DE4402216A1 - Halbleiterbauelement mit Kondensatoren und zu seiner Herstellung geeignetes Verfahren - Google Patents
Halbleiterbauelement mit Kondensatoren und zu seiner Herstellung geeignetes VerfahrenInfo
- Publication number
- DE4402216A1 DE4402216A1 DE4402216A DE4402216A DE4402216A1 DE 4402216 A1 DE4402216 A1 DE 4402216A1 DE 4402216 A DE4402216 A DE 4402216A DE 4402216 A DE4402216 A DE 4402216A DE 4402216 A1 DE4402216 A1 DE 4402216A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- dielectric material
- electrodes
- lower electrodes
- ferroelectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015801 BaSrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement nach
dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 sowie auf ein zu seiner
Herstellung geeignetes Verfahren.
Mit fortschreitendem Integrationsgrad von Speicherbauelementen
mit wahlfreiem Zugriff (DRAMs) werden zahlreiche Verfahren zur
Erhöhung der Kapazität innerhalb der begrenzten Speicherzellen
fläche vorgeschlagen. Diese Verfahren können grob in zwei
Gruppen unterteilt werden, nämlich in Verfahren, mit denen die
Kondensatorstruktur verbessert wird, und in Verfahren, bei
denen ein Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
verwendet wird.
Als ein kondensatorstrukturverbesserndes Verfahren ist ein sol
ches bekannt, bei der die effektive Kondensatorfläche durch
Bildung einer dreidimensionalen Speicherelektrode erhöht wird.
Diese Erhöhung der Kapazität wird jedoch durch entwurfsregel
bedingte Beschränkungen und einen komplexen Herstellungsprozeß
erschwert. Hingegen sind die Verfahren, bei denen ein Material
mit einer hohen Dielektrizitätskonstante als dielektrische
Schicht der Kondensatoren verwendet wird, nicht durch Entwurfs
regeln eingeschränkt. Deshalb kann die Kapazität auf diese
Weise problemlos erhöht werden.
Vor kurzem wurde ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem ein
ferroelektrisches Material für die dielektrische Schicht ver
wendet wird. Im Gegensatz zu den existierenden Oxid-, Silizium
nitrid- oder Tantalpentoxid(Ta2O5)-Schichten zeigt ferroelek
trisches Material spontane Polarisierung und besitzt im allge
meinen eine Dielektrizitätszahl von wenigstens 1000. Wenn
ferroelektrisches Material für die dielektrische Schicht ver
wendet wird, kann die Dicke einer äquivalenten Oxidschicht ge
ring gewählt werden, beispielsweise 1 Nm oder weniger, selbst
wenn das ferroelektrische Material in einer Dicke von nur
wenigen Hundert Nanometern gebildet wird. Zudem kann aufgrund
des Effekts spontaner Polarisation eine ein ferroelektrisches
Material verwendende dielektrische Schicht sowohl für nicht
flüchtige Speicherbauelemente wie auch für DRAMs eingesetzt
werden.
Materialien wie PZT (PbZrTiO3), BST (BaSrTiO3) und dgl. haben
eine hohe Dielektrizitätskonstante, wobei sich zusätzlich ihre
ferroelektrischen Eigenschaften abhängig vom Verhältnis ihrer
Zusammensetzung unterscheiden, weshalb sie seit kurzem als
dielektrische Materialien für DRAM-Kondensatoren populär sind.
Wenn solche Materialien für die dielektrische Schicht verwendet
werden, wird Platin aufgrund seiner hohen Widerstandsfähigkeit
gegen Oxidation als Elektrodenmaterial für die Kondensatoren
verwendet.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt eines durch ein herkömmliches
Verfahren hergestellten Halbleiterbauelementes mit Konden
satoren mit ferroelektrischer Schicht. Bezugnehmend auf Fig. 1
ist dort ein Transistorpaar in einem durch eine Feldoxidschicht
(10) definierten aktiven Bereich eines Halbleitersubstrates
(100) gebildet. Die Transistoren teilen sich ein gemeinsames
Drain-Gebiet (7) und besitzen jeweils ein Source-Gebiet (5)
sowie eine Gate-Elektrode (15). Mit dem Drain-Gebiet (7) ist
eine Bitleitung (20) verbunden, und zur Freilegung vorbe
stimmter Bereiche jedes Source-Gebietes (5) sind Kontaktlöcher
ausgebildet. Jedes Kontaktloch ist mit einem Kontaktstift (25)
gefüllt, und auf den Stiften sind jeweilige untere Kondensator
elektroden gebildet, die jeweils aus einer Titanschicht (30)
und einer Platinschicht (35) aufgebaut sind. Über den unteren
Elektroden ist eine dünne ferroelektrische Schicht (40) aufge
bracht, und auf dieser ferroelektrischen dünnen Schicht (40)
ist eine gemeinsame obere Elektrode (50) ausgebildet.
Bei einem gemäß diesem oben beschriebenen herkömmlichen Ver
fahren hergestellten Kondensator kann eine Schwächung der
ferroelektrischen Schicht jeweils an der scharfen Kante einer
unteren Elektrode (siehe den Bereich "B" in Fig. 1) bei der
Bildung dieser Schicht nach der Erzeugung der unteren Elek
troden auftreten. Da die Dielektrizitätszahl einer ferroelek
trischen Schicht sehr hoch ist, grob zwischen 1000 und 10 000,
besteht außerdem eine hohe Wahrscheinlichkeit für das Auftreten
eines Fehlers zwischen benachbarten Kondensatoren über die sich
auch zwischen benachbarten unteren Elektroden erstreckende
ferroelektrische Schicht (siehe den Bereich "A" in Fig. 1).
Kuniaki Koyama et al. offenbarten 1991 ein neuartiges Verfahren
zur Herstellung eines Kondensators zur Vermeidung der oben be
schriebenen Schwierigkeiten (siehe IEDM ′91, "A Stacked Capa
citor with (BaxSr1-x)TiO3 for 256M DRAMs"). Die Fig. 2A bis
2E zeigen Querschnitte zur Veranschaulichung eines solchen Kon
densatorherstellungsverfahrens.
Gemäß Fig. 2A wird eine Isolationsschicht (102) auf ein Halb
leitersubstrat (100) aufgebracht und durch Ätzen eines vorbe
stimmten Bereiches der Isolationsschicht (102) ein Kontaktloch
(105) erzeugt. Darauf folgt eine ganzflächige Abscheidung von
störstellendotiertem Polysilizium auf der resultierenden Struk
tur. Die Struktur wird dann so weit zurückgeätzt, daß das
Kontaktloch (105) mit Polysilizium gefüllt bleibt.
Wie Fig. 2B zeigt, werden nacheinander eine Tantalschicht und
eine Platinschicht, jeweils in einer Dicke von 50 Nm auf die
resultierende Struktur aufgesputtert. Beide Schichten werden
daraufhin durch einen Trockenätzprozeß zur Bildung eines
Platinmusters (125) und eines Tantalmusters (120), welche zu
sammen eine untere Elektrode bilden, strukturiert.
Gemäß Fig. 2C wird (Ba0,5Sr0,5)TiO3 ganzflächig auf der resul
tierenden Struktur mittels Hochfrequenzmagnetronsputtern abge
schieden, wodurch eine ferroelektrische Schicht (130) mit einer
Dicke zwischen 70 Nm und 200 Nm entsteht.
Gemäß Fig. 2D wird dann mittels chemischer Gasphasenabscheidung
(CVD) eine Oxidschicht mit einer Dicke von 100 Nm ganz flächig
auf der resultierenden Struktur erzeugt. Diese Struktur wird
anisotrop geätzt, so daß eine Seitenwandabstandsschicht (135)
entsteht, die Leckströme aufgrund unzureichender Stufenbe
deckung der ferroelektrischen Schicht (130) reduziert.
Schließlich wird eine Schicht (140) aus Titannitrid (TiN), wie
in Fig. 2E gezeigt, als eine obere Elektrode ganz flächig in
einer Dicke von 100 Nm auf die resultierende Struktur aufge
bracht.
Ein nach dem obigen Verfahren hergestellter Kondensator besitzt
eine CVD-Oxid-Seitenwandabstandsschicht, die eine ausgezeich
nete Durchbruchfestigkeit in dem geschwächten Bereich der
ferroelektrischen Schicht bereitstellt, um auf diese Weise
einen nur sehr geringen Leckstrom und eine stabile Durchbruch
festigkeitsverteilung zu erreichen. Jedoch besteht aufgrund der
hohen Dielektrizitätskonstante der ferroelektrischen Schicht
weiter die Gefahr, daß Fehler zwischen benachbarten Konden
satoren auftreten.
Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung
eines Halbleiterbauelementes der eingangs genannten Art mit
sehr zuverlässiger, fehlersicherer Kondensatorfunktion sowie
eines zu seiner Herstellung geeigneten Verfahrens zugrunde.
Dieses Problem wird durch ein Halbleiterbauelement mit den
Merkmalen des Patentanspruchs 1 sowie durch ein Verfahren zur
Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit den Merkmalen des
Patentanspruchs 4 gelöst. Die Bildung einer Seitenwandabstands
schicht aus einem Material mit niedriger Dielektriziätskon
stante zwischen den unteren Elektroden verhindert das Auftreten
von Fehlfunktionen zwischen benachbarten Kondensatoren.
Bevorzugte, nachfolgend beschriebene Ausführungsformen der Er
findung sowie zu deren besserem Verständnis die oben beschrie
benen, herkömmlichen Ausführungsbeispiele sind in den Zeich
nungen dargestellt. Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt eines nach einem herkömmlichen Ver
fahren hergestellten Halbleiterbauelementes mit Kon
densatoren mit ferroelektrischer Schicht,
Fig. 2A bis 2E Querschnitte zur Veranschaulichung eines weiteren
herkömmlichen Verfahrens zur Herstellung eines Halb
leiterbauelementes mit Kondensatoren mit ferroelek
trischer Schicht,
Fig. 3 bis 6 Querschnitte zur Veranschaulichung einer ersten er
findungsgemäßen Verfahrensvariante zur Herstellung
eines Halbleiterbauelementes mit Kondensatoren mit
ferroelektrischer Schicht,
Fig. 7 und 8 Querschnitte zur Veranschaulichung einer zweiten er
findungsgemäßen Verfahrensvariante zur Herstellung
eines Halbleiterbauelementes mit Kondensatoren mit
ferroelektrischer Schicht und
Fig. 9 und 10 Querschnitte zur Veranschaulichung einer dritten
erfindungsgemäßen Verfahrensvariante zur Herstellung
eines Halbleiterbauelementes mit Kondensatoren mit
ferroelektrischer Schicht.
Die Erfindung wird nachfolgend im Detail unter Bezugnahme auf
die zugehörigen Figuren beschrieben. Die Fig. 3 bis 6 zeigen
Querschnitte eines nach einer ersten Verfahrensvariante herge
stellten Halbleiterbauelementes in aufeinander folgenden Ferti
gungsstufen.
Fig. 3 veranschaulicht einen Schritt zur Bildung eines Kon
taktloches und eines Kontaktstiftes (25) auf einem Halbleiter
substrat (100), an dessen Oberseite ein Transistorpaar ausge
bildet ist. Das Halbleitersubstrat (100) wird hierzu zunächst
mittels einer Feldoxidschicht (10) in einen aktiven und einen
isolierenden Bereich unterteilt. Dann wird im aktiven Bereich
des Halbleitersubstrats (100) das Transistorpaar gebildet, wo
bei sich die beiden Transistoren ein Drain-Gebiet (7) teilen
und jeweils ein Source-Gebiet (5) und eine Gate-Elektrode (15)
aufweisen. Des weiteren wird im aktiven Bereich eine mit dem
Drain-Gebiet (7) verbundene Bitleitung (20) vorgesehen. Darauf
hin wird eine (nicht gezeigte) Isolationsschicht ganz flächig
über dem Substrat (100) aufgebracht. Über der resultierenden
Struktur wird ganz flächig eine planarisierende Schicht (23)
gebildet, um die aufgrund der Anordnung der Transistoren und
der Bitleitung unebene Oberseite des Substrats (100) zu plana
risieren. Daraufhin werden über den Source-Gebieten (5) befind
liche Bereiche der planarisierenden Schicht (23) und der
Isolationsschicht selektiv geätzt, um jeweilige Kontaktlöcher
zur Verbindung einer unteren Kondensatorelektrode mit einem
Source-Gebiet zu erzeugen. Anschließend wird phosphordotiertes
Polysilizium als leitfähiges Material auf dem mit den Kontakt
löchern versehenen Substrat (100) abgeschieden und dann so weit
zurückgeätzt, daß die Kontaktlöcher mit jeweiligen Kontakt
stiften (25) gefüllt bleiben.
Fig. 4 veranschaulicht einen Schritt zur Bildung unterer
Kondensatorelektroden. Hierzu werden nacheinander mittels eines
Sputterverfahrens eine Titanschicht in einer Dicke von ungefähr
50 Nm und eine Platinschicht in einer Dicke von 100 Nm ganz
flächig auf die mit den Kontaktstiften (25) versehene, resul
tierende Struktur aufgebracht. Anschließend wird auf der Pla
tinschicht (obere Schicht) ein (nicht gezeigtes) Photoresist
muster zur Festlegung einzelner Speicherzellen mittels Be
schichtung mit einem Photoresist sowie Belichtung und Entwick
lung desselben erzeugt. Dann werden die beiden Schichten unter
Verwendung des Photoresistmusters als Maske gemeinsam geätzt,
wodurch die unteren Kondensatorelektroden entstehen, die aus
dem Platinmuster (35) und dem Titanmuster (30) aufgebaut sind.
Das Photoresistmuster wird daraufhin entfernt. Alternativ kann
für den Aufbau der unteren Elektroden Tantal anstelle von Titan
verwendet werden.
Fig. 5 veranschaulicht einen Schritt zur Bildung einer Seiten
wandabstandsschicht (45′). Hierzu wird als ein schwach dielek
trisches Material plasmaunterstützt hergestelltes SiO2 (PE-SiO2),
eine CVD-Oxidschicht, Siliziumnitrid (SixNy), Bornitrid (BN),
Borphosphorsilikatglas (BPSG), Phosphorsilikatglas (PSG),
undotiertes Silikatglas (USG) oder Borsilikatglas (BSG) in einer
Dicke von 150 Nm bis 200 Nm auf der mit den unteren Elektroden
versehenen, resultierenden Struktur abgeschieden. Das schwach
dielektrische Material wird dann anisotrop geätzt, wodurch die
Abstandsschicht (45′) an den Seitenflächen der unteren
Elektroden entsteht.
Fig. 6 veranschaulicht einen Schritt zur Bildung einer ferro
elektrischen Schicht (40) und einer oberen Elektrode (50). Als
ferroelektrisches Material wird zur Erzeugung der ferroelek
trischen Schicht (40) PZT, PbTiO3(PLT), PbLaZrTiO3(PLZT),
SrTiO3 (STO), BST oder LiNbO3 (LNO) mittels eines CVD-Verfahrens
auf der mit der Seitenwandabstandsschicht (45′) versehenen, re
sultierenden Struktur abgeschieden. Anschließend wird zur Bil
dung der oberen Elektrode für die Kondensatoren als leitfähiges
Material Platin, TiN oder Aluminium auf die ferroelektrische
Schicht (40) aufgebracht.
Die Fig. 7 und 8 illustrieren eine zweite erfindungsgemäße
Verfahrensvariante zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
mit Kondensatoren mit ferroelektrischer Schicht in aufeinander
folgenden Fertigungsstufen.
Fig. 7 veranschaulicht einen Schritt zur Bildung unterer Kon
densatorelektroden sowie einer Seitenwandabstandsschicht (60).
Nach Erzeugung der unteren Elektroden unter Verwendung des im
Zusammenhang mit den Fig. 3 und 4, auf deren Beschreibung
insoweit verwiesen wird, wobei gleiche Bezugszeichen für
funktionsgleiche Elemente gewählt sind, erläuterten Verfahrens
wird als schwach dielektrisches Material BN, BPSG, BSG oder SiO2
in einer Dicke von ungefähr 200 Nm bis 1000 Nm ganz flächig auf
der resultierenden Struktur abgeschieden. Das schwach dielek
trische Material wird dann anisotrop geätzt, so daß sich die
Abstandsschicht (60) an den Seitenflächen der unteren Elektroden
bildet, die aus dem Platinmuster (35) und dem Titanmuster (30)
aufgebaut sind. Dabei ist in diesem Beispiel die Abstandsschicht
(60) so gebildet, daß sie den Zwischenraum zwischen benachbarten
unteren Elektroden füllt.
Fig. 8 veranschaulicht einen Schritt zur sequentiellen Bildung
einer ferroelektrischen Schicht (40) und einer oberen Elektrode
(50) auf den unteren Elektroden, deren Seitenflächen mit der Ab
standsschicht (60) versehen sind, wozu die im Zusammenhang mit
der Fig. 6 erläuterte Vorgehensweise benutzt wird, auf deren
Beschreibung insoweit verwiesen wird, wobei gleiche Bezugs
zeichen für funktionsgleiche Elemente gewählt sind.
Die Fig. 9 und 10 illustrieren eine dritte Verfahrensvariante
zur erfindungsgemäßen Herstellung eines Halbleiterbauelementes
mit Kondensatoren mit ferroelektrischer Schicht in auf
einanderfolgenden Fertigungsstufen.
Fig. 9 veranschaulicht einen Schritt zur Bildung unterer Elek
troden sowie einer Seitenabstandsschicht (70). Nach Bildung der
unteren Elektroden unter Verwendung des im Zusammenhang mit den
Fig. 3 und 4, auf deren Beschreibung insoweit verwiesen wird,
wobei gleiche Bezugszeichen für funktionsgleiche Elemente ge
wählt sind, erläuterten Verfahrens wird als schwach dielek
trisches Material BPSG, PSG oder BSG in einer Dicke von ungefähr
200 Nm bis 1000 Nm ganzflächig auf der resultierenden Struktur
abgeschieden. Dieses schwach dielektrische Material wird dann
durch einen Hochtemperatur-Wärmebehandlungsprozeß planarisiert,
wonach die resultierende Struktur anisotrop geätzt wird, so daß
sich die Abstandsschicht (70) an den Seitenflächen der unteren
Elektroden bildet, die aus dem Platinmuster (35) und dem Titan
muster (30) aufgebaut sind. Bei diesem Beispiel füllt die
Abstandsschicht (70) den Zwischenraum zwischen benachbarten
unteren Elektroden vollständig dergestalt aus, daß die unteren
Elektroden der einzelnen Zellen durch eine Schicht mit planer
Oberfläche getrennt voneinander sind.
Fig. 10 veranschaulicht einen Schritt zur sequentiellen Bil
dung einer ferroelektrischen Schicht (40) und einer oberen
Elektrode (50) auf den unteren Elektroden, deren Seitenflächen
mit der Abstandsschicht (70) versehen sind, wozu die im Zu
sammenhang mit Fig. 6 erläuterte Vorgehensweise benutzt wird,
auf deren Beschreibung insoweit verwiesen wird, wobei gleiche
Bezugszeichen für funktionsgleiche Elemente gewählt sind.
Gemäß der oben beschriebenen, erfindungsgemäßen Ausführungs
beispiele wird eine aus einem schwach dielektrischen Material
bestehende Abstandsschicht an den Seitenflächen der unteren
Kondensatorelektroden ausgebildet, so daß Fehlfunktionen, die
ansonsten zwischen benachbarten unteren Elektroden hervorgerufen
werden können, verhindert werden. Zudem werden die scharfen
Kanten der unteren Elektroden durch die Seitenwandabstands
schicht etwas abgerundet. Als Folge davon wird eine mögliche
Schwächung der ferroelektrischen Schicht im Bereich dieser
scharfen Kanten verhindert. Da des weiteren in allen obigen
Ausführungsbeispielen eine aus schwach dielektrischem Material
bestehende Seitenwandabstandsschicht durch einen einfachen
anisotropen Ätzprozeß ohne jede zusätzliche Maske erzeugt wird,
lassen sich die bei dem herkömmlichen Verfahren auftretenden
Schwierigkeiten in einfacher Weise ohne Fertigungsprobleme und
ohne Produktionskostenerhöhung vermeiden. Es versteht sich, daß
der Fachmann verschiedene Änderungen und Modifikationen der oben
beschriebenen, erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiele vorzu
nehmen vermag, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen.
Claims (7)
1. Halbleiterbauelement mit
- - einer Mehrzahl von getrennt angeordneten unteren Kondensa torelektroden (30, 35),
- - einer auf den unteren Elektroden gebildeten ferroelektri schen Schicht (40) und
- - wenigstens einer auf der ferroelektrischen Schicht gebil deten oberen Elektrode (50), gekennzeichnet durch
- - eine aus schwach dielektrischem Material bestehende Seiten wandabstandsschicht (45′, 60, 70), die sich unter der ferroelektrischen Schicht (40) an Seitenflächen der unteren Elektroden (30, 35) befindet.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, weiter dadurch
gekennzeichnet, daß die Seitenwandabstandsschicht aus einem
Material besteht, das aus der Gruppe, die PE-SiO2, CVD-Oxid,
SixNy, BN, BPSG, PSG, USG und BSG enthält, ausgewählt ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, weiter
dadurch gekennzeichnet, daß die Seitenwandabstandsschicht aus
dem schwach dielektrischen Material den Zwischenraum zwischen
benachbarten unteren Elektroden füllt.
4. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauele
mentes mit Kondensatoren mit ferroelektrischer Schicht, ins
besondere eines Halbleiterbauelementes nach einem der Ansprüche
1 bis 3, gekennzeichnet durch die Schrittfolge:
- - Erzeugen einer Mehrzahl voneinander getrennter, unterer Kon densatorelektroden (30, 35) mittels Aufbringen einer leit fähigen Schicht auf ein vorbereitetes Halbleitersubstrat und Strukturierung derselben,
- - Einbringen eines sich wenigstens an den Seitenflächen der unteren Elektroden anlagernden, schwach dielektrischen Materials in den Zwischenraum zwischen benachbarten unteren Elektroden,
- - Aufbringen einer ferroelektrischen Schicht (40) auf die zuvor erhaltene Struktur und
- - Bildung einer oberen Elektrode (50) auf der ferroelektri schen Schicht.
5. Verfahren nach Anspruch 4, weiter dadurch gekenn
zeichnet, daß das in den Zwischenraum zwischen benachbarte,
untere Kondensatorelektroden (30, 35) eingebrachte, schwach di
elektrische Material eine Seitenwandabstandsschicht (45′, 60,
70) an den Seitenflächen der unteren Elektroden bildet.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, weiter dadurch ge
kennzeichnet, daß das schwach dielektrische Material den Zwi
schenraum zwischen benachbarten unteren Kondensatorelektroden
auffüllt.
7. Verfahren nach Anspruch 6, weiter dadurch gekenn
zeichnet, daß das Auffüllen des Zwischenraums zwischen benach
barten unteren Kondensatorelektroden mit dem schwach dielek
trischen Material folgende Schritte beinhaltet:
- - ganzflächiges Abscheiden des schwach dielektrischen Materials auf der mit den unteren Kondensatorelektroden versehenen Struktur,
- - Planarisierung des schwach dielektrischen Materials und
- - anisotropes Ätzen des planarisierten, schwach dielektrischen Materials.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930000963A KR950009813B1 (ko) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4402216A1 true DE4402216A1 (de) | 1994-07-28 |
DE4402216C2 DE4402216C2 (de) | 2003-10-02 |
Family
ID=19350001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4402216A Expired - Lifetime DE4402216C2 (de) | 1993-01-27 | 1994-01-26 | Halbleiterbauelement mit Kondensatoren und zu seiner Herstellung geeignetes Verfahren |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5834348A (de) |
JP (1) | JP3384599B2 (de) |
KR (1) | KR950009813B1 (de) |
CA (1) | CA2113958C (de) |
DE (1) | DE4402216C2 (de) |
GB (1) | GB2274741B (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0697717A1 (de) * | 1994-08-01 | 1996-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Herstellungsverfahren für elektrische Verbindungen zu Materialien mit hoher dielektrischer Konstante |
EP0697718A1 (de) * | 1994-08-01 | 1996-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Herstellungsverfahren für elektrische Verbindungen zu Materialien mit hohen dielektrischen Konstanten |
DE19832993C1 (de) * | 1998-07-22 | 1999-11-04 | Siemens Ag | Resistive ferroelektrische Speicherzelle |
DE19832995C1 (de) * | 1998-07-22 | 1999-11-04 | Siemens Ag | Speicheranordnung aus einer Vielzahl von resistiven ferroelektrischen Speicherzellen |
EP1061582A2 (de) * | 1999-06-16 | 2000-12-20 | Matsushita Electronics Corporation | Kondensator und dessen Herstellungsverfahren |
EP0697720B1 (de) * | 1994-08-01 | 2003-01-15 | Texas Instruments Incorporated | Leitfähige Barriereschicht aus einem amorphen Nitrid als Elektrode für Material mit hoher dielektrischen Konstante |
US7022580B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3989027B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2007-10-10 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | キャパシタ及びその製造方法 |
JP3683972B2 (ja) * | 1995-03-22 | 2005-08-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2956582B2 (ja) * | 1995-04-19 | 1999-10-04 | 日本電気株式会社 | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
EP0739030A3 (de) * | 1995-04-19 | 1998-07-08 | Nec Corporation | Hochintegrierter Dünnschichtkondensator mit einer Schicht hoher Dielektrizitätskonstante |
DE19543539C1 (de) * | 1995-11-22 | 1997-04-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Speicherzellenanordnung |
KR100189982B1 (ko) * | 1995-11-29 | 1999-06-01 | 윤종용 | 고유전체 캐패시터의 제조방법 |
US5930639A (en) * | 1996-04-08 | 1999-07-27 | Micron Technology, Inc. | Method for precision etching of platinum electrodes |
US5843830A (en) * | 1996-06-26 | 1998-12-01 | Micron Technology, Inc. | Capacitor, and methods for forming a capacitor |
US5998256A (en) | 1996-11-01 | 1999-12-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming devices on a substrate, forming device arrays on a substrate, forming conductive lines on a substrate, and forming capacitor arrays on a substrate, and integrated circuitry |
US6025277A (en) * | 1997-05-07 | 2000-02-15 | United Microelectronics Corp. | Method and structure for preventing bonding pad peel back |
US6147857A (en) * | 1997-10-07 | 2000-11-14 | E. R. W. | Optional on chip power supply bypass capacitor |
US6590250B2 (en) | 1997-11-25 | 2003-07-08 | Micron Technology, Inc. | DRAM capacitor array and integrated device array of substantially identically shaped devices |
JPH11176833A (ja) * | 1997-12-10 | 1999-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100275726B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2000-12-15 | 윤종용 | 강유전체 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US5933761A (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-03 | Lee; Ellis | Dual damascene structure and its manufacturing method |
US5972722A (en) * | 1998-04-14 | 1999-10-26 | Texas Instruments Incorporated | Adhesion promoting sacrificial etch stop layer in advanced capacitor structures |
JP2000012804A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Matsushita Electron Corp | 半導体記憶装置 |
US6008095A (en) * | 1998-08-07 | 1999-12-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process for formation of isolation trenches with high-K gate dielectrics |
US6187672B1 (en) * | 1998-09-22 | 2001-02-13 | Conexant Systems, Inc. | Interconnect with low dielectric constant insulators for semiconductor integrated circuit manufacturing |
JP4416055B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2010-02-17 | ローム株式会社 | 強誘電体メモリおよびその製造方法 |
US6872996B2 (en) * | 1999-04-30 | 2005-03-29 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method of fabricating a ferroelectric stacked memory cell |
IT1308465B1 (it) | 1999-04-30 | 2001-12-17 | St Microelectronics Srl | Struttura di cella di memoriadi tipo impilato, in particolare cellaferroelettrica |
EP1067605A1 (de) | 1999-07-05 | 2001-01-10 | STMicroelectronics S.r.l. | Ferroelektrische Speicherzelle und deren Herstellungsverfahren |
WO2001024236A1 (en) * | 1999-09-27 | 2001-04-05 | Infineon Technologies North America Corp. | Semiconductor structures having a capacitor and manufacturing methods |
US6348706B1 (en) * | 2000-03-20 | 2002-02-19 | Micron Technology, Inc. | Method to form etch and/or CMP stop layers |
US6344964B1 (en) | 2000-07-14 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Capacitor having sidewall spacer protecting the dielectric layer |
US6958508B2 (en) * | 2000-10-17 | 2005-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ferroelectric memory having ferroelectric capacitor insulative film |
JP3833887B2 (ja) * | 2000-10-30 | 2006-10-18 | 株式会社東芝 | 強誘電体メモリ及びその製造方法 |
US7550799B2 (en) | 2002-11-18 | 2009-06-23 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device and fabrication method of a semiconductor device |
US6940111B2 (en) * | 2002-11-29 | 2005-09-06 | Infineon Technologies Aktiengesellschaft | Radiation protection in integrated circuits |
KR100536030B1 (ko) * | 2003-02-25 | 2005-12-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 커패시터 형성 방법 |
US7230292B2 (en) * | 2003-08-05 | 2007-06-12 | Micron Technology, Inc. | Stud electrode and process for making same |
US7164166B2 (en) * | 2004-03-19 | 2007-01-16 | Intel Corporation | Memory circuit with spacers between ferroelectric layer and electrodes |
US8084799B2 (en) * | 2006-07-18 | 2011-12-27 | Qimonda Ag | Integrated circuit with memory having a step-like programming characteristic |
FR2955419B1 (fr) | 2010-01-21 | 2012-07-13 | St Microelectronics Crolles 2 | Dispositif integre de memoire du type dram |
JP5327139B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2013-10-30 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4971924A (en) * | 1985-05-01 | 1990-11-20 | Texas Instruments Incorporated | Metal plate capacitor and method for making the same |
US4839305A (en) * | 1988-06-28 | 1989-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Method of making single polysilicon self-aligned transistor |
US5010028A (en) * | 1989-12-29 | 1991-04-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of making hot electron programmable, tunnel electron erasable contactless EEPROM |
US5156993A (en) * | 1990-08-17 | 1992-10-20 | Industrial Technology Research Institute | Fabricating a memory cell with an improved capacitor |
JP3210007B2 (ja) * | 1990-11-30 | 2001-09-17 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
US5262343A (en) * | 1991-04-12 | 1993-11-16 | Micron Technology, Inc. | DRAM stacked capacitor fabrication process |
US5198384A (en) * | 1991-05-15 | 1993-03-30 | Micron Technology, Inc. | Process for manufacturing a ferroelectric dynamic/non-volatile memory array using a disposable layer above storage-node junction |
JP2723386B2 (ja) * | 1991-07-02 | 1998-03-09 | シャープ株式会社 | 不揮発性ランダムアクセスメモリ |
US5206788A (en) * | 1991-12-12 | 1993-04-27 | Ramtron Corporation | Series ferroelectric capacitor structure for monolithic integrated circuits and method |
JP3181406B2 (ja) * | 1992-02-18 | 2001-07-03 | 松下電器産業株式会社 | 半導体記憶装置 |
US5401680A (en) * | 1992-02-18 | 1995-03-28 | National Semiconductor Corporation | Method for forming a ceramic oxide capacitor having barrier layers |
US5216572A (en) * | 1992-03-19 | 1993-06-01 | Ramtron International Corporation | Structure and method for increasing the dielectric constant of integrated ferroelectric capacitors |
JPH0685173A (ja) * | 1992-07-17 | 1994-03-25 | Toshiba Corp | 半導体集積回路用キャパシタ |
JP3161836B2 (ja) * | 1992-10-19 | 2001-04-25 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPH0783061B2 (ja) * | 1993-01-05 | 1995-09-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US5335138A (en) * | 1993-02-12 | 1994-08-02 | Micron Semiconductor, Inc. | High dielectric constant capacitor and method of manufacture |
JPH0730077A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH0794600A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US5439840A (en) * | 1993-08-02 | 1995-08-08 | Motorola, Inc. | Method of forming a nonvolatile random access memory capacitor cell having a metal-oxide dielectric |
US5489548A (en) * | 1994-08-01 | 1996-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming high-dielectric-constant material electrodes comprising sidewall spacers |
US5554564A (en) * | 1994-08-01 | 1996-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Pre-oxidizing high-dielectric-constant material electrodes |
JPH08316430A (ja) * | 1995-05-15 | 1996-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体メモリとその製造方法、スタックドキャパシタ |
-
1993
- 1993-01-27 KR KR1019930000963A patent/KR950009813B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-01-21 CA CA002113958A patent/CA2113958C/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-01-26 DE DE4402216A patent/DE4402216C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-01-26 JP JP00719994A patent/JP3384599B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-01-27 GB GB9401561A patent/GB2274741B/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-10-30 US US08/738,470 patent/US5834348A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-13 US US08/782,827 patent/US5796133A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0697720B1 (de) * | 1994-08-01 | 2003-01-15 | Texas Instruments Incorporated | Leitfähige Barriereschicht aus einem amorphen Nitrid als Elektrode für Material mit hoher dielektrischen Konstante |
KR100371891B1 (ko) * | 1994-08-01 | 2003-05-01 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 마이크로 일렉트로닉 구조물 및 이의 형성 방법 |
US5554866A (en) * | 1994-08-01 | 1996-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Pre-oxidizing high-dielectric-constant material electrodes |
US5605858A (en) * | 1994-08-01 | 1997-02-25 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming high-dielectric-constant material electrodes comprising conductive sidewall spacers of same material as electrodes |
US5656852A (en) * | 1994-08-01 | 1997-08-12 | Texas Instruments Incorporated | High-dielectric-constant material electrodes comprising sidewall spacers |
EP0697717A1 (de) * | 1994-08-01 | 1996-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Herstellungsverfahren für elektrische Verbindungen zu Materialien mit hoher dielektrischer Konstante |
EP0697718A1 (de) * | 1994-08-01 | 1996-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Herstellungsverfahren für elektrische Verbindungen zu Materialien mit hohen dielektrischen Konstanten |
DE19832995C1 (de) * | 1998-07-22 | 1999-11-04 | Siemens Ag | Speicheranordnung aus einer Vielzahl von resistiven ferroelektrischen Speicherzellen |
DE19832993C1 (de) * | 1998-07-22 | 1999-11-04 | Siemens Ag | Resistive ferroelektrische Speicherzelle |
EP1061582A2 (de) * | 1999-06-16 | 2000-12-20 | Matsushita Electronics Corporation | Kondensator und dessen Herstellungsverfahren |
EP1061582A3 (de) * | 1999-06-16 | 2002-06-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Kondensator und dessen Herstellungsverfahren |
US7022580B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US7405133B2 (en) | 1999-06-30 | 2008-07-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
DE10031881B4 (de) * | 1999-06-30 | 2008-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | Halbleitereinrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitereinrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3384599B2 (ja) | 2003-03-10 |
GB2274741B (en) | 1996-07-03 |
JPH06244435A (ja) | 1994-09-02 |
GB2274741A (en) | 1994-08-03 |
KR950009813B1 (ko) | 1995-08-28 |
CA2113958C (en) | 2005-06-14 |
US5834348A (en) | 1998-11-10 |
GB9401561D0 (en) | 1994-03-23 |
DE4402216C2 (de) | 2003-10-02 |
US5796133A (en) | 1998-08-18 |
CA2113958A1 (en) | 1994-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4402216C2 (de) | Halbleiterbauelement mit Kondensatoren und zu seiner Herstellung geeignetes Verfahren | |
DE19935947B4 (de) | Verfahren zum Ausbilden von Zwischenverbindungen in einem ferroelektrischen Speicherbauelement | |
DE4430780C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators für einen dynamischen Direktzugriffspeicher | |
DE4031411C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer einen Kondensator aufweisenden Halbleitervorrichtung | |
EP0744772B1 (de) | DRAM-Speicherzelle mit vertikalem Transistor und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE19521489B4 (de) | Kondensatorplatte und Kondensator, je in einer Halbleitervorrichtung gebildet, die Verwendung eines solchen Kondensators als Speicherkondensator einer Halbleitervorrichtung, Verfahren zur Herstellung eines Kondensators und Verwendung eines solchen Verfahrens zur Herstellung von DRAM-Vorrichtungen | |
DE19930295C2 (de) | Säulenförmiger Speicherknoten eines Kondensators und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE4323363A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators für ein Halbleiterspeicherbauelement | |
DE19843979C1 (de) | Speicherzellenanordnung mit ferroelektrischem oder dynamischen Speicherzellen und entsprechendes Herstellungsverfahren | |
DE4029256C2 (de) | Halbleiterspeichervorrichtung mit wenigstens einer DRAM-Speicherzelle und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE69733055T2 (de) | Herstellungsverfahren für DRAM-Stapelkondensator | |
DE4126046A1 (de) | Herstellungsverfahren und struktur eines dram-speicherzellenkondensators | |
DE4341698A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE4210855C2 (de) | Herstellungsverfahren für einen gestapelten Kondensator | |
DE4327813C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines DRAM's | |
EP0987753A2 (de) | Gestapelter DRAM-Flossenkondensator und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE4328510A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterspeicherbauelementes mit einem Kondensator und damit herstellbares Halbleiterspeicherbauelement | |
DE4203565C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE3918924A1 (de) | Halbleiterspeichereinrichtung vom gestapelten kondensatortyp und herstellungsverfahren dafuer | |
DE19620185C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleitereinrichtung | |
DE4406850C1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur, wenigstens bestehend aus einem Transistor und einer Kondensatorelektrode | |
EP0954030A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators für eine Halbleiter-Speicheranordnung | |
EP1202333A2 (de) | Speicherkondensator und zugehörige Kontaktierungsstruktur sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE4101940A1 (de) | Dram-zelle mit tunnelfoermigem aufbau und verfahren zu ihrer bildung | |
DE4200284C2 (de) | Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: PATENTANWAELTE RUFF, WILHELM, BEIER, DAUSTER & PAR |
|
8304 | Grant after examination procedure | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R071 | Expiry of right |