JP2000077376A - 超音波洗浄方法及びその装置 - Google Patents
超音波洗浄方法及びその装置Info
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- JP2000077376A JP2000077376A JP10242146A JP24214698A JP2000077376A JP 2000077376 A JP2000077376 A JP 2000077376A JP 10242146 A JP10242146 A JP 10242146A JP 24214698 A JP24214698 A JP 24214698A JP 2000077376 A JP2000077376 A JP 2000077376A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パーティクルの除去効率を上げ、半導体素子
製造工程の歩留まりを向上させることができる、超音波
洗浄方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 洗浄水で満たされた洗浄槽７内に被洗浄
物１３を配置し、洗浄水を介して超音波Ｂを当該被洗浄
物に照射することにより被洗浄物の洗浄を行う超音波洗
浄方法にして、洗浄を行うにあたり、当該被洗浄物を配
置した洗浄水内の気体の溶解度を低下させることとし、
さらに、その装置は、洗浄水内の気体の溶解度を減少さ
せるための手段１５、１７、１９を備えた構成となって
いる。
製造工程の歩留まりを向上させることができる、超音波
洗浄方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 洗浄水で満たされた洗浄槽７内に被洗浄
物１３を配置し、洗浄水を介して超音波Ｂを当該被洗浄
物に照射することにより被洗浄物の洗浄を行う超音波洗
浄方法にして、洗浄を行うにあたり、当該被洗浄物を配
置した洗浄水内の気体の溶解度を低下させることとし、
さらに、その装置は、洗浄水内の気体の溶解度を減少さ
せるための手段１５、１７、１９を備えた構成となって
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄水で満たされ
た洗浄槽内に被洗浄水を配置し、洗浄水を介して超音波
を当該被洗浄物に照射することにより被洗浄物の洗浄を
行う超音波洗浄方法及びその装置に関し、特に、パーテ
ィクルの除去効率を上げ、半導体素子製造工程の歩留ま
りを向上させることを可能とする超音波洗浄方法及びそ
の装置に関する。
た洗浄槽内に被洗浄水を配置し、洗浄水を介して超音波
を当該被洗浄物に照射することにより被洗浄物の洗浄を
行う超音波洗浄方法及びその装置に関し、特に、パーテ
ィクルの除去効率を上げ、半導体素子製造工程の歩留ま
りを向上させることを可能とする超音波洗浄方法及びそ
の装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子製造工程内における洗浄処理
作業は、半導体素子の性能や歩留まりの向上を実現する
ためにはいまや欠くことができない作業の一つとなって
おり、現在までに種々の方法が提案されている。
作業は、半導体素子の性能や歩留まりの向上を実現する
ためにはいまや欠くことができない作業の一つとなって
おり、現在までに種々の方法が提案されている。
【０００３】中でも超音波を利用した洗浄方法は、付着
した汚れが他の洗浄方法に比べ比較的容易に除去できる
こと、装置を小型化できること等の多くの利点により、
広く利用されている。
した汚れが他の洗浄方法に比べ比較的容易に除去できる
こと、装置を小型化できること等の多くの利点により、
広く利用されている。
【０００４】以下、図７を用いて、現在までの超音波洗
浄装置の構成とその動作原理について説明する。
浄装置の構成とその動作原理について説明する。
【０００５】図７は、典型的な超音波洗浄装置の構成図
を示す。
を示す。
【０００６】従来までの超音波洗浄装置は、超音波洗浄
装置本体１と、当該超音波洗浄装置本体１に組み込まれ
た超音波発振盤３と、当該超音波発振盤３上に配置され
た間接槽５と、被洗浄物１３を入れるための当該間接槽
５上に配置された洗浄槽７と、当該被洗浄槽７内に洗浄
水をオーバーフロー供給するための洗浄水供給口９と、
当該洗浄槽７よりオーバーフローした洗浄水Ａ１を廃棄
するドレイン口１１から構成される。
装置本体１と、当該超音波洗浄装置本体１に組み込まれ
た超音波発振盤３と、当該超音波発振盤３上に配置され
た間接槽５と、被洗浄物１３を入れるための当該間接槽
５上に配置された洗浄槽７と、当該被洗浄槽７内に洗浄
水をオーバーフロー供給するための洗浄水供給口９と、
当該洗浄槽７よりオーバーフローした洗浄水Ａ１を廃棄
するドレイン口１１から構成される。
【０００７】洗浄作業を行う際は、被洗浄物１３を洗浄
槽７内部に導入し、洗浄水供給口９より洗浄水を洗浄槽
７内部にオーバーフロー供給する。オーバーフローした
洗浄水Ａ１は、ドレイン口１１を通り装置外部に廃棄さ
れる。次に、超音波発振盤３を動作させることにより、
超音波Ｂを発振させる。発振した超音波Ｂは間接槽５と
洗浄槽７を介して洗浄槽７内の洗浄水に伝導し、被洗浄
物１３表面に付着した汚れは、洗浄水に伝導した超音波
により発生するキャビテーション等の作用により、該表
面から除去される。除去された汚れは、オーバーフロー
した洗浄水Ａ１と共に、ドレイン口１１を通して装置外
に運ばれる。汚れの除去が完了したならば、洗浄槽７よ
り被洗浄物１３を取り出し、被洗浄物１３を乾燥させ一
連の洗浄作業は完了する。
槽７内部に導入し、洗浄水供給口９より洗浄水を洗浄槽
７内部にオーバーフロー供給する。オーバーフローした
洗浄水Ａ１は、ドレイン口１１を通り装置外部に廃棄さ
れる。次に、超音波発振盤３を動作させることにより、
超音波Ｂを発振させる。発振した超音波Ｂは間接槽５と
洗浄槽７を介して洗浄槽７内の洗浄水に伝導し、被洗浄
物１３表面に付着した汚れは、洗浄水に伝導した超音波
により発生するキャビテーション等の作用により、該表
面から除去される。除去された汚れは、オーバーフロー
した洗浄水Ａ１と共に、ドレイン口１１を通して装置外
に運ばれる。汚れの除去が完了したならば、洗浄槽７よ
り被洗浄物１３を取り出し、被洗浄物１３を乾燥させ一
連の洗浄作業は完了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】半導体製造工程におい
ては、通常、洗浄水として洗浄水内の溶存気体（分子状
の気体）を可及的に除去した脱ガス水を利用する。以下
に、洗浄水内の溶存気体の除去を行う理由について述べ
る。
ては、通常、洗浄水として洗浄水内の溶存気体（分子状
の気体）を可及的に除去した脱ガス水を利用する。以下
に、洗浄水内の溶存気体の除去を行う理由について述べ
る。
【０００９】（１）溶存気体が過剰に存在した場合、気
体の種類によっては、被洗浄表面と溶存気体間で予期せ
ぬ化学反応が生じ、溶存気体が素子特性を劣化させる可
能性がある。例えば、溶存気体として溶存酸素が多く存
在している場合には、半導体表面が酸化され、素子特性
に重大な影響を及ぼす。
体の種類によっては、被洗浄表面と溶存気体間で予期せ
ぬ化学反応が生じ、溶存気体が素子特性を劣化させる可
能性がある。例えば、溶存気体として溶存酸素が多く存
在している場合には、半導体表面が酸化され、素子特性
に重大な影響を及ぼす。
【００１０】（２）溶存気体が存在する洗浄水を用いる
場合、液体内に溶存している気体の組成を常に一定に管
理しない限りは、素子特性のバラツキ、歩留まりに影響
が生じる。しかしながら、気体の組成を管理すること
は、現在確立されているプロセスに対し大きな変更を要
求するために、現段階では技術的に困難を伴う。
場合、液体内に溶存している気体の組成を常に一定に管
理しない限りは、素子特性のバラツキ、歩留まりに影響
が生じる。しかしながら、気体の組成を管理すること
は、現在確立されているプロセスに対し大きな変更を要
求するために、現段階では技術的に困難を伴う。
【００１１】上記の理由により、現在、半導体製造工程
において超音波洗浄を行う際には、脱ガス水を用いるこ
とが主流となっている。
において超音波洗浄を行う際には、脱ガス水を用いるこ
とが主流となっている。
【００１２】しかしながら、洗浄水内の溶存気体を除去
すると逆に、超音波洗浄の際に発生するキャビテーショ
ン作用が抑えられ、本来の目的であるパーティクル除去
効果が溶存気体が存在する場合に比べ低下するという問
題が生じる。これは、キャビテーション作用が溶存気体
を伴って生じる現象であることに由来し、溶存気体の減
少によりその作用が生じにくくなっているためである。
すると逆に、超音波洗浄の際に発生するキャビテーショ
ン作用が抑えられ、本来の目的であるパーティクル除去
効果が溶存気体が存在する場合に比べ低下するという問
題が生じる。これは、キャビテーション作用が溶存気体
を伴って生じる現象であることに由来し、溶存気体の減
少によりその作用が生じにくくなっているためである。
【００１３】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたもので、洗浄水の中でも、特に、脱ガス水を用い
た超音波洗浄方法のパーティクル除去効率を向上させる
ことを目的とする。
されたもので、洗浄水の中でも、特に、脱ガス水を用い
た超音波洗浄方法のパーティクル除去効率を向上させる
ことを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の超音波洗浄方法の特徴は、洗浄を行うに
あたって、被洗浄物を配置した洗浄水内の気体の溶解度
を小さくすることにある。
めに、本発明の超音波洗浄方法の特徴は、洗浄を行うに
あたって、被洗浄物を配置した洗浄水内の気体の溶解度
を小さくすることにある。
【００１５】さらに、本発明の超音波洗浄装置は、被洗
浄物を配置した洗浄水内の気体の溶解度を小さくする手
段を備えたことに特徴を有する。
浄物を配置した洗浄水内の気体の溶解度を小さくする手
段を備えたことに特徴を有する。
【００１６】上記構成によれば、脱ガス水中に不可避的
に含有される溶存気体を脱ガス水中に発生させることに
より、キャビテーション等のパーティクル除去メカニズ
ムの発生が促進され、パーティクルの除去効率及び半導
体素子製造工程の歩留まりを向上させることができる。
に含有される溶存気体を脱ガス水中に発生させることに
より、キャビテーション等のパーティクル除去メカニズ
ムの発生が促進され、パーティクルの除去効率及び半導
体素子製造工程の歩留まりを向上させることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１８】始めに、本実施形態の超音波洗浄装置の構
成について説明する。
成について説明する。
【００１９】図１乃至図４は、本発明の一実施形態であ
る、超音波洗浄装置の構成及び動作を示す図である。
る、超音波洗浄装置の構成及び動作を示す図である。
【００２０】本装置は、図１に示すように、超音波洗浄
装置本体１と、該超音波洗浄装置本体１に組み込まれた
超音波発振盤３と、該超音波発振盤３上に配置された間
接槽５と、被洗浄物１３を入れるための、該間接槽５上
に配置された洗浄槽７と、脱ガス水を加熱するための加
熱手段１５と、該洗浄槽７内に加熱した脱ガス水をオー
バーフロー供給するための洗浄水供給口９と、該洗浄槽
７よりオーバーフローした脱ガス水を廃棄するためのド
レイン口１１と、該超音波洗浄装置本体１に備えられた
開閉可能な密閉扉（密閉手段）１９と、該超音波洗浄装
置本体１内を減圧する減圧ポンプ（排気手段）１７とか
ら構成されている。
装置本体１と、該超音波洗浄装置本体１に組み込まれた
超音波発振盤３と、該超音波発振盤３上に配置された間
接槽５と、被洗浄物１３を入れるための、該間接槽５上
に配置された洗浄槽７と、脱ガス水を加熱するための加
熱手段１５と、該洗浄槽７内に加熱した脱ガス水をオー
バーフロー供給するための洗浄水供給口９と、該洗浄槽
７よりオーバーフローした脱ガス水を廃棄するためのド
レイン口１１と、該超音波洗浄装置本体１に備えられた
開閉可能な密閉扉（密閉手段）１９と、該超音波洗浄装
置本体１内を減圧する減圧ポンプ（排気手段）１７とか
ら構成されている。
【００２１】次に、図１乃至図４を用いて、本装置の動
作原理について説明する。
作原理について説明する。
【００２２】第１に、図１に示すように、密閉扉１９を
開き、被洗浄物１３を洗浄槽７内部に導入する。
開き、被洗浄物１３を洗浄槽７内部に導入する。
【００２３】第２に、図２に示すように、脱ガス水に対
する気体の溶解度を低下させるために、加熱手段１５に
より加熱された脱ガス水を洗浄水供給口９から洗浄槽７
内へオーバーフロー供給し、さらには、密閉扉１９を閉
め、減圧ポンプ１７を用いて、超音波洗浄装置本体１内
部を減圧する。
する気体の溶解度を低下させるために、加熱手段１５に
より加熱された脱ガス水を洗浄水供給口９から洗浄槽７
内へオーバーフロー供給し、さらには、密閉扉１９を閉
め、減圧ポンプ１７を用いて、超音波洗浄装置本体１内
部を減圧する。
【００２４】第３に、図３に示すように、超音波発振盤
３を動作させることにより、超音波Ｂを発振させる。発
振した超音波Ｂは、間接槽５を介して、洗浄槽７内の脱
ガス水に伝導し、超音波により発生したキャビテーショ
ンの作用により、被洗浄物１３表面に付着した汚れは該
表面から除去される。除去された汚れは、オーバーフロ
ーした脱ガス水Ａと共に、ドレイン口１１を通して装置
外に運ばれる。
３を動作させることにより、超音波Ｂを発振させる。発
振した超音波Ｂは、間接槽５を介して、洗浄槽７内の脱
ガス水に伝導し、超音波により発生したキャビテーショ
ンの作用により、被洗浄物１３表面に付着した汚れは該
表面から除去される。除去された汚れは、オーバーフロ
ーした脱ガス水Ａと共に、ドレイン口１１を通して装置
外に運ばれる。
【００２５】汚れの除去が完了したならば、図４に示す
ように、超音波洗浄装置内部を大気圧に戻した後に密閉
扉１９を開け、洗浄槽７より被洗浄物１３を取り出し、
被洗浄物１３を乾燥させ、一連の洗浄作業は完了する。
ように、超音波洗浄装置内部を大気圧に戻した後に密閉
扉１９を開け、洗浄槽７より被洗浄物１３を取り出し、
被洗浄物１３を乾燥させ、一連の洗浄作業は完了する。
【００２６】本実施形態では、脱ガス水を加熱し、さら
に脱ガス水を減圧雰囲気下に置いたが、脱ガス水に対す
る気体の溶解度が低下する限りにおいてはどちらか一方
の条件であっても全く問題はない。すなわち、脱ガス水
の加熱のみ、あるいは、脱ガス水を減圧雰囲気下に置く
のみの条件であってもよい。
に脱ガス水を減圧雰囲気下に置いたが、脱ガス水に対す
る気体の溶解度が低下する限りにおいてはどちらか一方
の条件であっても全く問題はない。すなわち、脱ガス水
の加熱のみ、あるいは、脱ガス水を減圧雰囲気下に置く
のみの条件であってもよい。
【００２７】また、本発明においては、脱ガス水中に溶
存気体を発生させることから、従来技術で述べたような
半導体表面の酸化等の問題が考えられるが、本発明にお
いて発生する溶存気体の大部分は大気から溶け込んだ窒
素であることから、溶存酸素による酸化の程度は十分に
無視できる。
存気体を発生させることから、従来技術で述べたような
半導体表面の酸化等の問題が考えられるが、本発明にお
いて発生する溶存気体の大部分は大気から溶け込んだ窒
素であることから、溶存酸素による酸化の程度は十分に
無視できる。
【００２８】［実験例］次に、実際に本装置を用いた実
験結果を以下に示す。
験結果を以下に示す。
【００２９】図５は、超音波出力値の変化に伴う、従来
の超音波洗浄装置と本発明を実施した超音波洗浄装置そ
れぞれのパーティクル除去効率の変化を示し、横軸は超
音波出力値［Ｗ］、縦軸はパーティクル除去効率
［％］、黒四角は本発明を実施した超音波洗浄装置の実
験値、黒三角は従来の超音波洗浄装置の実験値を表す。
の超音波洗浄装置と本発明を実施した超音波洗浄装置そ
れぞれのパーティクル除去効率の変化を示し、横軸は超
音波出力値［Ｗ］、縦軸はパーティクル除去効率
［％］、黒四角は本発明を実施した超音波洗浄装置の実
験値、黒三角は従来の超音波洗浄装置の実験値を表す。
【００３０】本実験は、超音波出力値［Ｗ］を０〜６０
０［Ｗ］の値の範囲で調査を行い、パーティクル除去効
率［％］は、両超音波洗浄装置による超音波洗浄前後に
おける被洗浄物表面に存在するパーティクル数を、パー
ティクルカウンターにより数えることにより見積もっ
た。
０［Ｗ］の値の範囲で調査を行い、パーティクル除去効
率［％］は、両超音波洗浄装置による超音波洗浄前後に
おける被洗浄物表面に存在するパーティクル数を、パー
ティクルカウンターにより数えることにより見積もっ
た。
【００３１】尚、本発明を実施した超音波洗浄装置は７
０［℃］に加熱した脱ガス水、従来の超音波洗浄装置は
室温（液温２４［℃］）の脱ガス水を用い、被洗浄物に
は半導体ウェハを適用した。
０［℃］に加熱した脱ガス水、従来の超音波洗浄装置は
室温（液温２４［℃］）の脱ガス水を用い、被洗浄物に
は半導体ウェハを適用した。
【００３２】図５からわかるように、本発明を実施した
超音波洗浄装置では従来の超音波洗浄装置よりも高いパ
ーティクル除去効率を得ることができる。
超音波洗浄装置では従来の超音波洗浄装置よりも高いパ
ーティクル除去効率を得ることができる。
【００３３】次に、本発明の有効性をさらに確認するた
めに、従来装置と本実施例の装置を用いてＤＲＡＭ製造
工程中の洗浄作業を行った場合の、ＤＲＡＭ製造工程の
歩留まりについての調査を行った。
めに、従来装置と本実施例の装置を用いてＤＲＡＭ製造
工程中の洗浄作業を行った場合の、ＤＲＡＭ製造工程の
歩留まりについての調査を行った。
【００３４】図６は、従来装置と本実施形態の装置を用
いてＤＲＡＭ製造工程中の洗浄作業を行った場合のそれ
ぞれの歩留まりを比較した図を示す。
いてＤＲＡＭ製造工程中の洗浄作業を行った場合のそれ
ぞれの歩留まりを比較した図を示す。
【００３５】図６からわかるように、実験を行った全て
のサンプルにおいて、本発明の実施形態によるＤＲＡＭ
製造工程の歩留まりの向上を実現することができた。
のサンプルにおいて、本発明の実施形態によるＤＲＡＭ
製造工程の歩留まりの向上を実現することができた。
【００３６】以上の結果より、発明者らは、超音波洗浄
時に脱ガス水に対する気体の溶解度を減少させることに
より、脱ガス水中に僅かに溶け込んだ気体の発生が促進
されることから、パーティクル除去効果が向上し、半導
体素子製造工程の歩留まりが改善できるという知見を得
た。
時に脱ガス水に対する気体の溶解度を減少させることに
より、脱ガス水中に僅かに溶け込んだ気体の発生が促進
されることから、パーティクル除去効果が向上し、半導
体素子製造工程の歩留まりが改善できるという知見を得
た。
【００３７】
【発明の効果】上記のように、本発明によれば、脱ガス
水に対する気体の溶解度を超音波洗浄時に減少させるこ
とによりキャビテーションの発生が促進され、パーティ
クル除去効率及び半導体素子製造工程の歩留まりを向上
させることができる。
水に対する気体の溶解度を超音波洗浄時に減少させるこ
とによりキャビテーションの発生が促進され、パーティ
クル除去効率及び半導体素子製造工程の歩留まりを向上
させることができる。
【図１】本発明を実施した超音波洗浄装置の構成及び動
作を示す図である。
作を示す図である。
【図２】本発明を実施した超音波洗浄装置の構成及び動
作を示す図である。
作を示す図である。
【図３】本発明を実施した超音波洗浄装置の構成及び動
作を示す図である。
作を示す図である。
【図４】本発明を実施した超音波洗浄装置の構成及び動
作を示す図である。
作を示す図である。
【図５】超音波出力値の変化に伴う、従来の超音波洗浄
装置と本発明を実施した超音波洗浄装置それぞれのパー
ティクル除去効率の変化を示す図である。
装置と本発明を実施した超音波洗浄装置それぞれのパー
ティクル除去効率の変化を示す図である。
【図６】従来の装置と本発明を実施した装置をＤＲＡＭ
製造工程中の洗浄作業に利用した場合のそれぞれの歩留
まりを比較した図である。
製造工程中の洗浄作業に利用した場合のそれぞれの歩留
まりを比較した図である。
【図７】従来の超音波洗浄装置の構成を示す図である。
１ 超音波洗浄装置本体 ３ 超音波発振盤 ５ 間接槽 ７ 洗浄槽 ９ 洗浄水供給口 １１ ドレイン口 １３ 被洗浄物 １５ 加熱手段 １７ 減圧ポンプ Ａ オーバーフローした脱ガス水 Ａ１ オーバーフローした洗浄水 Ｂ 超音波
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西村 修一 三重県四日市市山之一色町字中龍宮800番 地 株式会社東芝四日市工場内 (72)発明者 福井 博之 三重県四日市市山之一色町字中龍宮800番 地 株式会社東芝四日市工場内 (72)発明者 齋藤 誠司 三重県四日市市山之一色町字中龍宮800番 地 株式会社東芝四日市工場内 (72)発明者 横井 正幸 神奈川県川崎市幸区堀川町66番２ 東芝エ ンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB08 BB04 BB83 BB94 CB12 CC11 CD11
Claims (6)
- 【請求項１】 洗浄水で満たされた洗浄槽内に被洗浄物
を配置し、洗浄水を介して超音波を当該被洗浄物に照射
することにより被洗浄物の洗浄を行う超音波洗浄方法に
おいて、 洗浄を行うにあたり、当該被洗浄物を配置した洗浄水内
の気体の溶解度を低下させることを特徴とする超音波洗
浄方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の超音波洗浄方法におい
て、前記洗浄水を加熱することにより洗浄水内の気体の
溶解度を低下させることを特徴とする超音波洗浄方法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の超音波洗
浄方法において、前記洗浄槽を減圧状態下に置くことに
より洗浄水内の気体の溶解度を低下させることを特徴と
する超音波洗浄方法。 - 【請求項４】 洗浄水で満たされた洗浄槽内に被洗浄物
を配置し、洗浄水を介して超音波を当該被洗浄物に照射
することにより被洗浄物の洗浄を行う超音波洗浄方法に
おいて、 洗浄水内の気体の溶解度を減少させるための手段を備え
たことを特徴とする超音波洗浄装置。 - 【請求項５】 前記洗浄水内の気体の溶解度を減少させ
るための手段は、洗浄水を加熱する加熱手段からなるこ
とを特徴とする請求項４に記載の超音波洗浄装置。 - 【請求項６】 前記洗浄水内の気体の溶解度を減少させ
るための手段は、 前記洗浄槽全体を覆うように設置された、外気の流入出
を制御するための密閉手段と、 前記密閉手段により覆われた内部の排気を行なうための
排気手段とを備えたことを特徴とする請求項４又は請求
項５に記載の超音波洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10242146A JP2000077376A (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 超音波洗浄方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10242146A JP2000077376A (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 超音波洗浄方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077376A true JP2000077376A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17085014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10242146A Withdrawn JP2000077376A (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 超音波洗浄方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077376A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102513306A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-06-27 | 保定天威英利新能源有限公司 | 太阳能电池片装卸用陶瓷吸片的清洗方法 |
| US8347901B2 (en) * | 2006-03-15 | 2013-01-08 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, substrate cleaning system and program storage medium |
| JP2013084667A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Hitachi Kokusai Denki Engineering:Kk | 超音波処理装置および超音波処理方法 |
-
1998
- 1998-08-27 JP JP10242146A patent/JP2000077376A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8347901B2 (en) * | 2006-03-15 | 2013-01-08 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, substrate cleaning system and program storage medium |
| US20130152964A1 (en) * | 2006-03-15 | 2013-06-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, substrate cleaning system and program storage medium |
| US9358588B2 (en) | 2006-03-15 | 2016-06-07 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, substrate cleaning system and program storage medium |
| JP2013084667A (ja) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | Hitachi Kokusai Denki Engineering:Kk | 超音波処理装置および超音波処理方法 |
| CN102513306A (zh) * | 2011-12-30 | 2012-06-27 | 保定天威英利新能源有限公司 | 太阳能电池片装卸用陶瓷吸片的清洗方法 |
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