JPH0116309B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0116309B2 JPH0116309B2 JP58162624A JP16262483A JPH0116309B2 JP H0116309 B2 JPH0116309 B2 JP H0116309B2 JP 58162624 A JP58162624 A JP 58162624A JP 16262483 A JP16262483 A JP 16262483A JP H0116309 B2 JPH0116309 B2 JP H0116309B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- cleaning liquid
- chamber
- vacuum
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 23
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Separation Of Particles Using Liquids (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は真空蒸着室、スパツタリング室、化学
蒸着室等の真空室内のクリーニング装置に関す
る。
蒸着室等の真空室内のクリーニング装置に関す
る。
（従来の技術）
一般に前記の真空蒸着室等の真空室はサブスト
レートに蒸着、スパツタリング等の処理を施し、
ICその他のエレクトニクス機器等の製造するに
使用されるが、近時これらの機器は超LSIのよう
にマイクロ化される傾向にあるので該室内の塵芥
数を高度に減少させ、塵芥がサブストレートに付
着することによりLSI回路の断線等が発生するこ
とを防止する必要がある。従来、該真空室内に送
り込まれるサブストレートは、これに塵芥が付着
して該室内に持込まれないように予め洗浄される
ので外部から塵芥が持込まれることは少ないが、
真空室内では例えば内壁、サブストレート駆動装
置等に付着した蒸発物質、スパツタ物質の剥落に
より或はサブストレート駆動装置の摺動部分から
塵芥が発生するので、該真空室をオーバーホール
して塵芥を洗浄するか塵芥の舞い上りを防ぐよう
に緩つくりと時間を掛けて真空室内を排気する手
段を構じて蒸着等に際してサブストレートに塵芥
が付着することを防止している。また、真空室内
に水分が導入されると真空排気に時間が掛り、サ
ブストレートの処理開始までが長びくので、一般
の容器のように真空室内を洗浄液の噴射で、洗浄
することは行なわれていない。
レートに蒸着、スパツタリング等の処理を施し、
ICその他のエレクトニクス機器等の製造するに
使用されるが、近時これらの機器は超LSIのよう
にマイクロ化される傾向にあるので該室内の塵芥
数を高度に減少させ、塵芥がサブストレートに付
着することによりLSI回路の断線等が発生するこ
とを防止する必要がある。従来、該真空室内に送
り込まれるサブストレートは、これに塵芥が付着
して該室内に持込まれないように予め洗浄される
ので外部から塵芥が持込まれることは少ないが、
真空室内では例えば内壁、サブストレート駆動装
置等に付着した蒸発物質、スパツタ物質の剥落に
より或はサブストレート駆動装置の摺動部分から
塵芥が発生するので、該真空室をオーバーホール
して塵芥を洗浄するか塵芥の舞い上りを防ぐよう
に緩つくりと時間を掛けて真空室内を排気する手
段を構じて蒸着等に際してサブストレートに塵芥
が付着することを防止している。また、真空室内
に水分が導入されると真空排気に時間が掛り、サ
ブストレートの処理開始までが長びくので、一般
の容器のように真空室内を洗浄液の噴射で、洗浄
することは行なわれていない。
（発明が解決しようとする課題）
前記のように真空室をオーバーホールして塵芥
の清掃を行なうことは、非常に人手と時間が掛り
能率的ではない。
の清掃を行なうことは、非常に人手と時間が掛り
能率的ではない。
また、前記のように真空排気速度が塵芥が舞い
上らないように遅くすると、サブストレートの処
理能率が低下して好ましくない。
上らないように遅くすると、サブストレートの処
理能率が低下して好ましくない。
本発明は真空室をオーバーホールすることなく
短時間で内部の塵芥をクリーニングするに適した
装置を提供することを目的とするものである。
短時間で内部の塵芥をクリーニングするに適した
装置を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明では、真空蒸着室等の真空ポンプが接続
された真空室内にノズルを設けると共に該真空室
の底部に排出管を接続し、該ノズルに、供給管、
フイルタ及び送り出しポンプを介して洗浄流体を
貯えた洗浄液タンクを接続し、更に該供給管に乾
燥用ガス源を接続することにより、前記目的を達
成するようにした。
された真空室内にノズルを設けると共に該真空室
の底部に排出管を接続し、該ノズルに、供給管、
フイルタ及び送り出しポンプを介して洗浄流体を
貯えた洗浄液タンクを接続し、更に該供給管に乾
燥用ガス源を接続することにより、前記目的を達
成するようにした。
（作用）
真空室内で塵芥により汚れると、送り出しポン
プを作動させ、洗浄液タンクからフイルタを介し
てアルコールフレオン或はトリクレン等の洗浄流
体を供給管に流し、ノズルから真空室内へ噴射す
る。この洗浄流体の噴射により真空室内の塵芥は
洗い流され、その排液は真空室の底部に接続した
排出管から外部へ排除される。この洗浄で濡れた
真空室内は、該供給管に接続した乾燥用ガス源か
ら該ノズルを介して乾燥用ガスを噴射することに
よつて迅速に乾燥され、真空室をオーバーホール
することなく簡単に清掃することが出来る。
プを作動させ、洗浄液タンクからフイルタを介し
てアルコールフレオン或はトリクレン等の洗浄流
体を供給管に流し、ノズルから真空室内へ噴射す
る。この洗浄流体の噴射により真空室内の塵芥は
洗い流され、その排液は真空室の底部に接続した
排出管から外部へ排除される。この洗浄で濡れた
真空室内は、該供給管に接続した乾燥用ガス源か
ら該ノズルを介して乾燥用ガスを噴射することに
よつて迅速に乾燥され、真空室をオーバーホール
することなく簡単に清掃することが出来る。
（実施例）
本発明の実施例を、まず、真空蒸着室の洗浄に
適用した場合につき説明するに、第１図に於て１
は下方に蒸発源２と上方にサブストレートの駆動
装置３を備えた真空室、４は該真空室１の隅部に
旋回自在に設けたノズルを示し、該ノズル４には
洗浄液循環装置５から供給管６を介して洗浄流体
が供給される。該洗浄液循環装置５は例えばヒー
タ７を備えた洗浄液タンク８、送り出しポンプ
９、フイルタ１０、蒸溜器１１、排出ポンプ１２
及びN2ガス等の乾燥用ガス源１３で構成され、
該洗浄液タンク８に於て蒸溜器１１によりアルコ
ールフレオン或はトリクレン等の純度を高めた洗
浄液を作り、これを送り出しポンプ９により圧送
し、フイルタ１０で濾過して供給管６へと送る。
この場合ノズル４から真空室１内に噴出した洗浄
液は、その内壁面１ａや駆動装置３に付着した蒸
発物質等の塵芥を洗い落とし、下方の排出管１４
から排出ポンプ１２によりタンク８へと戻すよう
に排除される。その後、ガス源１３からノズル４
に乾燥用のガスが供給され、濡れた真空室１内が
迅速に乾燥する。１５は真空室１を真空化するに
使用される真空ポンプである。該洗浄液循環装置
５は第２図示のようにフイルタ１０と並列にヒー
タを備えたボイラ兼純化装置１６を設け、これに
タンク８からの洗浄液を送り、発生した蒸気を供
給管６に洗浄液と共に混合されるようにしてもよ
い。また洗浄液の噴射後に蒸気を噴射してもよ
く、この場合真空室１の内面は急速に乾燥する。
１７は排液タンクである。また真空室１をその周
囲に第３図示のように設けたヒータ１８で加熱し
乍らノズル４から洗浄液を噴出すればより一層ク
リーンに真空室１内を洗浄することが可能であ
り、かつ急速に乾燥させることが出来る。同図示
のように使用済みの洗浄液を排出管１４から排液
タンク１７に捨てる形式とするようにしてもよ
い。
適用した場合につき説明するに、第１図に於て１
は下方に蒸発源２と上方にサブストレートの駆動
装置３を備えた真空室、４は該真空室１の隅部に
旋回自在に設けたノズルを示し、該ノズル４には
洗浄液循環装置５から供給管６を介して洗浄流体
が供給される。該洗浄液循環装置５は例えばヒー
タ７を備えた洗浄液タンク８、送り出しポンプ
９、フイルタ１０、蒸溜器１１、排出ポンプ１２
及びN2ガス等の乾燥用ガス源１３で構成され、
該洗浄液タンク８に於て蒸溜器１１によりアルコ
ールフレオン或はトリクレン等の純度を高めた洗
浄液を作り、これを送り出しポンプ９により圧送
し、フイルタ１０で濾過して供給管６へと送る。
この場合ノズル４から真空室１内に噴出した洗浄
液は、その内壁面１ａや駆動装置３に付着した蒸
発物質等の塵芥を洗い落とし、下方の排出管１４
から排出ポンプ１２によりタンク８へと戻すよう
に排除される。その後、ガス源１３からノズル４
に乾燥用のガスが供給され、濡れた真空室１内が
迅速に乾燥する。１５は真空室１を真空化するに
使用される真空ポンプである。該洗浄液循環装置
５は第２図示のようにフイルタ１０と並列にヒー
タを備えたボイラ兼純化装置１６を設け、これに
タンク８からの洗浄液を送り、発生した蒸気を供
給管６に洗浄液と共に混合されるようにしてもよ
い。また洗浄液の噴射後に蒸気を噴射してもよ
く、この場合真空室１の内面は急速に乾燥する。
１７は排液タンクである。また真空室１をその周
囲に第３図示のように設けたヒータ１８で加熱し
乍らノズル４から洗浄液を噴出すればより一層ク
リーンに真空室１内を洗浄することが可能であ
り、かつ急速に乾燥させることが出来る。同図示
のように使用済みの洗浄液を排出管１４から排液
タンク１７に捨てる形式とするようにしてもよ
い。
また、第４図はサブストレートを取付けたキヤ
リア２０を、バルブ２５で区画された仕込室２
１、カソード電極２２を備えたスパツタリング室
２３及び取出室２４を順次通過させる式のスパツ
タ装置に於て各室２１，２３，２４を洗浄する場
合を示し、この場合各室の上方に夫々ノズル４を
設け、洗浄液循環装置５から洗浄液、蒸気混入の
洗浄液、洗浄液の蒸気、乾燥用ガスを供給して洗
浄される。尚、この場合も洗浄液循環装置５に代
え第５図示のように排出管１４を排液タンク１７
に捨てる非循環形に構成してもよい。２６はクラ
イオポンプの排気口を示す。尚、フレオン、アル
コール或はこれらの混合液を洗浄液として使用す
る場合には蒸気液化用に冷却器３０が設けられ
る。
リア２０を、バルブ２５で区画された仕込室２
１、カソード電極２２を備えたスパツタリング室
２３及び取出室２４を順次通過させる式のスパツ
タ装置に於て各室２１，２３，２４を洗浄する場
合を示し、この場合各室の上方に夫々ノズル４を
設け、洗浄液循環装置５から洗浄液、蒸気混入の
洗浄液、洗浄液の蒸気、乾燥用ガスを供給して洗
浄される。尚、この場合も洗浄液循環装置５に代
え第５図示のように排出管１４を排液タンク１７
に捨てる非循環形に構成してもよい。２６はクラ
イオポンプの排気口を示す。尚、フレオン、アル
コール或はこれらの混合液を洗浄液として使用す
る場合には蒸気液化用に冷却器３０が設けられ
る。
（発明の効果）
以上のように本発明によるときは、水分の進入
がタブーとされていた真空室内にノズルを設ける
と共に真空室の底部に排出管を接続し、該ノズル
に接続した供給管、フイルタ及び送り出しポンプ
により洗浄流体を噴出させると共に該ノズルに接
続した乾燥用ガス源から乾燥用ガスを噴出させる
ようにしたので、比較的簡単且つ短時間でオーバ
ーホールすることなく真空室の塵芥数を大幅に減
少するように清掃することが出来、サブストレー
トの不良品率を大きく減少させ得ると共に処理能
率も向上する等の効果がある。
がタブーとされていた真空室内にノズルを設ける
と共に真空室の底部に排出管を接続し、該ノズル
に接続した供給管、フイルタ及び送り出しポンプ
により洗浄流体を噴出させると共に該ノズルに接
続した乾燥用ガス源から乾燥用ガスを噴出させる
ようにしたので、比較的簡単且つ短時間でオーバ
ーホールすることなく真空室の塵芥数を大幅に減
少するように清掃することが出来、サブストレー
トの不良品率を大きく減少させ得ると共に処理能
率も向上する等の効果がある。
第１図は本発明の実施例の線図、第２図乃至第
５図は本発明の他の実施例の線図である。 １…真空室、４…ノズル、６…供給管、８…洗
浄液タンク、９…送り出しポンプ、１０…フイル
タ、１３…乾燥用ガス源、１４…排出管。
５図は本発明の他の実施例の線図である。 １…真空室、４…ノズル、６…供給管、８…洗
浄液タンク、９…送り出しポンプ、１０…フイル
タ、１３…乾燥用ガス源、１４…排出管。
Claims (1)
- １ 真空蒸着室等の真空ポンプが接続された真空
室内にノズルを設けると共に該真空室の底部に排
出管を接続し、該ノズルに、供給管、フイルタ及
び送り出しポンプを介して洗浄流体を貯えた洗浄
液タンクを接続し、更に該供給管に乾燥用ガス源
を接続したことを特徴とする真空室内クリーニン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16262483A JPS6055611A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 真空室内クリ−ニング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16262483A JPS6055611A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 真空室内クリ−ニング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055611A JPS6055611A (ja) | 1985-03-30 |
| JPH0116309B2 true JPH0116309B2 (ja) | 1989-03-23 |
Family
ID=15758142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16262483A Granted JPS6055611A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | 真空室内クリ−ニング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055611A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62196367A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-08-29 | Ulvac Corp | 真空処理槽のクリ−ニング装置 |
| JPS62205268A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Ulvac Corp | 真空処理槽のクリ−ニング装置 |
| JPH06272027A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 真空蒸着槽の自動洗浄方法及び装置 |
| JP5553898B2 (ja) * | 2010-07-13 | 2014-07-16 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜装置の洗浄方法 |
| JP6325475B2 (ja) * | 2015-03-18 | 2018-05-16 | 株式会社東芝 | ガス再利用装置、積層造形装置、及び積層造形方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS479567U (ja) * | 1971-02-26 | 1972-10-04 |
-
1983
- 1983-09-06 JP JP16262483A patent/JPS6055611A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS479567U (ja) * | 1971-02-26 | 1972-10-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6055611A (ja) | 1985-03-30 |
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