DE69313583T2 - Methode zur Herstellung eines integrierten kapazitiven Transduktors - Google Patents

Methode zur Herstellung eines integrierten kapazitiven Transduktors

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Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von integrierten kapazitiven Wandlern, und genauer ein Verfahren zum Herstellen solcher Wandler ausgehend von insbesondere zwei Substraten aus Halbleitermaterial durch eine Mikrobearbeitungs- und Fügungstechnik dieser Materialien. Solche Wandler sind insbesondere dazu bestimmt, als Mikrophone verwendet zu werden.
  • Unter den allgemein verwendeten Wandlern oder Mikrophonen findet man vorallem Wandler der kapazitiven, piezoelektrischen oder elektrodynamischen Bauart. Von diesen unterscheiden sich die Wandler kapazitiver Bauart durch ihre gute Sensibilität, ihr grosses Frequenzband, ihre grosse Stabilität und ihren geringen Verbrauch, und sie werden im allgemeinen wegen diesen Qualitäten in Hörgeräten verwendet.
  • Diese kapazitiven Wandler umfassen herkömmlicherweise ein Diaphragma, auch Membran genannt, das empfindlich auf einen Schalldruck ist, und eine starre Auflageplatte. Das Diaphragma erstreckt sich gegenüber der Auflageplatte und ist durch einen offenen Raum von geringer Dicke von derselben getrennt. Diese beiden Elemente bilden somit je eine der beiden Elektroden eines Kondensators. Wenn sich das Diaphragma in Reaktion auf einen Schalldruck verschiebt, ändert sich die Kapazität des Kondensators und diese Veränderung wird durch einen Vorverstärker erfasst, dessen Eingänge jeweils mit diesem Diaphragma bzw. mit der starren Auflageplatte verbunden sind.
  • Es existiert eine Vielfalt von Konstruktionen dieser herkömmlicher Wandler, und sie können aus zahlreichen Materialien hergestellt werden, mit einer Vorliebe für einen metallisierten oder metallischen Film als Material für das Diaphragma und für Silizium als Material für die Auflageplatte.
  • Ein solcher Wandler und sein Herstellungsverfahren werden in der mit "Development of an electret microphone in silicon" betitelten Fublikation von A. J. Sprenkels und al., in der Revue Sensors and Actuators, 17 (1989) auf den Seiten 509-512, beschrieben.
  • Gemäss diesem bekannten Verfahren versieht man sich mit einem Substrat aus Silizium, das man oxydiert, um eine SiO&sub2;- Schicht auf seiner oberen und unteren Seite zu bilden. Die obere SiO&sub2;-Schicht wird dann geätzt, um Hohlräume in der Oberfläche des Substrats zu bilden. Das Substrat wird dann erneut oxydiert, wonach die untere SiO&sub2;-Schicht geätzt wird, um einerseits Luftkanäle, von denen jeder in einen der auf der oberen Oberfläche eingearbeiteten Hohlräume münden, und andererseits Durchgänge, die zur Befestigung des Diaphragmas bestimmt sind und an der Peripherie der in die obere Oberfläche eingearbeiteten Hohlräume einmünden, zu bilden. Das Substrat wird erneut oxydiert und das Diaphragma, welches von einer Mylar -Folie (PETP) gebildet ist, wird auf der oberen Oberfläche des Substrats derart angeordnet, dass es die Hohlräume und Durchgänge überdeckt, und es wird mit Hilfe eines in den Befestigungsdurchgängen pulverisierten Polymers am Substrat fixiert. Die obere Elektrode wird dann durch Verdampfung auf die das Diaphragma bildende Folie aufgebracht, während die untere Elektrode vom Silizium des Substrats gebildet wird.
  • Die Herstellung dieser Wandler gemäss diesem Verfahren weist jedoch gewisse Nachteile auf.
  • Die erheblichen Unterschiede in der Beschaffenheit der verschiedenen verwendeten Materialien (Mylar , Silizium, Polymer) führt nämlich zu Inkompatibilitätsproblemen mit den Mikrobearbeitungstechnologien der Halbleitermaterialien, welche für die Herstellung dieser Wandler verwendet werden. Ferner ist es gemäss diesem Verfahren unmöglich, reproduzierbare Merkmale zwischen Wandlerserien, die von verschiedenen Siliziumplättchen herrühren, zu erhalten. Dieses Verfahren ermöglicht es auch nicht, den im Diaphragma vorhandenen mechanischen inneren Spannungen Herr zu werden, und folglich lässt es keine zuverlässige Kontrolle der Sensibilität des Wandlers zu.
  • Die Erfindung hat also zum Hauptziel, die Nachteile des oben erwähnten Standes der Technik zu beheben, indem sie ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von integrierten kapazitiven Wandlern vorschlägt, das ermöglicht, diese Wandler mit zuverlässigen und reproduzierbaren Merkmalen bereitzustellen, indem auch nur Materialien verwendet werden, die mit den Mikrobearbeitungstechnologien der Halbleitermaterialien kompatibel sind.
  • Zu diesem Zweck ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von integrierten kapazitiven Wandlern, von denen jeder eine bewegliche Elektrode und eine feste Elektrode umfasst, welches Verfahren die folgenden Schritte umfasst:
  • - Bereitstellen eines ersten Substrats aus einem Halbleitermaterial,
  • - Bereitstellen eines zweiten Substrats aus einem Halbleitermaterial,
  • - Bildung einer Verbindungsschicht aus einem isolierenden Material auf mindestens einer ersten Seite des ersten Substrats und/oder auf einer ersten Seite des zweiten Substrats,
  • - Fügen des ersten und zweiten Substrats durch Verschweissen mit Hilfe der Verbindungsschicht oder der Verbindungsschichten derart, dass entweder die ersten Seiten einander gegenüber liegen oder die erste Seite des ersten oder zweiten Substrats gegenüber dem anderen ersten bzw. zweiten Substrat liegen,
  • - Verdünnen des zweiten Substrats und, für jeden der Wandler,
  • - Strukturieren des zweiten Substrats durch selektiven Angriff zur Bildung eines Netzes von Öffnungen, das die gesamte Dicke des zweiten Substrats durchsetzt und zum Definieren der Kontur der festen Elektrode,
  • - selektiver anisotroper Angriff des ersten Substrats zur Bildung eines Diaphragmas, das sich im wesentlichen gegenüber dem Netz der Öffnungen erstreckt,
  • - Eliminieren der Partie der Verbindungsschicht, die sich zwischen dem Diaphragma und der Partie des zweiten Substrats, das das Netz von Öffnungen umfasst, zur Bildung eines offenen Raums zwischen dem Diaphragma und dem zweiten Substrat, und
  • - Realisieren des elektrischen Kontakts mit jedem der ersten und zweiten Substrate, wobei das zweite Substrat und das Diaphragma jeweils die feste Elektrode bzw. die bewegliche Elektrode bilden.
  • Die ausschliessliche Verwendung von herkömmlichen Mikrobearbeitungstechniken von Halbleitermaterialien im Verfahren der Erfindung ermöglicht eine maximale Miniaturisierung der Wandler und beschränkt das Verfahren auf eine Abfolge von sehr einfachen Schritten, wobei eine gute Kontrolle der geometrischen und elektrischen Parameter der Wandler sichergestellt ist.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Herstellungsverfahrens gemäss der Erfindung, welches rein als Illustration und nicht als Beschränkung zu verstehen ist, wobei diese Beschreibung in Verbindung mit der Zeichnung gemacht ist, in der:
  • - die Figuren 1 bis 5 Schnittansichten gemäss der Linie IV-IV der Figur 6 eines integrierten kapazitiven Wandlers sind, der bei verschiedenen Schritten des Herstellungs-verfahrens der Erfindung dargestellt ist; und
  • - Figur 6 eine teilweise abgerissene Draufsicht eines gemäss dem Verfahren der Erfindung erhaltenen Wandlers ist.
  • Obwohl das Verfahren der Erfindung die gleichzeitige Ausführung einer Mehrzahl von Wandlern auf einem gleichen Substrat ermöglicht, beruhen die Beschreibung und die Zeichnung zur Vereinfachung nur auf einem Wandler.
  • Zuerst ist festzuhalten, dass sich das Herstellungsverfahren gemäss der Erfindung wegen den geringen Abmessungen der Wandler und aus gut verständlichen praktischen Gründen auf die gleichzeitige Herstellung einer grossen Anzahl von Wandlern, von denen jeder eine feste Elektrode und eine bewegliche Elektrode umfasst, die durch einen offenen Raum von geringer Dicke getrennt sind, anwenden lässt, und zwar ausgehend von zwei ergänzenden Plättchen, welche ein erstes Substrat 10 und ein zweites Substrat 12 definieren, wie dies in Figur 1 dargestellt ist.
  • Ferner ist wichtig festzuhalten, dass die Werte der verschiedenen Parameter, wie der Temperaturen, der Zeiten, der verwendeten Reagenzien, usw., die nachstehend erwähnt werden, keineswegs beschränkend sind und im wesentlichen von den verwendeten Materialien und Apparaturen abhängen. Diese Werte können mühelos vom Fachmann bestimmt werden.
  • Die das erste und das zweite Substrat 10, 12 definierenden Plättchen (nicht dargestellt), von welchen ausgehend der integrierte kapazitive Wandler hergestellt wird, sind aus einem Halbleitermaterial hergestellt, wie zum Beispiel aus monokristallinem Silizium, welches einen geringst möglichen spezifischen Leitungswiderstand und vorzugsweise eine Orientation (100) aufweist.
  • Auf Figur 1 hat man nach der Bildung einer Verbindungsschicht 16 aus einem isolierenden Material auf einer ersten 14 seiner Seiten das erste Substrat 10 dargestellt.
  • In diesem Fall ist die Verbindungsschicht 16 aus Siliziumoxid (SiO&sub2;) hergestellt.
  • Im beschriebenen Beispiel ist die Schicht 16 durch thermische Oxydation des ersten Substrats 10 in einem Ofen bei etwa 1100ºC und in einer oxydierenden Atmosphäre während einigen Stunden gebildet worden. Um beispielsweise eine Schicht 16 mit einer Dicke von 3µm zu erhalten, lässt man dieses erste Substrat 10 während etwa 15 Stunden im Ofen.
  • Man bemerkt, dass die zweite Seite 18 des ersten Substrats 10 während diesem Schritt der Bildung der Schicht 16 willentlich nicht geschützt worden ist, so dass eine Schicht 20 von gleicher Dicke und Beschaffenheit wie die Schicht 16 ebenfalls auf dieser zweiten Seite 18 gebildet worden ist. Diese Schicht 20 dient als Schutzschicht für die späteren Schritte des Verfahrens, wie dies klar aus der nachfolgenden Beschreibung hervorgeht.
  • Selbstverständlich kann gemäss einer Variante die Bildung dieser Schichten 16 und 20 aus SiO&sub2; durch chemischen oder physikalischen Dampfphasen-Niederschlag (CVD oder PVD) ausgeführt werden.
  • Indem nun die Schichten 16 und 20 jeweils auf der ersten Seite 14 und auf der zweiten Seite 18 des ersten Substrats 10 gebildet sind, besteht der folgende Schritt daraus, das zweite Substrat 12 nach geeigneter Zubereitung des ersten und zweiten Substrats 10, 12 hinsichtlich ihrer späteren Fügung derart anzubringen, dass eine erste seiner Seiten 22 gegenüber der Schicht 16 liegt.
  • Die Zubereitung der Oberfläche der Schicht 16 und der Seite 22 besteht beispielsweise in einer Reinigung dieser Oberflächen, wie diejenige, welche in der Publikation mit dem Titel "RCA Review" Nr. 31 Seite 187, 1970, beschrieben wird.
  • Indem nun die beiden Substrate 10, 12 zubereitet sind, schreitet man zur Fügung dieser letzteren durch Autogen- Schweissen. Dazu führt man diese beiden Substrate 10 und 12 in einen Ofen ein, der auf eine Temperatur von etwa 1000ºC vorgeheizt ist und eine Stickstoff-, Sauerstoff- oder Feuchtsauerstoffatmosphäre enthält.
  • Es ist festzuhalten, dass man gemäss einer Ausführungsvariante auch auf der ersten Seite 22 des zweiten Substrats 12 eine zweite Verbindungsschicht von gleicher Beschaffenheit und auf dieselbe Art und Weise wie die Verbindungsschicht 20 bilden kann, oder auch nur eine Verbindungsschicht auf der ersten Seite 22 des zweiten Substrats 12, um das oben beschriebene Zusammenfügen durch Schweissen auszuführen.
  • Im folgenden in der Figur 2 illustrierten Schritt schreitet man zum Verdünnen des zweiten Substrats 12, d.h., dass die zweite Seite 23 dieses zweiten Substrats 12, die exponiert ist, angegriffen wird, bis dieses zweite Substrat 12 eine bestimmte Dicke erreicht.
  • Dazu legt man im beschriebenen Beispiel die beiden durch die Verbindungsschicht 16 gefügten Substrate 10 und 12 in eine Lösung eines Ätzmittels mit einer vorbestimmten Konzentration, bei einer vorbestimmten Temperatur und während einer vorbestimmten Zeit ab, um die gewünschte Dicke zu erhalten.
  • Um einen Angriff des ersten Substrats 10 während diesem Verdünnungsschritt des zweiten Substrats 12 zu vermeiden, verwendet man vorzugsweise ein selektives Ätzmittel, das die Schicht 20 nicht angreift, beispielsweise im vorliegenden Fall eine KOH (Kaliumhydroxid) - Lösung.
  • Figur 3 illustriert den Schritt des Strukturierens des zweiten verdünnten Substrats 12 zum Definieren der Kontur der festen Elektrode des Wandlers und zum Bilden eines Netzes von Öffnungen 24, das die gesamte Dicke dieser festen Elektrode durchsetzt. Wie dies aus Figur 6 ersichtlich ist, weist die während diesem Schritt des Strukturierens des zweiten Substrats 12 definierte feste Elektrode die Form einer Platte auf, die starr am ersten Substrat 10 mittels vier Arme 26 aufgehängt ist.
  • Dazu bringt man beispielsweise auf der exponierten Seite des zweiten Substrats 12 mittels eines Schleuderapparates eine erste Photoresistschicht (nicht dargestellt) auf, dann belichtet man diese Photoresistschicht durch eine Maske hindurch (ebenfalls nicht dargestellt), entfernt auf herkömmliche Art und Weise, beispielsweise auf feuchtem Wege, die belichteten Partien der Photoresistschicht und ätzt anisotropisch mit Hilfe eines ersten Ätzmittels die freigelegten Partien des zweiten Substrats 12, um die Öffnungen 24 zu bilden. Mit Hilfe eines zweiten Ätzmittels ätzt man dann die Partien der Verbindungsschicht 16, die sich unten an diesen Öffnungen 24 befinden, und entfernt darauf die verbleibenden Partien der Photoresistschicht.
  • Der Ätzvorgang des zweiten Substrats 12 wird beispielsweise mittels eines Chlorplasmas ausgeführt, während der Ätzvorgang der Verbindungsschicht 16 beispielsweise mit Hilfe einer Fluorwasserstoff(HF) - Lösung ausgeführt wird. Die Entfernung der verbleibenden Partien der Photoresistschicht wird auf herkömmliche Art und Weise, zum Beispiel auffeuchtem Wege, in einem geeigneten Lösungsmittel oder auch mittels eines Plasmas in einer Sauerstoff O&sub2; - Atmosphäre, ausgeführt.
  • Figur 4 illustriert den Schritt des Angriffs des ersten Substrats 10 zur Bildung eines Diaphragmas 28, das sich merklich gegenüber dem Netz der Öffnungen 24 erstreckt. Dieser Schritt ist identisch mit dem Schritt, der in Verbindung mit Figur 3 beschrieben ist, mit dem Unterschied, dass eine andere Maske verwendet wird und dass die Reihenfolge des ersten und des zweiten Ätzmittels, die für den Angriff des zweiten Substrats 12 verwendet werden, umgekehrt ist, weil es nötig ist, zuerst die Schutzschicht 20 zu entfernen und dann anisotropisch die so freigelegte Partie des ersten Substrats 10 zu ätzen, wobei die Schutzschicht 20 und das erste Substrat 10 jeweils aus SiO&sub2; bzw. aus Silizium hergestellt sind.
  • Es sollte dennoch präzisiert werden, dass während diesem Angriff das zweite Substrat 12, sowie die Verbindungsschicht 16 beispielsweise mechanisch vor jeglichem Kontakt mit dem zweiten Ätzmittel geschützt sind.
  • Die folgenden in Figur 5 illustrierten Schritte bestehen daraus, dass das Diaphragma 28 durch Entfernen der Partie der Verbindungsschicht 16, welche sich zwischen diesem Diaphragma 28 und der das Netz der Öffnungen 24 umfassenden Partie des zweiten Substrats 12 befindet, freigelegt wird, und dass elektrische Kontaktklötze 30, 32 mit dem ersten Substrat 10 bzw. mit dem zweiten Substrat 12 hergestellt werden.
  • Durch Entfernen dieser Partie der Verbindungsschicht 16 bildet man einen offenen Raum zwischen dem Diaphragma 28 und dem zweiten Substrat 12. Die Entfernung dieser Partie der Verbindungsschicht 16 wird beispielsweise durch chemischen Angriff mit Hilfe einer Fluorwasserstoff (HF) - Lösung ausgeführt.
  • Diesbezüglich ist festzuhalten, dass der durchschnittliche Abstand zwischen den Öffnungen 24 sehr gering ist, so dass der Angriff der Verbindungsschicht 16 in der Zone dieser Öffnungen 24 genügend schnell ist, um nicht die Befestigungen der Aufhängungsarme 26 abzuschwächen, die sich an der Peripherie des Wandlers zwischen dem ersten Substrat 10 und dem zweiten Substrat 12 erstrecken und die von den verbleibenden Partien der Verbindungsschicht 16 gebildet sind.
  • Die Kontaktklötze 30, 32 sind durch Vakuumverdampfung eines Metalls, wie zum Beispiel Aluminium, durch eine Maske hindurch (nicht dargestellt) hergestellt. Selbstverständlich können diese Kontaktklötze 30, 32 ebenfalls durch Kathodenpulverisierung hergestellt werden.
  • Der so gebildete kapazitive Wandler, dessen bewegliche Elektrode und feste Elektrode jeweils vom Diaphragma 28 bzw. vom Substrat 12 gebildet sind, wird dann von den anderen gleichzeitig hergestellten Wandlern getrennt und in einem zu diesem Zweck vorgesehenen nicht dargestelltem Gehäuse eingekapselt.
  • Es ist festzuhalten, dass die Zeichnungen nicht die exakten jeweiligen Abmessungen der verschiedenen Elemente in Bezug zueinander darstellen, wobei diese Abmessungen ferner klarheitshalber stark übertrieben sind. Zur Klarheit soll gesagt sein, dass ein gemäss dem Verfahren der Erfindung erhaltener Wandler allgemeine Abmessungen von 2,3 x 2,3 x 1,0 mm³ aufweist, wobei die Oberfläche des Diaphragmas etwa 2,0 x 2,0 mm², die Dicke des Diaphragmas etwa 3,5 X 10&supmin;&sup6; m, die Dicke der festen Elektrode etwa 10 x 10&supmin;&sup6; m und die Dicke des mit Luft besetzten offenen Raums zwischen dem Diaphragma und der festen Elektrode etwa 3 x 10&supmin;&sup6; m beträgt. Was die in die feste Elektrode gebohrten Öffnungen anbelangt, so haben sie einen Durchmesser von etwa 15 x 10&supmin;&sup6; m, und pro mm² hat es etwa 400 davon.

Claims (11)

1. Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von integrierten kapazitiven Wandlern, von denen jeder eine bewegliche Elektrode und eine feste Elektrode umfaßt, welches Verfahren die folgenden Schritte umfaßt :
- Bereitstellen eines ersten Substrats (10) aus einem Halbleitermaterial,
- Bereitstellen eines zweiten Substrats (12) aus einem Halbleitermaterial,
- Bildung einer Verbindungsschicht (16) aus einem isolierenden Material auf mindestens einer ersten Seite (14) des ersten Substrats (10) und/oder auf einer ersten Seite (22) des zweiten Substrats (12),
- Fügen des ersten (10) und zweiten Substrats (12) durch Verschweißen mit Hilfe der Verbindungsschicht (16) oder der Verbindungsschichten derart, daß entweder die ersten Seiten (14, 22) einander gegenüber liegen oder die erste Seite (14, 22) des ersten (10) oder zweiten Substrats (12.) gegenüber dem anderen ersten bzw. zweiten Substrat liegen,
- Verdünnen des zweiten Substrats (12) und, für jeden der Wandler,
- Strukturieren des zweiten Substrats (12) durch selektiven Angriff zur Bildung eines Netzes von Öffnungen (24), das die gesamte Dicke des zweiten Substrats (12) durchsetzt und zum Definieren der Kontur der festen Elektrode,
- selektiver anisotroper Angriff des ersten Substrats (10) zur Bildung eines Diaphragmas (28), das sich im wesentlichen gegenüber dem Netz von öffnungen (24) erstreckt,
- Eliminieren der Partie der Verbindungsschicht (16)1 die sich zwischen dem Diaphragma (28) und der Partie des zweiten Substrats (12), das das Netz von Öffnungen (24) umfaßt, zur Bildung eines offenen Raums zwischen den Diaphragma (28) und dem zweiten Substrat (12), und
- Realisieren des elektrischen Kontakts (30, 32) mit jedem der ersten (10) und zweiten (12) Substrate, wobei das zweite Substrat (12) und das Diaphragma (28) jeweils die feste Elektrode bzw. die bewegliche Elektrode bilden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungsschicht (16) auf der ersten Seite (14) des ersten Substrats (10) gebildet wird und daß vor dem Zusammenfügen durch Schweißen der beiden Substrate (10, 12) eine zweite Verbindungsschicht aus einem isolierenden Material auf der ersten Seite (22) des zweiten Substrats (12) gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Verdünnens einen gleichförmigen Angriff auf die exponierte Oberfläche (23) des zweiten Substrats (12) bis zu einer vorbestimmten Dicke umfaßt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner einen Schritt der Bildung einer Schutzschicht (20) der zweiten Seite (18) des ersten Substrats (10) umfaßt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Strukturierung des zweiten Substrats (12) die folgenden aufeinanderfolgenden Schritte umfaßt :
- Aufbringen einer Photoresistschicht auf die Oberfläche der exponierten Seite des zweiten Substrats (12),
- Belichten der Photoresistschicht durch eine Maske hindurch,
- Entwickeln der belichteten Partie der Photoresistschicht zum Freilegen von lokalisierten Zonen der exponierten Seite des zweiten Substrats (12),
- Ätzen der freigelegten lokalisierten Zonen des zweiten Substrats (12) zur Bildung des Netzes von Öffnungen (24) , und
- Entfernen der verbleibenden Partien der Photoresistschicht.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des selektiven anisotropen Angriffs des ersten Substrats (10) die folgenden aufeinanderfolgenden Schritte umfaßt
- Aufbringen einer Schicht aus Photoresist auf die Schutzschicht (20) der zweiten Seite (18) des ersten Substrats (10),
- Belichtung der Photoresistschicht durch eine Maske,
- Entwickeln der belichteten Partie der Photoresistschicht zum Freilegen einer Partie der Schutzschicht (20), die sich im wesentlichen gegenüber dem Netz von Öffnungen (24) befindet,
- Eliminieren durch Ätzen der freigelegten Partie der Schutzschicht (20) zum Freilegen einer Partie der zweiten Seite (18) des ersten Substrats (10),
- Ätzen der freigelegten Partie der zweiten Seite (18) des ersten Substrats (10) zur Bildung des Diaphragmas (28), und
- Entfernen der verbleibenden Partien der Photoresistschicht.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß während den Schritten des Entfernens der freigelegten Partie der Schutz schicht (20) und des Ätzens des ersten Substrats (10) das zweite Substrat (12) gegen jeglichen Kontakt mit Ätzmitteln geschützt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Substrat (12) mechanisch geschützt wird.
9. Verfahren nach einen der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Eliminierens der Verbindungsschicht (16) auffeuchtem Wege ausgeführt wird.
10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte der Bildung der Verbindungsschichten (16) und der Bildung der Schutzschicht (20) darin bestehen, thermisch ein Oxyd des Halbleitermaterials des ersten (10) bzw. des zweiten Substrats (12) aufwachsen zu lassen.
11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Bildung von Kontakten (30, 32) eine Metallisierung durch Vakuumverdampfung umfaßt.
DE69313583T 1992-11-05 1993-11-02 Methode zur Herstellung eines integrierten kapazitiven Transduktors Expired - Lifetime DE69313583T2 (de)

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