JPH06217396A - 集積化された容量性トランスデューサの製造方法 - Google Patents
集積化された容量性トランスデューサの製造方法Info
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- JPH06217396A JPH06217396A JP5276498A JP27649893A JPH06217396A JP H06217396 A JPH06217396 A JP H06217396A JP 5276498 A JP5276498 A JP 5276498A JP 27649893 A JP27649893 A JP 27649893A JP H06217396 A JPH06217396 A JP H06217396A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高信頼性及び再生可能性を具える、マイクロ
ホン等のような複数個の集積化された容量性トランスデ
ューサの製造方法を提供する。 【構成】 連結層16を介する第1基材10及び第2基
材12の溶着により組み立てること、各トランスデュー
サの第2基材12を薄化すること、トランスデューサの
固定電極の外形を画成し且つオリフィス24のネットワ
ークを形成するために第2の薄化された基材12を構築
すること、トランスデューサのダイヤフラム28を形成
するために第1基材10をエッチングすること、固定電
極からこのダイヤフラム28を分離するためにオリフィ
ス24のネットワーク及びダイヤフラム28の間に位置
する連結層16の部分を除去すること、を有して成る。
ホン等のような複数個の集積化された容量性トランスデ
ューサの製造方法を提供する。 【構成】 連結層16を介する第1基材10及び第2基
材12の溶着により組み立てること、各トランスデュー
サの第2基材12を薄化すること、トランスデューサの
固定電極の外形を画成し且つオリフィス24のネットワ
ークを形成するために第2の薄化された基材12を構築
すること、トランスデューサのダイヤフラム28を形成
するために第1基材10をエッチングすること、固定電
極からこのダイヤフラム28を分離するためにオリフィ
ス24のネットワーク及びダイヤフラム28の間に位置
する連結層16の部分を除去すること、を有して成る。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複数個の集積化された
容量性トランスデューサ(capacitive transducers) の
製造方法に関し、特に、微細機械加工 (マイクロ・マシ
ニング)の技術による2つの半導体材料基材に基づく該
トランスデューサの製造方法及び該トランスデューサの
組立体に関する。このタイプのトランスデューサは、特
にマイクロホンとして用いられることが予定される。
容量性トランスデューサ(capacitive transducers) の
製造方法に関し、特に、微細機械加工 (マイクロ・マシ
ニング)の技術による2つの半導体材料基材に基づく該
トランスデューサの製造方法及び該トランスデューサの
組立体に関する。このタイプのトランスデューサは、特
にマイクロホンとして用いられることが予定される。
【0002】
【従来の技術】一般的に用いられるトランスデューサ又
はマイクロホンの殆どは、容量性の圧電(piezo-electr
ical) 又は電気力学のタイプから成る。それらの内で容
量性のトランスデューサは、その良好な感度、その大き
な帯域幅、その良好な安定性、その低消耗性によって区
別され、その品質のために聴取の助けに通常用いられ
る。
はマイクロホンの殆どは、容量性の圧電(piezo-electr
ical) 又は電気力学のタイプから成る。それらの内で容
量性のトランスデューサは、その良好な感度、その大き
な帯域幅、その良好な安定性、その低消耗性によって区
別され、その品質のために聴取の助けに通常用いられ
る。
【0003】これらの容量性トランスデューサは、音響
学的圧力に反応するダイヤフラム(diaphragm)又は膜
(membrane) と、剛性サポートプレート、とを慣習的に
有して成る。ダイヤフラムは、サポートプレートに対向
するように配設され、且つ僅かな寸法の空間だけそこか
ら離される。これらの2つの要素の各々は、コンデンサ
の2つの電極の一方を形成する。ダイヤフラムが音響学
的圧力に応じて移動する際に、コンデンサの容量は、変
化し、この変化は、プリアンプ(preamplifier)によっ
て検出され、その入力は、このダイヤフラム及び剛性サ
ポートプレートにそれぞれ連結される。
学的圧力に反応するダイヤフラム(diaphragm)又は膜
(membrane) と、剛性サポートプレート、とを慣習的に
有して成る。ダイヤフラムは、サポートプレートに対向
するように配設され、且つ僅かな寸法の空間だけそこか
ら離される。これらの2つの要素の各々は、コンデンサ
の2つの電極の一方を形成する。ダイヤフラムが音響学
的圧力に応じて移動する際に、コンデンサの容量は、変
化し、この変化は、プリアンプ(preamplifier)によっ
て検出され、その入力は、このダイヤフラム及び剛性サ
ポートプレートにそれぞれ連結される。
【0004】これらの伝統的なトランスデューサの多様
な構造が存在し、それらは、多数の材料、好ましくは、
ダイヤフラムを構成する材料としての金属化又は金属の
フィルム、及びサポートプレートを構成する材料として
のシリコーンで製造され得る。このタイプのトランスデ
ューサ及びその製造方法は、雑誌センサ及びアクチュエ
ータ、17(1989)、509〜512頁における、
A,J.Sprenkels らによる、『シリコーンに関するエレク
トレット・マイクロホンの発展』というタイトルの刊行
物に開示されている。
な構造が存在し、それらは、多数の材料、好ましくは、
ダイヤフラムを構成する材料としての金属化又は金属の
フィルム、及びサポートプレートを構成する材料として
のシリコーンで製造され得る。このタイプのトランスデ
ューサ及びその製造方法は、雑誌センサ及びアクチュエ
ータ、17(1989)、509〜512頁における、
A,J.Sprenkels らによる、『シリコーンに関するエレク
トレット・マイクロホンの発展』というタイトルの刊行
物に開示されている。
【0005】この公知の方法によると、シリコーン基材
は、その上下面にSiO2 の層を形成するために酸化さ
れて用いられる。次いで、上側のSiO2 の面は、基材
の面にキャビティを形成するためにエッチングされる。
次いで、基材は、再度酸化され、その後、SiO2 の下
層は、一方において、上層に設けられたキャビティの1
つにその各々が開口する空気管(air conduits) を形成
するために、他方において、上面に設けられたキャビテ
ィの外周の開口部及びダイヤフラムに固着されるべき通
路を形成するために、エッチングされる。
は、その上下面にSiO2 の層を形成するために酸化さ
れて用いられる。次いで、上側のSiO2 の面は、基材
の面にキャビティを形成するためにエッチングされる。
次いで、基材は、再度酸化され、その後、SiO2 の下
層は、一方において、上層に設けられたキャビティの1
つにその各々が開口する空気管(air conduits) を形成
するために、他方において、上面に設けられたキャビテ
ィの外周の開口部及びダイヤフラムに固着されるべき通
路を形成するために、エッチングされる。
【0006】基材は、再度エッチングされ、登録商標マ
イラー(PETP)のシートから成るダイヤフラムは、
基材の上面に配置され、これにより、それは、キャビテ
ィ及び通路を被い、且つ定着通路で粉砕されるポリマー
を用いる基材に固着される。次いで、上側の電極は、ダ
イヤフラムを構成するシートに蒸着により堆積される。
イラー(PETP)のシートから成るダイヤフラムは、
基材の上面に配置され、これにより、それは、キャビテ
ィ及び通路を被い、且つ定着通路で粉砕されるポリマー
を用いる基材に固着される。次いで、上側の電極は、ダ
イヤフラムを構成するシートに蒸着により堆積される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法によるトランスデューサの製造は、多数の不都合を呈
する。使用される様々の材料(マイラー(登録商標)、
シリコーン、ポリマー)の特性における実質的な差異
は、そのようなトランスデューサの製造において用いら
れる半導体の微細機械加工技術の非両立性という問題に
帰着する。また、この方法によれば、異なるシリコーン
ウエハから得られる一連のトランスデューサの間の再生
可能な特徴を実現することが不可能である。また、この
方法は、ダイヤフラム内にある機械的な内部応力を克服
することを可能にしないし、トランスデューサの反応性
の確実な制御を可能にしない。
法によるトランスデューサの製造は、多数の不都合を呈
する。使用される様々の材料(マイラー(登録商標)、
シリコーン、ポリマー)の特性における実質的な差異
は、そのようなトランスデューサの製造において用いら
れる半導体の微細機械加工技術の非両立性という問題に
帰着する。また、この方法によれば、異なるシリコーン
ウエハから得られる一連のトランスデューサの間の再生
可能な特徴を実現することが不可能である。また、この
方法は、ダイヤフラム内にある機械的な内部応力を克服
することを可能にしないし、トランスデューサの反応性
の確実な制御を可能にしない。
【0008】そこで、本発明の主たる目的は、微細機械
加工技術の半導体材料と両立可能な材料を導入し、高信
頼性及び再生可能性を具えるトランスデューサを供給可
能にする複数個の集積化された容量性トランスデューサ
の製造方法を提案することにより、上記従来の不都合を
克服することにある。
加工技術の半導体材料と両立可能な材料を導入し、高信
頼性及び再生可能性を具えるトランスデューサを供給可
能にする複数個の集積化された容量性トランスデューサ
の製造方法を提案することにより、上記従来の不都合を
克服することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、その各
々が1つの可動電極及び1つの固定電極を有する、複数
個の集積化された容量性トランスデューサの製造方法に
おいて、半導体材料の第1基材を供給するステップと、
半導体材料の第2基材を供給するステップと、上記第1
基材及び第2基材の一方の少なくとも1つの第1の面に
絶縁材料の連結層を形成するステップと、上記第2基材
の第1面が上記第1基材に対向配置されるように、上記
連結層による上記第1基材及び上記第2基材の溶着によ
り組み立てるステップと、各トランスデューサの第2基
材を薄化するステップと、上記固定電極の外形を画成し
且つ第2基材の全厚さを横断するオリフィスのネットワ
ークを形成するために選択的なエッチングにより第2基
材を構築するステップと、上記オリフィスのネットワー
クに概ね対向するように延びるダイヤフラムを形成する
ために第1基材を選択的に異方性エッチングするステッ
プと、上記ダイヤフラム及び上記第2基材の間に空間を
形成するためにオリフィスのネットワークを有する第2
基材の部分とダイヤフラムとの間に配置される上記連結
層の部分を除去するステップと、上記第1基材及び第2
基材の各々に対する電気的コンタクトを形成するステッ
プ、とを有し、上記第2基材及びダイヤフラムは、それ
ぞれ上記固定電極及び可動電極を形成することを特徴と
する製造方法、を提供することにある。
々が1つの可動電極及び1つの固定電極を有する、複数
個の集積化された容量性トランスデューサの製造方法に
おいて、半導体材料の第1基材を供給するステップと、
半導体材料の第2基材を供給するステップと、上記第1
基材及び第2基材の一方の少なくとも1つの第1の面に
絶縁材料の連結層を形成するステップと、上記第2基材
の第1面が上記第1基材に対向配置されるように、上記
連結層による上記第1基材及び上記第2基材の溶着によ
り組み立てるステップと、各トランスデューサの第2基
材を薄化するステップと、上記固定電極の外形を画成し
且つ第2基材の全厚さを横断するオリフィスのネットワ
ークを形成するために選択的なエッチングにより第2基
材を構築するステップと、上記オリフィスのネットワー
クに概ね対向するように延びるダイヤフラムを形成する
ために第1基材を選択的に異方性エッチングするステッ
プと、上記ダイヤフラム及び上記第2基材の間に空間を
形成するためにオリフィスのネットワークを有する第2
基材の部分とダイヤフラムとの間に配置される上記連結
層の部分を除去するステップと、上記第1基材及び第2
基材の各々に対する電気的コンタクトを形成するステッ
プ、とを有し、上記第2基材及びダイヤフラムは、それ
ぞれ上記固定電極及び可動電極を形成することを特徴と
する製造方法、を提供することにある。
【0010】本発明の方法における伝統的な半導体材料
の微細機械加工技術の排他的な使用は、トランスデュー
サの幾何的及び電気的なパラメータの良好な制御を可能
にしながら、トランスデューサの最小型化を許容し且つ
方法を極めて簡単なステップの連続に限定する。本発明
の他の特徴及び利点は、非限定的な例により純粋に与え
られる本発明に係る製造方法の以下の記載の検討から現
出されよう。
の微細機械加工技術の排他的な使用は、トランスデュー
サの幾何的及び電気的なパラメータの良好な制御を可能
にしながら、トランスデューサの最小型化を許容し且つ
方法を極めて簡単なステップの連続に限定する。本発明
の他の特徴及び利点は、非限定的な例により純粋に与え
られる本発明に係る製造方法の以下の記載の検討から現
出されよう。
【0011】
【実施例】本発明の方法は、同一基材の上の複数個のト
ランスデューサの同時形成を可能にするが、本記載及び
図面は、簡素化のために、単一のトランスデューサのみ
を言及する。先ず、理解の容易化という実際上の理由か
らトランスデューサの寸法が小さいということを記憶さ
れたいが、本発明の製造方法は、多数のトランスデュー
サの同時製造に適用され、各トランスデューサは、図1
に示される第1の基材10及び第2の基材12を画成す
る2つの相補的なウエハに基づき、僅かな厚さの空間だ
け離される1つの可動電極と1つの固定電極とを有す
る、ということに留意されたい。
ランスデューサの同時形成を可能にするが、本記載及び
図面は、簡素化のために、単一のトランスデューサのみ
を言及する。先ず、理解の容易化という実際上の理由か
らトランスデューサの寸法が小さいということを記憶さ
れたいが、本発明の製造方法は、多数のトランスデュー
サの同時製造に適用され、各トランスデューサは、図1
に示される第1の基材10及び第2の基材12を画成す
る2つの相補的なウエハに基づき、僅かな厚さの空間だ
け離される1つの可動電極と1つの固定電極とを有す
る、ということに留意されたい。
【0012】更に、以下に記載される、温度、時間、用
いられる試剤等のような様々のパラメータの値は、限定
的なものではなく、用いられる装置及び材料に主として
依存する、ということに留意することが重要である。こ
れらの値は、当業者によって容易に決定され得る。集積
化された容量性トランスデューサがそれを基礎として形
成される第1及び第2基材10,12を画成する(図示
しない)ウエハは、最低の可能な特定の抵抗と、好まし
くは<100>オリエンテーション、とを有するモノク
リスタル・シリコーンのような半導体材料で形成され
る。
いられる試剤等のような様々のパラメータの値は、限定
的なものではなく、用いられる装置及び材料に主として
依存する、ということに留意することが重要である。こ
れらの値は、当業者によって容易に決定され得る。集積
化された容量性トランスデューサがそれを基礎として形
成される第1及び第2基材10,12を画成する(図示
しない)ウエハは、最低の可能な特定の抵抗と、好まし
くは<100>オリエンテーション、とを有するモノク
リスタル・シリコーンのような半導体材料で形成され
る。
【0013】図1は、絶縁材料から成る連結層16の、
その第1の面14の上への形成の後の第1基材10を示
す。この場合において、連結層16は、酸化ケイ素(S
iO2 )から形成される。記載した例において、層16
は、数時間の酸化雰囲気の下で且つ約1100°の炉内
で第1基材10の熱酸化により形成された。一例によ
り、3μmの厚さを有する層16を得るために、この第
1の基材10は、約15時間、炉内に置かれる。
その第1の面14の上への形成の後の第1基材10を示
す。この場合において、連結層16は、酸化ケイ素(S
iO2 )から形成される。記載した例において、層16
は、数時間の酸化雰囲気の下で且つ約1100°の炉内
で第1基材10の熱酸化により形成された。一例によ
り、3μmの厚さを有する層16を得るために、この第
1の基材10は、約15時間、炉内に置かれる。
【0014】第1基材10の第2面18は、層16のこ
の形成段階の間に慎重に保護されず、層16と同一の性
質及び同一の厚さを有する層20は、この第2面18に
形成される、ということに留意されるべきである。この
層20は、以下の記載から現出する方法のその後の段階
のための保護層として機能する。言うまでもないが、1
つの実施例において、SiO2 のこれらの層16,20
の形成は、化学的又は物理的な蒸着(vapour phase dep
osition (CVD又はPVD)により実施され得る。
の形成段階の間に慎重に保護されず、層16と同一の性
質及び同一の厚さを有する層20は、この第2面18に
形成される、ということに留意されるべきである。この
層20は、以下の記載から現出する方法のその後の段階
のための保護層として機能する。言うまでもないが、1
つの実施例において、SiO2 のこれらの層16,20
の形成は、化学的又は物理的な蒸着(vapour phase dep
osition (CVD又はPVD)により実施され得る。
【0015】層16,20は、それぞれ第1基材10の
第1面14及び第2面18に形成され、次の段階は、後
続の組立のために第1及び第2基材10,12の適当な
準備の後において、第2基材12を位置決めすることを
含み、第1のその面22は、層16に対向するように配
置される。面22及び層16の面の準備は、例えば、1
970年、31号、187ページ『RCAレビュー』と
いうタイトルの刊行物に記載されているようにそのよう
な面を清浄することを含む。
第1面14及び第2面18に形成され、次の段階は、後
続の組立のために第1及び第2基材10,12の適当な
準備の後において、第2基材12を位置決めすることを
含み、第1のその面22は、層16に対向するように配
置される。面22及び層16の面の準備は、例えば、1
970年、31号、187ページ『RCAレビュー』と
いうタイトルの刊行物に記載されているようにそのよう
な面を清浄することを含む。
【0016】2つの基材10,12の準備の後におい
て、この方法は、自生の溶接(autogenous welding) に
よって後者の組立を継続する。これを行うために、これ
らの2つの基材10,12は、窒素、酸素、又は湿気の
ある酸素雰囲気を含む約1000°の温度の予熱炉に挿
入される。1の実施例に従い、上記溶接によって組立体
を形成するために第2基材12の第1面22に単一の連
結層を形成することや、連結層20と同じような第2基
材12の第1面22の同じ性質の第2の連結層を形成す
ることが可能である、ということに留意されるべきであ
る。
て、この方法は、自生の溶接(autogenous welding) に
よって後者の組立を継続する。これを行うために、これ
らの2つの基材10,12は、窒素、酸素、又は湿気の
ある酸素雰囲気を含む約1000°の温度の予熱炉に挿
入される。1の実施例に従い、上記溶接によって組立体
を形成するために第2基材12の第1面22に単一の連
結層を形成することや、連結層20と同じような第2基
材12の第1面22の同じ性質の第2の連結層を形成す
ることが可能である、ということに留意されるべきであ
る。
【0017】図2に示された次の段階は、第2基材12
を薄化することを含む、すなわち、露出される第2基材
12の第2面23は、この第2基材12が所定厚さに至
るまで、エッチングされる。これを行うために、連結層
16によって組み立てられる2つの基材10,12は、
上記例において、所定厚さを得るために所定時間の間、
所定温度で、所定濃度のエッチング剤の溶液中に置かれ
る。
を薄化することを含む、すなわち、露出される第2基材
12の第2面23は、この第2基材12が所定厚さに至
るまで、エッチングされる。これを行うために、連結層
16によって組み立てられる2つの基材10,12は、
上記例において、所定厚さを得るために所定時間の間、
所定温度で、所定濃度のエッチング剤の溶液中に置かれ
る。
【0018】第2基材12のこの薄化の間において、第
1基材10のエッチングを阻止するために、層20をエ
ッチングしない選択的なエッチング剤は、例えば本場合
にKOH(水酸化カリウム)の溶液が好ましくは用いら
れる。図3は、トランスデューサの固定電極の外形を画
成するために且つこの固定電極の全厚さを貫通するオリ
フィス24のネットワークを形成するために、薄化され
る第2基材12の構築段階を示す。図6から理解され得
るように、第2基材12の構築のこの第2段階の間に画
成される固定電極は、幾つかのアーム26により第1基
材10から剛性を有して延びるプレートのように形成さ
れる。
1基材10のエッチングを阻止するために、層20をエ
ッチングしない選択的なエッチング剤は、例えば本場合
にKOH(水酸化カリウム)の溶液が好ましくは用いら
れる。図3は、トランスデューサの固定電極の外形を画
成するために且つこの固定電極の全厚さを貫通するオリ
フィス24のネットワークを形成するために、薄化され
る第2基材12の構築段階を示す。図6から理解され得
るように、第2基材12の構築のこの第2段階の間に画
成される固定電極は、幾つかのアーム26により第1基
材10から剛性を有して延びるプレートのように形成さ
れる。
【0019】これを行うために、(図示しない)感光性
樹脂の第1層は、第2基材12の露出面に例えばコーテ
ィング装置を用いて堆積される。この感光性樹脂の層
は、(図示しない)マスクにより隔離される。感光性樹
脂の層の隔離された部分は、例えば液体を用いる伝統的
な手段により除去される。第2基材12の被われない部
分は、オリフィス24を形成するために第1エッチング
剤を用いて異方性エッチングが為される。これらのオリ
フィス24の底部に配置される連結層16の部分は、第
2のエッチング剤を用いてエッチングされ、感光性樹脂
の残りの部分は、除去される。
樹脂の第1層は、第2基材12の露出面に例えばコーテ
ィング装置を用いて堆積される。この感光性樹脂の層
は、(図示しない)マスクにより隔離される。感光性樹
脂の層の隔離された部分は、例えば液体を用いる伝統的
な手段により除去される。第2基材12の被われない部
分は、オリフィス24を形成するために第1エッチング
剤を用いて異方性エッチングが為される。これらのオリ
フィス24の底部に配置される連結層16の部分は、第
2のエッチング剤を用いてエッチングされ、感光性樹脂
の残りの部分は、除去される。
【0020】第2基材12をエッチングする工程は、例
えば塩素プラズマにより実施され、他方、連結層16の
エッチング工程は、例えば弗化水素酸(HF)の溶液に
より実施される。感光性樹脂の層の残りの部分の除去
は、例えば適当な溶剤のような液体を用いて、又は酸素
雰囲気の下でのプラズマにより、伝統的な形式で実施さ
れる。
えば塩素プラズマにより実施され、他方、連結層16の
エッチング工程は、例えば弗化水素酸(HF)の溶液に
より実施される。感光性樹脂の層の残りの部分の除去
は、例えば適当な溶剤のような液体を用いて、又は酸素
雰囲気の下でのプラズマにより、伝統的な形式で実施さ
れる。
【0021】図4は、オリフィス24のネットワークに
概ね対向して延びるダイヤフラム28を形成するため
に、第1基材10のエッチング工程を示す。この段階
は、マスクが用いられることと次のことを除き、図3に
関して記載されたものと同様である。すなわち、第2基
材12を攻撃するのに用いられる第1及び第2エッチン
グ剤の順序は、保護層20を先ず除去し、次いでそれに
より露出した第1基材10の部分を異方性エッチングす
るために、逆転され、保護層20及び第1基材10は、
それぞれSiO2 及びシリコーンで形成される。
概ね対向して延びるダイヤフラム28を形成するため
に、第1基材10のエッチング工程を示す。この段階
は、マスクが用いられることと次のことを除き、図3に
関して記載されたものと同様である。すなわち、第2基
材12を攻撃するのに用いられる第1及び第2エッチン
グ剤の順序は、保護層20を先ず除去し、次いでそれに
より露出した第1基材10の部分を異方性エッチングす
るために、逆転され、保護層20及び第1基材10は、
それぞれSiO2 及びシリコーンで形成される。
【0022】にもかかわらず、このエッチング中に、第
2基材12並びに連結層16は、例えば機械的に第2エ
ッチング剤との接触を阻止される、ということが明確に
されるべきである。図5に示される次の段階は、オリフ
ィス24のネットワークを含む第2基材12の部分とダ
イヤフラム28との間に位置する連結層16の部分を除
去することによりダイヤフラム28を解除すること、及
び、第1基材10及び第2基材12に対するそれぞれの
電気的な接触パッド30,32を形成することを含む。
2基材12並びに連結層16は、例えば機械的に第2エ
ッチング剤との接触を阻止される、ということが明確に
されるべきである。図5に示される次の段階は、オリフ
ィス24のネットワークを含む第2基材12の部分とダ
イヤフラム28との間に位置する連結層16の部分を除
去することによりダイヤフラム28を解除すること、及
び、第1基材10及び第2基材12に対するそれぞれの
電気的な接触パッド30,32を形成することを含む。
【0023】連結層16のこの部分の除去は、ダイヤフ
ラム28と第2基材12との間の空間を形成する。連結
層16のこの部分の除去は、例えば弗化水素酸(HF)
の溶液を用いる化学的エッチングにより実施される。こ
れに関連して、オリフィス24の間の平均的な空間は極
めて小さいということに留意されるべきであり、その結
果、そのようなオリフィス24の連結層16のエッチン
グは、サスペンションアーム26の結合を弱めることの
ないように充分速く、サスペンションアーム26は、第
1基材10と第2基材12との間のトランスデューサの
外周で延び、連結層16の残りの部分によって形成され
る。
ラム28と第2基材12との間の空間を形成する。連結
層16のこの部分の除去は、例えば弗化水素酸(HF)
の溶液を用いる化学的エッチングにより実施される。こ
れに関連して、オリフィス24の間の平均的な空間は極
めて小さいということに留意されるべきであり、その結
果、そのようなオリフィス24の連結層16のエッチン
グは、サスペンションアーム26の結合を弱めることの
ないように充分速く、サスペンションアーム26は、第
1基材10と第2基材12との間のトランスデューサの
外周で延び、連結層16の残りの部分によって形成され
る。
【0024】接触パッド30,32は、マスク(図示せ
ず)を介して、例えばアルミニウムのような金属の真空
蒸発(vacuum evaporation) により形成される。これら
の接触パッド30,32は、勿論、カソードスパッタ−
法により形成され得る。その可動電極及び固定電極がダ
イヤフラム28及び基材12によりそれぞれ形成される
ような容量性トランスデューサは、同時形成される別の
トランスデューサから分離され且つこの目的のために設
けられる、図示しないハウジング内に収容される。
ず)を介して、例えばアルミニウムのような金属の真空
蒸発(vacuum evaporation) により形成される。これら
の接触パッド30,32は、勿論、カソードスパッタ−
法により形成され得る。その可動電極及び固定電極がダ
イヤフラム28及び基材12によりそれぞれ形成される
ような容量性トランスデューサは、同時形成される別の
トランスデューサから分離され且つこの目的のために設
けられる、図示しないハウジング内に収容される。
【0025】図面は、相互に様々の要素の実際の相対的
寸法を示さず、それらの寸法は、より良い理解のために
誇張される、ということに留意されるべきである。本発
明の方法を用いて得られるトランスデューサは、2.8
×2.8×1.0mm3 の一般的寸法を有する、というこ
とに留意されるべきである。ダイヤフラムの面は、約
2.0×2.0mm2 であり、ダイヤフラムの厚さは、約
3.5×10 -6mであり、固定電極の厚さは、約10×
10-6であり、空気が入る固定電極及びダイヤフラムの
間の空間の厚さは、約3×10-6mである。固定電極に
穿設されるオリフィスは、概ね30×10-6mの直径を
有する。1mm2 当たり約400ある。
寸法を示さず、それらの寸法は、より良い理解のために
誇張される、ということに留意されるべきである。本発
明の方法を用いて得られるトランスデューサは、2.8
×2.8×1.0mm3 の一般的寸法を有する、というこ
とに留意されるべきである。ダイヤフラムの面は、約
2.0×2.0mm2 であり、ダイヤフラムの厚さは、約
3.5×10 -6mであり、固定電極の厚さは、約10×
10-6であり、空気が入る固定電極及びダイヤフラムの
間の空間の厚さは、約3×10-6mである。固定電極に
穿設されるオリフィスは、概ね30×10-6mの直径を
有する。1mm2 当たり約400ある。
【図1】図1は、本発明の製造方法の第1の段階を示
す、集積化された容量性トランスデューサの、図6のVI
−VI線に沿う断面図である。
す、集積化された容量性トランスデューサの、図6のVI
−VI線に沿う断面図である。
【図2】図2は、本発明の製造方法の第2の段階を示
す、集積化された容量性トランスデューサの、図6のVI
−VI線に沿う断面図である。
す、集積化された容量性トランスデューサの、図6のVI
−VI線に沿う断面図である。
【図3】図3は、本発明の製造方法の第3の段階を示
す、集積化された容量性トランスデューサの、図6のVI
−VI線に沿う断面図である。
す、集積化された容量性トランスデューサの、図6のVI
−VI線に沿う断面図である。
【図4】図4は、本発明の製造方法の第4の段階を示
す、集積化された容量性トランスデューサの、図6のVI
−VI線に沿う断面図である。
す、集積化された容量性トランスデューサの、図6のVI
−VI線に沿う断面図である。
【図5】図5は、本発明の製造方法の第5の段階を示
す、集積化された容量性トランスデューサの、図6のVI
−VI線に沿う断面図である。
す、集積化された容量性トランスデューサの、図6のVI
−VI線に沿う断面図である。
【図6】図6は、本発明の方法によって得られるトラン
スデューサの、要部破断平面図である。
スデューサの、要部破断平面図である。
10…第1基材 12…第2基材 16…連結層 20…保護層 22…第1面 23…第2面 24…オリフィス 28…ダイヤフラム 30,32…接触パッド
Claims (11)
- 【請求項1】 その各々が1つの可動電極及び1つの固
定電極を有する、複数個の集積化された容量性トランス
デューサの製造方法において、 半導体材料の第1基材(10)を供給するステップと、 半導体材料の第2基材(12)を供給するステップと、 上記第1基材(10)及び第2基材(12)の一方の少
なくとも1つの第1の面(14)に絶縁材料の連結層
(16)を形成するステップと、 上記第2基材(12)の第1面(22)が上記第1基材
(10)に対向配置されるように、上記連結層(16)
による上記第1基材(10)及び上記第2基材(12)
の溶着により組み立てるステップと、 各トランスデューサの第2基材(12)を薄化するステ
ップと、 上記固定電極の外形を画成し且つ第2基材(12)の全
厚さを横断するオリフィス(24)のネットワークを形
成するために選択的なエッチングにより第2基材(1
2)を構築するステップと、 上記オリフィス(24)のネットワークに概ね対向する
ように延びるダイヤフラム(28)を形成するために第
1基材を選択的に異方性エッチングするステップと、 上記ダイヤフラム(28)及び上記第2基材(12)の
間に空間を形成するためにオリフィス(24)のネット
ワークを有する第2基材(12)の部分とダイヤフラム
(28)との間に配置される上記連結層(16)の部分
を除去するステップと、 上記第1基材(10)及び第2基材(12)の各々に対
する電気的コンタクト(30,32)を形成するステッ
プ、とを有し、 上記第2基材(12)及びダイヤフラム(28)は、そ
れぞれ上記固定電極及び可動電極を形成することを特徴
とする製造方法。 - 【請求項2】 上記連結層(16)は、上記第1基材
(10)の第1面(14)に形成され、第2の連結層
は、上記2つの基材(10,12)の溶着による組立の
前に、上記第2基材(12)の上記第1面(22)の上
に、絶縁材料で形成されることを特徴とする請求項1に
記載の製造方法。 - 【請求項3】 上記薄化するステップは、所定厚さまで
の上記第2基材(12)の露出面(23)の均一なエッ
チングを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の
製造方法。 - 【請求項4】 上記第1基材(10)の第2面(18)
の保護層(20)を形成するステップを更に有すること
を特徴とする請求項1に記載の製造方法。 - 【請求項5】 上記第2基材(12)を構築するステッ
プは、 上記第2基材(12)の露出面の表面に感光性樹脂の第
1の層を付着させるステップと、 第1のマスクを用いて感光性樹脂の第1層を絶縁するス
テップと、 上記第2基材(12)の上記露出面の局所領域を被覆し
ないために上記第1感光性層の絶縁された部分を現像す
るステップと、 上記オリフィス(24)のネットワークを形成するため
に上記第2基材(12)の上記被覆されない局所領域を
エッチングするステップと、 上記感光性樹脂の層の残りの部分を除去するステップ、
という連続的なステップを有することを特徴とする請求
項1から3のいずれか1項に記載の製造方法。 - 【請求項6】 上記第1基材(10)の選択的な異方性
エッチングのステップは、 上記保護層(20)に感光性樹脂の第2の層を付着させ
るステップと、 第2のマスクを用いて感光性樹脂の第2層を絶縁するス
テップと、 上記オリフィス(24)のネットワークに概ね対向配置
される上記保護層(20)の一部を被覆しないために上
記第1感光性層の絶縁された部分を現像するステップ
と、 上記第1基材(10)の上記第2面(18)の一部を被
覆しないためにエッチングにより上記保護層(20)の
上記被覆されない部分を除去するステップと、 上記ダイヤフラム(28)を形成するために上記第1基
材(10)の上記被覆されない部分をエッチングするス
テップと、 上記感光性樹脂の第1層の残りの部分を除去するステッ
プ、 という連続的なステップを有することを特徴とする請求
項4に記載の製造方法。 - 【請求項7】 上記第1基材(10)のエッチング及び
保護層(20)の被覆されない部分の除去のステップの
間に、第2基材(12)は、エッチング剤との接触に対
して保護されることを特徴とする請求項6に記載の製造
方法。 - 【請求項8】 上記第2基材(12)は、機械的に保護
されることを特徴とする請求項7に記載の製造方法。 - 【請求項9】 上記連結層(16)の除去ステップは、
液体を用いて為されることを特徴とする請求項1から8
のいずれか1項に記載の製造方法。 - 【請求項10】 上記連結層(16)の形成及び上記保
護層(20)の形成のステップは、熱的成長のために、
第1基材(10)及び第2基材(12)の半導体材料の
酸化物をそれぞれ生じさせることを特徴とする請求項1
から9のいずれか1項に記載の製造方法。 - 【請求項11】 上記コンタクトの形成ステップは、真
空蒸発による金属化を含むことを特徴とする請求項1か
ら10のいずれか1項に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9213452A FR2697675B1 (fr) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | Procédé de fabrication de transducteurs capacitifs intégrés. |
FR9213452 | 1992-11-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06217396A true JPH06217396A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=9435354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5276498A Pending JPH06217396A (ja) | 1992-11-05 | 1993-11-05 | 集積化された容量性トランスデューサの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5408731A (ja) |
EP (1) | EP0596456B1 (ja) |
JP (1) | JPH06217396A (ja) |
AT (1) | ATE157837T1 (ja) |
DE (1) | DE69313583T2 (ja) |
DK (1) | DK0596456T3 (ja) |
FR (1) | FR2697675B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7298856B2 (en) | 2001-09-05 | 2007-11-20 | Nippon Hoso Kyokai | Chip microphone and method of making same |
JP2017220874A (ja) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | リオン株式会社 | 計測用マイクロホンモジュール |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5619476A (en) * | 1994-10-21 | 1997-04-08 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Jr. Univ. | Electrostatic ultrasonic transducer |
US5894452A (en) * | 1994-10-21 | 1999-04-13 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Microfabricated ultrasonic immersion transducer |
JP2000508860A (ja) * | 1996-04-18 | 2000-07-11 | カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー | 薄膜エレクトレットマイクロフォン |
US5952645A (en) * | 1996-08-27 | 1999-09-14 | California Institute Of Technology | Light-sensing array with wedge-like reflective optical concentrators |
US5916179A (en) * | 1997-04-18 | 1999-06-29 | Sharrock; Nigel | System and method for reducing iatrogenic damage to nerves |
US5982709A (en) * | 1998-03-31 | 1999-11-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Acoustic transducers and method of microfabrication |
EP1093685A4 (en) | 1998-06-05 | 2004-09-01 | Knowles Electronics Llc | SOLID STATE RECEIVER |
DK79198A (da) * | 1998-06-11 | 1999-12-12 | Microtronic As | Fremgangsmåde til fremstilling af en transducer med en membran med en forudbestemt opspændingskraft |
WO2000070630A2 (en) * | 1999-05-19 | 2000-11-23 | California Institute Of Technology | High performance mems thin-film teflon® electret microphone |
KR100314622B1 (ko) * | 1999-06-15 | 2001-11-17 | 이형도 | 마이크로 센서 및 그 패키지방법 |
US6744173B2 (en) * | 2000-03-24 | 2004-06-01 | Analog Devices, Inc. | Multi-layer, self-aligned vertical combdrive electrostatic actuators and fabrication methods |
US6593677B2 (en) | 2000-03-24 | 2003-07-15 | Onix Microsystems, Inc. | Biased rotatable combdrive devices and methods |
US20010040419A1 (en) | 2000-03-24 | 2001-11-15 | Behrang Behin | Biased rotatable combdrive sensor methods |
US6535460B2 (en) | 2000-08-11 | 2003-03-18 | Knowles Electronics, Llc | Miniature broadband acoustic transducer |
US6987859B2 (en) | 2001-07-20 | 2006-01-17 | Knowles Electronics, Llc. | Raised microstructure of silicon based device |
KR200218653Y1 (ko) * | 2000-11-01 | 2001-04-02 | 주식회사비에스이 | 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰 |
US7434305B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-14 | Knowles Electronics, Llc. | Method of manufacturing a microphone |
US8617934B1 (en) | 2000-11-28 | 2013-12-31 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port multi-part surface mount silicon condenser microphone packages |
US7166910B2 (en) * | 2000-11-28 | 2007-01-23 | Knowles Electronics Llc | Miniature silicon condenser microphone |
US7439616B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-21 | Knowles Electronics, Llc | Miniature silicon condenser microphone |
US6847090B2 (en) | 2001-01-24 | 2005-01-25 | Knowles Electronics, Llc | Silicon capacitive microphone |
US7023066B2 (en) * | 2001-11-20 | 2006-04-04 | Knowles Electronics, Llc. | Silicon microphone |
WO2003047307A2 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Corporation For National Research Initiatives | A miniature condenser microphone and fabrication method therefor |
US6870939B2 (en) * | 2001-11-28 | 2005-03-22 | Industrial Technology Research Institute | SMT-type structure of the silicon-based electret condenser microphone |
US6781231B2 (en) * | 2002-09-10 | 2004-08-24 | Knowles Electronics Llc | Microelectromechanical system package with environmental and interference shield |
ATE466456T1 (de) | 2003-05-26 | 2010-05-15 | Sensfab Pte Ltd | Herstellung von silicium-mikrophonen |
DE102005008512B4 (de) | 2005-02-24 | 2016-06-23 | Epcos Ag | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon |
DE102005008514B4 (de) * | 2005-02-24 | 2019-05-16 | Tdk Corporation | Mikrofonmembran und Mikrofon mit der Mikrofonmembran |
DE102005008511B4 (de) * | 2005-02-24 | 2019-09-12 | Tdk Corporation | MEMS-Mikrofon |
US7449356B2 (en) | 2005-04-25 | 2008-11-11 | Analog Devices, Inc. | Process of forming a microphone using support member |
US7885423B2 (en) | 2005-04-25 | 2011-02-08 | Analog Devices, Inc. | Support apparatus for microphone diaphragm |
US7825484B2 (en) | 2005-04-25 | 2010-11-02 | Analog Devices, Inc. | Micromachined microphone and multisensor and method for producing same |
TWI260940B (en) | 2005-06-17 | 2006-08-21 | Ind Tech Res Inst | Method for producing polymeric capacitive ultrasonic transducer |
JP4535046B2 (ja) * | 2006-08-22 | 2010-09-01 | ヤマハ株式会社 | 静電容量センサ及びその製造方法 |
DE102005053765B4 (de) * | 2005-11-10 | 2016-04-14 | Epcos Ag | MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung |
DE102005053767B4 (de) * | 2005-11-10 | 2014-10-30 | Epcos Ag | MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau |
JP5215871B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2013-06-19 | アナログ デバイシス, インコーポレイテッド | コンデンサマイクロホン振動板の支持装置 |
KR20080005854A (ko) * | 2006-07-10 | 2008-01-15 | 야마하 가부시키가이샤 | 압력 센서 및 그의 제조 방법 |
US8270634B2 (en) | 2006-07-25 | 2012-09-18 | Analog Devices, Inc. | Multiple microphone system |
US20080042223A1 (en) * | 2006-08-17 | 2008-02-21 | Lu-Lee Liao | Microelectromechanical system package and method for making the same |
US20080075308A1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-27 | Wen-Chieh Wei | Silicon condenser microphone |
US20080083957A1 (en) * | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Wen-Chieh Wei | Micro-electromechanical system package |
JP2010506532A (ja) * | 2006-10-11 | 2010-02-25 | メムス テクノロジー ビーエイチディー | 極低圧力センサーおよびその製造方法 |
US7894622B2 (en) | 2006-10-13 | 2011-02-22 | Merry Electronics Co., Ltd. | Microphone |
DE102006055147B4 (de) * | 2006-11-03 | 2011-01-27 | Infineon Technologies Ag | Schallwandlerstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Schallwandlerstruktur |
US8165323B2 (en) * | 2006-11-28 | 2012-04-24 | Zhou Tiansheng | Monolithic capacitive transducer |
US8363860B2 (en) * | 2009-03-26 | 2013-01-29 | Analog Devices, Inc. | MEMS microphone with spring suspended backplate |
WO2010139050A1 (en) | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Tiansheng Zhou | Mems micromirror and micromirror array |
EP2269746B1 (en) | 2009-07-02 | 2014-05-14 | Nxp B.V. | Collapsed mode capacitive sensor |
US10551613B2 (en) | 2010-10-20 | 2020-02-04 | Tiansheng ZHOU | Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays |
US9036231B2 (en) | 2010-10-20 | 2015-05-19 | Tiansheng ZHOU | Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays |
WO2013066343A1 (en) | 2011-11-04 | 2013-05-10 | Knowles Electronics, Llc | Embedded dielectric as a barrier in an acoustic device and method of manufacture |
US9385634B2 (en) | 2012-01-26 | 2016-07-05 | Tiansheng ZHOU | Rotational type of MEMS electrostatic actuator |
WO2013118139A1 (en) | 2012-02-03 | 2013-08-15 | Naegele-Preissmann Dieter | Capacitive pressure sensor and a method of fabricating the same |
US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
US9264833B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure and method for integrated microphone |
DE102013106353B4 (de) * | 2013-06-18 | 2018-06-28 | Tdk Corporation | Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement |
US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54153545A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-03 | Nec Corp | Surface acoustic wave device element |
US4415948A (en) * | 1981-10-13 | 1983-11-15 | United Technologies Corporation | Electrostatic bonded, silicon capacitive pressure transducer |
GB2122842B (en) * | 1982-05-29 | 1985-08-29 | Tokyo Shibaura Electric Co | An electroacoustic transducer and a method of manufacturing an electroacoustic transducer |
US4513348A (en) * | 1984-01-13 | 1985-04-23 | United Technologies Corporation | Low parasitic capacitance pressure transducer and etch stop method |
JPS6486508A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Toshiba Corp | Manufacture of chip capacitor |
NL8702589A (nl) * | 1987-10-30 | 1989-05-16 | Microtel Bv | Elektro-akoestische transducent van de als elektreet aangeduide soort, en een werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke transducent. |
DE3807251A1 (de) * | 1988-03-05 | 1989-09-14 | Sennheiser Electronic | Kapazitiver schallwandler |
JPH04143627A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 静電容量式圧力センサおよびその製造方法 |
JP3140767B2 (ja) * | 1990-10-23 | 2001-03-05 | キンセキ株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-05 FR FR9213452A patent/FR2697675B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-11-02 DE DE69313583T patent/DE69313583T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-02 DK DK93117740.6T patent/DK0596456T3/da active
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7298856B2 (en) | 2001-09-05 | 2007-11-20 | Nippon Hoso Kyokai | Chip microphone and method of making same |
JP2017220874A (ja) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | リオン株式会社 | 計測用マイクロホンモジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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ATE157837T1 (de) | 1997-09-15 |
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EP0596456A1 (fr) | 1994-05-11 |
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