DE893232C - Selengleichrichterplatte - Google Patents
SelengleichrichterplatteInfo
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- DE893232C DE893232C DE1949P0039395 DEP0039395A DE893232C DE 893232 C DE893232 C DE 893232C DE 1949P0039395 DE1949P0039395 DE 1949P0039395 DE P0039395 A DEP0039395 A DE P0039395A DE 893232 C DE893232 C DE 893232C
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Classifications
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Description
- Selengleichrichterplatte Mit Alkalien, insbesondere Cäsium, behandelte Selengleichrichterplatten sind bekannt; man stellt sie beispielsweise durch Baden in einer alkalischen Flüssigkeit her. Sie zeichnen sich durch eine Erhöhung der Sperrspannung v or den unbehandelten Platten aus. Diese Gleichrichterplatten werden jedoch wesentlich schneller durch Alterung unbrauchbar.
- Eingehende Untersuchungen haben nun gezeigt, daß eine wesentliche Erhöhung der Sperrspannung bei gleichzeitiger Erhöhung der Lebensdauer erzielt werden kann, wenn die Alkalien ausschließlich oder mindestens zu 95 % als Selenide auf dem Selen bzw. in einer Oberflächenschicht des Selens vorgesehen werden. Diese erfindungsgemäßen Selengleichrichterplatten sind wahrscheinlich deshalb beständiger, weil sie auf dem Selen bzw. in seiner Oberflächenschicht keine oder nur bedeutend weniger freie Alkalien enthalten als die bekannten, mit Alkali behandelten Selengleichrichterplatten. Die kurze Lebensdauer der bekannten Selengleichrichterplatten dieser Art ist wahrscheinlich darauf zurückzuführen, daß die freien Alkalien unter dem Einfluß der angelegten Spannung wandern und dadurch den Störstellengehalt der Halbleiterschicht wesentlich ändern.
- Es empfiehlt sich, die Dicke der Selenidschicht möglichst klein zu wählen; ioo Atomlagen sollten keineswegs überschrittenwerden. Besonderswichtig ist es, dafür Sorge zu tragen, daß auf der Oberfläche bzw. in der Oberflächenschicht möglichst kein freies Alkalimetall oder Alkalihydroxyd vorhanden ist.
- Selengleichrichterplatten gemäß der Erfindung kann man mit Vorteil dadurch herstellen, daß auf die Selengleichrichterplatte der Dampf eines Alkalimetalls, vorzugsweise Cäsiumdampf, zur Einwirkung gebracht wird. Um dieses Fabrikationsverfahren ohne besondere Schwierigkeiten reproduzierbar lenken zu können, empfiehlt es sich, die Dampfdichte und die Reaktionstemperatur bei dieser Durchführung so niedrig zu wählen, daß zum Bilden einer Selenidschicht der erforderlichen Dicke io Minuten, vorzugsweise i Stunde, benötigt wird. Bei einem so langsamen Reaktionsablauf ist es leichter, die gesamte Oberfläche in gleicher Weise mit einer Selenidschicht zu versehen, während bei sehr raschem Reaktionsablauf, beispielsweise durch Temperaturdifferenzen, Ungleichmäßigkeiten auftreten können.
Claims (5)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Mit Alkalien, insbesondere Cäsium, behandelte Selengleichrichterplatte, dadurch gekennzeichnet, daß die Alkalien ausschließlich oder mindestens zu 95 °/n als Selenide auf dem Selen bzw. in einer Oberflächenschicht des Selens vorgesehen sind.
- 2. Selengleichrichterplatte nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Selenidschicht kleiner als ioo Atomlagen ist.
- 3. Selengleichrichterplatte nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Oberfläche bzw. in der Oberflächenschicht möglichst kein freies Alkalimetall oder Alkalihydroxyd vorhanden ist. -¢.
- Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichterplatten nach Anspruch i oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Selengleichrichterplatte der Dampf eines Alkalimetalls, vorzugsweise Cäsiumdampf, zur Einwirkung gebracht wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch q., .dadurch gekennzeichnet, daß die Dampfdichte und die Reaktionstemperatur so niedrig gewähltwerden, daß zum Bilden einer Selenidschicht der erforderlichen Dicke mindestens io Minuten, vorzugsweise etwa i Stunde, benötigt wird. Angezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 667 750; schweizerische Tatentschrift Nr. 22o 586.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE1949P0039395 DE893232C (de) | 1949-04-09 | 1949-04-09 | Selengleichrichterplatte |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE893232C true DE893232C (de) | 1953-10-15 |
Family
ID=7376482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE1949P0039395 Expired DE893232C (de) | 1949-04-09 | 1949-04-09 | Selengleichrichterplatte |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE893232C (de) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE667750C (de) * | 1932-04-16 | 1938-11-19 | Siemens & Halske Akt Ges | Verfahren zur Herstellung unipolarer Sperrschichten |
CH220586A (de) * | 1939-03-15 | 1942-04-15 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Sperrschichtelektrodensystems mit einer Selenelektrode und nach diesem Verfahren hergestelltes Sperrschichtelektrodensystem. |
-
1949
- 1949-04-09 DE DE1949P0039395 patent/DE893232C/de not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE667750C (de) * | 1932-04-16 | 1938-11-19 | Siemens & Halske Akt Ges | Verfahren zur Herstellung unipolarer Sperrschichten |
CH220586A (de) * | 1939-03-15 | 1942-04-15 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung eines Sperrschichtelektrodensystems mit einer Selenelektrode und nach diesem Verfahren hergestelltes Sperrschichtelektrodensystem. |
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