JP2000214111A - Electronic probe microanalyzer - Google Patents
Electronic probe microanalyzerInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、試料の測定時間
を短縮しビームダメージを回避できるようにした電子プ
ローブマイクロアナライザ（以下ＥＰＭＡと略称する）
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron probe microanalyzer (hereinafter abbreviated as EPMA) for shortening a measurement time of a sample and avoiding beam damage.
About.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ＥＰＭＡによる測定においては、
試料の測定領域をステージを介して電子ビームに対して
２次元的にスキャンさせたり、又は試料の測定領域に対
して電子ビームを２次元的にスキャンさせて、試料のＸ
線像を収集するマップ分析と呼ばれる手法がよく用いら
れている。このマップ分析における測定領域は通常四角
形に設定され、その測定領域の指定された１ピクセル当
たりの測定時間にちょうどＸ線が測定できるように、試
料ステージ又は電子ビームを定速でスキャンしている。
このステージ又は電子ビームのスキャン時に十分なＸ線
強度を得るためには、測定時間を長くしたり、電子ビー
ムの照射電流を大きくする必要がある。そのため、試料
の１つのマップ画像を得るために測定時間が数十分から
数時間に及ぶことも珍しくない。2. Description of the Related Art Conventionally, in EPMA measurement,
The measurement region of the sample is two-dimensionally scanned with the electron beam through the stage, or the measurement region of the sample is two-dimensionally scanned with the electron beam, so that the X
A technique called map analysis for collecting line images is often used. The measurement area in this map analysis is usually set to be a square, and the sample stage or the electron beam is scanned at a constant speed so that X-rays can be measured at a specified measurement time per pixel of the measurement area.
In order to obtain sufficient X-ray intensity at the time of scanning the stage or the electron beam, it is necessary to lengthen the measurement time or increase the electron beam irradiation current. Therefore, it is not uncommon for the measurement time to be from tens of minutes to several hours to obtain one map image of the sample.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで試料の分析
（測定）領域は、分析対象を含むように設定される必要
がある。このことは、分析領域には分析対象以外の領域
が含まれることを意味している。しかしながら、分析領
域において分析対象以外の領域を測定するのは時間の無
駄であるばかりでなく、試料を樹脂等の包埋材の中に埋
め込んだ試料包理体をステージに載置して分析を行う場
合には、分析対象である試料だけでなく分析領域内の包
埋材にも電子ビームが照射されるので、電子ビームの照
射により包埋材が蒸発して試料表面を汚染したり、更に
は試料室内や鏡筒を汚染したりするというビームダメー
ジが発生する問題点もある。The analysis (measurement) area of the sample needs to be set so as to include the analysis object. This means that the analysis area includes an area other than the analysis target. However, measuring an area other than the analysis target in the analysis area is not only a waste of time, but also a sample embedded body in which a sample is embedded in an embedding material such as a resin is placed on a stage to perform analysis. In this case, the electron beam is irradiated not only on the sample to be analyzed but also on the embedding material in the analysis area, so that the embedding material evaporates due to the irradiation with the electron beam and contaminates the sample surface. There is also a problem that beam damage occurs, such as contamination of the sample chamber and the lens barrel.
【０００４】本発明は、従来のＥＰＭＡによるマップ分
析法における長時間測定とそれに伴うビームダメージと
いう問題点を解消するためになされたもので、測定時間
を短縮しビームダメージも回避できるようにしたＥＰＭ
Ａを提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the problem of long-term measurement and the associated beam damage in a conventional map analysis method using EPMA, and an EPM that reduces the measurement time and avoids beam damage.
A is intended to be provided.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明は、試料を載置したステージ又は試料に照射
する電子ビームを２次元的にスキャンする走査手段と、
電子ビームを照射した試料から発生するＸ線を検出し測
定するＸ線計測手段とを有する電子プローブマイクロア
ナライザにおいて、試料の測定中連続的に試料の吸収電
流を測定する吸収電流測定部と、測定された吸収電流値
に応じて前記Ｘ線計測手段と走査手段とを制御する電流
判定制御部とを備え、該電流判定制御部は、測定された
吸収電流値が試料測定不適値であると判定したときには
前記Ｘ線計測手段の計測を停止させると共に前記走査手
段のスキャン速度を高速に設定するように制御し、測定
された吸収電流値が試料測定適正値であると判定したと
きには前記Ｘ線計測手段の計測動作を実行させると共に
前記走査手段を定速スキャンさせるように制御する如く
構成されていることを特徴とするものである。In order to solve the above problems, the present invention provides a stage on which a sample is mounted or a scanning means for two-dimensionally scanning an electron beam applied to the sample,
An electron probe microanalyzer having X-ray measuring means for detecting and measuring X-rays generated from a sample irradiated with an electron beam, an absorption current measuring unit for continuously measuring the absorption current of the sample during measurement of the sample, A current determination control unit that controls the X-ray measurement unit and the scanning unit in accordance with the measured absorption current value, wherein the current determination control unit determines that the measured absorption current value is a sample measurement inappropriate value. When the measurement is stopped, the X-ray measurement unit is stopped, and the scanning speed of the scanning unit is controlled to be set to a high speed. When it is determined that the measured absorption current value is a sample measurement proper value, the X-ray measurement is performed. The scanning means is configured to execute a measuring operation and to control the scanning means to scan at a constant speed.
【０００６】このように構成した電子プローブマイクロ
アナライザにおいては、測定された吸収電流値が試料測
定不適値であると判定されたときには、Ｘ線計測手段の
計測を停止させると共に走査手段は高速スキャンを行う
ように制御されるので、試料の測定不要部分の測定が行
われず測定時間が短縮され、それにより測定不要部分へ
の電子ビームの照射時間が短くなり、ビームダメージの
発生を回避することができ、また計測データに不要部分
のデータが入らず、データの解釈の誤りを防止すること
ができる。In the electronic probe microanalyzer configured as described above, when it is determined that the measured absorption current value is inappropriate for the sample measurement, the measurement by the X-ray measurement unit is stopped and the scanning unit performs high-speed scanning. The measurement is not performed on the unnecessary part of the sample, so that the measurement time is shortened.Therefore, the irradiation time of the electron beam to the unnecessary part is shortened, and the occurrence of beam damage can be avoided. Further, unnecessary data is not included in the measurement data, so that an error in interpretation of the data can be prevented.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】次に、実施の形態について説明す
る。図１は、本発明に係るＥＰＭＡの実施の形態を示す
概略構成図である。図１において、１は電子ビーム２を
発生させるガン部、３はガン部１より射出される電子ビ
ーム２を収束させるための収束レンズ、４は対物レン
ズ、５は試料、６は電子ビーム２が照射された試料５か
ら発生するＸ線を検出するＸ線カウンタ、７はＸ線カウ
ンタ６からの信号を受けてＸ線を計測するＸ線計測系、
８は試料を載置する試料ステージ、９は試料５の吸収電
流を測定する吸収電流測定部、10は試料ステージ８を駆
動するステージモータ、11はステージモータ10を介して
試料ステージ８を駆動制御するステージ制御部、12は試
料の吸収電流の大きさを判定し、Ｘ線計測系７及びステ
ージ制御部11を制御する電流判定制御部である。Next, an embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the EPMA according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a gun unit for generating an electron beam 2, 3 denotes a converging lens for converging the electron beam 2 emitted from the gun unit 1, 4 denotes an objective lens, 5 denotes a sample, and 6 denotes an electron beam. An X-ray counter for detecting X-rays generated from the irradiated sample 5; an X-ray measurement system 7 for receiving X-ray signals from the X-ray counter 6 and measuring X-rays;
Reference numeral 8 denotes a sample stage on which a sample is placed, 9 denotes an absorption current measuring unit that measures the absorption current of the sample 5, 10 denotes a stage motor that drives the sample stage 8, and 11 denotes drive control of the sample stage 8 via the stage motor 10. The stage control unit 12 determines the magnitude of the absorption current of the sample, and controls the X-ray measurement system 7 and the stage control unit 11.
【０００８】次に、このように構成されているＥＰＭＡ
の概略動作について説明すると、ガン部１から射出され
た電子ビーム２は収束レンズ３及び対物レンズ４により
絞られて、試料５に照射される。試料５から発生するＸ
線はＸ線カウンタ６で検出され、Ｘ線計測系で計測され
る。マップ測定中はステージ制御部11がＸ，Ｙ，Ｚの３
軸のステージモータ10を連続的に駆動することにより、
指定測定領域のＸ線強度が得られるようになっている。Next, the thus configured EPMA
The electron beam 2 emitted from the gun unit 1 is narrowed down by a converging lens 3 and an objective lens 4 and irradiated on a sample 5. X generated from sample 5
The line is detected by the X-ray counter 6 and measured by an X-ray measurement system. During the map measurement, the stage controller 11 controls the X, Y, Z
By continuously driving the axis stage motor 10,
The X-ray intensity in the designated measurement area can be obtained.
【０００９】次に、本発明に係るＥＰＭＡ特有の吸収電
流測定部９及び電流判定制御部12について詳細に説明す
る。ＥＰＭＡにおいて、一般に試料に照射されるビーム
電流は、一部は反射電子や２次電子として試料外に放出
され、一部は試料に吸収され、また一部は試料を透過す
る。すなわち、照射電流ＩI は次式（１）で表される。 ＩI ＝ＩB ＋ＩA ＋ＩT ＋ＩS ・・・・・・・・・・（１） ここで、ＩB は反射電子、ＩS は２次電子、ＩA は吸収
電流、ＩT は透過電流である。ＥＰＭＡでは試料は一般
に十分な厚さがあるから、透過電流ＩT はないものとし
て、次式（２）で表される。 ＩI ＝ＩB ＋ＩA ＋ＩS ・・・・・・・・・・・・・（２）Next, the EPMA specific absorption current measuring section 9 and the current determination control section 12 according to the present invention will be described in detail. In EPMA, generally, a part of a beam current applied to a sample is emitted out of the sample as reflected electrons or secondary electrons, a part is absorbed by the sample, and a part is transmitted through the sample. That is, the emission current I I is represented by the following formula (1). In I I = I B + I A + I T + I S ·········· (1) where, I B is reflected electrons, I S is the secondary electrons, I A is absorbed current, I T is transmitted It is a current. Since the sample in EPMA may generally sufficient thickness, as not transparency current I T, is expressed by the following equation (2). I I = I B + I A + I S (2)
【００１０】また、包埋試料の場合、試料を包埋してい
る樹脂は炭素、水素、酸素等が主な構成物である。一
方、ＥＰＭＡはホウ素以降の元素の測定が可能である
が、フッ素以降の元素測定が一般的である。したがっ
て、測定すべき試料の方が包埋材である樹脂よりも平均
原子番号が大きいといえる。なお、平均原子番号は次式
（３）で計算される、濃度でノーマイライズされた原子
番号のことである。 平均原子番号＝Ｓｕｍ（Ｃi ×Ｚ） ・・・・・・・・（３） ここで、Ｃi は各構成元素の濃度、Ｚは構成元素の原子
番号である。In the case of an embedded sample, the main components of the resin embedding the sample are carbon, hydrogen, oxygen, and the like. On the other hand, EPMA can measure elements after boron, but generally measures elements after fluorine. Therefore, it can be said that the sample to be measured has a higher average atomic number than the resin as the embedding material. The average atomic number is an atomic number normalized by concentration calculated by the following equation (3). Average atomic number = Sum (Ci × Z) (3) where Ci is the concentration of each constituent element and Z is the atomic number of the constituent element.
【００１１】一般に反射電子強度は、試料の平均原子番
号に比例して強くなる。また２次電子は反射電子や吸収
電流に比べて小さいから、次式（４）に示すように、試
料の吸収電流は樹脂の吸収電流より小さくなる。 ＩA （試料）＜ＩA （樹脂） ・・・・・・・・・・・（４） したがって、試料測定中に吸収電流測定部９で連続的に
測定している吸収電流値を、電流判定制御部12でモニタ
しておき、吸収電流が所定の閾値より高いか低いかによ
り、電子ビームが試料に照射されているか否かを判別す
ることが可能となり、それによりＸ線計測系７及びステ
ージ制御部11を制御することができる。In general, the intensity of reflected electrons increases in proportion to the average atomic number of a sample. Also, since secondary electrons are smaller than reflected electrons and absorption current, the absorption current of the sample is smaller than the absorption current of the resin as shown in the following equation (4). I A (Sample) <I A (resin) ........... (4) Therefore, the absorption current value is continuously measured in the absorption current measuring section 9 in a sample measurement, the current It is possible to determine whether or not the sample is irradiated with the electron beam based on whether the absorption current is higher or lower than a predetermined threshold value, which is monitored by the determination control unit 12, whereby the X-ray measurement system 7 and the The stage controller 11 can be controlled.
【００１２】次に、上記吸収電流測定部９と電流判定制
御部12の動作に基づく本発明特有の測定手法を、図２の
フローチャートに基づいて説明する。先の概略動作説明
において述べたように、ＥＰＭＡによるマッピング分析
中は１ピクセル当たりの測定時間を満たすように、ステ
ージ８はステージモータ10により定速で移動し、ステー
ジの移動に同期してＸ線カウンタ６をオン・オフするこ
とにより、各ピクセルのデータが収集される。本発明に
おいては、この測定中に、吸収電流を吸収電流測定部９
で常に測定し電流判定制御部12でモニタする（ステップ
Ｓ１）。Next, a measuring method unique to the present invention based on the operations of the absorption current measuring unit 9 and the current judgment control unit 12 will be described with reference to the flowchart of FIG. As described in the schematic operation description above, during mapping analysis by EPMA, the stage 8 is moved at a constant speed by the stage motor 10 so as to satisfy the measurement time per pixel, and the X-ray is synchronized with the movement of the stage. By turning on / off the counter 6, data of each pixel is collected. In the present invention, during this measurement, the absorption current is measured by the absorption current measurement unit 9.
And is monitored by the current determination control unit 12 (step S1).
【００１３】そして、電流判定制御部12において、予め
設定された閾値より吸収電流値が大きくなったと判定さ
れた場合は、電子ビームは試料を包埋している樹脂に照
射されているものとして、その判定に基づく制御信号を
ステージ制御部11とＸ線計測系７に同時に送出する。こ
の制御信号によりステージ制御部11ではステージ８を高
速で移動させると共に（ステップＳ２）、Ｘ線計測系７
ではカウンタのオン・オフ動作を止めてオフとし、Ｘ線
計測値をゼロカウントとする（ステップＳ３）。When the current determination control unit 12 determines that the absorption current value has become larger than a preset threshold value, it is determined that the electron beam has been applied to the resin embedding the sample. A control signal based on the determination is sent to the stage controller 11 and the X-ray measurement system 7 at the same time. The stage controller 11 moves the stage 8 at high speed by this control signal (step S2), and the X-ray measurement system 7
Then, the on / off operation of the counter is stopped and turned off, and the X-ray measurement value is set to zero count (step S3).
【００１４】一方、測定された吸収電流が予め設定され
た閾値より小さいと判定された場合は、電子ビームは試
料に照射されているものとして、その判定に基づく制御
信号によりステージ制御部11ではステージ８に対して通
常の測定時の定速移動を行わせ（ステップＳ４）、Ｘ線
計測系７ではカウンタのオン・オフ動作を行わせ通常の
計測を実行する（ステップＳ５）。On the other hand, if it is determined that the measured absorption current is smaller than the preset threshold value, it is determined that the electron beam has been irradiated to the sample, and the stage controller 11 determines the stage based on the control signal based on the determination. The X-ray measurement system 8 is caused to perform a constant speed movement at the time of normal measurement (step S4), and the X-ray measurement system 7 performs an on / off operation of a counter to execute normal measurement (step S5).
【００１５】このようにして分析測定を行うことによ
り、分析試料領域では正常にＸ線が計測され、それ以外
の包埋樹脂等の測定不要領域は高速でステージを移動さ
せると共にＸ線計測値がゼロのデータを出力させる。し
たがって、所定の分析領域のみのマッピングデータが正
常に得られると共に、試料以外の樹脂等の測定不要領域
の移動速度が速められるのでビームダメージの発生を回
避することができる。By performing the analysis and measurement in this manner, X-rays are normally measured in the analysis sample area, and in other areas where measurement is not necessary such as embedded resin, the stage is moved at a high speed and the X-ray measurement value is obtained. Output zero data. Therefore, the mapping data of only the predetermined analysis region can be normally obtained, and the moving speed of the non-measurement unnecessary region such as the resin other than the sample is increased, so that the occurrence of beam damage can be avoided.
【００１６】上記実施の形態に用いるＥＰＭＡにおいて
は、波長分散型Ｘ線分光器（ＷＤＳ）を用いてＸ線計測
を行うようにしたものを示したが、エネルギー分散型Ｘ
線分光器（ＥＤＳ）を用いたＸ線計測を行うようにした
ものにも本発明は適用することができる。また上記ＥＰ
ＭＡでは試料ステージの定速移動により試料の測定を行
うようにしたものを示したが、電子ビームのスキャンに
より測定を行う場合にも本発明を適用することができ
る。In the EPMA used in the above embodiment, X-ray measurement is performed using a wavelength-dispersive X-ray spectrometer (WDS).
The present invention is also applicable to an apparatus that performs X-ray measurement using an X-ray spectrometer (EDS). The above EP
In the MA, the measurement of the sample is performed by moving the sample stage at a constant speed. However, the present invention can be applied to a case where the measurement is performed by scanning an electron beam.
【００１７】また、上記実施の形態においては、試料と
して樹脂包埋試料を用い、樹脂に電子ビームが照射され
るときの不具合の発生を回避する場合について説明を行
ったが、中間に穴部分を有する試料の場合は、電子ビー
ムが該試料の穴部分に照射されたときには、殆どの電子
は試料に照射されず透過してしまい、吸収電流は試料に
電子ビームが照射されているときより却って小さくな
る。したがって、このような形状の試料を測定する場合
は、吸収電流の判定値（閾値）として、上限値ばかりで
なく下限値も設定する必要がある。このように吸収電流
の上限値と下限値を設定することにより、穴部分をもつ
試料の場合は、穴部分の測定を行わず、高速で移動させ
ることにより測定の効率を向上させることができる。In the above embodiment, the case where a resin-embedded sample is used as a sample to avoid the occurrence of problems when the resin is irradiated with an electron beam has been described. In the case of a sample having an electron beam, when the electron beam is applied to the hole of the sample, most of the electrons are transmitted without being applied to the sample, and the absorption current is rather smaller than when the electron beam is applied to the sample. Become. Therefore, when measuring a sample having such a shape, it is necessary to set not only the upper limit but also the lower limit as the determination value (threshold) of the absorption current. By setting the upper limit value and the lower limit value of the absorption current in this way, in the case of a sample having a hole, the measurement efficiency can be improved by moving the sample at a high speed without measuring the hole.
【００１８】また、本発明に係るＥＰＭＡによる測定手
法は面分析のみでなく、線分析や点分析を行う場合に対
しても有効である。線分析の場合は、本発明によるＥＰ
ＭＡの測定手法を１ラインのみに適用するものと考える
と、同様な手法での分析が可能である。また点分析にお
いては、測定の前に吸収電流をチェックすることによ
り、不要な測定を行わず測定時間を短縮し、ビームダメ
ージを避けることができる。最近は定量分析においても
面分析と同様にグリッド状に測定することが多いので、
本発明の適用による効果は大きい。Further, the measurement method using EPMA according to the present invention is effective not only for surface analysis but also for line analysis and point analysis. In the case of line analysis, the EP according to the invention
Assuming that the MA measurement method is applied to only one line, analysis using the same method is possible. In the point analysis, by checking the absorption current before the measurement, unnecessary measurement is not performed, the measurement time is shortened, and beam damage can be avoided. Recently, in quantitative analysis as well as surface analysis, it is often measured in a grid shape,
The effect of the application of the present invention is great.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上実施の形態に基づいて説明したよう
に、本発明によれば、マップ分析中に試料の吸収電流を
連続的に測定し吸収電流値がマップ分析に不適と判定さ
れたときには、Ｘ線計測を行わず且つ電子ビームに対す
る試料の相対的な移動速度を速くして走査を行うように
しているので、マップ分析に不要な部分に電子ビームが
照射される時間が短縮され、ビームダメージを回避する
ことができ、またマップ画像に不要なデータが入らず、
データの誤解釈を防止することができる。As described above with reference to the embodiments, according to the present invention, the absorption current of a sample is continuously measured during map analysis, and when the absorption current value is determined to be inappropriate for map analysis. Since the scanning is performed without performing the X-ray measurement and increasing the relative movement speed of the sample with respect to the electron beam, the time required for irradiating the electron beam to a portion unnecessary for the map analysis is reduced, Damage can be avoided, and unnecessary data does not enter the map image,
Misinterpretation of data can be prevented.
【図１】本発明に係るＥＰＭＡの実施の形態を示す概略
構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an EPMA according to the present invention.
【図２】図１に示したＥＰＭＡの動作を説明するための
フローチャートである。FIG. 2 is a flowchart for explaining an operation of the EPMA shown in FIG. 1;
１ ガン部 ２ 電子ビーム ３ 収束レンズ ４ 対物レンズ ５ 試料 ６ Ｘ線カウンタ ７ Ｘ線計測系 ８ 試料ステージ ９ 吸収電流測定部 10 ステージモータ 11 ステージ制御部 12 電流判定制御部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Gun part 2 Electron beam 3 Convergent lens 4 Objective lens 5 Sample 6 X-ray counter 7 X-ray measurement system 8 Sample stage 9 Absorption current measuring unit 10 Stage motor 11 Stage control unit 12 Current judgment control unit
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Claims (1)
する電子ビームを２次元的にスキャンする走査手段と、
電子ビームを照射した試料から発生するＸ線を検出し測
定するＸ線計測手段とを有する電子プローブマイクロア
ナライザにおいて、試料の測定中連続的に試料の吸収電
流を測定する吸収電流測定部と、測定された吸収電流値
に応じて前記Ｘ線計測手段と走査手段とを制御する電流
判定制御部とを備え、該電流判定制御部は、測定された
吸収電流値が試料測定不適値であると判定したときには
前記Ｘ線計測手段の計測を停止させると共に前記走査手
段のスキャン速度を高速に設定するように制御し、測定
された吸収電流値が試料測定適正値であると判定したと
きには前記Ｘ線計測手段の計測動作を実行させると共に
前記走査手段を定速スキャンさせるように制御する如く
構成されていることを特徴とする電子プローブマイクロ
アナライザ。A scanning means for two-dimensionally scanning an electron beam applied to a stage or a sample on which the sample is mounted;
An electron probe microanalyzer having X-ray measuring means for detecting and measuring X-rays generated from a sample irradiated with an electron beam, an absorption current measuring unit for continuously measuring the absorption current of the sample during measurement of the sample, A current determination control unit that controls the X-ray measurement unit and the scanning unit in accordance with the measured absorption current value, wherein the current determination control unit determines that the measured absorption current value is a sample measurement inappropriate value. When the measurement is stopped, the X-ray measurement unit is stopped, and the scanning speed of the scanning unit is controlled to be set to a high speed. When it is determined that the measured absorption current value is a sample measurement proper value, the X-ray measurement is performed. An electronic probe microanalyzer characterized in that the electronic probe microanalyzer is configured to execute a measuring operation of the means and to control the scanning means to scan at a constant speed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11012626A JP2000214111A (en) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | Electronic probe microanalyzer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11012626A JP2000214111A (en) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | Electronic probe microanalyzer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000214111A true JP2000214111A (en) | 2000-08-04 |
Family
ID=11810595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11012626A Withdrawn JP2000214111A (en) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | Electronic probe microanalyzer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000214111A (en) |
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