DE69325216T2 - Flüssigkristallanzeigevorrichtung, Vorrichtung und Verfahren zum Montieren von Halbleiterelementen und elektronisches Druckgerät - Google Patents
Flüssigkristallanzeigevorrichtung, Vorrichtung und Verfahren zum Montieren von Halbleiterelementen und elektronisches DruckgerätInfo
- Publication number
- DE69325216T2 DE69325216T2 DE69325216T DE69325216T DE69325216T2 DE 69325216 T2 DE69325216 T2 DE 69325216T2 DE 69325216 T DE69325216 T DE 69325216T DE 69325216 T DE69325216 T DE 69325216T DE 69325216 T2 DE69325216 T2 DE 69325216T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- multilayer substrate
- layer
- terminals
- liquid crystal
- panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 113
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 109
- 238000007639 printing Methods 0.000 title description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 288
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 136
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 112
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 111
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 84
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 84
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 76
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 53
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 53
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 52
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 45
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 39
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 34
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 34
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 32
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 29
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 29
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 29
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 29
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 27
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 27
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- OPFJDXRVMFKJJO-ZHHKINOHSA-N N-{[3-(2-benzamido-4-methyl-1,3-thiazol-5-yl)-pyrazol-5-yl]carbonyl}-G-dR-G-dD-dD-dD-NH2 Chemical compound S1C(C=2NN=C(C=2)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CCCN=C(N)N)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(N)=O)=C(C)N=C1NC(=O)C1=CC=CC=C1 OPFJDXRVMFKJJO-ZHHKINOHSA-N 0.000 description 26
- FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229940126086 compound 21 Drugs 0.000 description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 26
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 26
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 26
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 23
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 21
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 19
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 15
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 15
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 14
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 13
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 13
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 13
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 235000010384 tocopherol Nutrition 0.000 description 4
- 235000019731 tricalcium phosphate Nutrition 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49822—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5383—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5385—Assembly of a plurality of insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/15165—Monolayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/368—Assembling printed circuits with other printed circuits parallel to each other
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigkristallanzeigegerät mit einer Mehrzahl von Halbleiterchips zum Treiben von Flüssigkristall.
- Die Anbringung eines Treiber-ICs zum Treiben von Flüssigkristall zur Verwendung bei einem herkömmlichen Flüssigkristallanzeigegerät wird nun unter Bezug auf die Fig. 34, 35, 36 und 37 beschrieben. Ein Treiber-IC 50041 ist auf einem Band- bzw. Gurtträgergehäuse (tape-carrier package, nachstehend als "TCP" bezeichnet) 50042 angebracht und an eine Tafel 16 unter Zwischenlage eines Anschlußelements 19 angeschlossen. Eingangsleitungen 50044 und Ausgangsleitungen 50045 des TCP 50042 zum und vom Treiber-IC 50041 sind auf der gleichen Fläche des TCP 50042 angeordnet, wobei der Anschluß an die Tafel 16 durch Verwendung des Anschlußelements 19 derart erfolgt, daß ein Anfangsabschnitt 50046 des Ausgangsleitungsmusters 50045 auf der Oberfläche des TCP-Substrats 50042 und ein Tafelanschluß 18 aneinander angeschlossen sind.
- Ein anderes Verfahren der Anbringung des Treiber-ICs zum Treiben von Flüssigkristall zur Verwendung bei dem herkömmlichen Flüssigkristallanzeigegerät wird nun unter Bezug auf die Fig. 34, 35, 36, 37, 38 und 39 beschrieben. Der Treiber-IC 50041 ist auf dem Band- bzw. Gurtträgergehäuse (tape-carrier package, nachstehend als "TCP" bezeichnet) 50042 angebracht und an die Tafel 16 unter Zwischenlage eines anisotropen leitfähigen Films 50049 angeschlossen. Bei dem TCP 50042 sind die Eingangsleitungen 50044 an den Treiber-IC 50041 und die Ausgangsleitungen 50045 aus dem Treiber-IC 50041 auf der Oberfläche des Substrat-TCP 50042 angeordnet und auf solche Weise an die Tafel 16 angeschlossen, daß der Anfangsabschnitt 50046 des Ausgangsleitungsmusters 50045 auf der Oberfläche des Substrat-TCP 50042 und der Tafelanschluß 18 durch Verwendung des anisotropen leitfähigen Films 50049 angeschlossen sind. Der anisotrope leitfähige Film 50049 ist hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln 50050 und einem Haftmittel 50051 hergestellt. Die Dicke (H) des Haftmittels 50051 ist größer gemacht als die Partikelgröße (D) der leitfähigen Partikel 50050. Wenn die Dicke (K) des Anfangsabschnitts 50046 des TCP 50042 größer als die Partikelgröße (D) des leitfähigen Partikels 50050 ist, wird deshalb ein in Fig. 39 gezeigter Anschlußzustand realisiert, bei dem die leitfähigen Partikel 50050 so gequetscht werden, daß Leitung gegeben ist. Wenn die Dicke (k) einer Anschlußstelle 13 kleiner als die Partikelgröße (D) des leitfähigen Partikels 50050 ist, kann das Haftmittel 50051 nicht ausreichend entfernt werden. In diesem Fall tritt das Problem auf, daß die elektrische Verbindung durch die leitfähigen Partikel 50050 nicht zufriedenstellend hergestellt werden kann.
- Die Eingangsleitung 50044 zum Treiber-IC 50041 ist, mittels Löten, an ein anderes Substrat (nachstehend "Bussubstrat" genannt) 50043 für die Zuleitung von Eingangssignalen und elektrischer Leistung angeschlossen. Das Bussubstrat 50043 ist in Form von zwei Schichten gebildet, so daß die Busleitung gekreuzt geführt werden kann. Die ausführlichen Darstellungen über die geführten Abschnitte und die Anschlußabschnitte werden hier jedoch weggelassen. Der Großteil des TCP 50042 und des Bussubstrats 50043 sind außerhalb des Umrisses der Tafel 16 positioniert, so daß die zum Anbringen des Halbleiterchips erforderliche Fläche sehr groß ist. Außerdem muß das Bussubstrat als einzelnes Element verwendet werden, weshalb die Kosten nicht reduziert werden können. Nun wird ein COG-(Chip On Glass)-Verfahren unter Bezug auf Fig. 37 beschrieben. Fig. 37 ist eine Querschnittsansicht, die einen wesentlichen Teil darstellt, in dem der Halbleiterchip mittels des COG-Verfahrens angebracht ist. Wenn eine Busleitung 50048 auf dem Tafelsubstrat geführt werden soll, muß sie auf dem Tafelsubstrat so geführt werden, daß sie eine Eingangsleitung 50047 zum Treiber-IC 50041 zum Treiben des Flüssigkristalls kreuzt. Da die Leitungen aus dünnen Metallfilmen gebildet werden müssen, die beispielsweise aus Au oder Ni o. ä. hergestellt sind, muß jede Leitung eine große Breite aufweisen, um den Widerstandswert zu reduzieren. Deshalb ist eine große Fläche erforderlich, um den Halbleiterchip anzubringen, und, was schlimmer ist, die Kosten können nicht reduziert werden, da eine Verdrahtung unter Verwendung des dünnen Metallfilms gekreuzt ausgeführt werden muß.
- Ein herkömmliches Flüssigkristallanzeigegerät umfaßt Anzeigepixel, die aus Matrixelektroden gebildet sind, welche jeweils aus Zeilenelektroden und Spaltenelektroden bestehen. Anzeigesignale zum Treiben einer Halbleitervorrichtung, die mittels TAB (Tape-Automated-Bonding bzw. automatisches Gurten oder Filmbonden) im Peripheriebereich der Flüssigkristallanzeigevorrichtung angeordnet sind, werden an einen Elektrodenanschluß der Anzeigevorrichtung geliefert, die mittels eines anisotropen leitfähigen Haftmittels oder eines leitfähigen Gummiverbindungsglieds angeschlossen ist.
- Die Fig. 41 und 42 stellen ein Beispiel der Montagestruktur dar, die bei einem Flüssigkristallanzeigegerät verwendet wird, bei dem eine mittels TAB angebrachte Halbleitervorrichtung an eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung angeschlossen ist.
- Gemäß Fig. 41 und 42 umfaßt ein TCP (Tape-Carrier-Package) 50151 zum Treiben von Flüssigkristall eine Halbleitervorrichtung 111 zum Treiben von Flüssigkristall, die mittels des sogenannten TAB-Verfahrens auf einem flexiblen Verdrahtungselement 50152 befestigt ist. Außerdem ist ein an einer Seite des TCP 50151 angeordneter TCP-Ausgangsanschluß 50153 mittels eines anisotropen leitfähigen Mittels 115 an den Anschlußteil eines Flüssigkristallelements 110 angeschlossen, während ein TCP-Eingangsanschluß 50154 und ein an der anderen Seite angeordnetes Treibersteuerschaltungssubstrat 50155 mittels Löten angeschlossen sind.
- Da die vorstehende herkömmliche Technologie ein einzelnes Verdrahtungssubstrat (das Bussubstrat) zum Liefern von Eingangssignalen und elektrischer Leistung an den Treiber-IC sowie gekreuzt geführte dünne Metallfilmleitungen aufweisen muß, kann die zum Anbringen des Halbleiterchips erforderliche Fläche nicht reduziert werden. Deshalb tritt ein Problem insofern auf, als ein Flüssigkristallanzeigegerät, dessen Kosten und Größe reduziert werden können, nicht geschaffen werden kann.
- Bei der vorstehenden herkömmlichen Technologie ist die Anordnung so getroffen, daß Halbleitervorrichtungen 111 zum Treiben von Flüssigkristall mittels eines TAB-Montageverfahrens in der Reihenfolge der Spalte (parallel zu den Pixeln und nacheinander angeschlossen) an die Elektroden der Flüssigkristallanzeigevorrichtung 110 angeschlossen werden, während sie in TCP-Form für jede Halbleitervorrichtung gebildet werden. Außerdem sind die Halbleitervorrichtungen 111 an ein Treibersteuerschaltungssubstrat 50155 zum Liefern von elektrischer Leistung zum Treiben von Flüssigkristall und Steuersignalen angeschlossen (nachstehend "Busleitungen" genannt).
- Ein Flüssigkristallanzeigegerät derjenigen Art, die die vorstehende Montagestruktur aufweist und für Farbanzeige eingerichtet ist, erfordert eine Pixeldichte, die dreimal so groß ist wie bei einem Schwarzweiß-Anzeigegerät, wenn die gleiche Auflösung realisiert werden soll, wie sie bei dem Schwarzweiß-Anzeigegerät realisiert wird. Dies führt zu der Tatsache, daß die Anzahl an Leitungen für den gegenseitigen Anschluß der TCPs zu stark ansteigt, als daß die Zuverlässigkeit des Anschlusses gewährleistet werden könnte. Das Treibersteuerschaltungssubstrat 50155 muß des weiteren aufgrund des Anstiegs der Anzahl an Anschlüssen eine präzise Verdrahtungsregel besitzen, und deshalb muß das Substrat in Mehrschichtenform gebildet werden. Daher kann die Größe des Flüssigkristallanzeigegeräts nicht reduziert werden, und die Anzahl an erforderlichen Elementen steigt ungewollt an. Deshalb können die Gesamtkosten des Geräts nicht reduziert werden.
- Fig. 43 ist eine Ansicht, die die Struktur eines herkömmlichen Farbflüssigkristallanzeigegeräts darstellt, welches in der Japanischen Offenlegungsschrift 2-214826 offenbart ist. Um an die erhöhte Anzahl der Farbanzeigepixel anpaßbar zu sein, sind TCPs 50151-1 bis 50151-3 in drei Schichten gebildet. Die Abschnitte, in denen die vorstehenden TCPs 50151-1 bis 50151-3 an das Treibersteuerschaltungssubstrat 50155 angeschlossen sind, sind auf die gleiche Weise angeordnet wie jene der in Fig. 42 gezeigten Struktur. Deshalb steigt die Anzahl erforderlicher Anschlüsse aufgrund des Anstiegs der Pixeldichte an. Somit kann nicht verhindert werden, daß beim Anschluß ein Fehler auftritt. Was schlimmer ist, die Struktur, in der die TCPs übereinander angeordnet sind, führt dazu, daß die Halbleiteranordnung in Richtung der Dicke größer wird, was zum Problem führt, daß die Größe des Geräts nicht reduziert werden kann.
- Das Dokument JP-A-4-115 228 offenbart ein Flüssigkristallanzeigegerät gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Bei diesem Stand der Technik wird der Halbleiterchip direkt auf einem Basissubstrat der Flüssigkristalltafel montiert.
- Das Dokument JP-A-4-283 722 offenbart ein Anzeigegerät, welches ein Mehrschichtsubstrat aufweist, das in Verbindung mit einer Flüssigkristallanzeigetafel verwendet wird. Der Halbleiterchip bei diesem Stand der Technik ist auf einem flexiblen Substrat angebracht, welches einerseits unter Verwendung eines anisotropen leitfähigen Films an Anschlußstellen an der Peripherie des Glassubstrats eines Flüssigkristallanzeigeelements angeschlossen und andererseits an einer Mehrschicht-Leiterplatte angeschlossen ist.
- Die vorliegende Erfindung ist daher darauf gerichtet, die vorstehenden Probleme zu lösen, weshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin besteht, ein Flüssigkristallanzeigegerät zu schaffen, welches eine kleine Fläche zur Anbringung des Halbleiterchips zum Treiben von Flüssigkristall erfordert, dessen Dicke und Größe reduziert werden können und dessen Kosten deshalb auf zufriedenstellende Weise reduziert werden können. Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Flüssigkristallanzeigegerät zu schaffen, das Farbbilder präzise und mit hoher Dichte mittels seines Flüssigkristalls anzeigen kann, während seine Kosten und seine Größe kleiner sind.
- Diese Aufgaben werden mit einem Flüssigkristallanzeigegerät gemäß Anspruch 1 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
- Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung hervor.
- Fig. 1 ist eine Ansicht in Explosionsdarstellung, die ein Mehrschichtsubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 2 stellt ein Flüssigkristallanzeigegerät. gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 3 stellt einen wesentlichen Teil des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß der Ausführungsform von Fig. 2 dar;
- Fig. 4 ist eine Querschnittsansicht, die einen wesentlichen Teil des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß der Ausführungsform von Fig. 2 darstellt;
- Fig. 5 ist eine Ansicht in Explosionsdarstellung, die ein Mehrschichtsubstrat gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 6 stellt einen wesentlichen Teil der Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 7 ist eine Ansicht in Explosionsdarstellung, die ein Mehrschichtsubstrat gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 8 stellt einen wesentlichen Teil des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 9 stellt einen wesentlichen Teil des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 10 ist eine Querschnittsansicht, die einen wesentlichen Teil des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 11 ist eine Ansicht in Explosionsdarstellung, die ein Mehrschichtsubstrat gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 12 stellt einen wesentlichen Teil des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 13 stellt einen wesentlichen Teil des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 14 stellt einen wesentlichen Teil des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 15 ist eine Ansicht in Explosionsdarstellung, die ein Mehrschichtsubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 16 stellt ein Flüssigkristallanzeigegerät gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 17 stellt einen wesentlichen Teil des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 18 ist eine Querschnittsansicht, die das Flüssigkristallanzeigegerät gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 19 ist eine Ansicht in Explosionsdarstellung, die das Flüssigkristallanzeigegerät gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 20 stellt einen wesentlichen Teil des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß der anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 21 ist eine Querschnittsansicht, die einen anisotropen leitfähigen Film gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 22 ist eine Querschnittsansicht, die einen anisotropen leitfähigen Film gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 23 ist eine Querschnittsansicht, die einen anisotropen leitfähigen Film gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 24 ist eine Querschnittsansicht, die einen wesentlichen Teil des Verbindungsabschnitts des anisotropen leitfähigen Films oder eines anisotropen leitfähigen Haftmittels darstellt;
- Fig. 25 ist eine Ansicht in Explosionsdarstellung, die ein Mehrschichtsubstrat gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 26 ist eine Querschnittsansicht, die einen wesentlichen Teil eines Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 27 stellt einen wesentlichen Teil des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 28 stellt ein Flüssigkristallanzeigegerät gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 29 stellt ein Befestigungsloch eines Mehrschichtsubstrats gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 30 stellt ein Befestigungsloch eines Mehrschichtsubstrats gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 31 ist eine perspektivische Ansicht, die ein anders geformtes Befestigungsloch eines Mehrschichtsubstrats gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 32 stellt ein Flüssigkristallanzeigegerät gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
- Fig. 33 ist eine Querschnittsansicht, die ein Flüssigkristallanzeigegerät gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
- Fig. 34 stellt ein herkömmliches Flüssigkristallanzeigegerät dar;
- Fig. 35 stellt einen wesentlichen Teil des herkömmlichen Flüssigkristallanzeigegeräts dar;
- Fig. 36 ist eine Querschnittsansicht, die einen wesentlichen Teil des herkömmlichen Flüssigkristallanzeigegeräts darstellt;
- Fig. 37 ist eine Querschnittsansicht, die einen wesentlichen Teil eines anderen herkömmlichen Flüssigkristallanzeigegeräts darstellt;
- Fig. 38 ist eine Querschnittsansicht, die einen herkömmlichen anisotropen leitfähigen Film darstellt;
- Fig. 39 ist eine Querschnittsansicht, die einen wesentlichen Teil eines Anschlußabschnitts des herkömmlichen anisotropen leitfähigen Films darstellt;
- Fig. 40 ist eine Querschnittsansicht, die einen wesentlichen Teil eines Anschlußabschnitts des herkömmlichen anisotropen leitfähigen Films darstellt;
- Fig. 41 ist eine Querschnittsansicht, die eine herkömmliche Struktur zur Montage einer Halbleitervorrichtung und einen Zustand darstellt, in dem sie an einer Anzeigevorrichtung angebracht ist;
- Fig. 42 ist eine Querschnittsansicht, die eine herkömmliche Struktur zur Montage einer Halbleitervorrichtung und einen Zustand darstellt, in dem sie an einer Anzeigevorrichtung angebracht ist; und
- Fig. 43 ist eine Querschnittsansicht, die eine andere herkömmliche Struktur zur Montage einer Halbleitervorrichtung und einen Zustand darstellt, in dem sie an einer Anzeigevorrichtung angebracht ist.
- Eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezug auf die Fig. 1, 2, 3 und 4 beschrieben.
- Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht in Explosionsdarstellung, die ein Mehrschichtsubstrat gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, bei der ein Halbleiterchip zum Treiben von Flüssigkristall mittels eines Face-down-Bonding- bzw. -Kontaktierungsverfahrens auf der Oberfläche eines Mehrschichtsubstrats angebracht ist.
- Die Bezugszahlen 1, 2 und 3 bezeichnen Schichten des Mehrschicht-(3 Schichten umfassenden)- Substrats, das aus einer ersten Schicht 1, einer zweiten Schicht 2 und einer dritten Schicht 3 aufgebaut ist. Ein Halbleiterchip 4 zum Treiben von Flüssigkristall ist auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 in der Face-down-Kontaktierungsweise durch ein bekanntes Verfahren angebracht (beispielsweise ein Verfahren, bei dem ein Au-Bump des Halbleiters unter Verwendung einer Ag-Paste mit dem Substrat verbunden wird oder ein Verfahren, bei dem ein anisotroper leitfähiger Film verwendet wird, ein Flip-chip-Verfahren, bei dem ein Löt-Bump verwendet wird). Nachdem der Halbleiterchip 4 in oben beschriebener Weise kontaktiert wurde, werden Formelemente 20 bzw. Vergußmasse um den Halbleiterchip 4 herum bzw. zwischen dem Halbleiterchip 4 und der ersten Schicht 1 angeordnet, um Korrosion zu verhindern und die Kontaktierung zu verstärken. Die Formelemente 20 werden entweder nur aus Epoxidharz-, Acryl-, Urethan- oder Polyestermaterial oder einer Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehren dieser Stoffe in Form einer Lösung oder wärmehärtenden oder lichthärtenden Stoff oder einer Mischung aus ihnen hergestellt. Eingangsleitungen 5 entsprechend Eingangsanschlußflächen des Halbleiterchips 4 sind auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 durch Musterung gebildet. Die Eingangsleitungen 5 sind über Durchgangslöcher bzw. Lochdurchkontaktierungen 6 mit Busleitungen 10 der zweiten Schicht 2 verbunden. Außerdem sind an den Anfangsabschnitten der Eingangsleitungen 5 Kontaktflecke 7 zur Herstellung eines Drahtbondierungsanschlusses mit einem anderen Mehrschichtsubstrat gebildet, das auf ähnliche Weise gebildet und benachbart positioniert ist.
- Ausgangsleitungen 8 entsprechend Ausgangsanschlußflächen des Halbleiterchips 4 sind durch Mustern auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 gebildet. Da das Rastermaß der Anschlüsse der Tafel größer als das Rastermaß der Ausgangsanschlußflächen des Halbleiterchips 4 ist, ist das Leitungsmuster auf der ersten Schicht 1 so verbreitert, daß die Ausgangsanschlußflächen und die Anschlüsse der Tafel zueinander ausgerichtet sind. Außerdem sind Lochdurchkontaktierungen 9 an den Anfangsabschnitten der Ausgangsleitungen 8 so gebildet, daß die Ausgangsleitungen 8 Lochdurchkontaktierungen 11 der zweiten Schicht 2 durchlaufen und über Lochdurchkontaktierungen 12 der dritten Schicht 3 mit Anschlußstellen 13 der Tafel verbunden sind.
- Die erste, die zweite und die dritte Schicht 1, 2 und 3 sind jeweils aus Keramiksubstraten gebildet, die durch gleichzeitiges Sintern von Aluminiumbasen bei niedriger Temperatur so hergestellt werden, daß sie eine Dicke von 0,25 mm aufweisen. Die Eingangsleitungen 5, die Ausgangsleitungen 8 und die Busleitungen 10 werden durch Sintern von Au-, Ag-, AgPd- oder Cu-Metallpaste gebildet. Auf ähnliche Weise werden die Lochdurchkontaktierungen 6, 9, 11 und 12 durch Sintern von Au-, Ag-, AgPd- oder Cu-Metallpaste gebildet. Auch die Kontaktflecke 7 und die Anschlußstellen 13 werden jeweils durch Sintern von Au-, Ag-, AgPd- oder Cu-Metallpaste gebildet. Die vorstehenden Elemente für jede Schicht werden durch ein bekanntes Druckmusterungsverfahren gebildet, und die Schichten werden übereinander angeordnet, gesintert und integriert, so daß die Bildung des Mehrschichtsubstrats vollendet wird. Jede der Metallschichten, die wie vorstehend beschrieben durch Mustern und Sintern gebildet werden, weist gewöhnlich eine Dicke von etwa 0,001 mm bis etwa 0,05 mm auf. Die vorstehende Dicke kann etwa 0,05 mm bis etwa 0,2 mm betragen, um den Widerstandswert zu reduzieren.
- Abhängig vom Rastermaß der Leitungen und von der Genauigkeit der Dimensionen können die Eingangsleitungen 5, die Kontaktflecke 7, die Ausgangsleitungen 8 auf der ersten Schicht 1 und die Anschlußstellen 13 auf der Rückseite der dritten Schicht 3 durch fotolithografisches Mustern gebildet werden, nachdem die Au-, Ag-, AgPd- oder CU-Metallpaste oder eine Mischung aus zwei oder mehreren von ihnen auf die gesamte Fläche gedruckt wurde. In diesem Fall beträgt die Dicke des gebildeten Musters etwa 0,001 mm bis etwa 0,2 mm. Als Alternative zum Einsatz des Druckverfahrens kann das Muster durch ein fotolithografisches Verfahren oder ein Plattierungs verfahren gebildet werden, nachdem Au, Ag oder Cu verdampft wurde oder nachdem der Dünnfilm durch Sputtern gebildet wurde. In diesem Fall beträgt die Dicke des gebildeten Musters etwa 0,0005 mm bis etwa 0,1 mm.
- Da die dem Sinterprozeß ausgesetzten Keramiksubstrate eine exzellente Dimensionsstabilität bei Feuchtigkeit besitzen, kann in dem Teil, in dem der Halbleiterchip 4 und das Mehrschichtschaltungssubstrat 14 miteinander verbunden sind, und in dem Teil, in dem die Anschlußstellen 13 des Mehrschichtschaltungssubstrats 14 und die Tafelanschlüsse 18 miteinander verbunden sind, eine exzellente Stabilität des Anschlusses realisiert werden.
- Die erste, die zweite und die dritte Schicht 1, 2 und 3 können jeweils aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sein, beispielsweise einer Glasepoxidharzplatte, die aus einem Verbundwerkstoff aus Glasfaser und Epoxidharz hergestellt ist. Die Dicke der Glasepoxidharzplatte kann etwa 0,05 mm bis etwa 0,8 mm anstatt der verwendeten Dicke von 0,1 mm betragen. Die Eingangsleitungen 5, die Ausgangsleitungen 8, die Lochdurchkontaktierungen 10, die Kontaktflecke 7 und die Anschlußstellen 13 für jede Schicht sind durch ein bekanntes Subtraktivverfahren oder ein Additivverfahren gebildet, bei dem Metall wie beispielsweise Kupfer gemustert wird. Die Lochdurchkontaktierungen 6, 9, 11 und 12 werden, mittels eines bekannten Plattierungsverfahrens unter Verwendung von Metall wie beispielsweise Kupfer, für jede Schicht oder kollektiv unter Übereinanderschichtung der Schichten gebildet. Obwohl die Dicke des gemusterten Metalls etwa 0,001 mm bis etwa 0,035 mm beträgt, kann sie auch etwa 0,035 mm bis etwa 0,2 mm betragen, um den Widerstand zu reduzieren und den Fluß großer elektrischer Ströme zu gestatten. Die Oberfläche der Eingangsleitungen 5, der Ausgangsleitungen 8, der Busleitungen 10, der Kontaktflecken 7, der Anschlußstellen 13, der Lochdurchkontaktierungen 6, 9, 11 und 12 kann jeweils mit einer Plattierung versehen werden, indem entweder nur ein Metall, wie beispielsweise Ni, Au, Cr, Co, Pd, Sn, Pb oder In, oder aber eine Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe verwendet wird, wobei die Plattierung so ausgeführt wird, daß eine Dicke von etwa 0,00005 mm bis etwa 0,05 mm resultiert. Wenn eine Glasepoxidharzplatte verwendet wird, kann die Dicke im Vergleich zu den vorgenannten Keramiksubstraten vermindert werden. Außerdem können die Kosten reduziert werden, da herkömmliche Materialien und Herstellungsprozesse eingesetzt werden können.
- Die erste, die zweite und die dritte Schicht 1, 2 und 3 können jeweils aus einem Film aus organischem Harz gebildet sein, welcher entweder nur aus Polyimid (PI), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES), Polycarbonat (PC), Polyester (PS), Cellulosetriacetat (TAC), Polysulfon (PS), Acryl, Epoxidharz, Polyether-Etherketon (PEEK) oder Polyarylat hergestellt oder aus einer Mischung von zwei oder mehreren von diesen hergestellt ist. Obwohl der Polyimidfilm mit einer Dicke von 0,025 mm als Film aus organischem Harz verwendet wird, kann die Dicke des Films aus organischem Harz etwa 0,001 mm bis etwa 0,05 mm betragen. Die Eingangsleitungen 5, die Ausgangsleitungen 8, die Busleitungen 10, die Kontaktflecke 7 und die Anschlußstellen 13 für jede Schicht sind durch ein bekanntes Subtraktivverfahren oder ein Additivverfahren gebildet, bei dem Metall wie beispielsweise Kupfer gemustert wird. Die Lochdurchkontaktierungen 6, 9, 11 und 12 werden durch ein bekanntes Plattierungsverfahren unter Verwendung von Metall wie beispielsweise Kupfer kollektiv für jede Schicht gebildet oder gebildet, nachdem die Schichten 1, 2 und 3 übereinander angeordnet wurden. Als Alternative hierzu kann ein Element, welches durch Aufbringen eines PI-Überzugs (mittels eines bekannten Gießverfahrens oder dergl.) auf Metallfolie, die beispielsweise aus Kupfer hergestellt ist, gemustert und übereinander angeordnet werden. Obwohl die Dicke des gemusterten Metalls etwa 0,001 mm bis etwa 0,035 mm beträgt, kann die Dicke auch etwa 0,035 mm bis etwa 0,2 mm gemacht werden, um den Widerstand zu reduzieren oder das Fließen hoher elektrischer Ströme zu ermöglichen. Die Oberfläche der Leitungen 5, 8, 10, der Kontaktflecke 7, der Anschlußstellen 13, der Lochdurchkontaktierungen 6, 9, 11 und 12 kann mit einer Plattierung versehen werden, indem entweder nur Ni, Au, Cr, Co, Pd, Sn, Pb oder In oder aber eine Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe verwendet wird. Die Dicke der durch Plattieren hergestellten Schichten beträgt etwa 0,0001 mm bis etwa 0,05 mm. Wenn der Film aus organischem Harz verwendet wird, kann die Dicke im Vergleich zu der Dicke, die durch Verwendung des Keramiksubstrats oder der Epoxidglasplatte realisiert wird, reduziert werden, und die Verbindung zwischen dem Tafelanschluß 18 und dem Anschlußelement 19 kann leicht hergestellt werden. Deshalb kann die Zuverlässigkeit der Verbindung verbessert und der Verbindungsprozeß vereinfacht werden.
- Fig. 2 stellt ein Beispiel dar, bei dem das in Fig. 1 gezeigte Mehrschichtsubstrat gemäß der ersten Ausführungsform an eine Flüssigkristallanzeigetafel angeschlossen ist.
- Fig. 3 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen wesentlichen Teil des in Fig. 2 gezeigten Anschlußabschnitts zeigt.
- Fig. 4 stellt die Querschnittsansicht des in Fig. 2 gezeigten wesentlichen Teils des Anschlußabschnitts dar.
- Eine Flüssigkristallanzeigetafel (beispielsweise 640 Punkte · 480 Punkte) 16 weist 16 Mehrschichtsubstrate 14 gemäß der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform auf, die in Richtung X angebracht sind, und fünf Mehrschichtsubstrate 14 in Richtung Y, wobei die derart angeordneten Mehrschichtsubstrate 14 an die Tafelanschlüsse 18 angeschlossen sind. Es sind jedoch 12 Mehrschichtsubstrate 14 in Richtung X und fünf Mehrschichtsubstrate 14 in Richtung Y in Fig. 2 nicht dargestellt. Die Anschlüsse 13 des Mehrschichtsubstrats 14 und die Tafelanschlüsse 18 sind durch das Anschlußelement 19 aneinander angeschlossen. Das Anschlußelement 19 bildet elektrische Verbindungen und trägt zur Fixierung des Mehrschichtsubstrats 14 an der Tafel bei.
- Das Anschlußelement 19 ist aus einem anisotropen leitfähigen Film hergestellt, der hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln und einem Haftmittel bzw. Kleber zusammengesetzt ist. Die leitfähigen Partikel sind nur Lötpartikel, entweder nur Ni-, Au-, Ag-, Cu-, Pb- oder Sn-Partikel oder aber eine Mischung oder Legierung aus zwei oder mehreren aus diesen, durch Plattieren hergestellte, Komplexmetallpartikel, Partikel, die durch Plattieren von nur Ni, Co, Pd, Au, Ag, Cu, Fe, Sn oder Pb oder aber einer Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf Kunststoffpartikel (Polystyrol, Polycarbonat, Acryl o. ä.) oder Kohlenstoffpartikel gebildet werden. Das vorstehende Haftmittel ist entweder nur ein Styrol-Butadien-Styrol-(SBS)-, Epoxidharz-, Acryl-, Polyester- oder Urethanhaftmittel oder eine Mischung oder eine Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe. Der anisotrope leitfähige Film ist zwischen den Tafelanschlüssen 18 und den Anschluß stellen 13 des Mehrschichtsubstrats 14 angeordnet. Wenn der anisotrope leitfähige Film ein wärmehärtender Film oder ein Mischtyp aus einem thermoplastischen Film und einem wärmehärtenden Film ist, wird ein Heiz- und Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 so angelegt, daß der anisotrope Film gehärtet und angeschlossen wird. Wenn der anisotrope leitfähige Film ein ultravioletthärtender Film ist, wird ein Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 angelegt sowie Ultraviolettstrahlen auf den anisotropen leitfähigen Film von einer Position nahe dem Tafelanschluß 18 (nahe dem Glas) aus aufgestrahlt, um den ultravioletthärtenden Film zu härten.
- Alternativ wird als Anschlußelement 19 ein anisotropes leitfähiges Haftmittel verwendet, das sich hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln und einem Haftmittel zusammensetzt. Die leitfähigen Partikel sind entweder nur Lötpartikel, nur Ni-, Au-, Ag-, Cu-, Pb- oder Sn-Partikel oder eine Mischung oder eine Legierung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe, durch Plattieren hergestellte Komplexmetallpartikel, Partikel, welche durch Plattieren von nur Ni, Co, Pd, Au, Ag, Cu, Fe, Sn oder Pb oder aber einer Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf Kunststoffpartikel (Polystyrol, Polycarbonat, Acryl o. ä.) oder Kohlenstoffpartikel gebildet werden. Das vorstehende Haftmittel ist entweder nur ein Styrol-Butadien-Styrol-(SBS)-, Epoxidharz-, Acryl-, Polyester- oder Urethanhaftmittel oder eine Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe. Das anisotrope leitfähige Haftmittel ist ein Fluid oder ein Pastenmittel und auf den Abschnitt aufgetragen, bei dem der Tafelanschluß 18 mittels eines bekannten Verfahrens angeschlossen wird, beispielsweise Drucken oder ein Auftragverfahren unter Verwendung eines Spenders. Wenn das anisotrope leitfähige Haftmittel ein wärmehärtendes Mittel oder ein Mischmittel aus einem thermoplastischen Mittel und einem wärmehärtenden Mittel ist, wird ein Heiz- und Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 so angelegt, daß das Mittel gehärtet und angeschlossen wird. Wenn der anisotrope leitfähige Film ein ultravioletthärtender Film ist, wird ein Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 angelegt und Ultraviolettstrahlen auf den anisotropen leitfähigen Film von einer Position nahe dem Tafelanschluß 18 (nahe dem Glas) acs aufgestrahlt, um den ultravioletthärtenden Film zu härten.
- Um den freiliegenden Abschnitt des Tafelanschlusses 18 zu schützen, wird eine Formmasse 21 angebracht. Die Formmasse 21 dient auch dazu, das Mehrschichtsubstrat 14 an der Tafel zu befestigen. Die Formmasse 21 ist entweder nur aus Epoxidharz-, Acryl-, Urethan- oder Polyestermaterial oder aber einer Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe entweder vom Lösungstyp, wärmehärtenden oder lichthärtenden Typ oder aber einer Mischung aus ihnen hergestellt.
- Die Busleitungen zwischen benachbarten Mehrschichtsubstraten 14 sind durch Drahtbonden über die Kontaktflecke 7 über Drähte 15 angeschlossen. Die Drähte 15 können aus Metall, wie beispielsweise Au, Al oder Cu o. ä. oder ihrer Legierung hergestellt sein (einschließlich einer Legierung, die Be, Si, Mg o. ä. enthält). Die Breite des drahtgebondeten Abschnitts ist so bestimmt, daß sie schmäler als die Breite des Mehrschichtsubstrats ist, was dazu führt, daß der drahtgebondete Abschnitt auf zufriedenstellend kompakte Weise montiert werden kann, in der er innerhalb des Umrisses der Tafel 16 liegt.
- Das Anschlußelement 19 kann ein anisotroper leitfähiger Film sein, der angeordnet ist, wie in Fig. 21 gezeigt, und sich hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln 32 und einem Haftmittel 33 zusammensetzt. Die Dicke (h) des Haftmittels 33 wird dünner gemacht als die Partikelgröße (d) der leitfähigen Partikel 32. Der anisotrope leitfähige Film 31 kann auf einem Separator 34 (eine Teflon- oder eine PET-Lage (Film) oder eine Lage Papier) gebildet sein. Die leitfähigen Partikel 32 sind, wie in Fig. 22 gezeigt, entweder nur Lötpartikel, Ni-, Au-, Ag-, Cu-, Pb- oder Sn-Partikel oder eine Mischung oder Legierung aus zwei oder mehreren von diesen, durch Plattieren hergestellte Komplexmetallpartikel, Partikel, die durch Plattieren von nur Ni, Au, Cu oder Fe oder aber einer Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf Kunststoffpartikel (Polystyrol, Polycarbonat, Acryl o. ä.) oder Kohlenstoffpartikel gebildet werden. Die Partikelgröße (d) beträgt etwa 0,001 mm bis etwa 0,020 mm. Das Haftmittel 27 ist entweder nur Styrol-Butadien-Styrol- (SBS)-, Epoxidharz-, Acryl-, Polyester- oder Urethanhaftmittel oder eine Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe mit einer Dicke (h) im Bereich von etwa 0,0005 mm bis etwa 0,018 mm.
- Der anisotrope leitfähige Film 31 ist zwischen dem Tafelanschluß 18 und der Anschlußstelle 13 des Mehrschichtsubstrats angeordnet. Wenn der anisotrope leitfähige Film 31 ein wärmehärtendes Mittel oder ein Mischtyp aus einem thermoplastischen Mittel und einem wärmehärtenden Mittel ist, wird ein Heiz- und Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 so angelegt, daß das anisotrope Haftmittel gehärtet und angeschlossen wird. Wenn der anisotrope leitfähige Film 31 ein Ultraviolettaushärt-Haftmittel ist, wird ein Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 angelegt, und es werden Ultraviolettstrahlen auf das anisotrope leitfähige Haftmittel von einer Position nahe dem Tafelanschluß 18 (nahe dem Glas) aus aufgestrahlt, um den ultravioletthärtenden Film zu härten und anzuschließen. Selbst wenn die Dicke (k) der Anschlußstelle 13 des Mehrschichtsubstrats 14 dünner als die Partikelgröße (d) des leitfähigen Partikels 32 ist (insbesondere, wenn das Rastermaß der Anschlußstellen 0,1 mm oder kleiner ist), kann das Haftmittel 33 zum Zeitpunkt des Anlegens von Druck zufriedenstellend entfernt werden, so daß der Tafelanschluß 18 und die Anschlußstelle 13 des Mehrschichtsubstrats 14 durch die leitfähigen Partikel 32 auf sichere Weise elektrisch miteinander verbunden werden können (vgl. Fig. 10). Der auf diese Weise hergestellte Verbindungszustand wird vom Haftmittel 33 aufrechterhalten, so daß eine zufriedenstellende Zuverlässigkeit des Anschlusses beibehalten wird.
- Es kann ein anderes leitfähiges Element eingesetzt werden, wie es in Fig. 23 gezeigt ist, welches einen Aufbau der Art aufweist, daß ein anisotropes Haftmittel 35 in Form eines Fluids oder einer die leitfähigen Partikel 32 und das Haftmittel 33 enthaltenden Paste auf den Abschnitt aufgebracht ist, in dem der Tafelanschluß 18 mittels eines bekannten Verfahrens angeschlossen ist, wie beispielsweise ein Druckverfahren oder ein Auftragverfahren unter Verwendung eines Spenders. Die Viskosität und die thixotropen Eigenschaften des anisotropen leitfähigen Mittels 35 werden dann so eingestellt, daß die Dicke (h) des Haftmittels 33 kleiner als die Partikelgröße (d) der leitfähigen Partikel 32 gemacht wird. Als Folge kann der Anschluß, wie in Fig. 24 gezeigt, durch ein Verfahren zuverlässig hergestellt werden, das demjenigen zum Anschluß des vorstehenden anisotropen leitfähigen Films mit Druck ähnlich ist.
- Um den freiliegenden Abschnitt des Tafelanschlusses 18 vor Korrosion zu schützen, wird eine Formmasse 21 angebracht. Die Formmasse 21 dient auch dazu, das Mehrschichtsubstrat 14 an der Tafel zu befestigen. Die Formmasse 21 ist entweder nur aus Epoxidharz-, Acryl-, Urethan- oder Polyestermaterial oder aber einer Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe entweder vom Lösungstyp, wärmehärtenden oder lichthärtenden Typ oder aber einer Mischung aus ihnen hergestellt.
- Die Busleitungen zwischen benachbarten Mehrschichtsubstraten 14 sind durch Drahtbonden über die Kontaktflecke 7 über Drähte 15 angeschlossen. Die Drähte 15 können aus Metall, wie beispielsweise Au, Al oder Cu o. ä. oder ihrer Legierung hergestellt sein (einschließlich einer Legierung, die Be, Si, Mg o. ä. enthält). Die Breite des drahtgebondeten Abschnitts ist so bestimmt, daß sie schmäler als die Breite des Mehrschichtsubstrats ist, was dazu führt, daß der drahtgebondete Abschnitt auf zufriedenstellend kompakte Weise montiert werden kann, in der er innerhalb des Umrisses der Tafel 16 liegt, wie in Fig. 4 gezeigt.
- Wie oben beschrieben, ermöglicht die Verwendung des Mehrschichtsubstrats gemäß dieser Ausführungsform, daß die Leitungen im selben Mehrschichtsubstrat gekreuzt geführt werden können, im Gegensatz zum herkömmlichen TAB-Verfahren, bei dem einzelne Bussubstrate eingesetzt werden, um die Busleitungen gekreuzt zu führen. Daher kann im Vergleich zum TAB- Verfahren die Gesamtgröße reduziert werden, indem die Dichte der auf dem Substrat geführten Leitungen erhöht wird. Außerdem können die Kosten reduziert werden, da keine einzelnen Busleitungen verwendet werden.
- Da beim herkömmlichen COG-Verfahren die Anordnung so getroffen ist, daß das gekreuzte Führen der Busleitungen auf dem Tafelsubstrat ausgeführt wird, ist eine große Fläche zum Führen der Busleitungen erforderlich. Außerdem müssen Metalleitungen verwendet werden, um den Widerstandswert der geführten Leitungen zu reduzieren, was zu einer Kostensteigerung führt. Die Verwendung des Mehrschichtsubstrats gemäß dieser Ausführungsform ermöglicht es dagegen, daß der zum Führen der Busleitungen erforderliche Platz und die Kosten im Vergleich zum COG- Verfahren reduziert werden.
- Eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezug auf Fig. 5 beschrieben.
- Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht in Explosionsdarstellung, die ein Mehrschichtsubstrat eines Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, bei dem ein Halbleiterchip zum Treiben von Flüssigkristall mittels Drahtbonden auf der Oberfläche eines Mehrschichtsubstrats angebracht ist.
- Drahtbondierungsflecke 22 sind, auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 des Mehrschichtsubstrats, für die Eingangsleitungen 5 und die Ausgangsleitungen 8 so gebildet, daß sie den Eingangs/Ausgangs-Anschlußflächen des Halbleiterchips 4 entsprechen. Die übrigen Faktoren, wie das Muster, die Lochdurchkontaktierungen, das Verfahren der Bildung des Mehrschichtsubstrats, die Anordnung und die Struktur, sind gleich wie jene bei der ersten Ausführungsform.
- Die Rückseite des Halbleiterchips 4 ist auf der Oberfläche des Mehrschichtsubstrats befestigt. Außerdem sind die Eingangs/Ausgangs-Anschlußflächen des Halbleiterchips 4 und die Kontaktflecke 22 auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 des Mehrschichtsubstrats mittels Drahtkontaktieren bzw. Drahtbonden miteinander verbunden. Ein Draht 23, der dazu verwendet werden kann, die Mehrschichtsubstrate gemäß der ersten Ausführungsform anzuschließen, kann hier verwendet werden. Außerdem sind die gebondeten Abschnitte und die geführten Abschnitte, obwohl dies nicht dargestellt ist, mit Formmaterial versehen, um ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform geschützt und verstärkt zu werden.
- Die Busleitungen zwischen den benachbarten Mehrschichtsubstraten sind ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform durch Drahtkontaktieren bzw. Drahtbonden verbunden. Außerdem sind die gebondeten Abschnitte und die geführten Abschnitte, obwohl dies nicht dargestellt ist, mit Formmaterial versehen, um ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform geschützt und verstärkt zu werden.
- Wie oben beschrieben, ermöglicht es die Verwendung des Mehrschichtsubstrats gemäß dieser Ausführungsform, die Größe und die Kosten ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform gegenüber dem herkömmlichen TAB-Verfahren und dem COG-Verfahren zu reduzieren.
- Eine dritte Ausführungsform wird nun unter Bezug auf Fig. 6 beschrieben.
- Fig. 6 stellt ein Flüssigkristallanzeigegerät gemäß der vorliegenden Erfindung dar, bei dem die Mehrschichtsubstrate 14 mit den auf ihnen befindlichen, face-down-kontaktierten Halbleiterchips 4 unter Verwendung des anisotropen leitfähigen Films 19 auf ähnliche Weise wie bei der ersten Ausführungsform mit dem Tafelanschluß 18 der Flüssigkristallanzeigetafel verbunden sind. Der wesentliche Teil des Anschlußabschnitts ist ähnlich ausgebildet wie derjenige der in Fig. 4 gezeigten ersten Ausführungsform. Die Anfangsabschnitte der Eingangsleitungen der ersten Schicht 1 des Mehrschichtsubstrats sind jedoch in solchen Formen ausgestaltet, die so anpaßbar sind, daß sie an Heißsiegel- oder flexible Substrate anstatt an Drahtbondierungsflecke anschließbar sind.
- Die Busleitungen der benachbarten Mehrschichtsubstrate 14 sind durch Verwendung eines Anschlußsubstrats 24 miteinander verbunden. Das Anschlußsubstrat 24 kann ein Heißsiegel- oder ein flexibles Substrat sein.
- Die Breite des Abschnitts, in dem das Anschlußsubstrat 24 angeschlossen ist, ist so festgelegt, daß es schmäler als die Breite des Mehrschichtsubstrats 24 ist, was dazu führt, daß der drahtgebondete Abschnitt zufriedenstellend auf kompakte Weise montiert werden kann, bei der er innerhalb des Umrisses der Tafel 16 angeordnet ist, wie in Fig. 4 gezeigt.
- Wie oben beschrieben, ermöglicht es die Verwendung des Mehrschichtsubstrats gemäß dieser Ausführungsform, ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform die Größe und die Kosten im Vergleich zum herkömmlichen TAB-Verfahren und dem COG-Verfahren zu reduzieren.
- Außerdem können der Anschluß des Halbleiterchips zum Treiben von Flüssigkristall an die Oberfläche des Mehrschichtsubstrats und der elektrische Anschluß zwischen den benachbarten Mehrschichtsubstraten hergestellt werden, indem die Verfahren gemäß der ersten, der zweiten und der dritten Ausführungsform kombiniert werden. In jedem Fall können die Größe und die Kosten auf ähnliche Weise reduziert werden.
- Des weiteren kann das Mehrschichtsubstrat mit dem auf ihm montierten Halbleiterchip zur Verwendung bei den vorstehenden Ausführungsformen an einem anderen Anzeigegerät oder einem elektronischen Druckgerät derart montiert werden, daß es an einer Plasmaanzeige oder einem EL-Anzeigegerät montiert werden kann, indem der vorstehende Halbleiterchip gegen einen Halbleiterchip zum Treiben der Plasmaanzeige oder einem Halbleiterchip zum Treiben der EL ausgetauscht wird. Indem auf ähnliche Weise ein Halbleiterchip zum Treiben eines Thermokopfs an dem Mehrschichtsubstrat montiert und auf ähnliche Weise das Mehrschichtsubstrat am Thermokopf angeschlossen wird, kann eine Anwendung auf ein elektronisches Druckgerät realisiert werden.
- Eine vierte Ausführungsform wird nun unter Bezug auf die Fig. 4, 7, 8, 9 und 10 beschrieben.
- Fig. 7 ist eine perspektivische Ansicht in Explosionsdarstellung, die ein Flüssigkristallanzeigegerät gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt, bei dem ein Mehrschichtsubstrat gemäß dieser Ausführungsform einen face-down-gebondeten Halbleiterchip zum Treiben von Flüssigkristall enthält.
- Die Bezugszahlen 1, 2 und 3 repräsentieren Schichten des Mehrschicht- (umfassend drei Schichten)-Substrats, welches aus einer ersten Schicht 1, einer zweiten Schicht 2 und einer dritten Schicht 3 zusammengesetzt ist. Ein Halbleiterchip 4 zum Treiben von Flüssigkristall ist auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 mittels eines bekannten Verfahrens face-down-gebondet (beispielsweise ein Verfahren, bei dem ein Au-Bump des Halbleiters unter Verwendung einer Ag- Paste mit dem Substrat verbunden wird, oder ein Verfahren, bei dem ein anisotroper leitfähiger Film verwendet wird, oder ein Flip-chip-Verfahren, bei dem gelötet wird). Nachdem der Halbleiterchip 4 in oben beschriebener Weise gebondet wurde, werden Formelemente 20 um den Halbleiterchip 4 herum bzw. zwischen dem Halbleiterchip 4 und der ersten Schicht 1 angeordnet, um Korrosion zu verhindern und die Bondierung zu verstärken. Die Formelemente 20 sind entweder nur aus Epoxidharz-, Acryl-, Urethan- oder Polyestermaterial oder aber einer Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe in Form einer Lösung oder wärmehärtenden oder lichthärtenden Stoff oder einer Mischung aus ihnen gebildet. Eingangsleitungen 5 entsprechend Eingangsanschlußflächen des Halbleiterchips 4 sind auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 durch Musterung gebildet. Die Eingangsleitungen 5 sind über Lochdurchkontaktierungen 6 und Lochdurchkontaktierungen 25 mit Busleitungen 10 der zweiten Schicht 2 verbunden. Außerdem sind die Eingangsleitungen 5 über die in der dritten Schicht 3 gebildeten Lochdurchkontaktierungen 26 mit den auf der Rückseite der dritten Schicht 3 gebildeten Anschlußstellen 27 verbunden. Die Anschlußstellen 27 sind jeweils mit einer geeigneten Form gebildet, so daß sie eine geeignete Größe und Dicke aufweisen, um an die Anschlußstellen 29 der Busleitungen 28 auf der Tafel angeschlossen zu werden. Die Anschlußstellen 27 sind an derjenigen Seite des Mehrschichtsubstrats 14 angeordnet, die senkrecht zu der Seite ist, an der die Anschlußstellen 13 zum Herstellen des Anschlusses mit der Tafel angeordnet sind. Obwohl bei der dargestellten Struktur die Anschlußstellen 27 in einer Linie angeordnet sind, kann auch eine Konfiguration mit zwei Linien eingesetzt werden.
- Ausgangsleitungen 8 entsprechend Ausgangsanschlußflächen des Halbleiterchips 4 sind durch Mustern auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 gebildet. Da das Rastermaß der Anschlüsse der Tafel größer als das Rastermaß der Ausgangsanschlußflächen des Halbleiterchips 4 ist, ist das Leitungsmuster auf der ersten Schicht so aufgeweitet, daß die Ausgangsanschlußflächen und die Anschlüsse der Tafel zueinander ausgerichtet sind. Außerdem sind die Lochdurchkontaktierungen 9 an den Anfangsabschnitten der Ausgangsleitungen 8 so gebildet, daß die Ausgangsleitungen 8 die Lochdurchkontaktierungen 11 der zweiten Schicht 2 durchlaufen und über Lochdurchkontaktierungen 12 der dritten Schicht 3 mit Anschlußstellen 13 der Tafel verbunden sind. Obwohl hier ein Verfahren beschrieben wird, wie das Rastermaß der Anschlußflächen des Halbleiterchips mit dem Rastermaß der Anschlüsse der Tafel des aus den drei Schichten aufgebauten Mehrschichtsubstrats übereinstimmend gemacht wird, kann die Übereinstimmung über eine Mehrzahl von Schichten (zwei oder mehr Schichten) ausgeführt werden, statt nur eine Schicht übereinstimmend zu machen.
- Die erste, die zweite und die dritte Schicht 1, 2 und 3 sind jeweils aus Keramiksubstraten gebildet, die durch gleichzeitiges Sintern von Aluminiumbasen bei niedriger Temperatur derart hergestellt werden, daß sie eine Dicke von 0,25 mm aufweisen. Die Eingangsleitungen 5, die Ausgangsleitungen 8 und die Busleitungen 10 werden durch Sintern einer Au-, Ag-, AgPd- oder Cu-Metallpaste oder einer Mischung aus ihnen gebildet. Auf ähnliche Weise werden die Lochdurchkontaktierungen 6, 9, 11, 12, 25 und 26 durch Sintern einer Au-, Ag-, AgPd- oder Cu- Metallpaste gebildet. Auch die Anschlußstellen 13 und 27 werden jeweils durch Sintern einer Au- Ag-, AgPd- oder Cu-Metallpaste oder einer Mischung aus zwei oder mehreren von ihnen gebildet. Die vorstehenden Elemente für die einzelnen Schichten werden durch ein bekanntes Druckmusterungsverfahren gebildet, und die Schichten werden übereinander angeordnet, gesintert und so integriert, daß die Bildung des Mehrschichtsubstrats vollendet wird. Jede der oben beschriebenen, durch Mustern und Sintern gebildeten Metallschichten weist gewöhnlich eine Dicke von etwa 0,001 mm bis etwa 0,05 mm auf. Die vorstehende Dicke kann etwa 0,05 mm bis etwa 0,2 mm betragen, um den Widerstandswert zu reduzieren.
- Abhängig vom Rastermaß der Leitungen und von der Dimensionsgenauigkeit können die Eingangsleitungen 5 und die Ausgangsleitungen 8 auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 sowie die Anschlußstellen 13 und 27 auf der dritten Schicht 3 durch fotolithografische Musterung gebildet werden, nachdem die Au-, Ag-, AgPd- oder Cu-Metallpaste oder eine Mischpaste aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf die gesamte Fläche gedruckt wurde. In diesem Faü beträgt die Dicke des gebildeten Musters etwa 0,001 mm bis etwa 0,2 mm. Als Alternative zum Einsatz des Druckverfahrens kann das Muster auch durch ein fotolithografisches Verfahren oder ein Plattierungsverfahren gebildet werden, nachdem Au, Ag oder Cu verdampft wurde oder nachdem der Dünnfilm durch Sputtern gebildet wurde. In diesem Fall beträgt die Dicke des gebildeten Musters etwa 0,0005 mm bis etwa 0,1 mm.
- Fig. 8 ist eine Ansicht in Explosionsdarstellung, die einen wesentlichen Teil darstellt, in dem das Mehrschichtsubstrat gemäß dieser in Fig. 11 gezeigten Ausführungsform an die Flüssigkristallanzeigetafel angeschlossen ist. Der Querschnitt (Schnitt x-x von Fig. 8) des wesentlichen Teils des Anschlußabschnitts ist ähnlich wie bei der in Fig. 4 gezeigten Ausführungsform. Die Anschlußstellen 18, die Busleitungen 28 und die Anschlußstellen 29, die an den Endabschnitten der Busleitungen 28 anzuordnen sind, sind durch Mustern so auf der Tafel 16 gebildet, daß sie dem Abschnitt entsprechen, an dem das Mehrschichtsubstrat 14 angebracht wird. Obwohl bei der in Fig. 8 gezeigten Struktur ein geradliniges Muster gebildet ist, kann das Muster hinsichtlich der Verdrahtung eine zulässige Fläche ausnutzen, wenn der Widerstand der Schaltung und derjenige der Anschlüsse reduziert werden sollen. Die Busleitungen 28 auf der Tafel dienen als Busleitungen zur Herstellung der Anschlüsse zwischen den vorstehenden Mehrschichtsubstraten.
- Fig. 9 stellt eine Struktur dar, die im wesentlichen ähnlich aufgebaut ist wie die in Fig. 8 gezeigte Ausführungsform mit der Ausnahme einer Anordnung, bei der die Anschlußstellen 13 des Mehrschichtsubstrats 14 innerhalb der Tafel 16 angeordnet sind. Der Querschnitt (Schnitt y-y von Fig. 9) des wesentlichen Teils des Anschlußabschnitts ist in Fig. 10 gezeigt, wobei die Länge jeder der Leitungen, die von den Tafelanschlüssen 18 zum Innenteil der Tafel angeordnet sind, kürzer sein kann als die bei der in Fig. 4 gezeigten Ausführungsform. Als Folge kann eine Wirkung insofern erzielt werden, als der Schaltungswiderstand reduziert werden kann.
- Die Anschlußstellen 13, die Anschlußstellen 18, die Anschlußstellen 27 und die Tafelanschlüsse 28 werden mittels Anschlußelementen 19 miteinander verbunden. Die Anschlußelemente 19 bilden die elektrischen Anschlüsse und dienen auch dazu, zur Fixierung der Mehrschichtsubstrate 14 auf der Tafel beizutragen.
- Das Anschlußelement 19 ist aus einem anisotropen leitfähigen Film gebildet, der sich hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln und einem Haftmittel zusammensetzt. Die leitfähigen Partikel sind entweder nur Lötpartikel, nur Ni-, Au-, Ag-, Cu-, Pb- oder Sn-Partikel oder eine Mischung oder Legierung aus zwei oder mehreren von diesen, durch Plattieren gebildete Komplexmetallpartikel, Partikel, die durch Plattieren von nur Ni, Co, Pd, Au, Ag, Cu, Fe, Sn oder Pb oder einer Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf Kunststoffpartikel (Polystyrol, Polycarbonat, Acryl o. ä.) oder Kohlenstoffpartikel gebildet werden. Das vorstehende Haftmittel ist entweder nur ein Styrol- Butadien-Styrol-(SBS)-, Epoxidharz-, Acryl-, Polyester- oder Urethanhaftmittel oder eine Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe. Der anisotrope leitfähige Film ist zwischen den Tafelanschlüssen 18 und den Anschlußstellen 13 und 27 des Mehrschichtsubstrats 14 angeordnet. Wenn der anisotrope leitfähige Film ein wärmehärtender Film oder ein Mischtyp aus einem thermoplastischen Film und einem wärmehärtenden Film ist, wird ein Heiz- und Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 so angelegt, daß der anisotrope Film gehärtet und angeschlossen wird. Wenn der anisotrope leitfähige Film ein ultravioletthärtender Film ist, wird ein Andruckkopf gegen das Mehrschichtsubstrat 14 angelegt, und Ultraviolettstrahlen werden auf den anisotropen leitfähigen Film von einer Position nahe den Tafelanschlüssen 18 und 19 (nahe dem Glas) aus aufgestrahlt, um den ultravioletthärtenden Film zu härten. Wenn der Andruckkopf in einer seitwärts gewandten U-Form gebildet ist oder wenn eine Mehrzahl der Andruckköpfe verwendet wird, um der Konfiguration der Anschlußstellen 13 und 27 zu entsprechen, können die Eingangs/Ausgangsanschlüsse des Mehrschichtsubstrats 14 kollektiv mit den entsprechenden Tafelanschlüssen 18 und 29 verbunden werden, wobei nur ein Andruckprozeß erforderlich ist.
- Alternativ wird als Anschlußelement 19 ein anisotropes leitfähiges Haftmittel verwendet, das sich hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln und einem Haftmittel zusammensetzt. Die leitfähigen Partikel sind entweder nur Lötpartikel, nur Ni-, Au-, Ag-, Cu-, Pb- oder Sn-Partikel oder aber eine Mischung oder Legierung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe, durch Plattieren gebildete Komplexmetallpartikel, Partikel, welche durch Plattieren von nur Ni, Co, Pd, Au, Ag, Cu, Fe, Sn oder Pb oder Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf Kunststoffpartikel (Polystyrol, Polycarbonat, Acryl o. ä.) oder Kohlenstoffpartikel gebildet werden. Das vorstehende Haftmittel ist entweder nur ein Styrol-Butadien-Styrol-(SBS)-, Epoxidharz-, Acryl-, Polyester- oder Urethanhaftmittel oder eine Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe. Das anisotrope leitfähige Haftmittel ist ein Fluid oder Pastenmittel und ist auf den Teil aufgebracht, in dem der Tafelanschluß 18 mittels eines bekannten Verfahrens angeschlossen ist, beispielsweise Drucken oder ein Auftragverfahren unter Verwendung eines Spenders. Wenn das anisotrope leitfähige Haftmittel ein Thermohaftmittel oder ein Mischmittel aus einem thermoplastischen Mittel und einem wärmehärtenden Mittel ist, wird ein Heiz- und Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 so angelegt, daß das Mittel gehärtet und angeschlossen wird. Wenn das anisotrope leitfähige Haftmittel ein Ultraviolettaushärt-Haftmittel ist, wird ein Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 angelegt, und es werden Ultraviolettstrahlen an den anisotropen leitfähigen Film von einer Position nahe den Tafelanschlüssen 18 und 19 (nahe dem Glas) aus aufgestrahlt, um den ultravioletthärtenden Film zu härten. Wenn der Andruckkopf mit einer zur Seite gewandten U-Form gebildet ist, oder wenn eine Mehrzahl der Andruckköpfe verwendet wird, um der Konfiguration der Anschlußstellen 13 und 27 zu entsprechen, können die Eingangs/Ausgangs-Anschlüsse des Mehrschichtsubstrats 14 kollektiv an die entsprechenden Tafelanschlüsse 18 und 29 angeschlossen werden, wobei nur ein Andruckprozeß erforderlich ist.
- Um den freiliegenden Abschnitt des Tafelanschlusses vor Korrosion zu schützen, wird eine Formmasse 21 angeordnet. Die Formmasse 21 dient auch dazu, das Mehrschichtsubstrat 14 an der Tafel zu fixieren. Die Formmasse 21 ist entweder nur aus Epoxidharz-Acryl-Urethan- oder Polyestermaterial oder aber einer Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe vom Lösungstyp, wärmehärtenden oder lichthärtenden Typ oder einer Mischung aus ihnen gebildet.
- Wie in Fig. 4 gezeigt, kann das Mehrschichtsubstrat in kompakter Weise innerhalb des Umrisses der Tafel 16 angebracht werden.
- Wie oben beschrieben, ermöglichen es die Busleitungen, die auf der Tafel gebildet sind, um als Mittel zur Herstellung der elektrischen Anschlüsse zwischen den Mehrschichtsubstraten zu dienen, daß die Busleitungen gleichzeitig mit den anderen Leitungen auf der Tafel gebildet werden. Deshalb muß kein eigener Bildungsprozeß ausgeführt werden. Außerdem können einzelne Elemente wie das Heißsiegeln weggelassen werden. Außerdem bewirkt die Tatsache, daß die Anschlüsse der Eingangs- und Ausgangsanschlüsse kollektiv hergestellt werden können, daß der Herstellungsprozeß vereinfacht wird.
- Eine fünfte Ausführungsform wird nun unter Bezug auf die Fig. 4, 10, 11, 12, 13 und 14 beschrieben.
- Fig. 11 ist eine perspektivische Ansicht in Explosionsdarstellung, die ein Flüssigkristallanzeigegerät gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt, bei dem ein Mehrschichtsubstrat gemäß dieser Ausführungsform einen auf ihm face-down-gebondeten Halbleiterchip zum Treiben von Flüssigkristall enthält.
- Die Bezugszahlen 1, 2 und 3 repräsentieren Schichten des Mehrschicht- (umfassend drei Schichten)-Substrats, welches aus einer ersten Schicht 1, einer zweiten Schicht 2 und einer dritten Schicht 3 zusammengesetzt ist. Ein Halbleiterchip 4 zum Treiben von Flüssigkristall ist auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 mittels eines bekannten Verfahrens face-down-gebondet (beispielsweise ein Verfahren, bei dem ein Au-Bump des Halbleiters unter Verwendung einer Ag- Paste mit dem Substrat verbunden wird, oder ein Verfahren, bei dem ein anisotroper leitfähiger Film verwendet wird, oder ein Flip-chip-Verfahren, bei dem gelötet wird). Nachdem der Halbleiterchip 4 in oben beschriebener Weise gebondet wurde, werden Formelemente 20 um den Halbleiterchip 4 herum bzw. zwischen dem Halbleiterchip 4 und der ersten Schicht 1 angeordnet, um Korrosion zu verhindern und die Bondierung zu verstärken. Die Formelemente 20 sind entweder nur aus Epoxidharz-, Acryl-, Urethan- oder Polyestermaterial oder aber einer Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe in Form einer Lösung oder wärmehärtenden oder lichthärtenden Stoff oder einer Mischung aus ihnen gebildet. Eingangsleitungen 5 entsprechend Eingangsanschlußflächen des Halbleiterchips 4 sind auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 durch Musterung gebildet. Die Eingangsleitungen 5 sind über Lochdurchkontaktierungen 6 und Lochdurchkontaktierungen 25 mit Busleitungen 10 der zweiten Schicht 2 verbunden. Die Busleitungen 10 sind an Lochdurchkontaktierungen 30 der zweiten Schicht 2 angeschlossen und über die Lochdurchkontaktierungen 30 sowie über die Lochdurchkontaktierungen 26 der zweiten Schicht 2 an die auf der Rückseite der dritten Schicht 3 gebildeten Anschlußstellen 27 angeschlossen. Die Anschlußstellen 27 sind so angeordnet, daß sie im wesentlichen parallel zu den Anschlußstellen 13 verlaufen. Die Anschlußstellen 27 und die Anschlußstellen 13 sind in gleicher Form gebildet und weisen die gleiche Größe und Dicke auf. Obwohl Fig. 11 den Aufbau zeigt, bei dem die Anschlußstellen 13 und 27 die gleiche Form aufweisen und mit gleichem Rasterabstand angeordnet sind, können die Anschlußstellen 13 und 27 auch voneinander verschieden sein. Obwohl die Lochdurchkontaktierungen 13 und 26 in einer Linie angeordnet sind, können sie auch in mehreren Linien angeordnet angeordnet sein.
- Ausgangsleitungen 8 entsprechend Ausgangsanschlußflächen des Halbleiterchips 4 sind durch Mustern auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 gebildet. Da das Rastermaß der Anschlüsse der Tafel größer als das Rastermaß der Ausgangsanschlußflächen des Halbleiterchips 4 ist, ist das Leitungsmuster auf der ersten Schicht so aufgeweitet, daß die Ausgangsanschlußflächen und die Anschlüsse der Tafel zueinander ausgerichtet sind. Außerdem sind die Lochdurchkontaktierungen 9 an den Anfangsabschnitten der Ausgangsleitungen 8 so gebildet, daß die Ausgangsleitungen 8 die Lochdurchkontaktierungen 11 der zweiten Schicht 2 durchlaufen und über Lochdurchkontaktierungen 12 der dritten Schicht 3 mit Anschlußstellen 13 der Tafel verbunden sind. Obwohl hier ein Verfahren beschrieben wird, wie das Rastermaß der Anschlußflächen des Halbleiterchips mit dem Rastermaß der Anschlüsse der Tafel des aus den drei Schichten aufgebauten Mehrschichtsubstrats übereinstimmend gemacht wird, kann die Übereinstimmung über eine Mehrzahl von Schichten (zwei oder mehr Schichten) ausgeführt werden, statt nur eine Schicht übereinstimmend zu machen.
- Die erste, die zweite und die dritte Schicht 1, 2 und 3 sind jeweils aus Keramiksubstraten gebildet, die durch gleichzeitiges Sintern von Aluminiumbasen bei niedriger Temperatur derart hergestellt werden, daß sie eine Dicke von 0,25 mm aufweisen. Die Eingangsleitungen 5, die Ausgangsleitungen 8 und die Busleitungen 10 werden durch Sintern einer Au-, Ag-, AgPd- oder Cu-Metallpaste oder einer Mischung aus ihnen gebildet. Auf ähnliche Weise werden die Lochdurchkontaktierungen 6, 9, 11, 12, 25, 26 und 30 durch Sintern einer Au-, Ag-, AgPd- oder Cu- Metallpaste gebildet. Auch die Anschlußstellen 13 und 27 werden jeweils durch Sintern einer Au- Ag-, AgPd- oder Cu-Metallpaste oder einer Mischung aus zwei oder mehreren von ihnen gebildet. Die vorstehenden Elemente für die einzelnen Schichten werden durch ein bekanntes Druckmusterungsverfahren gebildet, und die Schichten werden übereinander angeordnet, gesintert und so integriert, daß die Bildung des Mehrschichtsubstrats vollendet wird. Jede der oben beschriebenen, durch Mustern und Sintern gebildeten Metallschichten weist gewöhnlich eine Dicke von etwa 0,001 mm bis etwa 0,05 mm auf. Die vorstehende Dicke kann etwa 0,05 mm bis etwa 0,2 mm betragen, um den Widerstandswert zu reduzieren.
- Abhängig vom Rastermaß der Leitungen und von der Dimensionsgenauigkeit können die Eingangsleitungen 5 und die Ausgangsleitungen 8 auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 sowie die Anschlußstellen 13 und 27 auf der dritten Schicht 3 durch fotolithografische Musterung gebildet werden, nachdem die Au-, Ag-, AgPd- oder Cu-Metallpaste oder eine Mischpaste aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf die gesamte Fläche gedruckt wurde. In diesem Fall beträgt die Dicke des gebildeten Musters etwa 0,001 mm bis etwa 0,2 mm. Als Alternative zum Einsatz des Druckverfahrens kann das Muster auch durch ein fotolithografisches Verfahren oder ein Plattierungsverfahren gebildet werden, nachdem Au, Ag oder Cu verdampft wurde oder nachdem der Dünnfilm durch Sputtern gebildet wurde. In diesem Fall beträgt die Dicke des gebildeten Musters etwa 0,0005 mm bis etwa 0,1 mm.
- Fig. 12 ist eine Ansicht in Explosionsdarstellung, die einen wesentlichen Teil darstellt, in dem das Mehrschichtsubstrat gemäß dieser in Fig. 7 gezeigten Ausführungsform an die Flüssigkristallanzeigetafel angeschlossen ist. Der Querschnitt (Schnitt x-x von Fig. 12) des wesentlichen Teils des Anschlußabschnitts ist ähnlich wie bei der in Fig. 4 gezeigten Ausführungsform. Die Anschlußstellen 18, die Busleitungen 28 und die Anschlußstellen 29, die an den Endabschnitten der Busleitungen 28 anzuordnen sind, sind durch Mustern so auf der Tafel 16 gebildet, daß sie dem Abschnitt entsprechen, an dem das Mehrschichtsubstrat 14 angebracht wird. Die Anschlußstellen 18 und 29 sind auf einer gerade Linie angeordnet. Obwohl die Busleitungen 28 in Fig. 12 durch eine durchgehende Linie dargestellt sind, können sie auch so angeordnet sein, daß sie unter Berücksichtigung des Schaltungswiderstands und des Anschlußwiderstands unterschiedliche Rastermaße aufweisen, so daß die Widerstandswerte der Leitungen gleich gemacht werden. Die Busleitungen 28 auf der Tafel dienen als Busleitungen zur Herstellung der Anschlüsse zwischen den vorstehenden Mehrschichtsubstraten.
- Die Anschlußstellen 13, die Anschlußstellen 18, die Anschlußstellen 27 und die Tafelanschlüsse 28 des Mehrschichtsubstrats 14 werden mittels Anschlußelementen 19 miteinander verbunden. Die Anschlußelemente 19 bilden die elektrischen Anschlüsse und dienen auch dazu, zur Fixierung der Mehrschichtsubstrate 14 auf der Tafel beizutragen.
- Das Anschlußelement 19 ist aus einem anisotropen leitfähigen Film gebildet, der sich hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln und einem Haftmittel zusammensetzt. Die leitfähigen Partikel sind entweder nur Lötpartikel, nur Ni-, Au-, Ag-, Cu-, Pb- oder Sn-Partikel oder eine Mischung oder Legierung aus zwei oder mehreren von diesen, durch Plattieren gebildete Komplexmetallpartikel, Partikel, die durch Plattieren von nur Ni, Co, Pd, Au, Ag, Cu, Fe, Sn oder Pb oder einer Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf Kunststoffpartikel (Polystyrol, Polycarbonat, Acryl o. ä.) oder Kohlenstoffpartikel gebildet werden. Das vorstehende Haftmittel ist entweder nur ein Styrol- Butadien-Styrol-(SBS)-, Epoxidharz-, Acryl-, Polyester- oder Urethanhaftmittel oder eine Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe. Der anisotrope leitfähige Film ist zwischen den Tafelanschlüssen 18 und den Anschlußstellen 13 und 27 des Mehrschichtsubstrats 14 angeordnet. Wenn der anisotrope leitfähige Film ein wärmehärtender Film oder ein Mischtyp aus einem thermoplastischen Film und einem wärmehärtenden Film ist, wird ein Heiz- und Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 so angelegt, daß der anisotrope Film gehärtet und angeschlossen wird. Wenn der anisotrope leitfähige Film ein ultravioletthärtender Film ist, wird ein Andruckkopf gegen das Mehrschichtsubstrat 14 angelegt, und Ultraviolettstrahlen werden auf den anisotropen leitfähigen Film von einer Position nahe den Tafelanschlüssen 18 und 19 (nahe dem Glas) aus aufgestrahlt, um den ultravioletthärtenden Film zu härten. Da die Anschlußstellen 13 und 27 auf einer geraden Linie angeordnet sind, kann der Andruckkopf in einer einfachen geraden Form gebildet sein, so daß die Anschlüsse durch Verwendung einer einfachen Andruck- und Anschlußvorrichtung hergestellt werden können. Außerdem können die Eingangs/Ausgangsanschlüsse des Mehrschichtsubstrats 14 kollektiv mit den entsprechenden Tafelanschlüssen 18 und 29 verbunden werden, wobei nur ein Andruckprozeß erforderlich ist.
- Alternativ wird als Anschlußelement 19 ein anisotropes leitfähiges Haftmittel verwendet, das sich hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln und einem Haftmittel zusammensetzt. Die leitfähigen Partikel sind entweder nur Lötpartikel, nur Ni-, Au-, Ag-, Cu-, Pb- oder Sn-Partikel oder aber eine Mischung oder Legierung aus zwei oder mehreren von diesen, durch Plattieren gebildete Komplexmetallpartikel, Partikel, welche durch Plattieren von nur Ni, Co, Pd, Au, Ag, Cu, Fe, Sn oder Pb oder Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf Kunststoffpartikel (Polystyrol, Polycarbonat, Acryl o. ä.) oder Kohlenstoffpartikel gebildet werden. Das vorstehende Haftmittel ist entweder nur ein Styrol-Butadien-Styrol-(SBS)-, Epoxidharz-, Acryl-, Polyester- oder Urethanhaftmittel oder eine Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe. Das anisotrope leitfähige Haftmittel ist ein Fluid oder Pastenmittel und ist auf den Teil aufgebracht, in dem der Tafelanschluß 18 mittels eines bekannten Verfahrens angeschlossen ist, beispielsweise Drucken oder ein Auftragverfahren unter Verwendung eines Spenders. Wenn das anisotrope leitfähige Haftmittel ein Thermohaftmittel oder ein Mischmittel aus einem thermoplastischen Mittel und einem wärmehärtenden Mittel ist, wird ein Heiz- und Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 so angelegt, daß das Mittel gehärtet und angeschlossen wird. Wenn das anisotrope leitfähige Haftmittel ein Ultraviolettaushärt-Haftmittel ist, wird ein Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 angelegt, und es werden Ultraviolettstrahlen an den anisotropen leitfähigen Film von einer Position nahe den Tafelanschlüssen 18 und 19 (nahe dem Glas) aus aufgestrahlt, um den ultravioletthärtenden Film zu härten. Da die Anschlußstellen 13 und 27 auf einer geraden Linie angeordnet sind, kann der Andruckkopf in einer einfachen geraden Form gebildet sein, so daß die Anschlüsse durch Verwendung einer einfachen Andruck- und Anschlußvorrichtung hergestellt werden können. Außerdem können die Eingangs/Ausgangsanschlüsse des Mehrschichtsubstrats 14 kollektiv mit den entsprechenden Tafelanschlüssen 18 und 29 verbunden werden, wobei nur ein Andruckprozeß erforderlich ist.
- Um den freiliegenden Abschnitt der Tafelanschlüsse 18, 28 und 29 vor Korrosion zu schützen, wird eine Formmasse 21 angeordnet. Die Formmasse 21 dient auch dazu, das Mehrschichtsubstrat 14 an der Tafel zu fixieren. Die Formmasse 21 ist entweder nur aus Epoxidharz-Acryl- Urethan- oder Polyestermaterial oder aber einer Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe vom Lösungstyp, wärmehärtenden oder lichthärtenden Typ oder einer Mischung aus ihnen gebildet.
- Wie in Fig. 4 gezeigt, kann das Mehrschichtsubstrat in kompakter Weise innerhalb des Umrisses der Tafel 16 angebracht werden.
- Wie oben beschrieben, ermöglichen es die Busleitungen, die auf der Tafel gebildet sind, um als Mittel zur Herstellung der elektrischen Anschlüsse zwischen den Mehrschichtsubstraten zu dienen, daß die Busleitungen gleichzeitig mit den anderen Leitungen auf der Tafel gebildet werden. Deshalb muß kein eigener Bildungsprozeß ausgeführt werden. Außerdem können einzelne Elemente wie das Heißsiegeln weggelassen werden. Außerdem bewirkt die Tatsache, daß die Anschlüsse der Eingangs- und Ausgangsanschlüsse kollektiv hergestellt werden können, daß der Herstellungsprozeß vereinfacht wird.
- Fig. 13 stellt eine Struktur dar, die im wesentlichen ähnlich aufgebaut ist wie die in Fig. 12 gezeigte Ausführungsform mit der Ausnahme einer Anordnung, bei der die Anschlußstellen 13 des Mehrschichtsubstrats 14 innerhalb der Tafel 16 angeordnet sind. Der Querschnitt (Schnitt Y- Y von Fig. 13) des wesentlichen Teils des Anschlußabschnitts ist in Fig. 10 gezeigt, wobei die Länge jeder der Leitungen, die von den Tafelanschlüssen 18 zum Innenteil der Tafel angeordnet sind, kürzer sein kann als die bei der in Fig. 4 gezeigten Ausführungsform. Als Folge kann eine Wirkung insofern erzielt werden, als der Schaltungswiderstand reduziert werden kann.
- Die Anschlußstellen 13, die Anschlußstellen 18, die Anschlußstellen 27 und die Tafelanschlüsse 28 des Mehrschichtsubstrats 14 werden mittels Anschlußelementen 19 miteinander verbunden. Die Anschlußelemente 19 bilden die elektrischen Anschlüsse und dienen auch dazu, zur Fixierung der Mehrschichtsubstrate 14 auf der Tafel beizutragen.
- Das Anschlußelement 19 ist aus einem anisotropen leitfähigen Film gebildet, der sich hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln und einem Haftmittel zusammensetzt. Die leitfähigen Partikel sind entweder nur Lötpartikel, nur Ni-, Au-, Ag-, Cu-, Pb- oder Sn-Partikel oder eine Mischung oder Legierung aus zwei oder mehreren von diesen, durch Plattieren gebildete Komplexmetallpartikel, Partikel, die durch Plattieren von nur Ni, Co, Pd, Au, Ag, Cu, Fe, Sn oder Pb oder einer Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf Kunststoffpartikel (Polystyrol, Polycarbonat, Acryl o. ä.) oder Kohlenstoffpartikel gebildet werden. Das vorstehende Haftmittel ist entweder nur ein Styrol- Butadien-Styrol-(SBS)-, Epoxidharz-, Acryl-, Polyester- oder Urethanhaftmittel oder eine Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe. Der anisotrope leitfähige Film ist zwischen den Tafelanschlüssen 18 und den Anschlußstellen 13 und 27 des Mehrschichtsubstrats 14 angeordnet. Wenn der anisotrope leitfähige Film ein wärmehärtender Film oder ein Mischtyp aus einem thermoplastischen Film und einem wärmehärtenden Film ist, wird ein Heiz- und Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 so angelegt, daß der anisotrope Film gehärtet und angeschlossen wird. Wenn der anisotrope leitfähige Film ein ultravioletthärtender Film ist, wird ein Andruckkopf gegen das Mehrschichtsubstrat 14 angelegt, und Ultraviolettstrahlen werden auf den anisotropen leitfähigen Film von einer Position nahe den Tafelanschlüssen 18 und 19 (nahe dem Glas) aus aufgestrahlt, um den ultravioletthärtenden Film zu härten. Da die Anschlußstellen 13 und 27 auf einer geraden Linie angeordnet sind, kann der Andruckkopf in einer einfachen geraden Form gebildet sein, so daß die Anschlüsse durch Verwendung einer einfachen Andruck- und Anschlußvorrichtung hergestellt werden können. Außerdem können die Eingangs/Ausgangsanschlüsse des Mehrschichtsubstrats 14 kollektiv mit den entsprechenden Tafelanschlüssen 18 und 29 verbunden werden, wobei nur ein Andruckprozeß erforderlich ist.
- Alternativ wird als Anschlußelement 19 ein anisotropes leitfähiges Haftmittel verwendet, das sich hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln und einem Haftmittel zusammensetzt. Die leitfähigen Partikel sind entweder nur Lötpartikel, nur Ni-, Au-, Ag-, Cu-, Pb- oder Sn-Partikel oder aber eine Mischung oder Legierung aus zwei oder mehreren von diesen, durch Plattieren gebildete Komplexmetallpartikel, Partikel, welche durch Plattieren von nur Ni, Co, Pd, Au, Ag, Cu, Fe, Sn oder Pb oder Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf Kunststoffpartikel (Polystyrol, Polycarbonat, Acryl o. ä.) oder Kohlenstoffpartikel gebildet werden. Das vorstehende Haftmittel ist entweder nur ein Styrol-Butadien-Styrol-(SBS)-, Epoxidharz-, Acryl-, Polyester- oder Urethan haftmittel oder eine Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe. Das anisotrope leitfähige Haftmittel ist ein Fluid oder Pastenmittel und ist auf den Teil aufgebracht, in dem der Tafelanschluß 18 mittels eines bekannten Verfahrens angeschlossen ist, beispielsweise Drucken oder ein Auftragverfahren unter Verwendung eines Spenders. Wenn das anisotrope leitfähige Haftmittel ein Thermohaftmittel oder ein Mischmittel aus einem thermoplastischen Mittel und einem wärmehärtenden Mittel ist, wird ein Heiz- und Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 so angelegt, daß das Mittel gehärtet und angeschlossen wird. Wenn das anisotrope leitfähige Haftmittel ein Ultraviolettaushärt-Haftmittel ist, wird ein Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 angelegt, und es werden Ultraviolettstrahlen an den anisotropen leitfähigen Film von einer Position nahe den Tafelanschlüssen 18 und 19 (nahe dem Glas) aus aufgestrahlt, um den ultravioletthärtenden Film zu härten. Da die Anschlußstellen 13 und 27 auf einer geraden Linie angeordnet sind, kann der Andruckkopf in einer einfachen geraden Form gebildet sein, so daß die Anschlüsse durch Verwendung einer einfachen Andruck- und Anschlußvorrichtung hergestellt werden können. Außerdem können die Eingangs/Ausgangsanschlüsse des Mehrschichtsubstrats 14 kollektiv mit den entsprechenden Tafelanschlüssen 18 und 29 verbunden werden, wobei nur ein Andruckprozeß erforderlich ist.
- Um den freiliegenden Abschnitt der Tafelanschlüsse 18, 28 und 29 vor Korrosion zu schützen, wird eine Formmasse 21 angeordnet. Die Formmasse 21 dient auch dazu, das Mehrschichtsubstrat 14 an der Tafel zu fixieren. Die Formmasse 21 ist entweder nur aus Epoxidharz-Acryl- Urethan- oder Polyestermaterial oder aber einer Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe vom Lösungstyp, wärmehärtenden oder lichthärtenden Typ oder einer Mischung aus ihnen gebildet.
- Wie in Fig. 10 gezeigt, kann das Mehrschichtsubstrat in kompakter Weise innerhalb des Umrisses der Tafel 16 angebracht werden.
- Wie oben beschrieben, ermöglichen es die Busleitungen, die auf der Tafel gebildet sind, um als Mittel zur Herstellung der elektrischen Anschlüsse zwischen den Mehrschichtsubstraten zu dienen, daß die Busleitungen gleichzeitig mit den anderen Leitungen auf der Tafel gebildet werden. Deshalb muß kein eigener Bildungsprozeß ausgeführt werden. Außerdem können einzelne Elemente wie das Heißsiegeln weggelassen werden. Außerdem bewirkt die Tatsache, daß die Anschlüsse der Eingangs- und Ausgangsanschlüsse kollektiv hergestellt werden können, daß der Herstellungsprozeß vereinfacht wird.
- Fig. 14 stellt eine Struktur dar, die ähnlich wie die in Fig. 12 gezeigte Ausführungsform angeordnet ist mit der Ausnahme der Anordnung insofern, als die Busleitungen 28 auf der Tafel ebenfalls in einem Bereich der Tafel angeordnet sind, der die Anzeige nicht beeinträchtigt, zusätzlich zu dem Bereich, auf dem das Mehrschichtsubstrat 14 angebracht wird. Deshalb kann der Bereich, der zur Bildung der Busleitungen 28 verwendet werden kann, verbreitert werden, die Breite der Busleitungen kann vergrößert werden, um den Schaltungswiderstand zu reduzieren, während kein Erfordernis mehr besteht, die zum Anbringen der Mehrschichtsubstrate 14 erforderliche Fläche zu vergrößern. Die Reduzierung des Widerstandswerts der Busleitungen ermöglicht es, daß der Effekt erzielt wird, daß die Qualität der durch das Flüssigkristallanzeigegerät geschaffe nen Anzeige verbessert werden kann. Der Querschnitt (Schnitt Z-Z von Fig. 14) des wesentlichen Teils des Anschlußteils ist so, wie in Fig. 10 gezeigt. Wie in der Zeichnung gezeigt, kann ein Flüssigkristallanzeigegerät geschaffen werden, bei dem die zum Anbringen des Mehrschichtsubstrats 14 erforderliche Fläche weiter reduziert werden kann und das eine exzellente Anzeigequalität aufweist.
- Die Anschlußstellen 13, die Anschlußstellen 18, die Anschlußstellen 27 und die Tafelanschlüsse 28 des Mehrschichtsubstrats 14 werden mittels Anschlußelementen 19 miteinander verbunden. Die Anschlußelemente 19 bilden die elektrischen Anschlüsse und dienen auch dazu, zur Fixierung der Mehrschichtsubstrate 14 auf der Tafel beizutragen.
- Das Anschlußelement 19 ist aus einem anisotropen leitfähigen Film gebildet, der sich hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln und einem Haftmittel zusammensetzt. Die leitfähigen Partikel sind entweder nur Lötpartikel, nur Ni-, Au-, Ag-, Cu-, Pb- oder Sn-Partikel oder eine Mischung oder Legierung aus zwei oder mehreren von diesen, durch Plattieren gebildete Komplexmetallpartikel, Partikel, die durch Plattieren von nur Ni, Co, Pd, Au, Ag, Cu, Fe, Sn oder Pb oder einer Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf Kunststoffpartikel (Polystyrol, Polycarbonat, Acryl o. ä.) oder Kohlenstoffpartikel gebildet werden. Das vorstehende Haftmittel ist entweder nur ein Styrol- Butadien-Styrol-(SBS)-, Epoxidharz-, Acryl-, Polyester- oder Urethanhaftmittel oder eine Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe. Der anisotrope leitfähige Film ist zwischen den Tafelanschlüssen 18 und den Anschlußstellen 13 und 27 des Mehrschichtsubstrats 14 angeordnet. Wenn der anisotrope leitfähige Film ein wärmehärtender Film oder ein Mischtyp aus einem thermoplastischen Film und einem wärmehärtenden Film ist, wird ein Heiz- und Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 so angelegt, daß der anisotrope Film gehärtet und angeschlossen wird. Wenn der anisotrope leitfähige Film ein ultravioletthärtender Film ist, wird ein Andruckkopf gegen das Mehrschichtsubstrat 14 angelegt, und Ultraviolettstrahlen werden auf den anisotropen leitfähigen Film von einer Position nahe den Tafelanschlüssen 18 und 19 (nahe dem Glas) aus aufgestrahlt, um den ultravioletthärtenden Film zu härten. Da die Anschlußstellen 13 und 27 auf einer geraden Linie angeordnet sind, kann der Andruckkopf in einer einfachen geraden Form gebildet sein, so daß die Anschlüsse durch Verwendung einer einfachen Andruck- und Anschlußvorrichtung hergestellt werden können. Außerdem können die Eingangs/Ausgangsanschlüsse des Mehrschichtsubstrats 14 kollektiv mit den entsprechenden Tafelanschlüssen 18 und 29 verbunden werden, wobei nur ein Andruckprozeß erforderlich ist.
- Alternativ wird als Anschlußelement 19 ein anisotropes leitfähiges Haftmittel verwendet, das sich hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln und einem Haftmittel zusammensetzt. Die leitfähigen Partikel sind entweder nur Lötpartikel, nur Ni-, Au-, Ag-, Cu-, Pb- oder Sn-Partikel oder aber eine Mischung oder Legierung aus zwei oder mehreren von diesen, durch Plattieren gebildete Komplexmetallpartikel, Partikel, welche durch Plattieren von nur Ni, Co, Pd, Au, Ag, Cu, Fe, Sn oder Pb oder Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf Kunststoffpartikel (Polystyrol, Polycarbonat, Acryl o. ä.) oder Kohlenstoffpartikel gebildet werden. Das vorstehende Haftmittel ist entweder nur ein Styrol-Butadien-Styrol-(SBS)-, Epoxidharz-, Acryl-, Polyester- oder Urethanhaftmittel oder eine Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe. Das anisotrope leitfähige Haftmittel ist ein Fluid oder Pastenmittel und ist auf den Teil aufgebracht, in dem der Tafelanschluß 18 mittels eines bekannten Verfahrens angeschlossen ist, beispielsweise Drucken oder ein Auftragverfahren unter Verwendung eines Spenders. Wenn das anisotrope leitfähige Haftmittel ein Thermohaftmittel oder ein Mischmittel aus einem thermoplastischen Mittel und einem wärmehärtenden Mittel ist, wird ein Heiz- und Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 so angelegt, daß das Mittel gehärtet und angeschlossen wird. Wenn das anisotrope leitfähige Haftmittel ein Ultraviolettaushärt-Haftmittel ist, wird ein Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 angelegt, und es werden Ultraviolettstrahlen an den anisotropen leitfähigen Film von einer Position nahe den Tafelanschlüssen 18 und 19 (nahe dem Glas) aus aufgestrahlt, um den ultravioletthärtenden Film zu härten. Da die Anschlußstellen 13 und 27 auf einer geraden Linie angeordnet sind, kann der Andruckkopf in einer einfachen geraden Form gebildet sein, so daß die Anschlüsse durch Verwendung einer einfachen Andruck- und Anschlußvorrichtung hergestellt werden können. Außerdem können die Eingangs/Ausgangsanschlüsse des Mehrschichtsubstrats 14 kollektiv mit den entsprechenden Tafelanschlüssen 18 und 29 verbunden werden, wobei nur ein Andruckprozeß erforderlich ist.
- Um den freiliegenden Abschnitt der Tafelanschlüsse 18, 28 und 29 vor Korrosion zu schützen, wird eine Formmasse 21 angeordnet. Die Formmasse 21 dient auch dazu, das Mehrschichtsubstrat 14 an der Tafel zu fixieren. Die Formmasse 21 ist entweder nur aus Epoxidharz-Acryl- Urethan- oder Polyestermaterial oder aber einer Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe vom Lösungstyp, wärmehärtenden oder lichthärtenden Typ oder einer Mischung aus ihnen gebildet.
- Wie in Fig. 10 gezeigt, kann das Mehrschichtsubstrat in kompakter Weise innerhalb des Umrisses der Tafel 16 angebracht werden.
- Wie oben beschrieben, ermöglichen es die Busleitungen, die auf der Tafel gebildet sind, um als Mittel zur Herstellung der elektrischen Anschlüsse zwischen den Mehrschichtsubstraten zu dienen, daß die Busleitungen gleichzeitig mit den anderen Leitungen auf der Tafel gebildet werden. Deshalb muß kein eigener Bildungsprozeß ausgeführt werden. Außerdem können einzelne Elemente wie das Heißsiegeln weggelassen werden. Außerdem bewirkt die Tatsache, daß die Anschlüsse der Eingangs- und Ausgangsanschlüsse kollektiv hergestellt werden können, daß der Herstellungsprozeß vereinfacht wird. Deshalb kann ein Flüssigkristallanzeigegerät geschaffen werden, dessen Kosten weiter gesenkt werden können.
- Wie oben beschrieben, ermöglicht die Verwendung des Mehrschichtsubstrats gemäß dieser Ausführungsform, daß die Leitungen im selben Mehrschichtsubstrat gekreuzt geführt werden können, im Gegensatz zum herkömmlichen TAB-Verfahren, bei dem einzelne Bussubstrate eingesetzt werden, um die Busleitungen gekreuzt zu führen. Daher kann im Vergleich zum TAB- Verfahren die Gesamtgröße reduziert werden, indem die Dichte der auf dem Substrat geführten Leitungen erhöht wird. Außerdem können die Kosten reduziert werden, da keine einzelnen Busleitungen verwendet werden.
- Da beim herkömmlichen COG-Verfahren die Anordnung so getroffen ist, daß das gekreuzte Führen der Busleitungen auf dem Tafelsubstrat ausgeführt wird, ist eine große Fläche zum Führen der Busleitungen erforderlich. Außerdem müssen Metalleitungen verwendet werden, um den Widerstandswert der geführten Leitungen zu reduzieren, was zu einer Kostensteigerung führt. Die Verwendung des Mehrschichtsubstrats gemäß dieser Ausführungsform ermöglicht es dagegen, daß der zum Führen der Busleitungen erforderliche Platz und die Kosten im Vergleich zum COG- Verfahren reduziert werden.
- Eine sechste Ausführungsform der Erfindung wird nun unter Bezug auf die Fig. 15, 16, 17 und 18 beschrieben.
- Fig. 15 ist eine perspektivische Ansicht in Explosionsdarstellung, die ein Mehrschichtsubstrat gemäß dieser Ausführungsform darstellt, das zwei face-down-gebondete Halbleiterchips zum Treiben von Flüssigkristall enthält.
- Die Bezugszahlen 1, 2 und 3 repräsentieren Schichten des Mehrschicht- (umfassend drei Schichten)-Substrats, welches aus einer ersten Schicht 1, einer zweiten Schicht 2 und einer dritten Schicht 3 zusammengesetzt ist. Halbleiterchips 4 und 4' zum Treiben von Flüssigkristall ist auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 mittels eines bekannten Verfahrens face-down- gebondet (beispielsweise ein Verfahren, bei dem ein Au-Bump des Halbleiters unter Verwendung einer Ag-Paste mit dem Substrat verbunden wird, oder ein Verfahren, bei dem ein anisotroper leitfähiger Film verwendet wird, oder ein Flip-chip-Verfahren, bei dem gelötet wird). Nachdem die Halbleiterchips 4 und 4' in oben beschriebener Weise gebondet wurden, werden Formelemente 20 um die Halbleiterchips 4 und 4' herum bzw. zwischen den Halbleiterchips 4 und 4' und der ersten Schicht 1 angeordnet, um Korrosion zu verhindern und die Bondierung zu verstärken. Die Formelemente 20 sind entweder nur aus Epoxidharz-, Acryl-, Urethan- oder Polyestermaterial oder aber einer Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe in Form einer Lösung oder wärmehärtenden oder lichthärtenden Stoff oder einer Mischung aus ihnen gebildet. Eingangsleitungen 5 und 5' entsprechend Eingangsanschlußflächen der Halbleiterchips 4 und 4' sind auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 durch Musterung gebildet. Die Eingangsleitungen 5 und 5' sind über Lochdurchkontaktierungen 6 mit Busleitungen 10 der zweiten Schicht 2 verbunden. Außerdem sind Kontaktflecke 7 an den Anfangsabschnitten der Eingangsleitungen 5 und 5' zum Drahtbonden mit einem ähnlich gebildeten anderen Mehrschichtsubstrat gebildet.
- Ausgangsleitungen 8 und 8' entsprechend Ausgangsanschlußflächen der Halbleiterchips 4 und 4' sind durch Mustern auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 gebildet. Da das Rastermaß der Anschlüsse der Tafel größer als das Rastermaß der Ausgangsanschlußflächen der Halbleiterchips 4 und 4' ist, ist das Leitungsmuster auf der ersten Schicht so aufgeweitet, daß die Ausgangsanschlußflächen und die Anschlüsse der Tafel zueinander ausgerichtet sind. Außerdem sind die Lochdurchkontaktierungen 9 an den Anfangsabschnitten der Ausgangsleitungen 8 und 8' so gebildet, daß die Ausgangsleitungen 8 und 8' die Lochdurchkontaktierungen 11 der zweiten Schicht 2 durchlaufen und über Lochdurchkontaktierungen 12 der dritten Schicht 3 mit Anschlußstellen 13 der Tafel verbunden sind.
- Die erste, die zweite und die dritte Schicht 1, 2 und 3 sind jeweils aus Keramiksubstraten gebildet, die durch gleichzeitiges Sintern von Aluminiumbasen bei niedriger Temperatur derart hergestellt werden, daß sie eine Dicke von 0,25 mm aufweisen. Die Eingangsleitungen 5 und 5', die Ausgangsleitungen 8 und 8' und die Busleitungen 10 werden durch Sintern einer Au-, Ag-, AgPd- oder Cu-Metallpaste oder einer Mischung aus ihnen gebildet. Auf ähnliche Weise werden die Lochdurchkontaktierungen 6, 9, 11 und 12 durch Sintern einer Au-, Ag-, AgPd- oder Cu- Metallpaste gebildet. Auch die Kontaktflecke 7 und die Anschlußstellen 13 werden jeweils durch Sintern einer Au-, Ag-, AgPd- oder Cu-Metallpaste oder einer Mischung aus zwei oder mehreren von ihnen gebildet. Die vorstehenden Elemente für die einzelnen Schichten werden durch ein bekanntes Druckmusterungsverfahren gebildet, und die Schichten werden übereinander angeordnet, gesintert und so integriert, daß die Bildung des Mehrschichtsubstrats vollendet wird. Jede der oben beschriebenen, durch Mustern und Sintern gebildeten Metallschichten weist gewöhnlich eine Dicke von etwa 0,001 mm bis etwa 0,05 mm auf. Die vorstehende Dicke kann etwa 0,05 mm bis etwa 0,2 mm betragen, um den Widerstandswert zu reduzieren.
- Abhängig vom Rastermaß der Leitungen und von der Dimensionsgenauigkeit können die Eingangsleitungen 5 und 5', die Kontaktflecke 7 und die Ausgangsleitungen 8 und 8' auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 sowie die Anschlußstellen 13 auf der Rückseite der dritten Schicht 3 durch fotolithografische Musterung gebildet werden, nachdem die Au-, Ag-, AgPd- oder Cu-Metallpaste oder eine Mischpaste aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf die gesamte Fläche gedruckt wurde. In diesem Fall beträgt die Dicke des gebildeten Musters etwa 0,001 mm bis etwa 0,2 mm. Als Alternative zum Einsatz des Druckverfahrens kann das Muster auch durch ein fotolithografisches Verfahren oder ein Plattierungsverfahren gebildet werden, nachdem Au, Ag oder Cu verdampft wurde oder nachdem der Dünnfilm durch Sputtern gebildet wurde. In diesem Fall beträgt die Dicke des gebildeten Musters etwa 0,0005 mm bis etwa 0,1 mm.
- Die Anordnung, bei der die zwei Halbleiterchips zum Treiben von Flüssigkristall auf ein Mehrschichtsubstrat gebondet sind, ermöglicht es, daß die Eingangs/Ausgangsleitungen im Vergleich zu einer Anordnung, bei der ein Halbleiterchip zum Treiben von Flüssigkristall auf einem Mehrschichtsubstrat ist, effizient geführt werden können. Außerdem können die Halbleiterchips effizient angeordnet werden. Daher kann die erforderliche Fläche für das Mehrschichtsubstrat reduziert werden, und dementsprechend können die Teilekosten reduziert werden. Außerdem können der Prozeß zum Aufteilen (Dicing oder Brechen) des Mehrschichtsubstrats und der Prozeß des Einstellens/Wiedereinstellens des Mehrschichtsubstrats zum Bonden und Vergießen des Halbleiterchips ebenfalls vereinfacht werden. Deshalb können die Kosten reduziert werden.
- Fig. 16 stellt eine Ausführungsform dar, bei der das Mehrschichtsubstrat gemäß einer in Fig. 15 gezeigten Ausführungsform an eine Flüssigkristallanzeigetafel angeschlossen ist.
- Fig. 17 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen wesentlichen Teil des Anschlußabschnitts darstellt.
- Fig. 18 stellt den Querschnitt eines wesentlichen Teils des Anschlußabschnitts dar.
- Eine Flüssigkristallanzeigetafel (beispielsweise eine Anzeige mit 640 · 480 Punkten) 16 weist einen Tafelanschluß 18 auf, an den 8 Mehrschichtsubstrate 14 gemäß der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform in deren Richtung X und fünf Mehrschichtsubstrate 14 in deren Richtung Y angeschlossen sind. Es sind jedoch vier Mehrschichtsubstrate 14 in der Richtung X und fünf Mehrschichtsubstrate 14 in der Richtung Y in Fig. 16 nicht gezeigt. Das leitfähige Element 19 erhält den elektrischen Anschluß aufrecht und trägt zur Fixierung des Mehrschichtsubstrats 14 an der Tafel bei.
- Das Anschlußelement 19 ist aus einem anisotropen leitfähigen Film gebildet, der sich hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln und einem Haftmittel zusammensetzt. Die leitfähigen Partikel sind entweder nur Lötpartikel, nur Ni-, Au-, Ag-, Cu-, Pb- oder Sn-Partikel oder eine Mischung oder Legierung aus zwei oder mehreren von diesen, durch Plattieren gebildete Komplexmetallpartikel, Partikel, die durch Plattieren von nur Ni, Co, Pd, Au, Ag, Cu, Fe, Sn oder Pb oder einer Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf Kunststoffpartikel (Polystyrol, Polycarbonat, Acryl o. ä.) oder Kohlenstoffpartikel gebildet werden. Das vorstehende Haftmittel ist entweder nur ein Styrol- Butadien-Styrol-(SBS)-, Epoxidharz-, Acryl-, Polyester- oder Urethanhaftmittel oder eine Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe. Der anisotrope leitfähige Film ist zwischen den Tafelanschlüssen 18 und den Anschlußstellen 13 des Mehrschichtsubstrats 14 angeordnet. Wenn der anisotrope leitfähige Film ein wärmehärtender Film oder ein Mischtyp aus einem thermoplastischen Film und einem wärmehärtenden Film ist, wird ein Heiz- und Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 so angelegt, daß der anisotrope Film gehärtet und angeschlossen wird. Wenn der anisotrope leitfähige Film ein ultravioletthärtender Film ist, wird ein Andruckkopf gegen das Mehrschichtsubstrat 14 angelegt, und Ultraviolettstrahlen werden auf den anisotropen leitfähigen Film von einer Position nahe den Tafelanschlüssen 18 (nahe dem Glas) aus aufgestrahlt, um den ultravioletthärtenden Film zu härten.
- Alternativ wird als Anschlußelement 19 ein anisotropes leitfähiges Haftmittel verwendet, das sich hauptsächlich aus leitfähigen Partikeln und einem Haftmittel zusammensetzt. Die leitfähigen Partikel sind entweder nur Lötpartikel, nur Ni-, Au-, Ag-, Cu-, Pb- oder Sn-Partikel oder aber eine Mischung oder Legierung aus zwei oder mehreren von diesen, durch Plattieren gebildete Komplexmetallpartikel, Partikel, welche durch Plattieren von nur Ni, Co, Pd, Au, Ag, Cu, Fe, Sn oder Pb oder Mischung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe auf Kunststoffpartikel (Polystyrol, Polycarbonat, Acryl o. ä.) oder Kohlenstoffpartikel gebildet werden. Das vorstehende Haftmittel ist entweder nur ein Styrol-Butadien-Styrol-(SBS)-, Epoxidharz-, Acryl-, Polyester- oder Urethanhaftmittel oder eine Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe. Das anisotrope leitfähige Haftmittel ist ein Fluid oder Pastenmittel und ist auf den Teil aufgebracht, in dem der Tafelanschluß 18 mittels eines bekannten Verfahrens angeschlossen ist, beispielsweise Drucken oder ein Auftragverfahren unter Verwendung eines Spenders. Wenn das anisotrope leitfähige Haftmittel ein Thermohaftmittel oder ein Mischmittel aus einem thermoplastischen Mittel und einem wärmehärtenden Mittel ist, wird ein Heiz- und Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 so angelegt, daß das Mittel gehärtet und angeschlossen wird. Wenn das anisotrope leitfähige Haftmittel ein Ultraviolettaushärt-Haftmittel ist, wird ein Andruckkopf an das Mehrschichtsubstrat 14 angelegt, und es werden Ultraviolettstrahlen an den anisotropen leitfähigen Film von einer Position nahe den Tafelanschlüssen 18 (nahe dem Glas) aus aufgestrahlt, um den ultravioletthärtenden Film zu härten.
- Um den freiliegenden Abschnitt der Tafelanschlüsse 18 vor Korrosion zu schützen, wird eine Formmasse 21 angeordnet. Die Formmasse 21 dient auch dazu, das Mehrschichtsubstrat 14 an der Tafel zu fixieren. Die Formmasse 21 ist entweder nur aus Epoxidharz-Acryl-Urethan- oder Polyestermaterial oder aber einer Mischung oder Verbindung aus zwei oder mehreren dieser Stoffe vom Lösungstyp, wärmehärtenden oder lichthärtenden Typ oder einer Mischung aus ihnen gebildet.
- Die Busleitungen zwischen den benachbarten Mehrschichtsubstraten 14 werden durch Drahtbonden bzw. Drahtkontaktieren unter Verwendung von Drähten 15 über die Kontaktflecke 7 angeschlossen. Die Drähte sind aus Metall wie beispielsweise Au, Al, Cu o. ä. oder ihrer Legierung (einschließlich einer Legierung, die Be, Si, Mg o. ä. enthält) gebildet. Die Breite des Abschnitts für die Drahtbondierung ist kleiner als die Breite des Mehrschichtsubstrats, so daß das Mehrschichtsubstrat innerhalb des Umrisses der Tafel 16 angebracht wird, wie in Fig. 18 gezeigt.
- Da die zwei Halbleiterchips auf ein Mehrschichtsubstrat gebondet werden, kann die Anzahl an Anschlußabschnitten zum Verbinden der Mehrschichtsubstrate um 8 vermindert werden (14 Anschlußabschnitte können zu sechs Anschlußabschnitten gemacht werden). Daher kann die Anzahl an Drähten 15 reduziert werden, und der Drahtbondierungsprozeß kann vereinfacht werden.
- Wie oben beschrieben, ermöglicht die Verwendung des Mehrschichtsubstrats gemäß dieser Ausführungsform, daß die Leitungen im selben Mehrschichtsubstrat gekreuzt geführt werden können, im Gegensatz zum herkömmlichen TAB-Verfahren, bei dem einzelne Bussubstrate eingesetzt werden, um die Busleitungen gekreuzt zu führen. Daher kann im Vergleich zum TAB- Verfahren die Gesamtgröße reduziert werden, indem die Dichte der auf dem Substrat geführten Leitungen erhöht wird. Außerdem können die Kosten reduziert werden, da keine einzelnen Busleitungen verwendet werden.
- Da beim herkömmlichen COG-Verfahren die Anordnung so getroffen ist, daß das gekreuzte Führen der Busleitungen auf dem Tafelsubstrat ausgeführt wird, ist eine große Fläche zum Führen der Busleitungen erforderlich. Außerdem müssen Metalleitungen verwendet werden, um den Widerstandswert der geführten Leitungen zu reduzieren, was zu einer Kostensteigerung führt. Die Verwendung des Mehrschichtsubstrats gemäß dieser Ausführungsform ermöglicht es dagegen, daß der zum Führen der Busleitungen erforderliche Platz und die Kosten im Vergleich zum COG- Verfahren reduziert werden.
- Eine siebte Ausführungsform wird nun unter Bezug auf Fig. 19 beschrieben.
- Fig. 19 ist eine perspektivische Ansicht in Explosionsdarstellung, die ein Mehrschichtsubstrat eines Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt, bei dem zwei Halbleiterchips zum Treiben von Flüssigkristall auf die Oberfläche eines Mehrschichtsubstrats drahtgebondet sind.
- Die Oberfläche der ersten Schicht 1 des Mehrschichtsubstrats weist Eingangsleitungen 5 und 5' entsprechend Eingangs/Ausgangs-Anschlußflächen der Halbleiterchips 4 und 4' zum Treiben von Flüssigkristall auf. Außerdem weisen die Ausgangsleitungen 8 und 8' Drahtbonding-Kontaktflecke 22 auf. Das Muster, die Lochdurchkontaktierungen, das Verfahren der Bildung des Mehrschichtsubstrats, die Anordnung und die Struktur sind gleich wie jene bei der sechsten Ausführungsform.
- Die Rückseite des Halbleiterchips ist an der Oberfläche des Mehrschichtsubstrats befestigt. Außerdem sind die Eingangs/Ausgangs-Anschlußflächen der Halbleiterchips 4 und 4' und der Kontaktflecke 22 auf der Oberfläche der ersten Schicht 1 des Mehrschichtsubstrats drahtgebondet. Die Drähte können Drähte der gleichen Art wie jene sein, die zum Anschluß der Mehrschichtsubstrate gemäß der sechsten Ausführungsform verwendet werden. Obwohl dies nicht dargestellt ist, werden die Bondierungsabschnitte und die Führungs- bzw. Verdrahtungsabschnitte vergossen bzw. durch Formelemente umschlossen, die ähnlich wie bei der sechsten Ausführungsform hergestellt werden.
- Die Busleitungen zwischen den benachbarten Mehrschichtsubstraten sind auf ähnliche Weise wie bei der sechsten Ausführungsform drahtbondiert. Obwohl dies nicht dargestellt ist, werden die Bondierungsabschnitte und die Führungs- bzw. Verdrahtungsabschnitte vergossen bzw. durch Formelemente umschlossen, die ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform hergestellt werden.
- Wie oben beschrieben, ermöglicht es die Verwendung des Mehrschichtsubstrats gemäß dieser Ausführungsform, die Größe und die Kosten im Vergleich zum herkömmlichen TAB-Verfahren und dem COG-Verfahren ähnlich wie bei der sechsten Ausführungsform zu reduzieren.
- Eine achte Ausführungsform wird nun unter Bezug auf Fig. 20 beschrieben.
- Fig. 20 stellt ein Flüssigkristallanzeigegerät gemäß der vorliegenden Erfindung dar, bei dem ein Mehrschichtsubstrat 14 mit zwei Halbleiterchips 4 und 4' zum Treiben von Flüssigkristall, die auf dessen Oberfläche face-down-gebondet sind, unter Verwendung eines Anschlußelements 19 an den Anschluß 18 der Flüssigkristallanzeigetafel angeschlossen ist. Ein wesentlicher Teil des Anschlußabschnitts ist so ausgebildet, daß er ähnlich ist wie derjenige gemäß der in Fig. 18 gezeigten Ausführungsform. Die Anfangsabschnitte der Eingangsleitungen auf der ersten Schicht 1 des Mehrschichtsubstrats sind jedoch als Heißsiegel oder Formen gebildet, die dazu geeignet sind, das flexible Substrat an der Stelle der Drahtbonding-Kontaktflecke anzuschließen.
- Die Busleitungen zwischen den benachbarten Mehrschichtsubstraten 14 sind unter Verwendung eines Anschlußsubstrats 24 angeschlossen. Das Anschlußsubstrat 24 kann ein Heißsiegel- oder ein flexibles Substrat sein.
- Die Breite eines Abschnitts, an den das Anschlußsubstrat 24 angeschlossen ist, ist kleiner als die Breite des Mehrschichtsubstrats 14, so daß das Mehrschichtsubstrat 14 innerhalb des Umrisses der Tafel 16 angebracht werden kann.
- Wie oben beschrieben, ermöglicht es die Verwendung des Mehrschichtsubstrats gemäß dieser Ausführungsform ferner, die Größe und die Kosten im Vergleich zum herkömmlichen TAB-Verfahren und dem COG-Verfahren zu reduzieren.
- Der Anschluß der Halbleiterchips zum Treiben von Flüssigkristall an die Oberfläche des Mehrschichtsubstrats und der elektrische Anschluß zwischen den benachbarten Mehrschichtsubstraten kann durch Verfahren ausgeführt werden, welche die Kombination der Verfahren gemäß der sechsten, der siebten und der achten Ausführungsform sind. In jedem Fall können die Größe und die Kosten ebenfalls reduziert werden.
- Des weiteren kann das Mehrschichtsubstrat mit dem auf ihm angebrachten Halbleiterchip zur Verwendung bei den vorstehenden Ausführungsformen auf einem anderen Anzeigegerät oder einem elektronischen Druckgerät angebracht werden, so daß es auf einer Plasmaanzeige oder einem EL-Anzeigegerät angebracht werden kann, indem der vorstehende Halbleiterchip gegen einen Halbleiterchip zum Treiben der Plasmaanzeige oder einem Halbleiterchip zum Treiben des EL ausgetauscht wird. Durch Anbringen eines Halbleiterchips zum Treiben eines Thermokopfs auf dem Mehrschichtsubstrat auf ähnliche Weise und durch Anschließen des Mehrschichtsubstrats an den Thermokopf auf ähnliche Weise kann eine Anwendung auf ein elektronisches Druckgerät realisiert werden.
- Eine neunte Ausführungsform wird nun unter Bezug auf die Fig. 25, 26, und 27 beschrieben.
- Fig. 25 ist eine perspektivische Ansicht in Explosionsdarstellung, die ein Flüssigkristallanzeigegerät gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt, bei dem ein Mehrschichtsubstrat einen auf seine Oberfläche face-down-gebondeten Halbleiterchip zum Treiben von Flüssigkristall aufweist.
- Die Bezugszahlen 1, 2 und 3 repräsentieren Schichten des Mehrschichtsubstrats (drei Schichten) gemäß dieser Ausführungsform. Die Bezugszahl 1 repräsentiert eine erste Schicht, 2 repräsentiert eine zweite Schicht, und 3 repräsentiert eine dritte Schicht. Ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform ist der Halbleiterchip 4 zum Treiben von auf die Oberfläche des Mehrschichtsubstrats faca-down-gebondet. Nachdem das Bonden ausgeführt wurde, werden die Peripherie des Halbleiterchips 4 und Abschnitte zwischen dem Halbleiterchip 4 und der ersten Schicht 1 vergossen. Die erste Schicht weist auf ihrer Oberfläche Eingangsleitungen 5 entsprechend den Eingangsanschlußflächen des Halbleiterchips 4 auf. Die Eingangsleitungen 5 sind über Lochdurchkontaktierungen 6 an die Busleitungen 10 der zweiten Schicht 2 angeschlossen. Die Eingangsleitungen 5 weisen an ihren Anfangsabschnitten benachbart angeordnete und ähnlich gebildete Kontaktflecke 7 zum Drahtbonden eines anderen Mehrschichtsubstrats auf.
- Des weiteren sind Ausgangsleitungen 8 entsprechend den Ausgangsanschlußflächen des Halbleiterchips 4 durch Mustern auf der Oberfläche der ersten Schicht gebildet. Da das Rastermaß der Tafelanschlüsse größer als das Rastermaß der Ausgangsanschlußflächen des Halbleiterchips 4 ist, wird die Verdrahtung so ausgeführt, daß das Muster auf der ersten Schicht 1 verbreitert wird, damit die Ausgangsanschlußflächen mit den Tafelanschlüssen zusammentreffen. Außerdem sind Lochdurchkontaktierungen 9 an den Anfangsabschnitten der Ausgangsleitungen 8 so gebildet, daß die Ausgangsleitungen 8 mit den Anschlußstellen 13 verbunden sind, die auf der Rückseite der ersten Schicht zur Herstellung der Verbindung mit der Tafel gebildet sind.
- Die Schichten 1, 2 und 3 sind Keramiksubstrate, die durch gleichzeitiges Sintern von Aluminiumsubstraten bei niedriger Temperatur gebildet sind.
- Fig. 26 stellt den Querschnitt eines wesentlichen Teils einer Ausführungsform dar, bei der das Mehrschichtsubstrat gemäß der in Fig. 25 gezeigten Ausführungsform an eine Flüssigkristallanzeigetafel angeschlossen ist.
- Fig. 27 stellt einen wesentlichen Teil einer Ausführungsform dar, bei der das Mehrschichtsubstrat gemäß der in Fig. 25 gezeigten Ausführungsform an eine Flüssigkristallanzeigetafel angeschlossen ist.
- Wie oben beschrieben, ermöglicht es die Anordnung des Mehrschichtsubstrats gemäß dieser Ausführungsform, bei der ein Teil des Mehrschichtsubstrats von der oberen Oberfläche der Flüssigkristallanzeigetafel entfernt ist, die Dicke des Flüssigkristallanzeigegeräts zu reduzieren.
- Des weiteren kann das Mehrschichtsubstrat mit dem auf ihm angebrachten Halbleiterchip zur Verwendung bei den vorstehenden Ausführungsformen auf einem anderen Anzeigegerät oder einem elektronischen Druckgerät angebracht werden, so daß es auf einer Plasmaanzeige oder einem EL-Anzeigegerät angebracht werden kann, indem der vorstehende Halbleiterchip gegen einen Halbleiterchip zum Treiben der Plasmaanzeige oder einem Halbleiterchip zum Treiben des EL ausgetauscht wird. Durch Anbringen eines Halbleiterchips zum Treiben eines Thermokopfs auf dem Mehrschichtsubstrat auf ähnliche Weise und durch Anschließen des Mehrschichtsubstrats an den Thermokopf auf ähnliche Weise kann eine Anwendung auf ein elektronisches Druckgerät realisiert werden.
- Eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezug auf die Fig. 28, 29 und 30 beschrieben. Fig. 28 und 29 sind perspektivische Ansichten, die ein Flüssigkristallanzeigegerät gemäß der vorliegenden Erfindung darstellen, welches ein Mehrschichtsubstrat gemäß der Ausführungsform umfaßt und einen Halbleiterchip zum Treiben von Flüssigkristall enthält, der auf dessen Oberfläche face-down-gebondet ist. Obwohl das Material und der Aufbau des Mehrschichtsubstrats gemäß dieser Ausführungsform gleich sind wie jene des Mehrschichtsubstrats gemäß der ersten Ausführungsform, ist ein Befestigungsloch 432 gebildet. Obwohl die Zeichnungen ein kreisförmiges Befestigungsloch 432 darstellen, kann dieses auch als rechteckiges, elliptisches, quadratisches oder längliches Loch gebildet sein.
- Fig. 29 stellt das Flüssigkristallanzeigegerät dar, das die Mehrschichtsubstrate 14 und 431a bis 431d verwendet, wie in Fig. 28 und 29 gezeigt. Die Mehrschichtsubstrate 14 und 431a bis 431d mit den auf ihren Oberflächen angebrachten Halbleiterchips 4 sind an eine Tafel 16 angeschlossen. Die Tafel 16, ein durch Zusammenbau einer Rückleuchteinheit 435 und eines äußeren Verzierungsgehäuses 436 gebildetes Element sowie ein äußeres Verzierungsgehäuse 433 sind mittels einer Befestigungsschraube 434 unter Verwendung des Befestigungslochs 432 an den Mehrschichtsubstraten 431a bis 431d befestigt. Daher kann das äußere Verzierungsgehäuse des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß der vorliegenden Erfindung auch als äußeres Gehäuse eines PC (Personal Computer) o. dgl. dienen. Deshalb können die Elemente wie beispielsweise der Rahmen und der Metallrahmen u. dergl., die für das herkömmliche Flüssigkristallanzeigegerät als Einzelelemente erforderlich waren, weggelassen werden. Als Folge können die Kosten der Elemente reduziert werden. Außerdem kann die Anzahl an Montageprozessen vereinfacht und die Anzahl an Bearbeitungsprozessen vermindert werden.
- Obwohl die Mehrschichtsubstrate 14 und 431a bis 431d sowie der Tafelanschluß 18 ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform mittels eines Haftelements 19 aneinander angeschlossen, gebondet und durch Formmasse 21 verstärkt werden, kann die Formmasse 21 für die Seitenflächen oder die Rückflächen der Tafel 18 und der Mehrschichtsubstrate 14 und 431a bis 431d vorgesehen werden, um die Widerstandsfähigkeit (Widerstandsfähigkeit gegen Vibrationen) zu verbessern, die besteht, nachdem die vorstehenden Elemente zu dem Rahmen zusammengebaut wurden. Die Formmasse 21 ist aus einem Material gebildet, das aus der aus Epoxidharz, Acryl, Urethan und Polyesterverbindung bestehenden Gruppe oder einer Mischung aus zwei oder mehreren von diesen in einer Lösung, einem lichthärtenden Stoff oder einer Mischung aus ihnen ausgewählt ist.
- Da die Positionsgenauigkeit zwischen dem Muster des Mehrschichtsubstrats und dem Befestigungsausnehmungsbereich auf ±0,1 mm oder weniger gebracht werden kann, kann die Positionsgenauigkeit zwischen dem Tafelmuster und dem Befestigungsloch bei ±0,2 mm oder weniger gehalten werden. Da das vorstehende Befestigungsloch dazu verwendet wird, die Elemente zum äußeren Verzierungsgehäuse 436 zusammenzubauen, welches das Gehäuse ist, kann die Positionsreproduzierbarkeit bezüglich der Rückleuchteinheit 435 und die des externen Verzierungsgehäuses 433 bezüglich einer Tafelanzeige aufrechterhalten und verbessert werden.
- Außerdem können die Elemente auf einfache Weise nachbearbeitet und wieder zusammengebaut werden, wenn die Befestigungsschraube 434 dazu verwendet wird, die Elemente zusammenzusetzen. Wenn ein Kunststoff und ein nietenartiges Element mit einem Flansch verwendet werden, kann der Zusammenbau und die Fixierung durch einfaches Drücken des nietenartigen Elements ausgeführt werden. Daher kann der Zusammenbau auf einfache Weise ausgeführt werden. Die Hintergrundbeleuchtung 435 und das äußere Verzierungsgehäuse 436 können durch ein Verfahren fixiert werden, das ein doppelbeschichtetes Band oder eine Befestigungsklaue verwendet.
- Eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezug auf die Fig. 31, 32 und 33 beschrieben. Wie in Fig. 31 und 33 gezeigt, sind die Größen der Mehrschichtsubstrate 437a bis 437d so ausgelegt, daß sie größer als die Endfläche eines Glasanschlusses 18 sind, so daß der Befestigungsausnehmungsbereich über die Endfläche des Glasanschlusses 18 hinaus vorsteht und er fixiert ist. Obwohl das Material und die Struktur des Mehrschichtsubstrats gleich sind wie jene des Mehrschichtsubstrats gemäß der ersten Ausführungsform, ist der Befestigungsausnehmungsbereich 438 gebildet. Obwohl der Befestigungsausnehmungsbereich 438 bei dieser Ausführungsform in halbkreisförmiger Form gebildet ist, kann er auch als teilweise oder vollständig ausgebildetes Rechteck, Quadrat, Rhomboid, Ellipse oder als Langloch ausgebildet sein. Wenn der Befestigungsausnehmungsbereich im Mittelteil der Mehrschichtsubstrate 437a bis 437d angeordnet ist, so daß die Form lateral symmetrisch bezüglich der Mittenlinie in der Richtung der Längsseite des Mehrschichtsubstrats ist, kann die Standardisierung der Elemente realisiert werden, so daß die vier unterschiedlichen Elemente durch vier gleiche Elemente ersetzt werden können.
- Fig. 32 stellt ein Flüssigkristallanzeigegerät gemäß der vorliegenden Erfindung dar, das die in Fig. 31 gezeigten Mehrschichtsubstrate 437a bis 437d verwendet. Die Mehrschichtsubstrate 14 und 437a bis 437d mit den an ihren Oberflächen angebrachten Halbleiterchips 4 sind an eine Tafel 16 angeschlossen. Die Tafel 16, ein durch Zusammenbau einer Rückleuchteinheit 435 und eines äußeren Verzierungsgehäuses 436 gebildetes Element sowie ein äußeres Verzierungsgehäuse 433 sind mittels einer Befestigungsschraube 434 unter Verwendung des Befestigungsausnehmungsbereichs 438 an den Mehrschichtsubstraten 431a bis 431d befestigt. Daher kann das äußere Verzierungsgehäuse des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß der vorliegenden Erfindung auch als äußeres Gehäuse eines PC (Personal Computer) o. dgl. dienen. Deshalb können die Elemente wie beispielsweise der Rahmen und der Metallrahmen u. dergl., die für das herkömmliche Flüssigkristallanzeigegerät als Einzelelemente erforderlich waren, weggelassen werden. Außerdem kann die Standardisierung der Elemente realisiert werden, indem die Befestigungsausnehmungsbereiche 438 der Mehrschichtsubstrate 437a bis 437d die gleiche Form aufweisen. Daher können die Kosten der Elemente reduziert werden. Außerdem können die Zusammenbauprozesse vereinfacht werden, und die Anzahl an Bearbeitungsprozessen kann vermindert werden, da die Anzahl an Elementen vermindert werden kann.
- Fig. 33 stellt den Querschnitt eines Abschnitts dar, in dem die Mehrschichtsubstrate 437a bis 437d des Flüssigkristallanzeigegeräts gemäß der vorliegenden Erfindung angeschlossen sind. Obwohl die Mehrschichtsubstrate 14 und 437a bis 437d und der Tafelanschluß 18 gebondet und durch ein Haftelement 19 sowie eine Formmasse 21 verstärkt sind, kann die Formmasse 21 für die Endfläche des Tafelanschlusses 18 und die Seitenflächen oder die Rückflächen der Mehrschichtsubstrate 14 und 437a bis 437d vorgesehen werden, um die Widerstandsfähigkeit (Widerstandsfähigkeit gegen Vibrationen) zu verbessern, die besteht, nachdem die vorstehenden Elemente zu dem Rahmen zusammengebaut wurden. Die Formmasse ist aus einem Material gebildet, das aus der aus Epoxidharz, Acryl, Urethan und Polyesterverbindung bestehenden Gruppe oder einer Mischung aus zwei oder mehreren von diesen in einer Lösung, einem lichthärtenden Stoff oder einer Mischung aus ihnen ausgewählt ist.
- Da die Positionsgenauigkeit zwischen dem Muster des Mehrschichtsubstrats und dem Befestigungsausnehmungsbereich auf ± 0,1 mm oder weniger gebracht werden kann, kann die Positionsgenauigkeit zwischen dem Tafelmuster und dem Befestigungsloch bei ± 0,2 mm oder weniger gehalten werden. Da das vorstehende Befestigungsloch dazu verwendet wird, die Elemente zum äußeren Verzierungsgehäuse 436 zusammenzubauen, welches das Gehäuse ist, kann die Positionsreproduzierbarkeit bezüglich der Rückleuchteinheit 435 und die des externen Verzierungsgehäuses 433 bezüglich einer Tafelanzeige aufrechterhalten und verbessert werden. Außerdem können die Elemente auf einfache Weise nachbearbeitet und wieder zusammengebaut werden, wenn die Befestigungsschraube 434 dazu verwendet wird, die Elemente zusammenzusetzen. Wenn ein Kunststoff und ein nietenartiges Element mit einem Flansch verwendet werden, kann der Zusammenbau und die Fixierung durch einfaches Drücken des nietenartigen Elements ausgeführt werden. Daher kann der Zusammenbau auf einfache Weise ausgeführt werden. Die Hintergrundbeleuchtung 435 und das äußere Verzierungsgehäuse 436 können durch ein Verfahren fixiert werden, das ein doppelbeschichtetes Band oder eine Befestigungsklaue verwendet.
- Wie oben beschrieben, ist die vorliegende Erfindung so ausgebildet, daß die Eingangs- und Ausgangsleitungen der Halbleitervorrichtung, die Busleitungen und die Anschlußstellen auf dem laminierten bzw. geschichteten Substrat gebildet sind und eine Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen angebracht und an die Elektroden der Anzeigevorrichtung angeschlossen sind. Daher kann das Treibersteuerschaltungssubstrat weggelassen werden, und die Anzahl der Leitungen für den gegenseitigen Anschluß für die Halbleitervorrichtungen kann erniedrigt werden. Außerdem kann die Zuverlässigkeit verbessert und die Größe des Geräts reduziert werden. Des weiteren können Halbleitervorrichtungsausgangssignale für entsprechende Farben bereitgestellt werden, so daß ein Effekt insofern erzielt werden kann, daß die Qualität der Anzeige verbessert werden kann.
- Obwohl die Erfindung in ihrer bevorzugten Form mit einem gewissen Grad an Details beschrieben wurde, ist klar, daß die vorliegende Offenbarung der bevorzugten Form bei Konstruktionsdetails geändert wurde, und es kann von einer Kombination und Anordnung von Teilen Gebrauch gemacht werden, ohne den Bereich der beiliegenden Ansprüche zu verlassen.
Claims (16)
1. Flüssigkristallanzeigegerät, umfassend eine Flüssigkristalltafel (16) und eine Mehrzahl
von Halbleiterchips (4) zum Treiben der Tafel, wobei die Flüssigkristalltafel ein Basissubstrat
aufweist, welches Tafelanschlüsse (18) zum Anschluß an die Halbleiterchips trägt, wobei die
Halbleiterchips auf dem Basissubstrat angebracht sind,
gekennzeichnet durch zumindest ein Mehrschichtsubstrat (14), das auf dem
Basissubstrat angebracht ist und auf dem zumindest einer der Halbleiterchips (4) angebracht ist,
wobei das Mehrschichtsubstrat eine erste Schicht (1) und eine zweite Schicht (3),
zumindest eine Zwischenschicht (2) zwischen der ersten und der zweiten Schicht,
Ausgangsanschlußkontaktflecke (13) und eine erste sowie eine zweite Gruppe von
Eingangsanschlußkontaktflecken (7; 27) aufweist,
wobei auf der Oberfläche der ersten Schicht (1), die von der zumindest einen
Zwischenschicht (2) abgewandt ist, ein Ausgangsleitungsmuster (8) und ein Eingangsleitungsmuster (5)
gebildet sind, wobei das Eingangsleitungsmuster eine erste und eine zweite Gruppe von
Eingangsleitungen umfaßt, die separat auf der Oberfläche vorgesehen sind und an
Eingangsanschlüsse des zumindest einen Halbleiterchips (4) einerseits und an die erste bzw. zweite Gruppe
von Eingangsanschlußkontaktflecken (7; 27) andererseits angeschlossen sind, und wobei das
Ausgangsleitungsmuster (8) an Ausgangsanschlüsse des zumindest einen Halbleiterchips (4)
einerseits und an die Ausgangsanschlußkontaktflecke (13) andererseits angeschlossen ist, und
wobei die zumindest eine Zwischenschicht (2) auf ihr gebildete Busleitungen (10)
aufweist, wobei jede Busleitung über Durchgangslöcher (6; 6, 25, 26; 6, 25, 30, 26) ein jeweiliges
Paar Eingangsleitungen (5) miteinander verbindet, wobei jedes Paar eine Eingangsleitung aus
jeder Gruppe umfaßt.
2. Gerät nach Anspruch 1, bei dem die Ausgangsanschlußkontaktflecke (13) auf der
Oberfläche der zweiten Schicht (3), die von der zumindest einen Zwischenschicht (2) abgewandt
ist, gebildet und über Durchgangslöcher (9, 11, 12) an das Ausgangsleitungsmuster (8)
angeschlossen sind.
3. Gerät nach Anspruch 2, bei dem eine Mehrzahl Halbleiterchips (4) auf dem zumindest
einen Mehrschichtsubstrat (14) angebracht ist.
4. Gerät nach Anspruch 2 oder 3, bei dem der Halbleiterchip (4) oder die Mehrzahl von
Halbleiterchips an das Eingangsleitungsmuster (5) und das Ausgangsleitungsmuster (8) auf der
Oberfläche des Mehrschichtsubstrats (14) face-down-gebondet oder drahtgebondet sind.
5. Gerät nach Anspruch 1, bei dem die Ausgangsanschlußkontaktflecke (13) auf der
Oberfläche der ersten Schicht (1), die der zumindest einen Zwischenschicht (2) zugewandt ist,
gebildet und über Durchgangslöcher (9, 11, 12) an das Ausgangsleitungsmuster (8)
angeschlos
sen sind, wobei die zumindest eine Zwischenschicht (2) und die zweite Schicht kleiner als die
erste Schicht (1) sind, so daß die Ausgangsanschlußkontaktflecke (13) freiliegen.
6. Gerät nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein anisotroper leitfähiger
Film (19, 31) für den elektrischen Anschluß zwischen den Ausgangsanschlußkontaktflecken (13)
und den Tafelanschlüssen (18) vorgesehen ist.
7. Gerät nach einem der vorhergehenden Ansprüche, umfassend eine Mehrzahl der
Mehrschichtsubstrate (14), die durch Drahtbonden, einen Heißsiegelanschluß oder einen
Anschluß mittels eines flexiblen Substrats aneinander angeschlossen sind.
8. Gerät nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Eingangsanschlußkontaktflecke
(27) auf derjenigen Oberfläche der zweiten Schicht (3), die von der zumindest einen
Zwischenschicht (2) abgewandt ist, vorgesehen und über Durchgangslöcher (6, 25, 26) an das
Eingangsleitungsmuster (5) angeschlossen sind.
9. Gerät nach Anspruch 8, umfassend eine Mehrzahl der Mehrschichtsubstrate (14), die
durch Leitungen (28), welche auf dem Basissubstrat vorgesehen sind, aneinander angeschlossen
sind.
10. Gerät nach Anspruch 9, bei dem die Leitungen (28) in einem Teil des die
Tafelanschlüsse (18) tragenden Basissubstrats und auf der Innenseite einer Tafelzelle angeordnet sind.
11. Gerät nach Anspruch 9 oder 10, bei dem die Verbindung zwischen den Leitungen
(28) auf dem Basissubstrat und den Eingangsanschlußkontaktflecken (27) des
Mehrschichtsubstrats und die Verbindung zwischen den Ausgangsanschlußkontaktflecken (13) des
Mehrschichtsubstrats und den Tafelanschlüssen (18) durch Gruppen-Bonden hergestellt ist.
12. Gerät nach Anspruch 11, bei dem die Verbindung durch einen anisotropen
leitfähigen Film (19, 31) hergestellt ist.
13. Gerät nach Anspruch 12, bei dem der anisotrope leitfähige Film (31) eine
Haftmittelschicht (33) und darin dispergierte leitfähige Partikel (32) umfaßt, wobei die Dicke der
Haftmittelschicht kleiner als die Partikelgröße der leitfähigen Partikel ist.
14. Gerät nach Anspruch 1, bei dem ein Vorsprung oder eine Ausnehmung in zumindest
einem Teil einer Seite des zumindest einen Mehrschichtsubstrats vorgesehen ist.
15. Gerät nach Anspruch 1, bei dem eine beliebige der mehreren Schichten des
Mehrschichtsubstrats kleiner als die anderen Schichten ist.
16. Gerät nach Anspruch 1, bei dem in dem Mehrschichtsubstrat (431a-431c; 437a-
437c) ein Befestigungsloch (432) oder ein Befestigungsausnehmungsbereich (438) gebildet ist.
Applications Claiming Priority (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23969892 | 1992-09-08 | ||
JP15732393 | 1993-06-28 | ||
JP15861193 | 1993-06-29 | ||
JP15861093 | 1993-06-29 | ||
JP15861293 | 1993-06-29 | ||
JP15861393 | 1993-06-29 | ||
JP16364893 | 1993-07-01 | ||
JP16364693 | 1993-07-01 | ||
JP16364593 | 1993-07-01 | ||
JP16364793 | 1993-07-01 | ||
JP18292493 | 1993-07-23 | ||
JP20086593 | 1993-08-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69325216D1 DE69325216D1 (de) | 1999-07-15 |
DE69325216T2 true DE69325216T2 (de) | 1999-12-09 |
Family
ID=27583467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69325216T Expired - Lifetime DE69325216T2 (de) | 1992-09-08 | 1993-09-08 | Flüssigkristallanzeigevorrichtung, Vorrichtung und Verfahren zum Montieren von Halbleiterelementen und elektronisches Druckgerät |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5737272A (de) |
EP (2) | EP0587144B1 (de) |
KR (2) | KR100370698B1 (de) |
DE (1) | DE69325216T2 (de) |
HK (1) | HK1014274A1 (de) |
Families Citing this family (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0680082B1 (de) * | 1993-11-12 | 2003-04-09 | Seiko Epson Corporation | Struktur zur montage eines halbleiters- und eines fluessigkristallanzeigeapparates |
KR100297063B1 (ko) * | 1993-12-03 | 2001-10-22 | 야마자끼 순페이 | 표시장치및그표시장치를가지는전자장치 |
JP3648741B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2005-05-18 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置,その実装構造,及び電子機器 |
JP3082129B2 (ja) * | 1995-03-27 | 2000-08-28 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 液晶表示装置 |
KR100338480B1 (ko) * | 1995-08-19 | 2003-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치및그제조방법 |
JP3640675B2 (ja) * | 1995-11-06 | 2005-04-20 | セイコーエプソン株式会社 | 通信装置 |
GB2307598B (en) * | 1995-11-24 | 2000-02-23 | Varintelligent | Combined printed circuit board and integrated circuit driver |
JP3343642B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2002-11-11 | シャープ株式会社 | テープキャリアパッケージ及び液晶表示装置 |
JP3980066B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 液晶表示装置の製造方法 |
KR100218581B1 (ko) | 1997-04-08 | 1999-09-01 | 구자홍 | 액정표시장치를 가지는 휴대용 컴퓨터 |
US7492421B1 (en) | 1997-07-03 | 2009-02-17 | Lg Display Co., Ltd. | Case for liquid crystal display |
KR100529567B1 (ko) * | 1997-08-08 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 구동집적회로및이를포함하는표시장치 |
US6190006B1 (en) | 1997-11-06 | 2001-02-20 | Seiko Epson Corporation | Ink-jet recording head |
TWI235272B (en) * | 1997-11-19 | 2005-07-01 | Toshiba Corp | Flat panel display device and manufacturing method thereof |
JP3873478B2 (ja) * | 1997-12-25 | 2007-01-24 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置、電子機器及び液晶表示装置の製造方法 |
CN1179609C (zh) * | 1998-04-09 | 2004-12-08 | 精工爱普生株式会社 | 压接连接衬底、液晶装置及电子设备 |
US6123551A (en) * | 1998-10-06 | 2000-09-26 | Northern Telecom Limited | Electronic circuit interconnection method and apparatus |
US6501641B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-12-31 | Lg. Philips Lcd Co. Ltd. | Portable computer having a flat panel display device |
KR100508003B1 (ko) | 1998-11-11 | 2005-11-21 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 휴대용컴퓨터와그평판표시장치의결합방법 |
JP3737899B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2006-01-25 | 日東電工株式会社 | 半導体素子の検査方法およびそのための異方導電性フィルム |
US7339568B2 (en) * | 1999-04-16 | 2008-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Signal transmission film and a liquid crystal display panel having the same |
KR100304261B1 (ko) * | 1999-04-16 | 2001-09-26 | 윤종용 | 테이프 캐리어 패키지, 그를 포함한 액정표시패널 어셈블리,그를 채용한 액정표시장치 및 이들의 조립 방법 |
JP3543676B2 (ja) * | 1999-06-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | マルチチップの実装構造及びその実装構造の製造方法、ならびに電気光学装置及び電子機器 |
TW507100B (en) * | 1999-06-29 | 2002-10-21 | Advanced Display Kk | Liquid crystal display device |
JP2001142090A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
SE516936C2 (sv) | 1999-12-10 | 2002-03-26 | Ericsson Telefon Ab L M | Flytande-kristalldisplay, LCD |
KR100323826B1 (ko) * | 2000-03-02 | 2002-02-19 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치 |
FR2807256B1 (fr) * | 2000-03-29 | 2002-12-06 | Sagem | Appareil electronique muni d'un clavier simplifie notamment un telephone mobile |
US6404043B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-06-11 | Dense-Pac Microsystems, Inc. | Panel stacking of BGA devices to form three-dimensional modules |
JP3892650B2 (ja) * | 2000-07-25 | 2007-03-14 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
US7019808B2 (en) * | 2000-09-21 | 2006-03-28 | Citizen Watch Co., Ltd. | Image device |
US6582980B2 (en) | 2001-01-30 | 2003-06-24 | Eastman Kodak Company | System for integrating digital control with common substrate display devices |
KR100392603B1 (ko) * | 2001-04-09 | 2003-07-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 구동 아이씨 연결부 |
US6573660B2 (en) * | 2001-04-30 | 2003-06-03 | Intel Corporation | Driving emissive displays |
KR100799375B1 (ko) * | 2001-10-10 | 2008-01-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
KR20030055856A (ko) * | 2001-12-27 | 2003-07-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 필름 타입 터치패널 일체형 액정표시장치의 제조방법 |
JP4008245B2 (ja) * | 2002-01-25 | 2007-11-14 | シャープ株式会社 | 表示装置用駆動装置 |
JP4720069B2 (ja) | 2002-04-18 | 2011-07-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2004109969A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-04-08 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置 |
JP4314084B2 (ja) * | 2002-09-17 | 2009-08-12 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JP2004184797A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Seiko Epson Corp | 電子装置及びその製造方法並びに電子機器 |
EP1437683B1 (de) * | 2002-12-27 | 2017-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Chipkarte und Buchhaltungssystem unter Verwendung der Chipkarte |
US7652359B2 (en) * | 2002-12-27 | 2010-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Article having display device |
US7200050B2 (en) * | 2003-05-26 | 2007-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory unit and semiconductor device |
US7566001B2 (en) * | 2003-08-29 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC card |
KR101041057B1 (ko) * | 2004-01-09 | 2011-06-13 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
JP2005300920A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Nec Corp | 表示装置及び液晶表示装置 |
JP4938239B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2012-05-23 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
US7438957B2 (en) * | 2005-07-18 | 2008-10-21 | Akon Polymer Systems | Poly(aryletherimides) for negative birefringent films for LCDs |
KR100723492B1 (ko) * | 2005-07-18 | 2007-06-04 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 드라이버 집적회로 장치와 필름 및 이들을포함하는 모듈 |
EP1764770A3 (de) * | 2005-09-16 | 2012-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung und Ansteuerverfahren für eine Anzeigevorrichtung |
KR100684726B1 (ko) * | 2005-09-27 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
KR100742376B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2007-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 패드부 및 그 제조 방법 |
JP2007139912A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Sharp Corp | 駆動素子実装表示装置 |
KR20070106151A (ko) * | 2006-04-28 | 2007-11-01 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR101352344B1 (ko) * | 2006-09-13 | 2014-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 신호전송 부재 및 이를 갖는 표시장치 |
KR101365176B1 (ko) * | 2007-03-02 | 2014-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR101000707B1 (ko) * | 2007-04-06 | 2010-12-10 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
JPWO2008132941A1 (ja) * | 2007-04-13 | 2010-07-22 | 昭和電工株式会社 | 発光装置、および表示装置 |
KR101385094B1 (ko) | 2007-09-11 | 2014-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 인쇄회로기판, 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조방법 |
JP5106341B2 (ja) * | 2008-10-02 | 2012-12-26 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
JP2011197515A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Seiko Epson Corp | 基板接続構造およびプロジェクター |
US9188819B2 (en) * | 2013-10-29 | 2015-11-17 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Liquid crystal display and apparatus |
TWI557469B (zh) * | 2014-03-07 | 2016-11-11 | 瑞鼎科技股份有限公司 | 顯示器之驅動裝置的封裝結構 |
CN104582263A (zh) * | 2015-01-23 | 2015-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性电路板及其组装方法、显示装置 |
KR102504107B1 (ko) * | 2015-10-27 | 2023-02-27 | 삼성전자주식회사 | 멀티미디어 인터페이스 커넥터와 이를 구비한 전자 기기 |
CN105572947A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN105741678A (zh) * | 2016-04-05 | 2016-07-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Cof结构、驱动电路及显示装置 |
US20170287380A1 (en) * | 2016-04-05 | 2017-10-05 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Cof structure, driving circuit and display device |
KR20180003365A (ko) * | 2016-06-30 | 2018-01-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 구동칩이 구비된 인쇄 회로부 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102394796B1 (ko) * | 2016-10-26 | 2022-05-06 | 주식회사 엘엑스세미콘 | 멀티칩 구조의 반도체 장치 및 그를 이용한 반도체 모듈 |
WO2018080185A1 (ko) * | 2016-10-26 | 2018-05-03 | 주식회사 실리콘웍스 | 멀티칩 구조의 반도체 장치 및 그를 이용한 반도체 모듈 |
CN106526926B (zh) * | 2016-12-20 | 2019-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 多层电路结构 |
CN107831610A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-23 | 惠科股份有限公司 | 信号传输装置及显示装置 |
TWI744575B (zh) * | 2018-05-11 | 2021-11-01 | 瑞鼎科技股份有限公司 | 應用於顯示器之驅動裝置的封裝結構 |
KR102645335B1 (ko) * | 2018-06-27 | 2024-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 모듈, 표시 장치 및 표시 모듈 제조 방법 |
US10678104B2 (en) * | 2018-09-27 | 2020-06-09 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel with flexible circuit board regions and display module |
CN110473470B (zh) * | 2019-07-10 | 2023-02-21 | 闻泰通讯股份有限公司 | 柔性屏封装连接件及电子设备 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4142287A (en) * | 1976-12-27 | 1979-03-06 | Amp Incorporated | Electrical devices such as watches and method of construction thereof |
JPS5651846A (en) * | 1979-10-04 | 1981-05-09 | Fujitsu Ltd | Ic package |
US4320438A (en) * | 1980-05-15 | 1982-03-16 | Cts Corporation | Multi-layer ceramic package |
JPS6053993A (ja) * | 1983-09-05 | 1985-03-28 | シャープ株式会社 | 表示体駆動回路 |
JPS60149079A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-06 | シャープ株式会社 | 表示体ユニツト接続装置 |
US4613855A (en) * | 1984-03-05 | 1986-09-23 | Dale Electronics, Inc. | Direct current dot matrix plasma display having integrated drivers |
JPH0827595B2 (ja) * | 1985-03-12 | 1996-03-21 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
US4758896A (en) * | 1985-12-10 | 1988-07-19 | Citizen Watch Co., Ltd. | 3-Dimensional integrated circuit for liquid crystal display TV receiver |
JPS62280889A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-05 | シャープ株式会社 | 平面形表示装置 |
JP2527766B2 (ja) * | 1986-10-09 | 1996-08-28 | 沖電気工業株式会社 | 液晶表示装置 |
US4764846A (en) * | 1987-01-05 | 1988-08-16 | Irvine Sensors Corporation | High density electronic package comprising stacked sub-modules |
JPS63210914A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Citizen Watch Co Ltd | カラ−液晶表示パネル |
DE3731787C2 (de) * | 1987-09-22 | 2000-11-16 | Aeg Ges Moderne Inf Sys Mbh | Anordnung von mehreren IC's auf einem Bandstreifen aus Isoliermaterial |
US4836651A (en) * | 1987-12-03 | 1989-06-06 | Anderson Richard A | Flexible circuit interconnection for a matrix addressed liquid crystal panel |
US5293262A (en) * | 1988-03-15 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having heat-insulating members and driving circuit boards attached to rear edges of light box |
US5029984A (en) * | 1988-03-15 | 1991-07-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
JPH0245998A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Hitachi Ltd | 薄膜多層配線基板 |
JPH02137822A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
US4907128A (en) * | 1988-12-15 | 1990-03-06 | Grumman Aerospace Corporation | Chip to multilevel circuit board bonding |
JPH02213147A (ja) * | 1989-02-13 | 1990-08-24 | Shimadzu Corp | フリップチップ法による実装構造 |
JPH02214826A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2737986B2 (ja) * | 1989-02-27 | 1998-04-08 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置 |
JP3007642B2 (ja) * | 1989-08-28 | 2000-02-07 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示装置 |
JPH03241392A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-28 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネルの実装構造 |
US5200847A (en) * | 1990-05-01 | 1993-04-06 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having driving circuit forming on a heat-resistant sub-substrate |
US4992628A (en) * | 1990-05-07 | 1991-02-12 | Kyocera America, Inc. | Ceramic-glass integrated circuit package with ground plane |
JPH04115227A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH04115228A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
US5166774A (en) * | 1990-10-05 | 1992-11-24 | Motorola, Inc. | Selectively releasing conductive runner and substrate assembly having non-planar areas |
JP2920843B2 (ja) * | 1991-03-13 | 1999-07-19 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
US5138430A (en) * | 1991-06-06 | 1992-08-11 | International Business Machines Corporation | High performance versatile thermally enhanced IC chip mounting |
US5289824A (en) * | 1991-12-26 | 1994-03-01 | Instromedix, Inc. | Wrist-worn ECG monitor |
TW232065B (de) * | 1992-04-16 | 1994-10-11 | Sharp Kk | |
JPH0629677A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Fujitsu Ltd | スイッチ基板ユニット |
US5751556A (en) * | 1996-03-29 | 1998-05-12 | Intel Corporation | Method and apparatus for reducing warpage of an assembly substrate |
-
1993
- 1993-09-08 EP EP93114425A patent/EP0587144B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-08 US US08/117,899 patent/US5737272A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-08 KR KR1019930017982A patent/KR100370698B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-09-08 DE DE69325216T patent/DE69325216T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-08 EP EP98110823A patent/EP0867942B1/de not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-06-27 US US08/884,476 patent/US5986342A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-27 US US08/884,477 patent/US6128063A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-12-24 HK HK98115541A patent/HK1014274A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-07-30 KR KR1020010045864A patent/KR100392154B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0867942B1 (de) | 2002-04-24 |
EP0587144A3 (en) | 1994-06-08 |
US5737272A (en) | 1998-04-07 |
EP0587144B1 (de) | 1999-06-09 |
KR940007578A (ko) | 1994-04-27 |
EP0867942A2 (de) | 1998-09-30 |
EP0587144A2 (de) | 1994-03-16 |
HK1014274A1 (en) | 1999-09-24 |
US6128063A (en) | 2000-10-03 |
US5986342A (en) | 1999-11-16 |
EP0867942A3 (de) | 1998-12-16 |
KR100392154B1 (ko) | 2003-07-22 |
KR100370698B1 (ko) | 2003-03-31 |
DE69325216D1 (de) | 1999-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69325216T2 (de) | Flüssigkristallanzeigevorrichtung, Vorrichtung und Verfahren zum Montieren von Halbleiterelementen und elektronisches Druckgerät | |
DE69431265T2 (de) | Zusammenbaustruktur einer Flachtyp-Anordnung | |
DE69938582T2 (de) | Halbleiterbauelement, seine herstellung, leiterplatte und elektronischer apparat | |
DE3587443T2 (de) | Flüssigkristall-Anzeigebaustein. | |
DE19734794B4 (de) | Leiterrahmen mit einer Vielzahl von Verdrahtungsteilen zur Verwendung bei einerHalbleitervorrichtung | |
DE69207520T2 (de) | Elektrische Leiterplattenbaugruppe und Herstellungsverfahren für eine elektrische Leiterplattenbaugruppe | |
DE19518753B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE3300693A1 (de) | Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE2532421A1 (de) | Optische anzeige | |
DE2554965A1 (de) | Elektrische kompaktschaltungsanordnung | |
DE3511722A1 (de) | Elektromechanische baugruppe fuer integrierte schaltkreismatrizen | |
DE4301915A1 (de) | Mehrfachchip-Halbleitervorrichtung | |
DE69020009T2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Verbindungselektroden. | |
DE10043127A1 (de) | Infrarot-Daten-Kommunikationsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2548122A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines einheitlichen bauelementes aus einem halbleiterplaettchen und einem substrat | |
DE19739494C2 (de) | Piezoelektrisches Element und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE4435914C2 (de) | Piezoelektrischer Antrieb für einen Tintenstrahlaufzeichnungskopf und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE69625127T2 (de) | Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauteils auf einem Leitersubstrat und elektronische Vorrichtung unter Verwendung dieses Montierungsverfahrens | |
DE112013001486T5 (de) | Chipwiderstand zur einbettung in eine leiterplatte und verfahren zu dessen herstellung | |
DE19739495C2 (de) | Piezoelektrisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE3027911A1 (de) | Punktschreibkopf fuer praezisionsdrucker und verfahren zur herstellung desselben | |
DE69127351T2 (de) | Elektrische Schaltung | |
DE2306288A1 (de) | Traeger fuer integrierte schaltungen | |
DE3851223T2 (de) | Monolithische Flachtafel-Anzeigevorrichtung. | |
DE9109295U1 (de) | Elektronische Schaltungsanordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |