DE667750C - Verfahren zur Herstellung unipolarer Sperrschichten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung unipolarer SperrschichtenInfo
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Classifications
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Description
Bekannte Verfahren bereiten entweder nur die Kupferoxydulschicht für die Auf bringung
der Ableiteelektrode oder für ein nachfolgendes Verfahren zur Erzeugung oder Aufbringung
einer Sperrschicht durch Säureätzung vor; z. B. sollen bei diesen bekannten Verfahren
schlechtleitendes Kupferoxyd entfernt werden oder die Kupferoxydulschicht durch Abätzen dünner und daher ihre gesamte Leit-
to fähigkeit erhöht werden; auch sollen die infolge der chemischen Umsetzungen bei der
Ätzung möglichen starken Temperaturerhöhungen weitgehend verhindert werden,
, damit keine Widerstandserhöhung der Kupferoxydulschicht
infolge Temperaturanstieg eintritt.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung unipolarer Sperrschichten auf Halbleitern
zur Gleichrichtung elektrischer Ströme oder für photoelektrische Zwecke besteht darin,
daß vor der Aufbringung der Elektrode auf die Halbleiterfläche, an der die unipolare
Sperrwirkung auftritt, diese mit unedlen Metallen, z. B. Alkali- oder Erdalkalimetall, in
Dampfform in so geringer Menge, daß sie eine höchstens wenige Atomschichten starke Schicht
bilden kann, behandelt wird, welche geeignet sind, gewisse, die Leitfähigkeit begünstigende
chemische Komponenten oder andere gelöste Beimengungen des Halbleiters von seiner
Oberfläche zu entfernen.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann z. B. in der Weise ausgeführt werden, daß ein
Kupferoxydulplättchen, welches entweder massiv ist oder sich nur als dünne Schicht
auf einem Kupferblech befindet,· der Einwirkung von Metalldämpfen ausgesetzt wird. Als
Metall kann z. B. Cäsium verwendet werden, welches wahrscheinlich mit dem im Kupferoxydul
gelösten Sauerstoff Spuren von Cäsiumoxyd bildet. Die zur Anwendung gelangende Cäsiummenge ist so gering, daß sich höchstens
eine wenige Atomlagen betragende Cäsiumschicht auf dem Halbleiter niederschlägt.
Dadurch wird wahrscheinlich eine geringe Verarmung des Kupferoxyduls an Sauerstoff herbeigeführt, wodurch die Leitfähigkeit
an der Oberfläche herabgesetzt und die Sperrwirkung vergrößert wird. Bringt man auf einer derart behandelten Fläche dann
eine Elektrode an, die man z. B. thermisch oder kathodisch aufstäubt und die aus Silber
oder Gold bestehen kann, so erhält man eine Sperrwirkung, die derjenigen, die man ohne
vorhergehende Behandlung mit Cäsium erhält, stark überlegen ist. Man kann auf diese Weise
sowohl zu Kontakten gelangen, die photoelektrisch wirksam sind, wie auch zu solchen, die
*) Von dem Patentsucher ist als der Erfinder angegeben worden:
Dr. Ferdinand Waibel in Berlin-Charlottenburg.
sich für die Zwecke der Gleichrichtung gut gebrauchen lassen.
Auch bei anderen Halbleitern, ζ. Β flden, S el en; den und ähnlichen, ist ei:
handlung mit unedlen Metallen, z. B. oder Erdalkalimetallen, vorteilhaft. Ma: vermuten, daß auch diese Wirkung darauf "be*·"
ruht, daß diese Metalle den elektronegativen Bestandteil, z.B. den Schwefel oder das Selen,
ίο binden und dadurch eine oberflächliche Verarmung an diesem Bestandteil bewirken. Die
Behandlung mit solchen Metallen erfolgt vorteilhaft in einem Vakuumgefäß und kann z. B.
in der Weise durchgeführt werden, daß in dem Gefäß durch Heizen eines mit dem betreffenden
Metall oder einer seiner Verbindungen bestrichenen Drahtes etwas Metalldampf erzeugt wird, der sich auf der Halbleiteroberfläche
niederschlägt. Auf dieser Fläche wird
ao dann, ohne daß der Halbleiter aus dem Gefäß entfernt wird, z.B. durch kathodisches Aufstäuben,
die wirksame Elektrode hergestellt und eine Stromzuführung an dieser befestigt.
Dieser letztgenannte Arbeitsgang kann z. B.
in der bekannten Weise erfolgen, daß ein federnder gespannter Kontakt so angeordnet
wird, daß er nach Durchbrennen eines dünnen Drähtchens frei wird und sich auf die aufgestäubte
Elektrode fest auflegt. Das Gefäß kann danach evakuiert bleiben oder mit einer
gewünschten Gasfüllung versehen werden.
Werden zur chemischen Oberflächenbehandlung Metalle verwendet, so ist es erforderlich,
diese stets nur in ganz geringer Menge zur Anwendung zu bringen, so'daß sie selbst nicht
ausreichen, die wirksame Elektrode zu bilden. An Stelle von Metallen können auch Amalgame
benutzt werden. Besitzt der Halbleiter außer der zu behandelnden noch weitere
freie Oberflächen, so können diese während der Behandlung abgedeckt werden, so daß an
ihnen keine Einwirkung stattfindet.
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung unipolarer Sperrschichten auf Schichten aus chemischen
einen Halbleiter bildenden Verbindungen zur Gleichrichtung elektrischer
Ströme oder für photoelektrische Zwecke mit chemischer Behandlung der Halbleiteroberfläche,
dadurch gekennzeichnet, daß vor der Aufbringung der Elektrode
auf die Halbleiterfläche, an der die unipo-. lare Sperrwirkung auftritt, diese mit
unedlen Metallen, z. B. Alkali- oder Erdalkalimetalle,
in Dampfform in so geringer Menge, daß sie eine höchstens wenige Atomschichten starke Schicht bilden kann,
behandelt wird, welche geeignet sind, gewisse, die Leitfähigkeit begünstigende chemische
Komponenten oder andere gelöste Beimengungen des Halbleiters von seiner Oberfläche zu entfernen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Alkalimetall, z. B.
Cäsium oder ein Erdalkalimetall, zur Einwirkung auf den Halbleiter gebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die- Behandlung im Vakuum erfolgt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Behandlung der
Oberfläche und die Herstellung der Elektrode in dem gleichen Vakuumgefäß vorgenommen
wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES104231D DE667750C (de) | 1932-04-16 | 1932-04-17 | Verfahren zur Herstellung unipolarer Sperrschichten |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES0104231 | 1932-04-16 | ||
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE667750C true DE667750C (de) | 1938-11-19 |
Family
ID=25998490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES104231D Expired DE667750C (de) | 1932-04-16 | 1932-04-17 | Verfahren zur Herstellung unipolarer Sperrschichten |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE667750C (de) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE893232C (de) * | 1949-04-09 | 1953-10-15 | Licentia Gmbh | Selengleichrichterplatte |
| DE946075C (de) * | 1945-03-29 | 1956-07-26 | Siemens Ag | Sperrschicht-Trockengleichrichter |
| DE952655C (de) * | 1953-03-06 | 1956-11-22 | Standard Elektrik Ag | Verfahren zur Herstellung von gut formierbaren Selengleichrichterplatten mit niedriger Schleusenspannung |
| DE966967C (de) * | 1939-03-02 | 1957-09-19 | Aeg | Elektrisch unsymmetrisch leitendes System, insbesondere Trockengleichrichter |
| DE970900C (de) * | 1944-05-24 | 1958-11-13 | Standard Elek K Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung unipolarer Leiter mit Selen oder Selenverbindungen als Halbleiter |
-
1932
- 1932-04-17 DE DES104231D patent/DE667750C/de not_active Expired
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE966967C (de) * | 1939-03-02 | 1957-09-19 | Aeg | Elektrisch unsymmetrisch leitendes System, insbesondere Trockengleichrichter |
| DE970900C (de) * | 1944-05-24 | 1958-11-13 | Standard Elek K Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung unipolarer Leiter mit Selen oder Selenverbindungen als Halbleiter |
| DE946075C (de) * | 1945-03-29 | 1956-07-26 | Siemens Ag | Sperrschicht-Trockengleichrichter |
| DE893232C (de) * | 1949-04-09 | 1953-10-15 | Licentia Gmbh | Selengleichrichterplatte |
| DE952655C (de) * | 1953-03-06 | 1956-11-22 | Standard Elektrik Ag | Verfahren zur Herstellung von gut formierbaren Selengleichrichterplatten mit niedriger Schleusenspannung |
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