する。続いて、前記スキャンパス
テスト用フリップフロップX1及びYnに入力されたデ
ータをX1〜Yn−m及びYn〜Znまでそれぞれシフ
トして行き、スキャンパステスト用フリップフロップY
n−m及びZnの出力を出力選択回路11に入力し、選
択出力することで、スキャンパステスト用出力端子12
から機能モジュール15及び16の故障が検出される。
ここで、スキャンデータをシフトして行く時、組み合わ
せ回路2及び3の出力が変化するため、それぞれに接続
されたEX−OR回路18及び19の出力も変化する。
つまり、シリアル−パラレル変換回路9によりパラレル
に変換されたスキャンデータが、機能モジュール15及
び16に設定される。そして、それぞれの機能モジュー
ル15及び16から出力されるスキャンデータを出力選
択回路11を通してシリアルに変換し、スキャンパステ
スト用出力端子12から出力する。同時に、組み合わせ
回路2及び3の出力の変化を、それぞれに接続されてい
るEX−OR回路18及び19から出力する。これによ
り、図1の実施例よりもさらに早い時間で、機能モジュ
ール15及び16の故障が検出可能となる。それは、1
回の試験時に捨てられてしまう試験対象外の組み合わせ
回路の出力を、EX−OR回路18及び19を設けるこ
とで有効利用しているためである。
【0023】次に、本発明の第四の実施形態の半導体集
積回路の試験回路を図4参照して説明する。図4の第四
の実施形態では、図2の第二の実施形態おいて組み合わ
せ回路2及び3の出力それぞれのすべての排他的論理和
(EX−OR回路)を取る回路18及び19が設けられ
ている。従って、動作は次のようになる。
【0024】シリアル−パラレル変換回路9によりパラ
レルに変換された2種類のスキャンデータを、スキャン
パステスト用フリップフロップX1及びYnのスキャン
データ入力端子にそれぞれ入力する。この時、シリアル
−パラレル変換回路9によりパラレルに変換した2種類
のスキャンデータを、機能モジュール15または16の
どちらへ入力するかはセレクタ回路10により決定す
る。続いて、前記スキャンパステスト用フリップフロッ
プX1及びYnに入力されたデータをX1〜Yn−m及
びYn〜Znまでそれぞれシフトして行くことで、スキ
ャンパステスト用フリップフロップYn−m及びZnの
出力に接続されたスキャンパステスト用出力端子12及
び17から、機能モジュール15及び16の故障が検出
される。ここで、スキャンデータをシフトして行く時、
組み合わせ回路2及び3の出力が変化するため、それぞ
れに接続されたEX−OR回路18及び19の出力も変
化する。つまり、シリアル−パラレル変換回路9により
パラレルに変換されたスキャンデータが、機能モジュー
ル15及び16に設定される。そして、それぞれの機能
モジュール15及び16から出力されるスキャンデータ
をスキャンパステスト用出力端子12及び17から出力
する。同時に、組み合わせ回路2及び3の出力の変化
を、それぞれに接続されているEX−OR回路18及び
19から出力する。これにより、図2の実施例よりもさ
らに早い時間で、機能モジュール15及び16の故障が
検出可能となる。それは、1回の試験時に捨てられてし
まう試験対象外の組み合わせ回路の出力を、EX−OR
回路18及び19を設けることで有効利用しているため
である。
【0025】次に、本発明の第五の実施形態の半導体集
積回路の試験回路を図5を参照して説明する。図5の第
五の実施形態では、図1の第一の実施形態おいて、スキ
ャンパステスト用フリップフロップX1〜Znを図7の
ように構成されたスキャンパステスト用フリップフロッ
プXX1〜ZZnにしたものである。従って、動作は次
のようになる。
【0026】シリアル−パラレル変換回路9によりパラ
レルに変換された2種類のスキャンデータを、スキャン
パステスト用フリップフロップXX1及びYYnのスキ
ャンデータ入力端子にそれぞれ入力する。この時、シリ
アル−パラレル変換回路9によりパラレルに変換した2
種類のスキャンデータを、機能モジュール15または1
6のどちらへ入力するかはセレクタ回路10により決定
する。続いて、前記スキャンパステスト用フリップフロ
ップXX1及びYYnに入力されたデータをXX1〜Y
Yn−m及びYYn〜ZZnまでそれぞれシフトして行
き、スキャンパステスト用フリップフロップYYn−m
及びZZnの出力を出力選択回路11に入力し、選択出
力することで、スキャンパステスト用出力端子12から
機能モジュール15及び16の故障が検出される。ここ
で、スキャンデータをシフトして行く時、組み合わせ回
路2及び3の出力が変化するため、図7で構成された前
記スキャンパステスト用フリップフロップXX1〜YY
n−m及びYYn〜ZZnに存在するEX−OR回路2
2の出力が変化する。このEX−OR回路22は、それ
ぞれの機能モジュール15及び16においてシリアルに
接続されているため、最終段にあたるスキャンパステス
ト用フリップフロップYYn−m及びZZnから出力さ
れるデータも変化する。そして、それぞれに接続された
出力端子4の出力も変化する。つまり、シリアル−パラ
レル変換回路9によりパラレルに変換されたスキャンデ
ータが、機能モジュール15及び16に設定される。そ
して、それぞれの機能モジュール15及び16から出力
されるスキャンデータを出力選択回路11を通してシリ
アルに変換し、スキャンパステスト用出力端子12から
出力する。同時に、組み合わせ回路2及び3の出力の変
化を、スキャンパステスト用フリップフロップXX1〜
YYn−m及びYYn〜ZZnに存在するEX−OR回
路22を通して外部端子4から出力する。これにより、
図1の第一の実施形態よりもさらに早い時間で、機能モ
ジュール15及び16の故障が検出可能となる。それ
は、1回の試験時に捨てられてしまう試験対象外の組み
合わせ回路の出力を、EX−OR回路22を設けること
で有効利用しているためである。
【0027】次に、本発明の第六の実施形態の半導体集
積回路の試験回路を図6を参照して説明する。図6の第
六の実施形態では、図2の第二の実施形態おいて、スキ
ャンパステスト用フリップフロップX1〜Znを図7の
ように構成されたスキャンパステスト用フリップフロッ
プXX1〜ZZnにしたものである。従って、動作は次
のようになる。
【0028】シリアル−パラレル変換回路9によりパラ
レルに変換された2種類のスキャンデータを、スキャン
パステスト用フリップフロップXX1及びYYnのスキ
ャンデータ入力端子にそれぞれ入力する。この時、シリ
アル−パラレル変換回路9によりパラレルに変換した2
種類のスキャンデータを、機能モジュール15または1
6のどちらへ入力するかはセレクタ回路10により決定
する。続いて、前記スキャンパステスト用フリップフロ
ップXX1及びYYnに入力されたデータをXX1〜Y
Yn−m及びYYn〜ZZnまでそれぞれシフトして行
くことで、スキャンパステスト用フリップフロップYY
n−m及びZZnの出力に接続されたスキャンパステス
ト用出力端子12及び17から、機能モジュール15及
び16の故障が検出される。ここで、スキャンデータを
シフトして行く時、組み合わせ回路2及び3の出力が変
化するため、図7で構成された前記スキャンパステスト
用フリップフロップXX1〜YYn−m及びYYn〜Z
Znに存在するEX−OR回路22の出力が変化する。
このEX−OR回路22は、それぞれの機能モジュール
15及び16においてシリアルに接続されているため、
最終段にあたるスキャンパス用フリップフロップYYn
−m及びZZnから出力されるデータも変化する。そし
て、それぞれに接続された出力端子4の出力も変化す
る。つまり、シリアル−パラレル変換回路9によりパラ
レルに変換されたスキャンデータが、機能モジュール1
5及び16に設定される。そして、それぞれの機能モジ
ュール15及び16から出力されるスキャンデータをス
キャンパステスト用出力端子12及び17から出力す
る。同時に、組み合わせ回路2及び3の出力の変化を、
スキャンパステスト用フリップフロップXX1〜YYn
−m及びYYn〜ZZnに存在するEX−OR回路22
を通して外部端子4から出力する。これにより、図2の
第二の実施形態よりもさらに早い時間で、機能モジュー
ル15及び16の故障が検出可能となる。それは、1回
の試験時に捨てられてしまう試験対象外の組み合わせ回
路の出力を、EX−OR回路22を設けることで有効利
用しているためである。
【0029】
【発明の効果】本発明によれば、第一の効果は、短いテ
ストパターンで従来と同等の故障が検出できることであ
る。その理由は実施例においても記したように、半導体
集積回路内部にシリアル−パラレル変換回路及び、出力
選択回路を取り込み、さらに機能モジュール毎にスキャ
ンパステスト回路を構成することで、パラレルにスキャ
ンパステストが実行できるためである。
【0030】第二の効果は、半導体集積回路のテストに
必要となるコストが安くなることである。その理由は、
テストに必要となるテストパターン数が短くて済み、そ
の結果テスト時間が短縮されるためである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施の形態を示す図である。
【図2】本発明の第二の実施の形態を示す図である。
【図3】本発明の第三の実施の形態を示す図である。
【図4】本発明の第四の実施の形態を示す図である。
【図5】本発明の第五の実施の形態を示す図である。
【図6】本発明の第六の実施の形態を示す図である。
【図7】本発明のスキャンパス用フリップフロップ回路
の一実施例を示す図である。
【図8】従来のスキャンパステスト方式の試験回路の一
例を示すブロック図である。
【図9】フリップフロップの入力部分にセレクタを追加
した従来からスキャンパステスト用回路に使われている
構成を示す。
【符号の説明】
1 データ入力端子 2 組み合わせ回路 3 組み合わせ回路 4 出力端子 5 スキャンパステスト用モード切り替え制御端子 6 スキャンパステスト用モード切り替え制御端子 7 スキャンパステスト用データ入力端子 8 クロック入力端子 9 シリアル−パラレル変換回路 10 スキャンデータ用セレクタ回路 11 出力データ選択回路 12 スキャンパステスト用出力端子 13 スキャンデータ用セレクタ回路制御信号 14 出力データ選択回路制御信号 15 機能モジュール 16 機能モジュール 17 スキャンパステスト用出力端子 18 EX−OR回路 19 EX−OR回路 20 セレクタ回路 21 フリップフロップ回路 22 EX−OR回路

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スキャンパステスト用フリップフロップ
    と、スキャンパステスト用データ入力端子から入力され
    るスキャンデータをパラレルに変換するシリアル−パラ
    レル変換回路と、スキャンパステスト結果出力データを
    スキャンパステスト用出力端子にシリアルで出力する出
    力選択回路を半導体集積回路内に有し、かつ半導体集積
    回路を機能モジュール毎に回路を分割し、前記機能モジ
    ュール毎にスキャンパス用シフトレジスタを構成したこ
    とを特徴とする半導体集積回路の試験回路。
  2. 【請求項2】 スキャンパステスト用フリップフロップ
    と、スキャンパステスト用データ入力端子から入力され
    るスキャンデータをパラレルに変換するシリアル−パラ
    レル変換回路を半導体集積回路内に有し、かつ半導体集
    積回路を機能モジュール毎に回路を分割し、前記機能モ
    ジュール毎にスキャンパス用シフトレジスタを構成し、
    前記各機能モジュールに接続されているスキャンパステ
    スト用出力端子の出力をそれぞれ観測することを特徴と
    する半導体集積回路の試験回路。
  3. 【請求項3】 前記請求項1において、前記各機能モジ
    ュール内に存在する組み合わせ回路の出力総てのEX−
    ORを取ることを特徴とする前記請求項1記載の半導体
    集積回路の試験回路。
  4. 【請求項4】 前記請求項1において、前記スキャンパ
    ステスト用フリップフロップがEX−OR回路を備え、
    前記各機能モジュール内に存在する組み合わせ回路の出
    力を前記スキャンパステスト用フリップフロップが有す
    るEX−OR回路を通して出力することを特徴とする前
    記請求項1記載の半導体集積回路の試験回路。
  5. 【請求項5】 前記請求項2において、前記各機能モジ
    ュール内に存在する組み合わせ回路の出力総てのEX−
    ORを取ることを特徴とする前記請求項2記載の半導体
    集積回路の試験回路。
  6. 【請求項6】 前記請求項2において、前記スキャンパ
    ステスト用フリップフロップがEX−OR回路を備え、
    前記各機能モジュール内に存在する組み合わせ回路の出
    力を前記スキャンパステスト用フリップフロップが有す
    るEX−OR回路を通して出力することを特徴とする前
    記請求項2記載の半導体集積回路の試験回路。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002286803A (ja) * 2001-03-23 2002-10-03 Sony Corp 半導体集積回路
JP2011027566A (ja) * 2009-07-27 2011-02-10 Nec Corp Lsi、及びそのテストデータ設定方法
JPWO2015033681A1 (ja) * 2013-09-05 2017-03-02 株式会社日立製作所 走査プローブ顕微鏡およびこれを用いた試料の観察方法

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