JP2000183283A - 積層型回路モジュール及びその製造方法 - Google Patents
積層型回路モジュール及びその製造方法Info
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Abstract
なく配置の自由度を高くできるとともに、小型化を図る
ことができる積層型回路モジュール及びその製造方法を
提供する。 【解決手段】配線基板1の上に配線2,3が形成され、
その上に絶縁層8が形成され、絶縁層8にはベアチップ
12が配線2,3と電気的に接続された状態で内蔵され
ている。絶縁層8の上面に配線10,11が形成され、
絶縁層8の上に絶縁層9が積層されている。絶縁層9に
ベアチップ16が配線10,11と電気的に接続された
状態で内蔵され、絶縁層8においてフィードスルー電極
21,22が配線2,3,10,11に電気的に接続さ
れた状態で内蔵されている。配線やベアチップをビルド
アップ構造で配置することで、電極配置や部品サイズな
どの制約を受けることがない。
Description
部品を重ねて配置した積層型回路モジュール及びその製
造方法に関するものである。
した積層実装により回路基板の小型化が可能である。こ
のような積層実装方式として、例えば図13に示すよう
に、チップ端面に配線100a,100bを引き出した
ベアチップ100を複数積層し、端面に設けた配線10
1,102でチップ間を接続する方法やインターポーザ
基板にベアチップを実装し、そのインターポーザ基板を
積層する方法などがある。この種の積層方法は、“A Re
view of 3-D Packaging Technology”IEEE Transaction
s on components,packaging,and manufacturing techno
logy-part B,vol.21,No.1,Feb.1998に系統的にまとめら
れている。
に示したベアチップ100を直接積層する方法において
は、その多くがチップ端面に電極を取り出す構造をチッ
プ上に作り込む必要があり、既存のICチップには適用
が難しい。さらに、積層するチップ100は同一サイズ
である必要があるため、異なるサイズのチップ積層には
適さない。また、インターポーザ基板を用いた積層では
インターポーザ基板の分サイズが大きくなる。このよう
に、従来の積層実装方法では、サイズや適用可能なIC
チップなどに制約がある。
品サイズなどの制約を受けることなく配置の自由度を高
くできるとともに、小型化を図ることができる積層型回
路モジュール及びその製造方法を提供することにある。
回路モジュールは、第1の配線の上に形成された第1の
絶縁層と、第1の絶縁層において第1の配線と電気的に
接続された状態で内蔵された第1の表面実装部品と、第
1の絶縁層の上面に形成された第2の配線と、第1の絶
縁層の上に積層された第2の絶縁層と、第2の絶縁層に
おいて第2の配線と電気的に接続された状態で内蔵され
た第2の表面実装部品と、第1の絶縁層において第1と
第2の配線に電気的に接続された状態で内蔵されたフィ
ードスルー電極と、を備えたことを特徴としている。
層された第1および第2の絶縁層において、配線に電気
的に接続された第1および第2の表面実装部品が内蔵さ
れるとともに、絶縁層において内蔵されたフィードスル
ー電極を通して第1の表面実装部品と第2の表面実装部
品とが電気的に接続される。
00を直接積層する構造においては、チップ端面に電極
を取り出す構造をチップ上に作り込む必要があり、既存
のICチップには適用が難しく、また、積層するチップ
は同一サイズである必要があり異なるサイズのチップ積
層には適さず、さらに、インターポーザ基板を用いた積
層ではインターポーザ基板の分サイズが大きくなってし
まっていた。これに対し、本発明においては、配線や部
品をビルドアップ構造で配置することで、部品に接続の
ための特別な構造を設けることなく(チップ端面に電極
を取り出す構造をチップ上に作り込む必要はなく)、既
存のICチップに容易に適用でき、また、積層するチッ
プも同一サイズである必要がなく異なるサイズのチップ
を積層配置でき、さらに、インターポーザ基板なしで小
型化を図ることができる。
どの制約を受けることなく配置の自由度を高くできると
ともに、小型化を図ることができることとなる。ここ
で、請求項4に記載のように、フィードスルー電極は、
上部の方が底部よりも細くなっているものとすると、座
屈しにくい。
ールの製造方法によれば、上面に第1の配線を形成した
ベース材に対し、第1の配線に電気的に接続された状態
で第1の表面実装部品が実装されるとともに、第1の配
線の上にフィードスルー電極が配置される。そして、ベ
ース材の上に第1の絶縁層が、フィードスルー電極の上
面が露出する状態で積層される。さらに、第1の絶縁層
の上面に、フィードスルー電極に電気的に接続された第
2の配線が形成される。そして、第1の絶縁層の上に、
第2の配線に電気的に接続された状態で第2の表面実装
部品が実装され、第1の絶縁層の上に第2の絶縁層が積
層される。その結果、請求項1に記載の積層型回路モジ
ュールが得られる。
ュールの製造方法によれば、流動性を有する樹脂が配置
され、型材を用いて流動性樹脂が、フィードスルー電極
の上部と型材が接するまで押圧され、その後、流動性樹
脂が硬化され、型材が剥離される。このようにして、絶
縁層が積層される。
面に離型層を形成すると、離型層を介在させることによ
り型材の剥離を容易に行うことができる。また、請求項
8に記載のように、流動性樹脂として、硬化により体積
収縮するものを用いると、流動性樹脂の硬化の際に体積
収縮により樹脂部分からフィードスルー電極の先端が突
出するように形成される。
後に、樹脂の表面の灰化処理または樹脂の表面の機械研
磨を行うようにすると、フィードスルー電極の上に残る
樹脂を除去して電気的接続を確実にとることができる。
に、微細な凹凸を形成すると、フィードスルー電極の表
面に微細な凹凸が転写され、その上に配置される配線と
の密着性が向上する。
に、部品配置空間形成用の凸部を形成すると、型材の凸
部により絶縁層には空間が形成され、この空間に電子部
品を配置することができる。
に、絶縁層の厚さを調整するための凸部を形成すると、
型材の凸部により絶縁層の厚さを調整することができ
る。請求項14に記載のように、流動性樹脂としてエポ
キシ系樹脂を用いると、ポリイミド系樹脂を用いた場合
に比べ、揮発成分が少なく、巣(空洞)が発生しにく
い。
としてベアチップを用いると、部品を薄くでき、絶縁層
も薄くできる。よって、フィードスルー電極を低くで
き、アスペクト比を小さくできる。その結果、電極を小
さくでき、ピッチを狭くできる。
発明を具体化した第1の実施の形態を図面に従って説明
する。
回路モジュールの製造工程図である。図4(c)には、
積層型回路モジュールの全体構成を示す。詳しくは、絶
縁層(8,9)を2層だけ積層した状態での回路モジュ
ールの全体構成を示す。
には第1の配線(導体パターン)2,3が形成され、こ
の配線2,3はスルーホール4,5を通して裏面の電極
端子(導体パターン)6,7と接続されている。この電
極端子6,7は、最終的に完成した回路モジュールを他
の回路と接続するためのものである。また、配線2,3
を含めた配線基板1の上には層間絶縁層(第1の絶縁
層)8が形成され、その上には層間絶縁層(第2の絶縁
層)9が積層されている。絶縁層8の上面には第2の配
線(導体パターン)10,11が形成されている。
てのベアチップ12が内蔵されている。ベアチップ12
の下面にはバンプ電極13,14が形成され、ベアチッ
プ12の下に配置した樹脂15によりバンプ電極13,
14が配線2,3と接触している。このようにベアチッ
プ12が配線2,3と電気的に接続された状態で絶縁層
8に内蔵されている。
としてのベアチップ16が内蔵されている。ベアチップ
16の下面にはバンプ電極17,18が形成され、ベア
チップ16の下に配置した樹脂19によりバンプ電極1
7,18が配線10,11と接触している。このように
ベアチップ16が配線10,11と電気的に接続された
状態で絶縁層9に内蔵されている。
にはスタッドバンプ20a,20bが積み上げられ、ス
タッドバンプ20bは配線10と接触している。このス
タッドバンプ20a,20bによりフィードスルー電極
21が構成され、フィードスルー電極21は配線2と配
線10に電気的に接続された状態で絶縁層8に内蔵さた
構造となっている。同様に、絶縁層8の内部において配
線3の上にはスタッドバンプ22a,22bが積み上げ
られ、スタッドバンプ22bは配線11と接触してい
る。このスタッドバンプ22a,22bによりフィード
スルー電極23が構成され、フィードスルー電極23は
配線3と配線11に電気的に接続された状態で絶縁層8
に内蔵された構造となっている。このフィードスルー電
極21,23および配線2,3,10,11を通してベ
アチップ12,16間が電気的に接続されている。
上にはスタッドバンプ24a,24bが積み上げられ、
また、配線11の上にはスタッドバンプ26a,26b
が積み上げられている。スタッドバンプ24a,24b
および26a,26bによりフィードスルー電極25お
よび27が構成されている。
5,27はベアチップ12,16の近傍に位置してい
る。なお、配線基板1はモジュールのベース材として機
能するが、図4(c)に示す積層型回路モジュールに対
し配線基板1が無い態様にて実施してもよい。
ュールの製造方法を説明する。まず、図1(a)に示す
ように、ベース材としての配線基板1を用意する。この
配線基板1にはスルーホール4,5が形成されるととも
に、基板1の表面(上面)には配線2,3が、裏面(下
面)には電極端子6,7が形成されている。
に、バンプ電極13,14を有するベアチップ12を用
意し、配線2,3の上にバンプ電極13,14が位置す
る状態でベアチップ12をフェースダウンでFC実装す
る。実装方法としては、熱硬化性エポキシ系樹脂に導電
性フィラーを多数混入させた異方導伝ペースト(AC
P)30を用いる。つまり、図1(b)に示すように、
配線基板1の所定の位置に異方導伝ペースト30を適量
塗布し、図1(c)に示すように、ベアチップ12をフ
ェースダウンで設置する。さらに、チップ裏面から1バ
ンプあたり数十グラムで加圧するとともに、150℃〜
180℃で数十秒の硬化処理を行う。
基板1の上面における配線2,3の上に、スタッドバン
プ20a,20bおよび22a,22bを縦方向に重な
るように配置する。このようにして、フィードスルー電
極21,22となる高アスペクト比の電極(20a,2
0b,22a,22b)が配置される。
て配置する場合を示したがその個数は任意である。つま
り、フィードスルー電極21,23(重ねたスタッドバ
ンプ20a,20bおよび22a,22b)の高さh
は、バンプ電極13,14を含むベアチップ12の厚さ
t1に50μm程度を加えた値とする。具体的には、ベ
アチップ12のバンプ電極13,14の厚みを30μ
m、チップ12の厚みを100μmとした場合には、フ
ィードスルー電極21,23の高さhは180μmとな
る。また、小型化のためには、このフィードスルー電極
21,23は、ベアチップ12に可能な限り近づけて設
置することが望ましい。
ップ12の厚みt1が、例えば50μm程度以下であれ
ば通常のスタッドバンプ(1個のスタッドバンプ)をフ
ィードスルー電極として用いる。
2,3に電気的に接続された状態でベアチップ12を実
装するとともに、配線2,3の上にフィードスルー電極
21,23を配置する。なお、FC実装とフィードスル
ー電極の形成工程は順序を逆にしてもよい。つまり、フ
ィードスルー電極21,23を形成した後に、ベアチッ
プ12を実装してもよい。
基板1の上面、つまり、FC実装とフィードスルー電極
21,23の形成を行った面に、エポキシ樹脂系のプレ
ポリマー(硬化前の流動性の高い状態の樹脂)31を塗
布する。そして、図2(b)に示すように、このプレポ
リマー31を平坦化し、図2(c)に示すように、硬化
させることで、図3(a)に示すように、層間絶縁層8
を形成する。本実施形態においては、エポキシ樹脂系の
プレポリマー31を、流動性を有する樹脂(流動性樹
脂)であって、かつ、硬化により体積収縮する材料とし
て用いている。
工程を詳しく説明すると、図2(b)に示すように、型
材として、表面が平坦なガラス基板32を用意する。こ
のガラス基板32の表面には、シリコーン系もしくはテ
フロン系の離型層33が形成されている。そして、プレ
ポリマー31を塗布した基板1の上面に対し押圧用ガラ
ス基板32の離型層33を対向させて設置し、ガラス基
板32を下方に移動させてプレポリマー31を押圧す
る。押圧は、ガラス基板32の離型層33がフィードス
ルー電極21,23の上部に接し、さらにフィードスル
ー電極21,23の上部が直径数十〜100μm程度
(図中のW値)に潰れ変形するまで行う。このプレポリ
マー31とフィードスルー電極21,23の押圧の際
に、フィードスルー電極21,23が座屈することを避
けるため垂直方向にのみ力が加わるようにすることが望
ましい。
(プレポリマー)31でベアチップ12とフィードスル
ー電極21,23が埋め込まれるとともに、その表面が
平坦化される。
たまま加熱することでプレポリマー31を硬化させ、層
間絶縁層8を形成する。硬化条件は、例えば、150℃
〜180℃、60秒程度である。この硬化において、樹
脂の体積収縮によりフィードスルー電極21,23の先
端が樹脂層8から突出する。
層8の表面から剥離する。その結果、図3(a)に示す
ようになる。剥離は、ガラス基板32と層間絶縁層8の
間に離型層33が介在されているため極わずかな外力を
加えるだけで簡単(容易)に行うことができる。剥離後
の層間絶縁層8の表面は、ガラス基板32の表面と同程
度の平坦性が得られる。また、フィードスルー電極2
1,23の上部では、フィードスルー電極21,23と
ガラス基板32に挟まれてエポキシ樹脂はほぼ完全に排
除され、フィードスルー電極21,23が露出してい
る。
8が、フィードスルー電極21,23の上面が露出する
状態で積層される。次に、フィードスルー電極21,2
3とこの後に形成する図3(c)に示す2層目の配線1
0,11の電気的接続を確実(完全)に行うために、フ
ィードスルー電極21,23の上部に残るわずかなエポ
キシ樹脂を除去する。具体的には、層間絶縁層8の表面
全体を酸素プラズマで灰化処理する。
に、硬化したエポキシ樹脂の表面を機械研磨して、フィ
ードスルー電極21,23の上に残る樹脂を確実に除去
するようにしてもよい。この場合にも、プレポリマー3
1の材料として、前述したように硬化の際の体積収縮が
比較的大きな材料を選ぶことで、フィードスルー電極2
1,23の先端部分を樹脂部分(層間絶縁層8)の表面
から突出させやすく、その他の部分に比べ僅かに飛び出
しているフィードスルー電極21,23の上端部を平坦
な研磨台で研磨すれば、フィードスルー電極21,23
の上部に残留したエポキシ樹脂を選択的に除去できる。
8の上に配線材料34を蒸着にて全面に形成し、図3
(c)に示すように、エッチングプロセスでパターニン
グする。プロセス温度はエポキシの耐熱を考慮して25
0℃程度を上限とする。これにより、絶縁層8の上面
に、フィードスルー電極21,23に電気的に接続され
た2層目の配線10,11が形成される。
と同様にベアチップ16をFC実装する。つまり、絶縁
層8の上に、配線10,11に電気的に接続された状態
でベアチップ16を実装する。
方法でフィードスルー電極25,27を形成し、図4
(c)に示すように、エポキシ樹脂で埋め込み、絶縁層
8の上に絶縁層9を積層する。この図4(a)〜(c)
に示すチップ実装・電極形成・樹脂の埋め工程を繰り返
して回路モジュールを完成する。図4(c)の状態で
は、積層された絶縁層8,9において、配線2,3,1
0,11に電気的に接続されたベアチップ12,16が
内蔵されるとともに、絶縁層8において内蔵されたフィ
ードスルー電極21,23を通してベアチップ12と1
6とが電気的に接続されている。
としてエポキシ系樹脂を用いたので、ポリイミド系樹脂
を用いた場合に比べ、揮発成分が少なく、巣(空洞)が
発生しにくい。また、表面実装部品としてベアチップ1
2,16を用いているので、表面実装部品を薄くでき、
絶縁層8,9も薄くできる。よって、フィードスルー電
極21,23,25,27を低くでき、アスペクト比を
小さくできる。その結果、電極21,23,25,27
を小さくでき、ピッチを狭くできる。
ることで、インターポーザ基板を用いずにチップ間の配
線を自由にレイアウトすることができる。また、本方法
で形成した場合、一層あたりの層厚をベアチップの厚さ
に数十μm程度を加えた厚さにできるためインターポー
ザ基板を用いた場合よりはるかに厚み方向のサイズを縮
小できる。また、チップの実装は従来から用いられてい
るFC実装を用いるためチップ自体に特殊な構造を設け
る必要がなく通常のベアチップがそのまま使用できる。
すごとく、絶縁層8が形成されると同時にフィードスル
ー電極21,23が絶縁層8の表面に取り出せるため製
造工程も簡素化できる。
有する。 (イ)配線やベアチップをビルドアップ構造で配置する
ことで、電極配置や部品サイズなどの制約を受けること
なく配置の自由度を高くできるとともに、小型化を図る
ことができる。つまり、図13の構造においては、チッ
プ端面に電極を取り出す構造をチップ上に作り込む必要
があり、既存のICチップには適用が難しく、また、積
層するチップは同一サイズである必要があり異なるサイ
ズのチップ積層には適さず、さらに、インターポーザ基
板を用いた積層ではインターポーザ基板の分サイズが大
きくなってしまっていた。これに対し、本実施形態にお
いては、ベアチップに接続のための特別な構造を設ける
ことなく(チップ端面に電極を取り出す構造をチップ上
に作り込む必要はなく)、既存のICチップに容易に適
用でき、また、積層するチップ12,16も同一サイズ
である必要がなく異なるサイズのチップを積層配置で
き、さらに、インターポーザ基板なしで小型化を図るこ
とができる。 (第2の実施の形態)次に、第2の実施の形態を、第1
の実施の形態との相違点を中心に説明する。図5〜図7
には、本実施形態における積層型回路モジュールの製造
工程図を示す。
にスタッドバンプ20a,20b、22a,22b、2
4a,24b、26a,26bを用いるとともに、配線
形成のために蒸着とエッチングを用いた。これに対し、
本実施形態では、JPS(Jet Printing System )を用
いている。JPSは、超微粒子を数十μm〜100μm
程度の微細なノズルから高速で基板の所定の位置に吹き
付けて描画する方法である。このように、本実施形態で
は、フィードスルー電極として、図7(c)に示すよう
に、JPS電極40,41,42,43を用いている。
フィードスルー電極40〜43の形状は、上部の方が底
部よりも細くなっており、座屈しにくい構造になってい
る。また、JPSを用いてフィードスルー電極40〜4
3の他にもバンプ44,45,46,47および配線4
8,49,50,51が一括して形成される。
バンプの一括形成は図5の要領で行われる。まず、図5
(a)に示すように、配線2,3および電極端子6,7
を有する配線基板1を用意する。そして、図5(b)に
示すように、配線基板1をJPS装置内のXYステージ
55に固定し、100〜250℃に加熱する。これは、
形成した電極の密着性を向上させるためである。JPS
装置の超微粒子生成室(図示略)で形成したAu超微粒
子56は、XYステージ55の直上、配線基板1から5
00μm程度離れた直径100μmのノズル57から配
線基板1に高速で噴射される。配線基板1に高速で衝突
した超微粒子56は配線基板1に堆積し、Au薄膜を形
成する。
Yステージ55を移動することで、任意の配線パターン
を形成することができる。また、配線48,49上の任
意の位置にフィードスルー電極40,41やバンプ4
4,45を形成する。この形成は超微粒子56を噴射し
たままXYステージ55を停止することで行う。つま
り、超微粒子56を配線基板1に対して垂直に立つよう
に成膜することによりフィードスルー電極40,41や
バンプ44,45を形成することができる。これらの電
極部の高さは、XYステージ55の停止時間で調整す
る。
ように、高さ400μm程度のフィードスルー電極4
0,41を200μm以下の狭ピッチで形成可能であ
る。この後は、第1の実施形態と同様にFC実装とエポ
キシ樹脂による埋め込みを行い回路モジュールを完成す
る。つまり、図6(a)に示すように、ベアチップ12
を搭載し、図6(b)に示すように、プレポリマー31
を配置して基板32で押さえ、さらに、硬化処理する。
そして、図6(c)に示すように、型材である基板32
を取り外し、図7(a)に示すように、JPSによりフ
ィードスルー電極42,43、配線50,51およびバ
ンプ46,47を形成する。その後、図7(b)に示す
ように、ベアチップ16を搭載し、図7(c)に示すよ
うに、層間絶縁層9を配置して基板で押さえ、さらに、
硬化処理する。以後は同じようにする。
電極としてスタッドバンプ20a,20b、22a,2
2b、24a,24b、26a,26bを縦積みした
が、この場合フィードスルー電極の高さhを任意に設定
することが難しかった。これに対し、本実施形態ではJ
PSの使用により簡単に任意の高さのフィードスルー電
極40〜43が得られ作製条件の自由度が上がる。
態では必要であった配線(パターン)10,11を形成
する際のマスクプロセスが省略可能となる。また、ベア
チップ12,16のFC実装で必要なバンプも基板1側
に配線形成と一括で形成できるためのチップ側の作製プ
ロセスからバンプ形成工程を省略できる。
することでホト工程やエッチング工程を廃止することが
可能となり、作製プロセスの大幅な簡素化と試作工数の
低減を図ることも可能である。
の配置をJPSの代わりに、印刷法により行ってもよ
い。 (第3の実施の形態)次に、第3の実施の形態を、第2
の実施の形態との相違点を中心に説明する。図8には、
本実施形態における積層型回路モジュールの製造工程図
を示す。
用いる押圧用基板60の表面を粗面化している。これ
は、エポキシ層の上に形成する2層目以降の配線材料の
密着性の向上を目的とし行うものである。
圧用基板60の表面を粗面化して微細な凹凸60aを形
成する。その後、離型層61を形成する。この基板でプ
レポリマー31を押圧し、さらに、プレポリマー31を
硬化させる。そして、図8(b)に示すように、押圧用
基板60を剥離する。すると、フィードスルー電極4
0,41および層間絶縁層8の表面には押圧用基板60
に形成した凹凸60aと同様の凹凸が転写(形成)され
る。
化は、第1の実施形態で行っている酸素プラズマによる
エポキシ層表面の灰化処理や機械研磨でも代用できる
が、本実施形態に示す方法を用いることでより簡単に再
現性よく表面の粗面化が達成できる。
この他にも、例えば押圧用基板60がガラス基板の場
合、CF4 を使ったドライエッチングやガラス基板
上にポリシリコン膜を形成し熱処理でポリシリコンを粒
成長させて凹凸を形成してもよい。また、サンドブラス
トのような方法で機械的に凹凸を形成する方法もある。 (第4の実施の形態)次に、第4の実施の形態を、第2
の実施の形態との相違点を中心に説明する。図9〜図1
1には、本実施形態における積層型回路モジュールの製
造工程図を示す。
の他にバイパスコンデンサや平滑化コンデンサの目的で
キャパシタ等のデスクリート部品(機能部品)を実装す
る必要が生じる場合が多い。ベアチップが裏面を研磨す
ることで数十μm程度までの任意の厚さに薄くできるの
に対してデスクリート部品はmmオーダの特定の厚みを
持つ。ベアチップとチップコンデンサのような厚さの異
なる部品を同一面上に配置するために絶縁層の厚みをデ
スクリート部品の厚みに合わせたのでは小型化の障害に
なる。また、フィードスルー電極もデスクリート部品よ
りも高いものが必要になり、その形成が著しく難しくな
る。
には、以下のようにする。まず、図9(a)に示すよう
に、配線2,3,70が形成された基板1に対し、図9
(b)に示すようにフィードスルー電極40,41、バ
ンプ44,45および配線48,49を形成し、図9
(c)に示すように、ベアチップ12を搭載する。その
後、図10(a)に示すように、押圧用基板71の所定
の位置(デスクリート部品搭載位置)に押圧後のエポキ
シ層の厚さ相当の凸部72を設けておく。このようにす
ることで、図11(a)に示すように、層間絶縁層8に
デスクリート部品を埋め込むための凹部73が簡単に形
成できる。引き続き、図11(b)に示すように、この
凹部73に配線形成を行いデスクリート部品74を異方
導伝ペースト(ACP)による樹脂75で実装する。
に、配線50,51、バンプ46,47、フィードスル
ー電極42,43を形成するとともに、2層目のベアチ
ップ16を搭載し、さらに、層間絶縁層9でディスクリ
ート部品74を完全に埋め込む。このようにして、厚み
の異なる部品12(16)と74を効率的に積層するこ
とができる。
に示すごとく、型材71として、その表面に、部品配置
空間形成用の凸部72が形成されているものを用いたの
で、型材の凸部72により絶縁層8には凹部73が形成
され、この空間73に電子部品74を配置することがで
きる。 (第5の実施の形態)次に、第5の実施の形態を、第4
の実施の形態との相違点を中心に説明する。図12に
は、本実施形態における積層型回路モジュールの製造工
程図を示す。本実施形態では、図10の凸部72をチッ
プ配置領域の周辺部に数箇所配置して層間絶縁層31の
膜厚を面内で均一に保つためのスペーサーとしている。
つまり、これまで説明してきた実施形態では、層間絶縁
層8,9の膜厚は、フィードスルー電極21,23,2
5,27,40〜43をスペーサーのように用いて決定
されていた。しかし、フィードスルー電極の密度が少な
かったり分布が極端に不均一な場合には、フィードスル
ー電極で層間絶縁層8,9の膜厚を均一に保つことが困
難になる。その場合、図12に示す本実施形態のよう
に、例えばチップ配置領域の周辺部分に多数の凸部80
を均一に配置する。これにより、層間絶縁層の膜厚の均
一性を簡単に確保できる。
1の表面に、絶縁層の厚さを調整するための凸部80を
形成したので、型材の凸部80により絶縁層の厚さを容
易に調整することができる。
ように実施してもよい。第1〜第5の実施形態では、熱
硬化性のエポキシ系樹脂を層間絶縁材料としたが光硬化
性樹脂やエポキシ以外の樹脂材料も広く使用可能であ
る。
はフェースダウンで行っているが、フェースアップでも
適用可能である。さらに、これまでの実施形態では回路
モジュール一個分の図で説明しているが、大きな基板を
用い複数の回路モジュールを一括して積層形成し、積層
後に、各回路モジュールに切り離すことで更に効率的な
生産が可能になる。
ルの製造工程を説明するための図。
するための図。
するための図。
するための図。
ルの製造工程を説明するための図。
するための図。
するための図。
ルの製造工程を説明するための図。
ルの製造工程を説明するための図。
明するための図。
明するための図。
ールの製造工程を説明するための図。
層、10,11…配線、12…ベアチップ、16…ベア
チップ、20a,20b…スタッドバンプ、21…フィ
ードスルー電極、22a,22b…スタッドバンプ、2
3…フィードスルー電極、31…プリポリマー、32…
ガラス基板、33…離型層、40…フィードスルー電
極、41…フィードスルー電極、60…押圧用基板、6
0a…凹凸、72…凸部。
Claims (15)
- 【請求項1】 第1の配線と、 前記第1の配線の上に形成された第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層において前記第1の配線と電気的に接
続された状態で内蔵された第1の表面実装部品と、 前記第1の絶縁層の上面に形成された第2の配線と、 前記第1の絶縁層の上に積層された第2の絶縁層と、 前記第2の絶縁層において前記第2の配線と電気的に接
続された状態で内蔵された第2の表面実装部品と、 前記第1の絶縁層において前記第1と第2の配線に電気
的に接続された状態で内蔵されたフィードスルー電極
と、を備えたことを特徴とする積層型回路モジュール。 - 【請求項2】 前記フィードスルー電極は、スタッドバ
ンプにより構成されたものである請求項1に記載の積層
型回路モジュール。 - 【請求項3】 前記スタッドバンプは、複数個積層され
ているものである請求項2に記載の積層型回路モジュー
ル。 - 【請求項4】 前記フィードスルー電極は、上部の方が
底部よりも細くなっているものである請求項1に記載の
積層型回路モジュール。 - 【請求項5】 上面に第1の配線を形成したベース材に
対し、第1の配線に電気的に接続された状態で第1の表
面実装部品を実装するとともに、第1の配線の上にフィ
ードスルー電極を配置する工程と、 前記ベース材の上に第1の絶縁層を、前記フィードスル
ー電極の上面が露出する状態で積層する工程と、 前記第1の絶縁層の上面に、前記フィードスルー電極に
電気的に接続された第2の配線を形成する工程と、 前記第1の絶縁層の上に、前記第2の配線に電気的に接
続された状態で第2の表面実装部品を実装する工程と、 前記第1の絶縁層の上に第2の絶縁層を積層する工程
と、を備えたことを特徴とする積層型回路モジュールの
製造方法。 - 【請求項6】 前記絶縁層の積層工程は、 流動性を有する樹脂を配置する工程と、 型材を用いて前記流動性樹脂を、前記フィードスルー電
極の上部と前記型材が接するまで押圧する工程と、 前記流動性樹脂を硬化させる工程と、 前記型材を剥離する工程とを有することを特徴とする請
求項5に記載の積層型回路モジュールの製造方法。 - 【請求項7】 前記型材の表面に離型層を形成したこと
を特徴とする請求項6に記載の積層型回路モジュールの
製造方法。 - 【請求項8】 前記流動性樹脂として、硬化により体積
収縮するものを用いたことを特徴とする請求項6に記載
の積層型回路モジュールの製造方法。 - 【請求項9】 前記型材を剥離した後に、樹脂の表面の
灰化処理または樹脂の表面の機械研磨を行うようにした
ことを特徴とする請求項6に記載の積層型回路モジュー
ルの製造方法。 - 【請求項10】 前記型材の表面に、微細な凹凸を形成
したことを特徴とする請求項6に記載の積層型回路モジ
ュールの製造方法。 - 【請求項11】 前記フィードスルー電極の配置は、J
PSまたは印刷法により行うようにしたことを特徴とす
る請求項5に記載の積層型回路モジュールの製造方法。 - 【請求項12】 前記型材の表面に、部品配置空間形成
用の凸部を形成したことを特徴とする請求項5に記載の
積層型回路モジュールの製造方法。 - 【請求項13】 前記型材の表面に、絶縁層の厚さを調
整するための凸部を形成したことを特徴とする請求項5
に記載の積層型回路モジュールの製造方法。 - 【請求項14】 前記流動性樹脂としてエポキシ系樹脂
を用いたことを特徴とする請求項6に記載の積層型回路
モジュールの製造方法。 - 【請求項15】 前記表面実装部品としてベアチップを
用いたことを特徴とする請求項5に記載の積層型回路モ
ジュールの製造方法。
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Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001065602A1 (en) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Wiring board, semiconductor device, and method of manufacturing wiring board |
JP2002261190A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Sony Corp | 半導体装置、その製造方法及び電子機器 |
WO2003012868A1 (fr) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Sony Corporation | Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication dudit dispositif |
WO2003046987A1 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Nec Corporation | Unit semiconductor device, its manufacturing method, and three-dimensional laminated type semiconductor device |
WO2003100850A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Substrat, tableau de connexions, substrat pour boitier a semi-conducteur, boitier a semi-conducteur et leurs procedes de production |
US6784530B2 (en) | 2002-01-23 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit component built-in module with embedded semiconductor chip and method of manufacturing |
US6800943B2 (en) * | 2001-04-03 | 2004-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid image pickup device |
JP2005135995A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路部品内蔵モジュール、回路部品内蔵モジュールの製造方法、および多層構造回路部品内蔵モジュール、多層構造回路部品内蔵モジュールの製造方法 |
JP2006114621A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Dt Circuit Technology Co Ltd | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 |
JP2006196785A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子部品内蔵プリント配線板及びその製造方法 |
JP2006310421A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Cmk Corp | 部品内蔵型プリント配線板とその製造方法 |
EP1724832A2 (en) * | 2005-05-20 | 2006-11-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer module formed of modules stacked on top of each other and method of manufacturing the same |
JP2007027526A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Kyushu Institute Of Technology | 両面電極パッケージ及びその製造方法 |
JP2008510304A (ja) * | 2004-08-11 | 2008-04-03 | インテル・コーポレーション | ダイスタック型デバイスを提供するための方法及び装置 |
WO2008087701A1 (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Zycube Co., Ltd. | 三次元半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP2008277569A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009004650A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010010714A (ja) * | 2009-10-13 | 2010-01-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 |
WO2010111825A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-07 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Electronic package and method of fabrication thereof |
JP2011035056A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体チップ内蔵パッケージ及びその製造方法、並びに、パッケージ・オン・パッケージ型半導体装置及びその製造方法 |
JP2011071417A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Murata Mfg Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP2011243922A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-01 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品モジュールの製造方法 |
US8194411B2 (en) | 2009-03-31 | 2012-06-05 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Co. Ltd | Electronic package with stacked modules with channels passing through metal layers of the modules |
JP2012134572A (ja) * | 2012-04-12 | 2012-07-12 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体装置 |
KR20140078197A (ko) * | 2012-12-17 | 2014-06-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4320492B2 (ja) * | 1999-12-08 | 2009-08-26 | 株式会社デンソー | 半導体素子の実装構造および半導体素子の実装構造の製造方法 |
US11562936B2 (en) | 2020-08-31 | 2023-01-24 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Electrionic devices with interposer and redistribution layer |
-
1998
- 1998-12-18 JP JP36091798A patent/JP3500995B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001065602A1 (en) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Wiring board, semiconductor device, and method of manufacturing wiring board |
US7704799B2 (en) | 2000-02-28 | 2010-04-27 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Method of manufacturing wiring substrate |
JP2002261190A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Sony Corp | 半導体装置、その製造方法及び電子機器 |
US6800943B2 (en) * | 2001-04-03 | 2004-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid image pickup device |
US7071028B2 (en) | 2001-07-31 | 2006-07-04 | Sony Corporation | Semiconductor device and its manufacturing method |
WO2003012868A1 (fr) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Sony Corporation | Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication dudit dispositif |
KR100865426B1 (ko) * | 2001-07-31 | 2008-10-24 | 소니 가부시끼 가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2003046987A1 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Nec Corporation | Unit semiconductor device, its manufacturing method, and three-dimensional laminated type semiconductor device |
US6784530B2 (en) | 2002-01-23 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit component built-in module with embedded semiconductor chip and method of manufacturing |
US7018866B2 (en) | 2002-01-23 | 2006-03-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit component built-in module with embedded semiconductor chip and method of manufacturing |
WO2003100850A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Substrat, tableau de connexions, substrat pour boitier a semi-conducteur, boitier a semi-conducteur et leurs procedes de production |
JP2005135995A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路部品内蔵モジュール、回路部品内蔵モジュールの製造方法、および多層構造回路部品内蔵モジュール、多層構造回路部品内蔵モジュールの製造方法 |
JP2008510304A (ja) * | 2004-08-11 | 2008-04-03 | インテル・コーポレーション | ダイスタック型デバイスを提供するための方法及び装置 |
JP2006114621A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Dt Circuit Technology Co Ltd | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 |
JP4597631B2 (ja) * | 2004-10-13 | 2010-12-15 | 大日本印刷株式会社 | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 |
JP2006196785A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子部品内蔵プリント配線板及びその製造方法 |
JP2006310421A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Cmk Corp | 部品内蔵型プリント配線板とその製造方法 |
JP2006324568A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層モジュールとその製造方法 |
US7532485B2 (en) | 2005-05-20 | 2009-05-12 | Panasonic Corporation | Multilayer module and method of manufacturing the same |
EP1724832A2 (en) * | 2005-05-20 | 2006-11-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer module formed of modules stacked on top of each other and method of manufacturing the same |
EP1724832A3 (en) * | 2005-05-20 | 2010-09-01 | Panasonic Corporation | Multilayer module formed of modules stacked on top of each other and method of manufacturing the same |
JP4635202B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-02-23 | 国立大学法人九州工業大学 | 両面電極パッケージの製造方法 |
JP2007027526A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Kyushu Institute Of Technology | 両面電極パッケージ及びその製造方法 |
WO2008087701A1 (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Zycube Co., Ltd. | 三次元半導体集積回路装置及びその製造方法 |
US8907459B2 (en) | 2007-01-15 | 2014-12-09 | Zycube Co., Ltd. | Three-dimensional semiconductor integrated circuit device and method of fabricating the same |
JP5027823B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2012-09-19 | 株式会社ザイキューブ | 三次元半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP2008277569A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009004650A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US8659151B2 (en) | 2007-06-22 | 2014-02-25 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2010111825A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-07 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Electronic package and method of fabrication thereof |
US8194411B2 (en) | 2009-03-31 | 2012-06-05 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Co. Ltd | Electronic package with stacked modules with channels passing through metal layers of the modules |
JP2011035056A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体チップ内蔵パッケージ及びその製造方法、並びに、パッケージ・オン・パッケージ型半導体装置及びその製造方法 |
JP2011071417A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Murata Mfg Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP4598140B2 (ja) * | 2009-10-13 | 2010-12-15 | 大日本印刷株式会社 | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 |
JP2010010714A (ja) * | 2009-10-13 | 2010-01-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 |
JP2011243922A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-01 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品モジュールの製造方法 |
JP2012134572A (ja) * | 2012-04-12 | 2012-07-12 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体装置 |
KR20140078197A (ko) * | 2012-12-17 | 2014-06-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법 |
KR102026214B1 (ko) * | 2012-12-17 | 2019-09-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3500995B2 (ja) | 2004-02-23 |
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