JP2000214111A - 電子プロ―ブマイクロアナライザ - Google Patents
電子プロ―ブマイクロアナライザInfo
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- JP2000214111A JP2000214111A JP11012626A JP1262699A JP2000214111A JP 2000214111 A JP2000214111 A JP 2000214111A JP 11012626 A JP11012626 A JP 11012626A JP 1262699 A JP1262699 A JP 1262699A JP 2000214111 A JP2000214111 A JP 2000214111A
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- Japan
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- ray
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 測定時間を短縮しビームダメージを回避でき
るようにしたＥＰＭＡを提供する。 【解決手段】 ガン部１より射出される電子ビーム２を
試料ステージ８上に載置した試料５に照射させるための
収束レンズ３及び対物レンズ４と、試料ステージを駆動
するためのステージモータ10と、該ステージモータを制
御するためのステージ制御部11と、電子ビームが照射さ
れた試料から発生するＸ線を検出するＸ線カウンタ６
と、該Ｘ線カウンタからの信号を受けてＸ線を計測する
Ｘ線計測系７と、試料の吸収電流を試料測定中継続して
測定する吸収電流測定部９と、吸収電流測定部で測定さ
れた吸収電流の大きさを判定し、Ｘ線計測系の計測動作
のオン・オフの制御及びステージ制御部のステージ移動
速度の制御を行う電流判定制御部12とでＥＰＭＡを構成
する。
るようにしたＥＰＭＡを提供する。 【解決手段】 ガン部１より射出される電子ビーム２を
試料ステージ８上に載置した試料５に照射させるための
収束レンズ３及び対物レンズ４と、試料ステージを駆動
するためのステージモータ10と、該ステージモータを制
御するためのステージ制御部11と、電子ビームが照射さ
れた試料から発生するＸ線を検出するＸ線カウンタ６
と、該Ｘ線カウンタからの信号を受けてＸ線を計測する
Ｘ線計測系７と、試料の吸収電流を試料測定中継続して
測定する吸収電流測定部９と、吸収電流測定部で測定さ
れた吸収電流の大きさを判定し、Ｘ線計測系の計測動作
のオン・オフの制御及びステージ制御部のステージ移動
速度の制御を行う電流判定制御部12とでＥＰＭＡを構成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、試料の測定時間
を短縮しビームダメージを回避できるようにした電子プ
ローブマイクロアナライザ（以下ＥＰＭＡと略称する）
に関する。
を短縮しビームダメージを回避できるようにした電子プ
ローブマイクロアナライザ（以下ＥＰＭＡと略称する）
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＥＰＭＡによる測定においては、
試料の測定領域をステージを介して電子ビームに対して
２次元的にスキャンさせたり、又は試料の測定領域に対
して電子ビームを２次元的にスキャンさせて、試料のＸ
線像を収集するマップ分析と呼ばれる手法がよく用いら
れている。このマップ分析における測定領域は通常四角
形に設定され、その測定領域の指定された１ピクセル当
たりの測定時間にちょうどＸ線が測定できるように、試
料ステージ又は電子ビームを定速でスキャンしている。
このステージ又は電子ビームのスキャン時に十分なＸ線
強度を得るためには、測定時間を長くしたり、電子ビー
ムの照射電流を大きくする必要がある。そのため、試料
の１つのマップ画像を得るために測定時間が数十分から
数時間に及ぶことも珍しくない。
試料の測定領域をステージを介して電子ビームに対して
２次元的にスキャンさせたり、又は試料の測定領域に対
して電子ビームを２次元的にスキャンさせて、試料のＸ
線像を収集するマップ分析と呼ばれる手法がよく用いら
れている。このマップ分析における測定領域は通常四角
形に設定され、その測定領域の指定された１ピクセル当
たりの測定時間にちょうどＸ線が測定できるように、試
料ステージ又は電子ビームを定速でスキャンしている。
このステージ又は電子ビームのスキャン時に十分なＸ線
強度を得るためには、測定時間を長くしたり、電子ビー
ムの照射電流を大きくする必要がある。そのため、試料
の１つのマップ画像を得るために測定時間が数十分から
数時間に及ぶことも珍しくない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで試料の分析
（測定）領域は、分析対象を含むように設定される必要
がある。このことは、分析領域には分析対象以外の領域
が含まれることを意味している。しかしながら、分析領
域において分析対象以外の領域を測定するのは時間の無
駄であるばかりでなく、試料を樹脂等の包埋材の中に埋
め込んだ試料包理体をステージに載置して分析を行う場
合には、分析対象である試料だけでなく分析領域内の包
埋材にも電子ビームが照射されるので、電子ビームの照
射により包埋材が蒸発して試料表面を汚染したり、更に
は試料室内や鏡筒を汚染したりするというビームダメー
ジが発生する問題点もある。
（測定）領域は、分析対象を含むように設定される必要
がある。このことは、分析領域には分析対象以外の領域
が含まれることを意味している。しかしながら、分析領
域において分析対象以外の領域を測定するのは時間の無
駄であるばかりでなく、試料を樹脂等の包埋材の中に埋
め込んだ試料包理体をステージに載置して分析を行う場
合には、分析対象である試料だけでなく分析領域内の包
埋材にも電子ビームが照射されるので、電子ビームの照
射により包埋材が蒸発して試料表面を汚染したり、更に
は試料室内や鏡筒を汚染したりするというビームダメー
ジが発生する問題点もある。
【０００４】本発明は、従来のＥＰＭＡによるマップ分
析法における長時間測定とそれに伴うビームダメージと
いう問題点を解消するためになされたもので、測定時間
を短縮しビームダメージも回避できるようにしたＥＰＭ
Ａを提供することを目的とする。
析法における長時間測定とそれに伴うビームダメージと
いう問題点を解消するためになされたもので、測定時間
を短縮しビームダメージも回避できるようにしたＥＰＭ
Ａを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明は、試料を載置したステージ又は試料に照射
する電子ビームを２次元的にスキャンする走査手段と、
電子ビームを照射した試料から発生するＸ線を検出し測
定するＸ線計測手段とを有する電子プローブマイクロア
ナライザにおいて、試料の測定中連続的に試料の吸収電
流を測定する吸収電流測定部と、測定された吸収電流値
に応じて前記Ｘ線計測手段と走査手段とを制御する電流
判定制御部とを備え、該電流判定制御部は、測定された
吸収電流値が試料測定不適値であると判定したときには
前記Ｘ線計測手段の計測を停止させると共に前記走査手
段のスキャン速度を高速に設定するように制御し、測定
された吸収電流値が試料測定適正値であると判定したと
きには前記Ｘ線計測手段の計測動作を実行させると共に
前記走査手段を定速スキャンさせるように制御する如く
構成されていることを特徴とするものである。
め、本発明は、試料を載置したステージ又は試料に照射
する電子ビームを２次元的にスキャンする走査手段と、
電子ビームを照射した試料から発生するＸ線を検出し測
定するＸ線計測手段とを有する電子プローブマイクロア
ナライザにおいて、試料の測定中連続的に試料の吸収電
流を測定する吸収電流測定部と、測定された吸収電流値
に応じて前記Ｘ線計測手段と走査手段とを制御する電流
判定制御部とを備え、該電流判定制御部は、測定された
吸収電流値が試料測定不適値であると判定したときには
前記Ｘ線計測手段の計測を停止させると共に前記走査手
段のスキャン速度を高速に設定するように制御し、測定
された吸収電流値が試料測定適正値であると判定したと
きには前記Ｘ線計測手段の計測動作を実行させると共に
前記走査手段を定速スキャンさせるように制御する如く
構成されていることを特徴とするものである。
【０００６】このように構成した電子プローブマイクロ
アナライザにおいては、測定された吸収電流値が試料測
定不適値であると判定されたときには、Ｘ線計測手段の
計測を停止させると共に走査手段は高速スキャンを行う
ように制御されるので、試料の測定不要部分の測定が行
われず測定時間が短縮され、それにより測定不要部分へ
の電子ビームの照射時間が短くなり、ビームダメージの
発生を回避することができ、また計測データに不要部分
のデータが入らず、データの解釈の誤りを防止すること
ができる。
アナライザにおいては、測定された吸収電流値が試料測
定不適値であると判定されたときには、Ｘ線計測手段の
計測を停止させると共に走査手段は高速スキャンを行う
ように制御されるので、試料の測定不要部分の測定が行
われず測定時間が短縮され、それにより測定不要部分へ
の電子ビームの照射時間が短くなり、ビームダメージの
発生を回避することができ、また計測データに不要部分
のデータが入らず、データの解釈の誤りを防止すること
ができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、実施の形態について説明す
る。図１は、本発明に係るＥＰＭＡの実施の形態を示す
概略構成図である。図１において、１は電子ビーム２を
発生させるガン部、３はガン部１より射出される電子ビ
ーム２を収束させるための収束レンズ、４は対物レン
ズ、５は試料、６は電子ビーム２が照射された試料５か
ら発生するＸ線を検出するＸ線カウンタ、７はＸ線カウ
ンタ６からの信号を受けてＸ線を計測するＸ線計測系、
８は試料を載置する試料ステージ、９は試料５の吸収電
流を測定する吸収電流測定部、10は試料ステージ８を駆
動するステージモータ、11はステージモータ10を介して
試料ステージ８を駆動制御するステージ制御部、12は試
料の吸収電流の大きさを判定し、Ｘ線計測系７及びステ
ージ制御部11を制御する電流判定制御部である。
る。図１は、本発明に係るＥＰＭＡの実施の形態を示す
概略構成図である。図１において、１は電子ビーム２を
発生させるガン部、３はガン部１より射出される電子ビ
ーム２を収束させるための収束レンズ、４は対物レン
ズ、５は試料、６は電子ビーム２が照射された試料５か
ら発生するＸ線を検出するＸ線カウンタ、７はＸ線カウ
ンタ６からの信号を受けてＸ線を計測するＸ線計測系、
８は試料を載置する試料ステージ、９は試料５の吸収電
流を測定する吸収電流測定部、10は試料ステージ８を駆
動するステージモータ、11はステージモータ10を介して
試料ステージ８を駆動制御するステージ制御部、12は試
料の吸収電流の大きさを判定し、Ｘ線計測系７及びステ
ージ制御部11を制御する電流判定制御部である。
【０００８】次に、このように構成されているＥＰＭＡ
の概略動作について説明すると、ガン部１から射出され
た電子ビーム２は収束レンズ３及び対物レンズ４により
絞られて、試料５に照射される。試料５から発生するＸ
線はＸ線カウンタ６で検出され、Ｘ線計測系で計測され
る。マップ測定中はステージ制御部11がＸ，Ｙ，Ｚの３
軸のステージモータ10を連続的に駆動することにより、
指定測定領域のＸ線強度が得られるようになっている。
の概略動作について説明すると、ガン部１から射出され
た電子ビーム２は収束レンズ３及び対物レンズ４により
絞られて、試料５に照射される。試料５から発生するＸ
線はＸ線カウンタ６で検出され、Ｘ線計測系で計測され
る。マップ測定中はステージ制御部11がＸ，Ｙ，Ｚの３
軸のステージモータ10を連続的に駆動することにより、
指定測定領域のＸ線強度が得られるようになっている。
【０００９】次に、本発明に係るＥＰＭＡ特有の吸収電
流測定部９及び電流判定制御部12について詳細に説明す
る。ＥＰＭＡにおいて、一般に試料に照射されるビーム
電流は、一部は反射電子や２次電子として試料外に放出
され、一部は試料に吸収され、また一部は試料を透過す
る。すなわち、照射電流ＩI は次式（１）で表される。 ＩI ＝ＩB ＋ＩA ＋ＩT ＋ＩS ・・・・・・・・・・（１） ここで、ＩB は反射電子、ＩS は２次電子、ＩA は吸収
電流、ＩT は透過電流である。ＥＰＭＡでは試料は一般
に十分な厚さがあるから、透過電流ＩT はないものとし
て、次式（２）で表される。 ＩI ＝ＩB ＋ＩA ＋ＩS ・・・・・・・・・・・・・（２）
流測定部９及び電流判定制御部12について詳細に説明す
る。ＥＰＭＡにおいて、一般に試料に照射されるビーム
電流は、一部は反射電子や２次電子として試料外に放出
され、一部は試料に吸収され、また一部は試料を透過す
る。すなわち、照射電流ＩI は次式（１）で表される。 ＩI ＝ＩB ＋ＩA ＋ＩT ＋ＩS ・・・・・・・・・・（１） ここで、ＩB は反射電子、ＩS は２次電子、ＩA は吸収
電流、ＩT は透過電流である。ＥＰＭＡでは試料は一般
に十分な厚さがあるから、透過電流ＩT はないものとし
て、次式（２）で表される。 ＩI ＝ＩB ＋ＩA ＋ＩS ・・・・・・・・・・・・・（２）
【００１０】また、包埋試料の場合、試料を包埋してい
る樹脂は炭素、水素、酸素等が主な構成物である。一
方、ＥＰＭＡはホウ素以降の元素の測定が可能である
が、フッ素以降の元素測定が一般的である。したがっ
て、測定すべき試料の方が包埋材である樹脂よりも平均
原子番号が大きいといえる。なお、平均原子番号は次式
（３）で計算される、濃度でノーマイライズされた原子
番号のことである。 平均原子番号＝Ｓｕｍ（Ｃi ×Ｚ） ・・・・・・・・（３） ここで、Ｃi は各構成元素の濃度、Ｚは構成元素の原子
番号である。
る樹脂は炭素、水素、酸素等が主な構成物である。一
方、ＥＰＭＡはホウ素以降の元素の測定が可能である
が、フッ素以降の元素測定が一般的である。したがっ
て、測定すべき試料の方が包埋材である樹脂よりも平均
原子番号が大きいといえる。なお、平均原子番号は次式
（３）で計算される、濃度でノーマイライズされた原子
番号のことである。 平均原子番号＝Ｓｕｍ（Ｃi ×Ｚ） ・・・・・・・・（３） ここで、Ｃi は各構成元素の濃度、Ｚは構成元素の原子
番号である。
【００１１】一般に反射電子強度は、試料の平均原子番
号に比例して強くなる。また２次電子は反射電子や吸収
電流に比べて小さいから、次式（４）に示すように、試
料の吸収電流は樹脂の吸収電流より小さくなる。 ＩA （試料）＜ＩA （樹脂） ・・・・・・・・・・・（４） したがって、試料測定中に吸収電流測定部９で連続的に
測定している吸収電流値を、電流判定制御部12でモニタ
しておき、吸収電流が所定の閾値より高いか低いかによ
り、電子ビームが試料に照射されているか否かを判別す
ることが可能となり、それによりＸ線計測系７及びステ
ージ制御部11を制御することができる。
号に比例して強くなる。また２次電子は反射電子や吸収
電流に比べて小さいから、次式（４）に示すように、試
料の吸収電流は樹脂の吸収電流より小さくなる。 ＩA （試料）＜ＩA （樹脂） ・・・・・・・・・・・（４） したがって、試料測定中に吸収電流測定部９で連続的に
測定している吸収電流値を、電流判定制御部12でモニタ
しておき、吸収電流が所定の閾値より高いか低いかによ
り、電子ビームが試料に照射されているか否かを判別す
ることが可能となり、それによりＸ線計測系７及びステ
ージ制御部11を制御することができる。
【００１２】次に、上記吸収電流測定部９と電流判定制
御部12の動作に基づく本発明特有の測定手法を、図２の
フローチャートに基づいて説明する。先の概略動作説明
において述べたように、ＥＰＭＡによるマッピング分析
中は１ピクセル当たりの測定時間を満たすように、ステ
ージ８はステージモータ10により定速で移動し、ステー
ジの移動に同期してＸ線カウンタ６をオン・オフするこ
とにより、各ピクセルのデータが収集される。本発明に
おいては、この測定中に、吸収電流を吸収電流測定部９
で常に測定し電流判定制御部12でモニタする（ステップ
Ｓ１）。
御部12の動作に基づく本発明特有の測定手法を、図２の
フローチャートに基づいて説明する。先の概略動作説明
において述べたように、ＥＰＭＡによるマッピング分析
中は１ピクセル当たりの測定時間を満たすように、ステ
ージ８はステージモータ10により定速で移動し、ステー
ジの移動に同期してＸ線カウンタ６をオン・オフするこ
とにより、各ピクセルのデータが収集される。本発明に
おいては、この測定中に、吸収電流を吸収電流測定部９
で常に測定し電流判定制御部12でモニタする（ステップ
Ｓ１）。
【００１３】そして、電流判定制御部12において、予め
設定された閾値より吸収電流値が大きくなったと判定さ
れた場合は、電子ビームは試料を包埋している樹脂に照
射されているものとして、その判定に基づく制御信号を
ステージ制御部11とＸ線計測系７に同時に送出する。こ
の制御信号によりステージ制御部11ではステージ８を高
速で移動させると共に（ステップＳ２）、Ｘ線計測系７
ではカウンタのオン・オフ動作を止めてオフとし、Ｘ線
計測値をゼロカウントとする（ステップＳ３）。
設定された閾値より吸収電流値が大きくなったと判定さ
れた場合は、電子ビームは試料を包埋している樹脂に照
射されているものとして、その判定に基づく制御信号を
ステージ制御部11とＸ線計測系７に同時に送出する。こ
の制御信号によりステージ制御部11ではステージ８を高
速で移動させると共に（ステップＳ２）、Ｘ線計測系７
ではカウンタのオン・オフ動作を止めてオフとし、Ｘ線
計測値をゼロカウントとする（ステップＳ３）。
【００１４】一方、測定された吸収電流が予め設定され
た閾値より小さいと判定された場合は、電子ビームは試
料に照射されているものとして、その判定に基づく制御
信号によりステージ制御部11ではステージ８に対して通
常の測定時の定速移動を行わせ（ステップＳ４）、Ｘ線
計測系７ではカウンタのオン・オフ動作を行わせ通常の
計測を実行する（ステップＳ５）。
た閾値より小さいと判定された場合は、電子ビームは試
料に照射されているものとして、その判定に基づく制御
信号によりステージ制御部11ではステージ８に対して通
常の測定時の定速移動を行わせ（ステップＳ４）、Ｘ線
計測系７ではカウンタのオン・オフ動作を行わせ通常の
計測を実行する（ステップＳ５）。
【００１５】このようにして分析測定を行うことによ
り、分析試料領域では正常にＸ線が計測され、それ以外
の包埋樹脂等の測定不要領域は高速でステージを移動さ
せると共にＸ線計測値がゼロのデータを出力させる。し
たがって、所定の分析領域のみのマッピングデータが正
常に得られると共に、試料以外の樹脂等の測定不要領域
の移動速度が速められるのでビームダメージの発生を回
避することができる。
り、分析試料領域では正常にＸ線が計測され、それ以外
の包埋樹脂等の測定不要領域は高速でステージを移動さ
せると共にＸ線計測値がゼロのデータを出力させる。し
たがって、所定の分析領域のみのマッピングデータが正
常に得られると共に、試料以外の樹脂等の測定不要領域
の移動速度が速められるのでビームダメージの発生を回
避することができる。
【００１６】上記実施の形態に用いるＥＰＭＡにおいて
は、波長分散型Ｘ線分光器（ＷＤＳ）を用いてＸ線計測
を行うようにしたものを示したが、エネルギー分散型Ｘ
線分光器（ＥＤＳ）を用いたＸ線計測を行うようにした
ものにも本発明は適用することができる。また上記ＥＰ
ＭＡでは試料ステージの定速移動により試料の測定を行
うようにしたものを示したが、電子ビームのスキャンに
より測定を行う場合にも本発明を適用することができ
る。
は、波長分散型Ｘ線分光器（ＷＤＳ）を用いてＸ線計測
を行うようにしたものを示したが、エネルギー分散型Ｘ
線分光器（ＥＤＳ）を用いたＸ線計測を行うようにした
ものにも本発明は適用することができる。また上記ＥＰ
ＭＡでは試料ステージの定速移動により試料の測定を行
うようにしたものを示したが、電子ビームのスキャンに
より測定を行う場合にも本発明を適用することができ
る。
【００１７】また、上記実施の形態においては、試料と
して樹脂包埋試料を用い、樹脂に電子ビームが照射され
るときの不具合の発生を回避する場合について説明を行
ったが、中間に穴部分を有する試料の場合は、電子ビー
ムが該試料の穴部分に照射されたときには、殆どの電子
は試料に照射されず透過してしまい、吸収電流は試料に
電子ビームが照射されているときより却って小さくな
る。したがって、このような形状の試料を測定する場合
は、吸収電流の判定値（閾値）として、上限値ばかりで
なく下限値も設定する必要がある。このように吸収電流
の上限値と下限値を設定することにより、穴部分をもつ
試料の場合は、穴部分の測定を行わず、高速で移動させ
ることにより測定の効率を向上させることができる。
して樹脂包埋試料を用い、樹脂に電子ビームが照射され
るときの不具合の発生を回避する場合について説明を行
ったが、中間に穴部分を有する試料の場合は、電子ビー
ムが該試料の穴部分に照射されたときには、殆どの電子
は試料に照射されず透過してしまい、吸収電流は試料に
電子ビームが照射されているときより却って小さくな
る。したがって、このような形状の試料を測定する場合
は、吸収電流の判定値（閾値）として、上限値ばかりで
なく下限値も設定する必要がある。このように吸収電流
の上限値と下限値を設定することにより、穴部分をもつ
試料の場合は、穴部分の測定を行わず、高速で移動させ
ることにより測定の効率を向上させることができる。
【００１８】また、本発明に係るＥＰＭＡによる測定手
法は面分析のみでなく、線分析や点分析を行う場合に対
しても有効である。線分析の場合は、本発明によるＥＰ
ＭＡの測定手法を１ラインのみに適用するものと考える
と、同様な手法での分析が可能である。また点分析にお
いては、測定の前に吸収電流をチェックすることによ
り、不要な測定を行わず測定時間を短縮し、ビームダメ
ージを避けることができる。最近は定量分析においても
面分析と同様にグリッド状に測定することが多いので、
本発明の適用による効果は大きい。
法は面分析のみでなく、線分析や点分析を行う場合に対
しても有効である。線分析の場合は、本発明によるＥＰ
ＭＡの測定手法を１ラインのみに適用するものと考える
と、同様な手法での分析が可能である。また点分析にお
いては、測定の前に吸収電流をチェックすることによ
り、不要な測定を行わず測定時間を短縮し、ビームダメ
ージを避けることができる。最近は定量分析においても
面分析と同様にグリッド状に測定することが多いので、
本発明の適用による効果は大きい。
【００１９】
【発明の効果】以上実施の形態に基づいて説明したよう
に、本発明によれば、マップ分析中に試料の吸収電流を
連続的に測定し吸収電流値がマップ分析に不適と判定さ
れたときには、Ｘ線計測を行わず且つ電子ビームに対す
る試料の相対的な移動速度を速くして走査を行うように
しているので、マップ分析に不要な部分に電子ビームが
照射される時間が短縮され、ビームダメージを回避する
ことができ、またマップ画像に不要なデータが入らず、
データの誤解釈を防止することができる。
に、本発明によれば、マップ分析中に試料の吸収電流を
連続的に測定し吸収電流値がマップ分析に不適と判定さ
れたときには、Ｘ線計測を行わず且つ電子ビームに対す
る試料の相対的な移動速度を速くして走査を行うように
しているので、マップ分析に不要な部分に電子ビームが
照射される時間が短縮され、ビームダメージを回避する
ことができ、またマップ画像に不要なデータが入らず、
データの誤解釈を防止することができる。
【図１】本発明に係るＥＰＭＡの実施の形態を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図２】図１に示したＥＰＭＡの動作を説明するための
フローチャートである。
フローチャートである。
１ ガン部 ２ 電子ビーム ３ 収束レンズ ４ 対物レンズ ５ 試料 ６ Ｘ線カウンタ ７ Ｘ線計測系 ８ 試料ステージ ９ 吸収電流測定部 10 ステージモータ 11 ステージ制御部 12 電流判定制御部
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G001 AA03 BA05 BA07 CA01 GA06 GA11 JA02 JA03 JA09 JA20 KA01 NA04 NA16 PA11 5C033 PP01 PP04 PP08
Claims (1)
- 【請求項１】 試料を載置したステージ又は試料に照射
する電子ビームを２次元的にスキャンする走査手段と、
電子ビームを照射した試料から発生するＸ線を検出し測
定するＸ線計測手段とを有する電子プローブマイクロア
ナライザにおいて、試料の測定中連続的に試料の吸収電
流を測定する吸収電流測定部と、測定された吸収電流値
に応じて前記Ｘ線計測手段と走査手段とを制御する電流
判定制御部とを備え、該電流判定制御部は、測定された
吸収電流値が試料測定不適値であると判定したときには
前記Ｘ線計測手段の計測を停止させると共に前記走査手
段のスキャン速度を高速に設定するように制御し、測定
された吸収電流値が試料測定適正値であると判定したと
きには前記Ｘ線計測手段の計測動作を実行させると共に
前記走査手段を定速スキャンさせるように制御する如く
構成されていることを特徴とする電子プローブマイクロ
アナライザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11012626A JP2000214111A (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | 電子プロ―ブマイクロアナライザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11012626A JP2000214111A (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | 電子プロ―ブマイクロアナライザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000214111A true JP2000214111A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11810595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11012626A Withdrawn JP2000214111A (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | 電子プロ―ブマイクロアナライザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000214111A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007255950A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Horiba Ltd | 電子顕微鏡装置と共に用いる分析装置、及び、第１の分析装置と共に用いる第２の分析装置 |
| JP2010164442A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Jeol Ltd | エネルギー分散型ｘ線分光器による分析方法及びｘ線分析装置 |
| JP2012189399A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Sii Nanotechnology Inc | Ｘ線分析装置 |
| JP2015148499A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 日本電子株式会社 | 粒子解析装置、およびプログラム |
| JP2020034420A (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線分析装置 |
-
1999
- 1999-01-21 JP JP11012626A patent/JP2000214111A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP7159700B2 (ja) | 2018-08-30 | 2022-10-25 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線分析装置 |
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