JPH0499034A - バンプ形成方法およびバンプ形成装置 - Google Patents
バンプ形成方法およびバンプ形成装置Info
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- JPH0499034A JPH0499034A JP20858590A JP20858590A JPH0499034A JP H0499034 A JPH0499034 A JP H0499034A JP 20858590 A JP20858590 A JP 20858590A JP 20858590 A JP20858590 A JP 20858590A JP H0499034 A JPH0499034 A JP H0499034A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
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-
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- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、バンプ形成方法およびバンプ形成装置に関す
る。
る。
従来の技術
以下に従来のバンプ形成方法およびバンプ形成装置につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
（１） ワイヤボンダを用いた従来のバンプ形成方法
（そのｌ） 第４図（ａ）〜（ｅ）は従来のワイヤホンダを用いた第
１のバンプ形成方法の工程断面図である。
（そのｌ） 第４図（ａ）〜（ｅ）は従来のワイヤホンダを用いた第
１のバンプ形成方法の工程断面図である。
第４図（ａ）に示すようにキャピラリ２１の孔に通した
金（Ａｕ）ワイヤ２２の先端に電気放電などによってＡ
ｕワイヤ２２の直径の２〜３倍の径のボール２３を形成
する。２４はＬＳＩチップ、２５はＬＳＩチップ２４の
上の電極パッドである。次に同図（ｂ）に示すように、
Ａｕワイヤ２２の先端に形成したボール２３をキャピラ
リ２１によってＬＳＩチップ２４の電極パッド２５に押
圧・固着し、バンプ２６を形成する。次に同図（Ｃ）に
示すように、キャピラリ２１をバンプ２６の上方に垂直
に上昇させ一１同図（ｄ） 、 （ｅ）に示すように、
レーザ装置２７からレーザ光２８をＡｕワイヤ２２に対
して垂直に照射し、切断する。
金（Ａｕ）ワイヤ２２の先端に電気放電などによってＡ
ｕワイヤ２２の直径の２〜３倍の径のボール２３を形成
する。２４はＬＳＩチップ、２５はＬＳＩチップ２４の
上の電極パッドである。次に同図（ｂ）に示すように、
Ａｕワイヤ２２の先端に形成したボール２３をキャピラ
リ２１によってＬＳＩチップ２４の電極パッド２５に押
圧・固着し、バンプ２６を形成する。次に同図（Ｃ）に
示すように、キャピラリ２１をバンプ２６の上方に垂直
に上昇させ一１同図（ｄ） 、 （ｅ）に示すように、
レーザ装置２７からレーザ光２８をＡｕワイヤ２２に対
して垂直に照射し、切断する。
（２） ワイヤボンダを用いた従来のバンプ形成方法
（その２） 第５図（ａ）〜（ｅ）はワイヤボンダを用いた第２のバ
ンプ形成方法の工程断面図である。
（その２） 第５図（ａ）〜（ｅ）はワイヤボンダを用いた第２のバ
ンプ形成方法の工程断面図である。
第５図（ａ）に示すように、キャピラリ２１の孔に通し
たＡｕワイヤ２２の先端に電気放電によってＡｕワイヤ
２２の直径２〜３倍の径のボール２３を形成する。次に
同図（ｂ）に示すように、Ａｕワイヤ２２の先端に形成
したボール２３をキャピラリ２１によってＬＳＩチップ
２４の電極パッド２５に押圧・固着し、バンプ２６を形
成する。次に同図（Ｃ）〜（ｅ）に示すようにキャピラ
リ２１をバンプ２６の上方でループ状軌道を描いて移動
した後、キャピラリ２１を下降させてＡｕワイヤ２２を
切断してバンプ２６の上部に頂部２９を形成する。なお
同図（ｄ）はキャピラリ２１の先端の軌跡を示すもので
ある。このような形成方法によって２段階突起構造のバ
ンプ２６が形成される。
たＡｕワイヤ２２の先端に電気放電によってＡｕワイヤ
２２の直径２〜３倍の径のボール２３を形成する。次に
同図（ｂ）に示すように、Ａｕワイヤ２２の先端に形成
したボール２３をキャピラリ２１によってＬＳＩチップ
２４の電極パッド２５に押圧・固着し、バンプ２６を形
成する。次に同図（Ｃ）〜（ｅ）に示すようにキャピラ
リ２１をバンプ２６の上方でループ状軌道を描いて移動
した後、キャピラリ２１を下降させてＡｕワイヤ２２を
切断してバンプ２６の上部に頂部２９を形成する。なお
同図（ｄ）はキャピラリ２１の先端の軌跡を示すもので
ある。このような形成方法によって２段階突起構造のバ
ンプ２６が形成される。
（３） メツキ法による従来のバンプ形成方法第６図
にメツキ法で形成したバンプの形状を示した。多数個の
ＬＳＩが形成されたシリコンウェハ３０の上には眉間絶
縁膜３１が形成されている。その眉間絶縁膜３１の上に
はアルミ電極３２が形成され、そのアルミ電極３２の一
部に開口を有する表面保護膜３３が全面に形成されてい
る。通常のワイヤボンド法による結線ではこの状態のシ
リコンウェハ３０を個々のＬＳＩに分割し、組み立て工
程へ送ることになる。
にメツキ法で形成したバンプの形状を示した。多数個の
ＬＳＩが形成されたシリコンウェハ３０の上には眉間絶
縁膜３１が形成されている。その眉間絶縁膜３１の上に
はアルミ電極３２が形成され、そのアルミ電極３２の一
部に開口を有する表面保護膜３３が全面に形成されてい
る。通常のワイヤボンド法による結線ではこの状態のシ
リコンウェハ３０を個々のＬＳＩに分割し、組み立て工
程へ送ることになる。
一方電解メツキによるバンプ形成では、まず表面保護膜
３３の全面にメツキ時の電極を兼ねた拡散防止用のアン
ダーバンプメタル層３４が形成される。次に金バンプ３
５を形成すべき領域に開口を有するフォトレジスト膜（
図では省略）を形成する。この状態でアンダーバンプメ
タル層３４を一方の電極として電解メツキを施し、所定
の高さの金バンプ３５を形成する。
３３の全面にメツキ時の電極を兼ねた拡散防止用のアン
ダーバンプメタル層３４が形成される。次に金バンプ３
５を形成すべき領域に開口を有するフォトレジスト膜（
図では省略）を形成する。この状態でアンダーバンプメ
タル層３４を一方の電極として電解メツキを施し、所定
の高さの金バンプ３５を形成する。
フォトレジスト膜を除去した後、金バンプ３５または新
たに形成したフォトレジスト膜をマスクとして金バンプ
３５の下部以外の領域のアンダーバンプメタル層３５を
エツチング除去する。
たに形成したフォトレジスト膜をマスクとして金バンプ
３５の下部以外の領域のアンダーバンプメタル層３５を
エツチング除去する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構成において、ワイヤボンダを
用いたバンプ形成方法ではバンプの高さが一定せず、ま
たＬＳＩの電極にボールが固着しない等の不良が発生す
る上、バンプの底部の直径が１００μｍ程度になるため
狭ピッチのバンプ形成が困難であるという課題を有して
いた。また電解メツキ法によるバンプ形成方法では、Ｌ
ＳＩが形成されたシリコンウェハの上に新たにアンダー
バンプメタル層を２〜３層形成し、電解メツキ液に浸漬
して通電しながらメツキするなど工程が複雑でコストが
高くなるという課題を有していた。
用いたバンプ形成方法ではバンプの高さが一定せず、ま
たＬＳＩの電極にボールが固着しない等の不良が発生す
る上、バンプの底部の直径が１００μｍ程度になるため
狭ピッチのバンプ形成が困難であるという課題を有して
いた。また電解メツキ法によるバンプ形成方法では、Ｌ
ＳＩが形成されたシリコンウェハの上に新たにアンダー
バンプメタル層を２〜３層形成し、電解メツキ液に浸漬
して通電しながらメツキするなど工程が複雑でコストが
高くなるという課題を有していた。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、従来のワイ
ヤボンド法による組み立て工程に使用するシリコンウェ
ハの上に直接バンプを形成するバンプ形成方法およびバ
ンプ形成装置を提供することを目的とする。
ヤボンド法による組み立て工程に使用するシリコンウェ
ハの上に直接バンプを形成するバンプ形成方法およびバ
ンプ形成装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のバンプ形成方法は、
先端部に凹部を有する押圧部の直下に被加工材を供給す
る第１工程と、押圧部を用いて被加工材を押圧しバンプ
を形成するとともに、そのバンプの基板の所定の電極上
に接着する第２の工程とを備えた構成を有している。
先端部に凹部を有する押圧部の直下に被加工材を供給す
る第１工程と、押圧部を用いて被加工材を押圧しバンプ
を形成するとともに、そのバンプの基板の所定の電極上
に接着する第２の工程とを備えた構成を有している。
作用
この構成によって、バンプの形状は押圧部の先端部に設
けられた凹部の形状で決まるため、常に一定高さ、一定
形状のバンプが形成できる上、凹部の形状を変更するこ
とにより任意の形状のバンプを容易に形成することがで
きや。
けられた凹部の形状で決まるため、常に一定高さ、一定
形状のバンプが形成できる上、凹部の形状を変更するこ
とにより任意の形状のバンプを容易に形成することがで
きや。
実施例
以下本発明の一実施例におけるバンプ形成方法について
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例におけるバン
プ形成方法を示す工程断面図である。
プ形成方法を示す工程断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように、電極２が形成された基
板１をバンプ形成装置の所定の位置に設置する。次にク
ランパー部３により案内ガイド４を通して線材５を設定
量だけ押圧部６の先端部７の直下に供給する。次に同図
（ｂ）に示すように、押圧部６で線材５を基板１の上の
電極２に押し付けることにより、線材５はその一部が先
端部７０凹部８に押し込まれると同時に電極２に接着さ
れる。このとき押圧部６に超音波を印加することにより
線材５と電極２の接合を一層強化することができる（な
お図面では超音波発振器は省略した）。次に同図（Ｃ）
に示すように、クランパー部３で線材５を保持しなから
押圧部６を上方へ引き上げることにより線材５はバンプ
９から引きちぎられる。なお線材５を引きちぎった後に
残った屑は高圧ガスノズル１０からのガスで吹き飛ばす
。このときに形成されるバンプ９の形状は先端部７０凹
部８とは逆の形状になっている。線材５をバンプ９から
引きちぎった後、クランパー部３により新たに線材５が
押圧部６の直下に設定量だけ供給される。次に同図（ｄ
）に示すように、次の電極２にバンプ９を形成する。こ
のようにして同図（ｅ）に示すように、順次電極２の上
にバンプ９を形成する。
板１をバンプ形成装置の所定の位置に設置する。次にク
ランパー部３により案内ガイド４を通して線材５を設定
量だけ押圧部６の先端部７の直下に供給する。次に同図
（ｂ）に示すように、押圧部６で線材５を基板１の上の
電極２に押し付けることにより、線材５はその一部が先
端部７０凹部８に押し込まれると同時に電極２に接着さ
れる。このとき押圧部６に超音波を印加することにより
線材５と電極２の接合を一層強化することができる（な
お図面では超音波発振器は省略した）。次に同図（Ｃ）
に示すように、クランパー部３で線材５を保持しなから
押圧部６を上方へ引き上げることにより線材５はバンプ
９から引きちぎられる。なお線材５を引きちぎった後に
残った屑は高圧ガスノズル１０からのガスで吹き飛ばす
。このときに形成されるバンプ９の形状は先端部７０凹
部８とは逆の形状になっている。線材５をバンプ９から
引きちぎった後、クランパー部３により新たに線材５が
押圧部６の直下に設定量だけ供給される。次に同図（ｄ
）に示すように、次の電極２にバンプ９を形成する。こ
のようにして同図（ｅ）に示すように、順次電極２の上
にバンプ９を形成する。
次に本発明の一実施例におけるバンプ形成装置について
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
第２図（ａ）は本発明の一実施例におけるバンプ形成装
置の要部斜視図、第２図■は同図（ａ）のＡ部の拡大部
分断面図である。これらの図において第１図と同一箇所
には同一符号を付し、詳細説明は省略する。なお１１は
超音波発振器、１２は超音波発振器１１からの超音波を
押圧部６に伝達する超音波ホーンである。
置の要部斜視図、第２図■は同図（ａ）のＡ部の拡大部
分断面図である。これらの図において第１図と同一箇所
には同一符号を付し、詳細説明は省略する。なお１１は
超音波発振器、１２は超音波発振器１１からの超音波を
押圧部６に伝達する超音波ホーンである。
第２図（ａ）に示すように、本発明の一実施例における
バンプ形成装置は、基板１を搭載する基台（図面では省
略）、線材５を押圧する押圧部６、押圧部６を支持する
とともに超音波発振器１１からの超音波を押圧部６に伝
達する超音波ホーン１２、基板１の電極２上にバンプ９
を形成した後、線材５の屑等を吹き飛ばす高圧ガスを供
給する高圧ガスノズル１０から構成されている。
バンプ形成装置は、基板１を搭載する基台（図面では省
略）、線材５を押圧する押圧部６、押圧部６を支持する
とともに超音波発振器１１からの超音波を押圧部６に伝
達する超音波ホーン１２、基板１の電極２上にバンプ９
を形成した後、線材５の屑等を吹き飛ばす高圧ガスを供
給する高圧ガスノズル１０から構成されている。
第２図（ａ）で円形で囲んだ部分（Ａ部）の詳細を同図
（ｂ）を用いて説明する。
（ｂ）を用いて説明する。
まず押圧部６の先端部７に設けられた凹部８はバンプ９
を形成するための金型に相当するもので、凹部８で形成
されるバンプ９の断面形状は直径の異なる円筒を積み重
ねた形であり、下の円筒は上の円筒より直径が大きく高
さが低い構造となっている。また種々の形状の凹部８を
有する先端部７を予め準備しておき、必要に応じて交換
できるようにしている。押圧部６の素材としては超強力
鋼等が適している。また押圧部６の一部に設けた案内ガ
イド４は線材５を通す貫通孔である。
を形成するための金型に相当するもので、凹部８で形成
されるバンプ９の断面形状は直径の異なる円筒を積み重
ねた形であり、下の円筒は上の円筒より直径が大きく高
さが低い構造となっている。また種々の形状の凹部８を
有する先端部７を予め準備しておき、必要に応じて交換
できるようにしている。押圧部６の素材としては超強力
鋼等が適している。また押圧部６の一部に設けた案内ガ
イド４は線材５を通す貫通孔である。
クランパー部３は押圧部６と連動して線材５を送り出し
たり、保持したりする機能を有する。線材５の直径は高
精度に仕上げられているため、凹部８で形成されるバン
プ９の高さはきわめて均一となる。
たり、保持したりする機能を有する。線材５の直径は高
精度に仕上げられているため、凹部８で形成されるバン
プ９の高さはきわめて均一となる。
なお以上説明した実施例では線材５を用いたバンプ形成
方法およびバンプ形成装置について説明したが、この線
材５の代わりに板材を用いても同様に基板ｌの電極２上
にバンプ９を形成することができる。さらには第３図（
ａ） 、 （ｂ）に示すように押圧部６の先端部７の凹
部８の形状を直方体１円錐形またはその他の形状とする
ことにより、種々の形状のバンプが容易に形成できる。
方法およびバンプ形成装置について説明したが、この線
材５の代わりに板材を用いても同様に基板ｌの電極２上
にバンプ９を形成することができる。さらには第３図（
ａ） 、 （ｂ）に示すように押圧部６の先端部７の凹
部８の形状を直方体１円錐形またはその他の形状とする
ことにより、種々の形状のバンプが容易に形成できる。
発明の効果
以上のように本発明のバンプ形成方法は、上下する押圧
部の先端部に凹部を設け、その押圧部で線材または板材
を基板の電極に押し付け、バンプ形成すると同時にその
バンプを電極に接着することにより、蒸着工程、レジス
ト膜形成工程およびメツキ工程を必要とせず、容易にバ
ンプを形成することができる。また本発明のバンプ形成
装置では押圧部の先端部を交換可能にしており、異なる
形状の凹部を形成した先端部を準備しておくことにより
その形状に対応した形状のバンプを容易に形成すること
ができる。
部の先端部に凹部を設け、その押圧部で線材または板材
を基板の電極に押し付け、バンプ形成すると同時にその
バンプを電極に接着することにより、蒸着工程、レジス
ト膜形成工程およびメツキ工程を必要とせず、容易にバ
ンプを形成することができる。また本発明のバンプ形成
装置では押圧部の先端部を交換可能にしており、異なる
形状の凹部を形成した先端部を準備しておくことにより
その形状に対応した形状のバンプを容易に形成すること
ができる。
第１図（ａ）〜＜ｅ＞は本発明の一実施例におけるバン
プ形成方法を示す工程断面図、第２図（ａ）は本発明の
一実施例におけるバンプ形成装置の要部斜視図、第２図
（ロ）は第２図（ａ）のＡ部の拡大部分断面図、第３図
（ａ）、（ロ）は押圧部の先端部の形状を示す正面図、
第４図（ａ）〜（ｅ）は従来のワイヤボンダを用いた第
１のバンプ形成方法の工程断面図、第５ｒｊ４（ａ）〜
（ｅ）は従来のワイヤボンダを用いた第２のバンプ形成
方法の工程断面図、第６図は従来のメツキ法で形成した
バンプの断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・電極、５・・・・
・・線材（被加工材）、６・・・・・・押圧部、７・・
・・・・先端部、８・・・・・・凹部、９・・・・・・
バンプ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか１名菓 ！ 図 前 第 図 図 Ｚ 第 第 図 図
プ形成方法を示す工程断面図、第２図（ａ）は本発明の
一実施例におけるバンプ形成装置の要部斜視図、第２図
（ロ）は第２図（ａ）のＡ部の拡大部分断面図、第３図
（ａ）、（ロ）は押圧部の先端部の形状を示す正面図、
第４図（ａ）〜（ｅ）は従来のワイヤボンダを用いた第
１のバンプ形成方法の工程断面図、第５ｒｊ４（ａ）〜
（ｅ）は従来のワイヤボンダを用いた第２のバンプ形成
方法の工程断面図、第６図は従来のメツキ法で形成した
バンプの断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・電極、５・・・・
・・線材（被加工材）、６・・・・・・押圧部、７・・
・・・・先端部、８・・・・・・凹部、９・・・・・・
バンプ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか１名菓 ！ 図 前 第 図 図 Ｚ 第 第 図 図
Claims (6)
- （１）先端部に凹部を有する押圧部の直下に被加工材を
供給する第１工程と、前記押圧部を用いて被加工材を押
圧しバンプを形成するとともに、そのバンプを基板の所
定の電極上に接着する第２工程とを備えたバンプ形成方
法。 - （２）押圧部が被加工材を押圧している時、前記押圧部
に超音波振動を印加することを特徴とする請求項１記載
のバンプ形成方法。 - （３）被加工材が予めバンプ１個分に必要な形状に切断
された後供給される請求項１記載のバンプ形成方法。 - （４）被加工材を押圧してバンプを形成する凹部を先端
部に有し、そのバンプを基板の電極上に圧着する押圧部
と、その押圧部の直下に被加工材を供給する供給部とを
備えたバンプ形成装置。 - （５）バンプを形成するための凹部を有する先端部が押
圧部に着脱可能に保持されている請求項４記載のバンプ
形成装置。 - （６）押圧部に連動して被加工材を送りだし、または保
持するクランパー部を設けた請求項４記載のバンプ形成
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20858590A JPH0499034A (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | バンプ形成方法およびバンプ形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20858590A JPH0499034A (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | バンプ形成方法およびバンプ形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499034A true JPH0499034A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16558628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20858590A Pending JPH0499034A (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | バンプ形成方法およびバンプ形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499034A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286298A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| JP2000286297A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| US7624492B1 (en) * | 1999-10-13 | 2009-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic parts |
| US7683482B2 (en) | 1999-01-29 | 2010-03-23 | Panasonic Corporation | Electronic component unit |
| JP2013187383A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Denso Corp | バンプ構造体の製造方法 |
-
1990
- 1990-08-06 JP JP20858590A patent/JPH0499034A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286298A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| JP2000286297A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法及びその装置 |
| US7683482B2 (en) | 1999-01-29 | 2010-03-23 | Panasonic Corporation | Electronic component unit |
| US8007627B2 (en) | 1999-01-29 | 2011-08-30 | Panasonic Corporation | Electronic component mounting method and apparatus |
| US7624492B1 (en) * | 1999-10-13 | 2009-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic parts |
| US8726494B2 (en) | 1999-10-13 | 2014-05-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Holding jig for electronic parts |
| JP2013187383A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Denso Corp | バンプ構造体の製造方法 |
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