DE4441153C2 - Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervorrichtung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel­ lung eines Kondensators einer hochintegrierten Halbleiterspeichervorrichtung, und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halblei­ terspeichervorrichtung, mit der selbst dann, wenn ein Spei­ cherzellenbereich reduziert oder verkleinert wird, eine aus­ reichende Speicherkapazität erhalten werden kann.

Allgemein umfaßt eine Halbleiterspeichervorrichtung, wie bei­ spielsweise ein dynamischer Direktzugriffspeicher (DRAM) eine Mehrzahl von Speicherzellen derart, daß eine große Informa­ tionsmenge abgespeichert werden kann. Jede der Speicherzellen der Halbleiterspeichervorrichtung umfaßt einen Kondensator zum darin Abspeichern von elektrischen Ladungen, und einen Feldeffekttransistor zum Öffnen und Schließen von Aufladungs- und Entladungspassagen des Kondensators. Da ein derartiger DRAM einen höheren Integrationsgrad hat, ist es schwierig, eine ausreichende Speicherkapazität sicherzustellen. Dies ist deshalb der Fall, weil jede Speicherzelle des DRAM einen ab­ rupt oder schlagartig reduzierten besetzten Bereich hat, weil der DRAM einen höheren Integrationsgrad hat. Eine derartige Reduzierung oder Verminderung oder Verkleinerung des besetz­ ten Bereichs der Speicherzelle führt zu einer Verminderung des Oberflächenbereichs einer Speicherelektrode, die in jedem Kondensator enthalten ist. Die Speicherelektrode jedes Kon­ densators, die jede Speicherzelle zusammen mit jedem Feld­ effekttransistor bildet, ist in Form einer planen oder ebenen Plattengestalt über dem Feldeffekttransistor ausgebildet. Aufgrund einer derartigen Gestalt hat die Speicherelektrode einen Oberflächenbereich, der abrupt reduziert wird, wenn die Speicherzelle einen reduzierten besetzten Bereich hat. In dieser Hinsicht haben herkömmliche Verfahren zur Herstellung von Speicherzellen Schwierigkeiten, den Oberflächenbereich einer Speicherelektrode zu vergrößern, weil sie die Ausbil­ dung einer Speicherelektrode mit einer ebenen Plattengestalt vorsehen.

Die US-A-52,23,448 betrifft ein Verfahren zur Herstellung ei­ nes Kondensators in Schichtstruktur für ein dynamisches Di­ rektzugriffspeicherelement. Gemäß diesem bekannten Verfahren ist es vorgesehen, daß eine dritte Polysiliziumschicht und eine zweite Polysiliziumschicht durch eine photolithographi­ schen Prozeß selektiv derart geätzt werden, daß die freigeleg­ ten Oberflächen dieser Schichten, die nach dem Ätzprozeß be­ reitstehen, als effektiver Oberflächenbereich für ein Konden­ sator verwendet werden können.

Die DE 44 24 933 A1 offenbart eine Halbleiterspeichervorrich­ tung und ein Verfahren zur Herstellung derselben. Insbesondere ist dort offenbart, daß die freigelegten Oberflächenabschnitte einer unteren Elektrode und ein unteres Elektrodenmuster als effektiver Oberflächenbereich für einen Kondensator verwendet werden. Zu diesem Zweck müssen Verfahrensschritte zum Bilden von Oxidfilmen und zur Umformung dieser Filme in Muster durch einen Photolithographie-Prozeß zusätzlich angewendet werden, um das untere Elektrodenmuster zu bilden.

Die DE 39 18 924 A1 ist mit der Ausbildung eines Kondensators für eine Halbleiterspeichervorrichtung befaßt und sieht vor, daß eine untere Elektrodenschicht des Kondensators verschiede­ ne konkave/konvexe Formen aufweist, die durch Einsetzen ver­ schiedener Ätzprozesse hergestellt werden, um die Oberseite des Kondensators und damit die Kapazität desselben zu vergrö­ ßern.

In Fig. 1 ist eine Halbleitervorrichtung gezeigt, die in Übereinstimmung mit den herkömmlichen Verfahren hergestellt ist. In Fig. 1 ist eine Halbleitervorrichtung 1 gezeigt, die einen Feldoxidfilm 2 umfaßt, der auf einem vorbestimmten Ab­ schnitt des Halbleitersubstrats 1 ausgebildet ist, und einen Gate-Isolierfilm 3 und eine Wortleitung 4, die auf einem Ele­ mentbereich des Halbleitersubstrats 1 ausgebildet ist, der durch den Feldoxidfilm 2 festgelegt ist. Oxidfilmabstandhal­ ter 5 sind an Seitenwänden der Wortleitung 4 jeweils ausge­ bildet. An freiliegenden Oberflächenabschnitten des Halblei­ tersubstrats 1, der durch die Oxidfilmabstandhalter 5 festge­ legt ist, sind Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' aus­ gebildet, von denen jeder eine geringfügig dotierte Drain(LDD)struktur hat. Die Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' sind durch primäres Implantieren von Verunreinigungs- oder Fehlstellenionen in das Halbleitersubstrat 1 unter der Bedingung ausgebildet, daß die Wortleitung 4 als Maske ver­ wendet wird, wobei Oxidfilmabstandhalter an den Seitenwänden der Wortleitung 4 jeweils ausgebildet werden, und woraufhin sekundär Verunreinigungsionen in das Halbleitersubstrat 1 un­ ter der Bedingung implantiert werden, daß die Oxidfilmab­ standhalter 5 als Maske verwendet werden. Zusammen mit der Wortleitung 4 bilden die Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' einen Feldeffekttransistor.

Über die gesamte freiliegende Oberfläche der resultierenden Struktur, die mit dem Feldeffekttransistor ausgebildet ist, wird ein isolierender Oxidfilm 7 aufgetragen. Auf dem isolie­ renden Oxidfilm 7 ist eine Speicherelektrode 11 angeordnet, die in Kontakt mit einem ausgewählten der Source/Drain-Diffu­ sionsbereiche 6 und 6' steht. Die Speicherelektrode 11 wird durch selektives Ätzen des isolierenden Oxidfilms 7 ausgebil­ det, wodurch ein Kontaktloch ausgebildet wird, das durch ei­ nen der Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' freiliegt, wobei eine Polysiliciumschicht über der gesamten freiliegen­ den Oberfläche der resultierenden Struktur ausgebildet wird, die nach der Ausbildung des Kontaktlochs erhalten wird, und woraufhin die Polysiliciumschicht unter Verwendung einer Maske mit einem Muster versehen wird. Auf der oberen Oberflä­ che und den Seitenwänden der Speicherelektrode 11 wird ein dielektrischer Film 14 unter Verwendung eines Aufwachsprozes­ ses ausgebildet. Der dielektrische Film 14 hat eine zusammen­ gesetzte Struktur eines NO-Typs, der durch einen Nitridfilm und einen Oxidfilm gebildet ist, oder eines ONO-Typs, der durch einen Oxidfilm, einen Nitridfilm und einen weiteren Oxidfilm gebildet ist. Eine Plattenelektrode 15 ist über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur angeordnet, die nach der Ausbildung des dielektrischen Films 14 erhalten wird. Die Plattenelektrode 15 wird durch Ausbil­ den einer zweiten Polysiliciumschicht ausgebildet, die mit einer Verunreinigung über der gesamten freiliegenden Oberflä­ che der resultierenden Struktur dotiert ist, die nach der Ausbildung des dielektrischen Films 14 erhalten wird, worauf­ hin die zweite Polysiliciumschicht für eine vorbestimmte Ab­ messung mit einem Muster versehen wird.

Wie aus der vorstehenden Beschreibung hervorgeht, hat die Halbleitervorrichtung, die gemäß dem Verfahren von Fig. 1 hergestellt ist, die Speicherelektrode mit der ebenen Plat­ tengestalt. Aufgrund einer derartigen ebenen Plattengestalt der Speicherelektrode ist es unmöglich, eine ausreichende Speicherkapazität zu erhalten, wenn die Speicherzelle einen reduzierten besetzten Bereich hat. Es ist deshalb für die herkömmliche Halbleiterspeichervorrichtung schwierig, auf­ grund der unzureichenden Speicherkapazität einen hohen Inte­ grationsgrad zu haben.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht deshalb darin, ein Verfahren zum Herstellen eines Kondensators einer Halb­ leitervorrichtung zu schaffen, mit der selbst dann, wenn ein Speicherzellenbereich reduziert ist, eine ausreichende Spei­ cherkapazität erhalten werden kann, wodurch der Integrations­ grad der Halbleiterspeichervorrichtung verbessert wird.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird diese Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervorrichtung, wie in Anspruch 1 bzw. 4 angegeben.

Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert; es zeigen:

Fig. 1 eine Schnittansicht einer Halbleiterspeichervorrich­ tung, die gemäß einem herkömmlichen Verfahren hergestellt ist,

Fig. 2 eine Aufsicht der Positionen von Maskenmustern, die bei der Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspei­ chervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird,

Fig. 3A bis 3F Schnittansichten, die jeweils ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeicher­ vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegen­ den Erfindung zeigen, und

Fig. 4 eine Schnittansicht eines Verfahrens zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 2 zeigt eine Aufsicht der Positionen von Maskenmustern, die bei der Herstellung eines Kondensators einer Halbleiter­ speichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwen­ det werden. In Fig. 2 sind verschiedene Bereiche a bis d ge­ zeigt. Der erste Bereich a gibt das Muster einer Maske wie­ der, durch das eine Speicherelektrode mit einem Muster versehen wird, während der zweite Bereich b das Muster einer Maske für eine aktive Bereichsisolierung wiedergibt, die dazu aus­ gelegt ist, einen Bereich zu isolieren, wo eine Speicherzelle angeordnet ist. Der dritte Bereich c gibt andererseits das Muster einer Maske wieder, das dazu ausgelegt ist, zur Aus­ bildung einer Gate-Elektrode und einer Wortleitung verwendet zu werden, während der vierte Bereich d das Muster einer Maske wiedergibt, das dazu ausgelegt ist, zur Ausbildung ei­ nes Kontaktlochs verwendet zu werden.

Die Fig. 3A bis 3F zeigen jeweils Schnittansichten zur Ver­ deutlichung eines Verfahrens zur Herstellung eines Kondensa­ tors einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Fig. 3A bis 3E zeigen Querschnittsansichten entlang der Linie A-A' von Fig. 2, während Fig. 3F eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B' von Fig. 2 zeigt. In den Fig. 3A bis 3F sind den Elementen von Fig. 1 entsprechende Elemente mit denselben Be­ zugsziffern bezeichnet.

Gemäß diesem Verfahren wird ein Halbleitersubstrat 1 zuberei­ tet, das an seinem vorbestimmten Abschnitt, wo eine P-Quelle (oder N-Quelle) ausgebildet ist, mit einem Feldoxidfilm 2 ausgebildet, wie in Fig. 3A gezeigt. Der Feldoxidfilm 2 ist durch Aufwachsen eines Oxidfilms auf den vorbestimmten Ab­ schnitt des Halbleitersubstrats 1 in Übereinstimmung mit ei­ nem lokalen Siliciumoxidationsprozeß (LOCOS) unter Verwendung einer Maske ausgebildet, die als die Maske b für die aktive Bereichsisolierung verwendet werden kann. Das Halbleiter­ substrat 1 ist außerdem mit einem Gate-Isolierfilm 3 und ei­ ner Wortleitung 4 an einem Elementbereich ausgebildet, der durch den Feldoxidfilm 2 festgelegt ist. Die Wortleitung 4 ist zusammen mit einer Gate-Elektrode durch Niederschlagen eines Polysiliciumfilms über dem Halbleitersubstrat 1 ausge­ bildet, das mit dem Feldoxidfilm 2 ausgebildet ist, wobei Verunreinigungsionen in den Polysiliciumfilm implantiert wer­ den, und wobei der Polysiliciumfilm unter Verwendung einer Maske für die Gate-Elektrode/Wortleitung mit einem Muster versehen ist, bei der es sich um die Maske c handeln kann. Oxidfilmabstandhalter 5 werden jeweils an Seitenwänden der Wortleitung 4 ausgebildet. An freiliegenden Oberflächenab­ schnitten des Halbleitersubstrats 1, die durch die Oxidfilm­ abstandhalter 5 festgelegt sind, werden Source/Drain-Diffu­ sionsbereiche 6 und 6' ausgebildet, von denen jeder eine LDD- Struktur hat. Die Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' werden durch primäres Implantieren von Verunreinigungsionen geringer Konzentration in das Halbleitersubstrat 1 unter der Bedingung ausgebildet, daß die Gate-Elektrode und die Wort­ leitung 4 als Maske verwendet werden, wobei Oxidfilmabstand­ halter an Seitenwänden der Gate-Elektrode und der Wortleitung 4 jeweils ausgebildet werden, woraufhin Verunreinigungsionen höherer Konzentration in das Halbleitersubstrat 1 unter der Bedingung sekundär implantiert werden, daß die Oxidfilmab­ standhalter 5 als Maske verwendet werden. Zusammen mit der Wortleitung 4 bilden die Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' einen Feldeffekttransistor.

Über die gesamte freiliegende Oberfläche der resultierenden Struktur, die mit dem Feldeffekttransistor ausgebildet ist, werden ein planierter oder eingeebneter Isolieroxidfilm 7, eine Ätzbarrierenschicht 8, eine erste Elektrodenschicht 9 und eine zweite Elektrodenschicht 11 aufeinanderfolgend ausgebildet, wie in Fig. 3B gezeigt. Elektrodenmaterialabstandhalter wer­ den ebenfalls zwischen dem Isolieroxidfilm 7 und der zweiten Elektrodenschicht 11 ausgebildet. Der Isolieroxidfilm 7 wird durch Niederschlagen eines Isoliermaterials mit einer vorbe­ stimmten Dicke über die gesamte freiliegende Oberfläche der resultierenden Struktur ausgebildet, die mit dem Feldeffekt­ transistor ausgebildet ist, woraufhin ein vorbestimmter Ab­ schnitt des Isoliermaterialfilms vollständig geätzt wird. Die Ätzbarrierenschicht 8 wird durch Auftragen eines Siliciumnitrids mit einer vorbestimmten Dicke über den Isolieroxidfilm 7 ausge­ bildet. Die erste Elektrodenschicht 9 wird durch Niederschla­ gen eines mit einer Verunreinigung dotierten Polysiliciums über der Ätzbarrierenschicht 8 ausgebildet. Die Elektrodenmaterial­ abstandhalter 10 werden durch aufeinanderfolgendes Ätzen vorbestimmter Abschnitte der ersten Elektrodenschicht 9, der Ätzbarrierenschicht 8 und des oberen Abschnitts des Isolieroxidfilms 7 ausgebildet, um ein erstes Kontaktloch unter Verwendung ei­ ner Maske auszubilden, bei der es sich um die Kontaktloch­ maske d von Fig. 2 handeln kann, wobei Polysilicium, das eine leitende oder Leitungseigenschaft hat, mit einer vorbestimm­ ten Dicke über der gesamten freiliegenden Oberfläche der re­ sultierenden Struktur niedergeschlagen wird, die nach der Ausbildung des ersten Kontaktlochs erhalten wird, woraufhin die Polysiliciumschicht anisotrop geätzt wird. Andererseits füllt die zweite Elektrodenschicht 11 einen Raum aus, der durch die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 und das erste Kontaktloch festgelegt ist, das in dem Isolieroxidfilm 7 der­ art ausgebildet ist, das es in elektrischem Kontakt mit einem ausgewählten der Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' steht. Die zweite Elektrodenschicht 11 wird durch Ätzen eines freiliegenden Bereichs des Isolieroxidfilms 7 ausgebildet, der durch die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 festgelegt ist, um ein zweites Kontaktloch auszubilden, durch das der ausgewählte der Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' freigelegt wird, woraufhin mit einer Verunreinigung dotiertes Polysilicium über die gesamte freiliegende Oberfläche der re­ sultierenden Struktur niedergeschlagen wird, die nach der Ausbildung des zweiten Kontaktlochs erhalten ist. Die Elek­ trodenmaterialabstandhalter 10 bestehen aus reinem Polysili­ cium, um ihre Ätzselektivität gegenüber dem Isolieroxidfilm 7 zu verbessern. Die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 enthal­ ten eine Verunreinigung, die aus den ersten und zweiten Elek­ trodenschichten 9 und 9' durch aufeinanderfolgendes Ausbilden eines Dielektrizitätsfilms diffundiert wird.

Über der zweiten Elektrodenschicht 11 wird ein Photoresist- Filmmuster 12 ausgebildet, wie in Fig. 3C gezeigt. Die Aus­ bildung des Photoresist-Filmmusters 12 wird durch Auftragen eines Photoresistfilms über die zweite Elektrodenschicht 11 erreicht, selektives Belichten des Photoresistfilms unter Verwendung der Maske d für das Kontaktloch und der Maske c für die Gate-Elektrode/Wortleitung und darauffolgendes Entwickeln des belichteten Photoresistfilms. Ein freiliegender oder belichteter Abschnitt der zweiten Elektrodenschicht 11, die nicht unter dem Photoresistfilmmuster 12 angeordnet ist, wird daraufhin geätzt, wodurch ein zweites Elektrodenschicht­ muster 11A ausgebildet wird. Nach der Ausbildung des zweiten Elektrodenschichtmusters 11A wird das Photoresist-Filmmuster 12 entfernt.

Daraufhin wird ein (nicht gezeigter) Oxidfilm über der gesamten freigelegten Oberfläche der resultierenden Struktur gebildet, die nach der Entfernung des Photoresistfilmmusters 12 erhalten wird. Der Oxidfilm wird durch den Rückätzprozeß selektiv geätzt, bis eine Oberseite der Barrierenschicht 8 freigelegt ist. Infolge davon wird ein Oxidfilmabstandhalter 13 auf den Seitenwänden des zweite Elektrodenschichtmusters 11A gebildet.

Daraufhin werden der freigelegte Abschnitt der zweiten Elektro­ denschicht 11 und die erste Elektrodenschicht 9 unter der zwei­ ten Elektrodenschicht 11 unter Verwendung des Oxidfilmabstand­ halters 13 als Maske geätzt, wodurch ein zweites Elektroden­ schichtmuster 11A und ein erstes Elektrodenschichtmuster 9A gebildet werden.

Daraufhin werden erste Elektrodenschichtmuster 9A, zweite Elektrodenseitenwände 11B und Oxidfilmabstandhalter 13 ausge­ bildet, wie in Fig. 3D gezeigt. Die Ausbildung der Oxidfilm­ abstandhalter 13 wird durch Auftragen eines Oxidfilms mit gleichmäßiger Dicke über die gesamte freiliegende Oberfläche der resultierenden Struktur erreicht, die nach der Ausbildung des zweiten Elektrodenschichtmusters 11A erhalten wird, wor­ aufhin der Oxidfilm derart anisotrop geätzt wird, daß er le­ diglich an Seitenwänden des zweiten Elektrodenschichtmusters 11A verbleibt. Das erste Elektrodenschichtmuster 9A und die zweiten Elektrodenseitenwände 11B werden durch Ätzen der zweiten Elektrodenschichtmuster 11A, der zweiten Elektroden­ schicht 11 und der ersten Elektrodenschicht 9 unter Verwen­ dung der Oxidfilmabstandhalter 13 als Maske ausgebildet, bis die Ätzbarrierenschicht 8 freiliegt. Zu diesem Zeitpunkt dienen die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 dazu, zu verhindern, daß ein Abschnitt der zweiten Elektrodenschicht 11, die in dem ersten Kontaktloch angeordnet ist, übermäßig geätzt wird, um einen Kurzschluß zwischen dem ersten Elektrodenschichtmuster 9A und dem ausgewählten der Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' zu verhindern.

Daraufhin werden die Oxidfilmabstandhalter 13 unter Verwenden eines Naßätzprozesses entfernt, wie in Fig. 3E gezeigt. Die zweiten Elektrodenseitenwände 11B sind dadurch an ihren obe­ ren Oberflächen freigelegt. Ein Dielektrizitätsfilm 14 und eine Plattenelektrode 15 werden daraufhin aufeinanderfolgend ausgebildet. Die Ausbildung des Dielektrizitätsfilms 14 wird durch Aufwachsen einer dielektrischen Kompositfilmstruktur von NO oder ONO über die freiliegende Oberflächen des ersten Elektrodenschichtmusters 9A, der freiliegenden Oberfläche der zweiten Elektrodenschichtseitenwände 11B und der freiliegen­ den Oberfläche der zweiten Elektrodenschicht 11 erreicht. Die Plattenelektrode 15 wird andererseits durch Niederschlagen von eine Verunreinigung enthaltendem Polysilicium über die gesamte freiliegende Oberfläche der resultierenden Struktur ausgebildet, die nach der Ausbildung des dielektrischen Films 14 erhalten ist, und daraufhin durch Ausbilden eines Musters für den niedergeschlagenen Polysiliciumfilm durch Verwendung der Maske a für die Speicherelektrode. Dadurch wird eine Kon­ densatorstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung erhalten.

Unter Bezugnahme auf Fig. 3F, die einen Schnitt entlang der Linie B-B' von Fig. 2 zeigt, ist die Kondensatorstruktur ge­ mäß der vorliegenden Erfindung dargestellt.

Fig. 4 zeigt eine Querschnittsansicht zur Verdeutlichung des Verfahrens zur Herstellung eines Kondensators einer Halblei­ terspeichervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Gemäß diesem Verfahren kann eine Kondensatorstruktur erhalten werden, die eine Speicherelek­ trode mit einem größeren Oberflächenbereich umfaßt als die Kondensatorstruktur, die gemäß dem in den Fig. 3A bis 3E dar­ gestellten Verfahren hergestellt ist. Gemäß dem Verfahren von Fig. 4 werden dieselben Schritte wie in Fig. 3A bis 3E mit der Ausnahme durchgeführt, daß die Ausbildung der Ätzbarrieren­ schicht 8 beim in Fig. 3B gezeigten Schritt ausgelassen wird, und daß der Isolieroxidfilm 7, der beim Schritt von Fig. 3B ausgebildet wird, an seinem Abschnitt geätzt wird, der unter dem Kantenabschnitt des ersten Elektrodenschichtmusters 9A angeordnet ist, und zwar durch Naßätzen der Oxidfilmabstand­ halter 13 am Schritt von Fig. 3E.

Wie aus der vorstehenden Beschreibung hervorgeht, wird durch die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensa­ tors einer Halbleiterspeichervorrichtung geschaffen, durch das eine Speicherelektrode ausgebildet werden kann, das rechtwinklige Innen- und Außenwände hat, die von einer Elektrodenplattenstruktur vorstehen und dadurch einen größeren Oberflächenbereich im Vergleich zu dem begrenzten besetzten Bereich der Halbleiterspeichervorrichtung haben. Durch den großen Oberflächenbereich der Speicherelektrode hat der gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Kondensator im Vergleich zu dem begrenzten besetzten Bereich der entspre­ chenden Speicherzelle eine große Speicherkapazität. Es ist deshalb möglich, Verbesserungen hinsichtlich des Integra­ tionsgrads und der Zuverlässigkeit der Halbleiterspeichervor­ richtung zu erzielen.

Obwohl die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung bei­ spielhaft beschrieben worden sind, erschließt sich dem Fach­ mann, daß verschiedene Abwandlungen, Zusätze und Ersätze mög­ lich sind, ohne vom Umfang und Geist der in den folgenden An­ sprüchen offenbarten Erfindung abzuweichen.

Claims (5)

1. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halblei­ terspeichervorrichtung, umfassend die Schritte:
Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1), das mit einem Transistor ausgebildet ist, der einen Source/Drain-Diffu­ sionsbereich (6) hat,
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines eingeebneten Isolier­ oxidfilms (7), einer Ätzbarrierenschicht (8) und einer ersten Elektrodenschicht (9) über dem Halbleitersubstrat (1),
Ätzen jeweils vorbestimmter Abschnitte der ersten Elektro­ denschicht (9), der Ätzbarrierenschicht (8) und des Isolier­ oxidfilms (7) in fortgesetzter Weise gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung einer Kontaktlochmaske (d), wodurch ein erstes Kontaktloch ausgebildet wird,
Ausbilden von Elektrodenmaterialabstandhaltern (10) jeweils an Seitenwänden des ersten Kontaktlochs derart, daß der Isolieroxidfilm (7) durch einen Bereich teilweise freiliegt, der durch die Elektrodenmaterialabstandhalter (10) festgelegt ist,
Ausbilden eines zweiten Kontaktlochs zum Freilegen des Source/Drain-Diffusionsbereichs (6) gemäß einem selektiven Ätzprozeß unter Verwendung der ersten Elektrodenschicht (9) und der Elektrodenmaterialabstandhalter (10) als Ätzbarriere,
Ausbilden einer zweiten Elektrodenschicht (11) über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struk­ tur, die nach der Ausbildung des zweiten Kontaktlochs erhalten wird, derart, daß die zweite Elektrodenschicht (11) sich in elektrischem Kontakt mit dem Source/Drain-Diffusions­ bereich (6) befindet,
selektives Entfernen eines oberen Abschnitts der zweiten Elektrodenschicht (11), der um einen Bereich herum angeordnet ist, wo das erste Kontaktloch festgelegt ist, wodurch ein zweites Elektrodenschichtmuster (11A) ausgebildet wird,
Ausbilden von Oxidfilmabstandhaltern (13) jeweils an Sei­ tenwänden des zweiten Elektrodenschichtmusters (11A),
Ätzen des zweiten Elektrodenschichtmusters (11A), der zweiten Elektrodenschicht (11) und der ersten Elektrodenschicht (9) unter der Bedingung, daß die Oxidfilmabstandhalter (13) als Maske verwendet werden, bis die Ätzbarrierenschicht (8) freiliegt, wodurch ein erstes Elektrodenschichtmuster (9A) und äußere und innere Elektrodenmaterialwände (11B) ausgebil­ det werden, die auf dem ersten Elektrodenschichtmuster (9A) angeordnet sind,
Entfernen der Oxidfilmabstandhalter (13), wodurch obere Oberflächen der äußeren und inneren Elektrodenmaterialwände (11B) freigelegt werden und
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines dielektrischen Films (14) und einer Plattenelektrode (15) über freiliegenden Oberflächen der äußeren und inneren Elektrodenmaterialwände (11B), des ersten Elektrodenschichtmusters (9A) und der zweiten Elektrodenschicht (11).

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenmaterialabstandhalter (10) zur Verbesserung ihrer Ätzselektivität gegenüber dem Isolieroxidfilm (7) aus Poly­ silicium bestehen.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Elektrodenschichten (9, 11) eine Verun­ reinigung zum Schaffen einer guten Leitfähigkeitseigenschaft enthalten, wobei die Verunreinigung in die Elektrodenmateri­ alabstandhalter (10) beim Schritt des Ausbildens des dielek­ trischen Films (14) diffundiert wird.

4. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halblei­ terspeichervorrichtung, umfassend die Schritte:
Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1), das mit einem Transistor ausgebildet ist, der einen Source/Drain-Diffu­ sionsbereich hat,
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines eingeebneten Isolier­ oxidfilms (7) und einer ersten Elektrodenschicht (9) über dem Halbleitersubstrat (1),
Ätzen jeweils vorbestimmter Abschnitte der ersten Elektro­ denschicht (9) und des Isolieroxidfilms (7) in fortgesetzter Weise gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung einer Kon­ taktlochmaske (d), wodurch ein erstes Kontaktloch ausgebildet wird,
Ausbilden von Elektrodenmaterialabstandhaltern (10) jeweils an Seitenwänden des ersten Kontaktlochs derart, daß der Isolieroxidfilm (7) teilweise durch einen Bereich freigelegt wird, der durch die Elektrodenmaterialabstandhalter (10) festgelegt ist,
Ausbilden eines zweiten Kontaktlochs zum Freilegen des Source/Drain-Diffusionsbereichs (6) gemäß einem selektiven Ätzprozeß unter Verwendung der ersten Elektrodenschicht (9) und der Elektrodenmaterialabstandhalter (10) als Ätzbarriere,
Ausbilden einer zweiten Elektrodenschicht (11) über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des zweiten Kontaktlochs erhalten wird, derart, daß die zweite Elektrodenschicht (11) sich in elektrischem Kontakt mit dem Source/Drain-Diffusions­ bereich (6) befindet,
selektives Entfernen eines oberen Abschnitts der zweiten Elektrodenschicht (11), der um einen Bereich herum angeordnet ist, wo das erste Kontaktloch festgelegt ist, wodurch ein zweites Elektrodenschichtmuster (11A) ausgebildet wird,
Ausbilden von Oxidfilmabstandhaltern (13) jeweils an Sei­ tenwänden der zweiten Elektrodenschichtmuster (11A),
Ätzen der zweiten Elektrodenschichtmuster (11A), der zweiten Elektrodenschicht (11) und der ersten Elektrodenschicht (9) unter der Bedingung, daß die Oxidfilmabstandhalter (13) als Maske verwendet werden, wodurch ein erstes Elektrodenschicht­ muster (9A) und äußere und innere Elektrodenmaterialwände (11B) ausgebildet werden, die an dem ersten Elektroden­ schichtmuster (9A) angeordnet sind,
Entfernen der Oxidfilmabstandhalter (13) unter Verwendung eines Naßätzprozesses, wodurch obere Oberflächen der äußeren und inneren Elektrodenmaterialwände (11B) freigelegt werden, und
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines dielektrischen Films (14) und einer Plattenelektrode (13) über freiliegenden Oberflächen der äußeren und inneren Elektrodenmaterialwände (11B), des ersten Elektrodenschichtmusters (9A) und der zweiten Elektrodenschicht (11).

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolieroxidfilm (7) durch Entfernen der Oxidfilmabstandhalter (13) derart unterschnitten wird, daß das erste Elektro­ denschichtmuster (9A) an einem Kantenabschnitt seiner unteren Oberfläche freigelegt wird.