DE3887716T2 - Transistor. - Google Patents

Transistor.

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Description

    Hintergrund der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft Transistoren und insbesondere Hetero-Übergangs-Bipolartransistoren (Heterojunction Bipolar Transistoren - HBTs). In einem typischen HBT ist der Emitter aus einem Halbleiter mit breiterer Bandlücke als die Basis hergestellt, um die Emitterinjektionsleistungsfähigkeit zu steigern und um Minoritäts-ladungsträgerinjektion aus der Basis in den Emitter zu verhindern. Obwohl HBTs aus einer Vielzahl von Materialien (z .B. Gruppe-III-V-Zusammensetzungen) herstellbar sind, ist die Hauptaufmerksamkeit darauf gerichtet, Hochgeschwindigkeitsbetrieb mit Bauteilen/ Einrichtungen aus dem AlGaAs/GaAs-Materialsystem zu erreichen. Die Schaltgeschwindigkeit eines HBT wird, wie bei vielen anderen Halbleiterbauteilen, durch den parasitären Widerstand (R) und die Kapazitanz (C) beschränkt. Somit kann der kürzlich gemachte rapide Fortschritt beim Erhöhen der Betriebsgeschwindigkeit von AlGaAs/GaAs-HBTs hauptsächlich einer Reduzierung parasitärer RC-Zeitkonstanten zugeschrieben werden. Dies bedeutet, durch Reduzierung lateraler Abmessungen unter Verwendung verschiedener selbstjustierender Verfahren, durch Reduzieren der Kollektorkapazitanz mit Implantation vergrabener Ionen und durch Senken des Emitterkontaktwiderstandes unter Verwendung eines nichtlegierten Emitterkontaktes auf einer epitaxialen, kontaktermöglichenden n&spplus;-InGaAs-Schicht. Selbst mit dem Erfolg dieser Techniken besteht noch eine fundamentale Grenze in der Geschwindigkeit des MBT, die durch die Emitter-Kollektor-Übergangszeitverzögerung, die zur Elektronengeschwindigkeit durch den Emitter-, Basis- und Kollektorbereich gehört, beherrscht wird.
  • Eine der Hauptverzögerungen wird durch die Basisübergangszeit τB verursacht, die durch die Ladungsträgerdiffusion durch den neutralen Basisbereich bestimmt ist und ausgedrückt werden kann als:
  • τB= (1),
  • wobei WB die Basisbreite ist und De der Elektronen-Minoritätsladungsträgerdiffusionskoeffizient ist. Ein Weg, die Basisübergangszeit zu senken, besteht darin, ein quasielektrisches Feld durch gradientenartiges Ändern der Legierungszusammensetzung, das im amerikanischen Sprachraum auch als Alloy Grading bezeichnet wird (und somit Ändern der Bandlücke) in die Basis einzubringen, um die Elektronengeschwindigkeit zu erhöhen. Es wurde experimentell gezeigt, daß die Basisübergangszeit deutlich durch Legierungsabstufung (Alloy Grading) in der Basis reduziert werden kann, in welchem Falle die Übergangszeit gegeben ist durch:
  • τB= = (2),
  • wobei Ve die Elektronengeschwindigkeit ist, ue die Elektronenbeweglichkeit ist und F das quasielektrische Feld in der Basis darstellt. Es ist festzuhalten, daß für dünne Basisbreiten mit WB < 0,1 um Gleichungen (1) und (2) aufgrund von Grenzwertproblemen und Nicht-Gleichgewichts-Transporteffekten nicht streng anwendbar sind. Dennoch ist es klar, daß in dem Grenzfall verschwindender Basisbreite die Basisübergangszeit gegen Null geht:
  • Es wurden einige Bipolartransistoren vorgeschlagen, die eine spannungsinduzierte, zweidimensionale Loch-Basis enthalten, wie z.B. der bipolare Inversionskanal-Feldeffekttransistor (Bipolar Inversion Channel Field Effect Transistor - BICFET), der von G. W. Taylor et al. in IEEE Trans. Electron Dev., Band ED-32, Seite 2345 (1985), und in der WO-A-86 01939 beschrieben wird, und wie der Inversionsbasis- Bipolartransistor (Inversion Base Bipolar Transistor -IBT), der von K. Matsumoto et al. in IEEE Electron Dev. Lett., Band EDL-7, Seite 627 (1986), beschrieben wird. Beide Einrichtungen haben effektive Basisbreiten unterhalb von 100 Å. Jedoch haben diese Transistoren keinen neutralen Basisbereich und haben somit einen hohen Basiswiderstand und erfordern die Selbstausrichtung der Basis- und Emitterkontakte.
  • Die europäische Patentanmeldung EP-A-0 183 146 beschreibt verschiedene Halbleitereinrichtungen, einschließlich eines GaAs/AlGaAs-Bipolartransistors. Der beschriebene Bipolartransistor umfaßt eine Sub-Monoschicht aus p-Typ-Dotierstoffatomen direkt zwischen einer n-GaAs-Schicht und einer n+-GaAs-Schicht. Dieser bildet die Grundlage für den Oberbegriff des Anspruchs 1.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Erfindungsgemäß wird ein Bipolartransistor wie in Anspruch 1 beschrieben bereitgestellt.
  • In beispielhafter Weise ist die Sub-Monoschicht durch unterbrochenes epitaktisches Molekularstrahl- Aufwachsen (Molecular Beam Epitaxy - MBE) und Abscheiden der Dotierstoffatome vor der Wiederaufnahme des MBE- Aufwachsens ausgebildet.
  • In einer Ausführungsform ist der Transistor ein HBT, und die Submonoschicht ist von dem Emitterbereich um einen Abstand, der nicht kleiner als die Diffusionslänge der Dotierstoffatome ist und vorzugsweise wenigstens einige Diffusionslängen beträgt, zurückgesetzt, so daß, falls die Dotierstoffatome in den Emitter diffundieren, diese dort keinen p-n-Übergang bilden. Diese Einrichtung wurde als Heteroübergangsbipolartransistor mit planar dotierter Basis (Planar Doped Base Heterojunction Bipolar Transistor - PDBGBT) bezeichnet, da die Basis als Grenzfall angesehen werden kann, bei welchem die Dotierung, die über die dreidimensionale Basis eines konventionellen HBT verteilt ist, auf zwei Dimensionen, d.h. in einer atomaren Ebene, komprimiert ist. Die effektive Basisübergangszeit dieser Transistoren ist vernachlässigbar, und es wird erwartet, daß sehr schneller, heißer Elektronentransport in dem Kollektorbereich auftritt.
    • Figurenbeschreibung
  • Eine Ausführungsform der Erfindung wird nachstehend anhand eines Beispiels unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, in welchen
  • Fig. 1 eine schematische Querschnittsdarstellung eines HBT gemäß ener Ausführungsform der Erfindung zeigt,
  • Fig. 2 ein Energiebanddiagramm der Emitter-, Basis- und Kollektorbereiche eines HBT gemäß der Ausführungsform aus Fig. 1 zeigt,
  • Fig. 3 eine Familie aus Emitterschaltungs-I-V-Kurven des HBT aus Fig. 1 für eine Vielzahl von Basisströmen 1B zeigt, und
  • Fig. 4 eine Kurve des Stromverstärkungsfaktors &beta; als Funktion des Kollektorstroms des HBT aus Fig. 1 zeigt.
    • Detaillierte Beschreibung
  • Nachstehend wird auf Fig. 1 Bezug genommen, in welcher ein Transistor 10 mit einem Emitterbereich 12, einem Basisbereich 14 und einem Kollektorbereich 16 dargestellt ist. Die Emitter- und Kollektor-bereiche haben einen Leitfähigkeitstyp, und der Basisbereich umfaßt eine Sub-Monoschicht aus Dotierstoffatomen des entgegengesetzen Leitfähigkeitstyps.
  • Der Ausdruck "Monoschicht" bezeichnet eine Ebene aus Atomen, welche die Dicke des Durchmessers der Atome hat, wohingegen eine Submonoschicht bedeutet, daß die Atome in der Ebene die gesamte Ebene nicht vollständig bedecken. Der Ausdruck "Bedeckung" betrifft den Bruchteil (oder die Prozentangabe) des Aufwachs-Flächenbereiches, der durch die Dotierstoffatome bedeckt ist. Somit bedeutet eine Sub- Monoschicht, daß Anteile der darunterliegenden Oberfläche (z.B. Halbleiter) freiliegend sind, was die Kristallisationskeimbildung unterstützt, wenn eine Schicht über der Submonoschicht aufgewachsen wird. Da sich die Elektronenwellenfunktion über Strecken erstreckt, die größer als der typische Abstand zwischen Dotierstoffatomen, selbst für kleine Bedeckungen, ist (z.B. ungefähr 28 Å (1 Å = 0,1 nm) bei 1 % Bedeckung oder ungefähr 9 Å bei 10 % Bedeckung), erzeugen die unbedeckten Anteile keine Kurzschlüsse zwischen den Emitter- und Kollektorbereichen.
  • Der Ausdruck "Dotierstoffatome entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps" bedeutet, daß, falls die Emitter- und Kollektor-bereiche n-Typ-Halbleiter sind, dann die Dotierstoffatome Akzeptoren sind und entgegengesetzt, falls diese vom p-Typ sind, daß dann die Dotierstoffatome Donatoren sind.
  • In einer Ausführungsform ist der Transistor 10 ein HBT, in welchem der Emitterbereich 12 ein Halbleiter mit breiterer Bandlücke als diejenige des Kollektorbereiches 16 ist, und der Basisbereich 14 ist von diesem Emitterbereich 12 (d.h. von dem Heteroübergang 18) durch einen Abstand entfernt, der nicht kleiner als die Diffusionslänge der Dotierstoffatome in dem Basisbereich 14 und vorzugsweise nicht kleiner als einige Diffusionslängen ist. Diese Trennung wird erreicht durch eine Rücksetz- oder Abstandsschicht 19, die eine engere Bandlücke als der Emitterbereich hat und undotiert oder nicht absichtlich dotiert ist. Der Zweck der Rücksetzschicht 19 bestehtdarin, die Anzahl an Dotierstoffatomen, die in den Emitterbereich 12 diffundieren, wo diese nachteiligerweise einen versetzten p-n-Übergang bilden können, welches Minoritäts-Ladungsträgerinjektion in den Emitter erlaubt und zu niedrigerer Stromverstärkung führt, signifikant zu reduzieren. Offensichtlich können daher einige der Dotierstoffatome in die Rücksetzschicht 19 diffundieren, aber die letztgenannte wird nicht Teil des Basisbereiches, da die Rücksetzschicht undotiert ist und selbst mit der Eindiffusion von Dotierstoffatomen ungefähr einige Größenordnungen geringere Ladungsträgerkonzentration als der Basisbereich hat (z.B. 10¹&sup5; - 10¹&sup6;/ cm³ in dem Rücksetzbereich im Vergleich zu > 10¹&sup8; im Basisbereich). Somit bildet selbst nach derartiger Diffusion der Basisbereich im wesentlichen eine atomare Ebene aus Dotierstoffatomen, in welcher die Basisübergangszeit vernachlässigbar ist.
  • In einer beispielhaften Ausführungsform ist der Transistor 10 ebenfalls mit einem kontaktermöglichenäen bzw. kontaktunterstützenden Bereich 20 zum Kollektor und einem kontaktermöglichenden bzw. kontaktunterstützenden Bereich 22 zum Emitter versehen. Elektrische Kontakteinrichtungen zum Basisbereich 14 umfassen eine hochleitfähige Zone 24, die sich von einer ersten Hauptoberfläche 26 des Bereichs 22 bis zu wenigstens der Tiefe des Basisbereichs 14 erstreckt und denselben Leitfähigkeitstyp wie die Basis hat. Die Zone 24 ist typischerweise ringförmig mit einer darauf angeordneten, ringförmigen Basiselektrode 28. Eine Emitterelektrode 30 ist ebenfalls auf der Oberfläche 26 innerhalb des Rings der Zone 24 angeordnet. Der Kontakt zu dem Kollektor wird durch Ausbilden der Einrichtung in der Form einer Mesa erreicht, die eine zweite Hauptoberfläche 32 des kontaktermöglichenden Bereiches 20 freilegt. Die Kollektorelektrode 34 ist auf der Oberfläche 32 angeordnet.
    • Beispiel
  • Das nachfolgende Beispiel beschreibt einen AlGaAs/GaAs-PDB-HBT gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
  • Die Struktur des PDB-HBT, die durch MBE aufgewachsen wurde, umfaßte:
  • ein halbisolierendes GaAs-Substrat 40, eine 1 um dicke, Kollektorkontakt ermöglichende GaAs-Schicht 20, die n&spplus;-Typ auf 3 x 10¹&sup8;/cm³ dotiert war, und einen 0,5 um dicken GaAs- Kollektorbereich 16, der n-Typ auf 5 x 10¹&sup6;/cm³ dotiert war. Ein p&spplus;-Typ-Basisbereich 14 wurde durch Abscheiden einer Sub-Monoschicht aus Be-Atomen nach dem unterbrochenen MBE-Aufwachsen abgeschieden. (Ein As-Strahl wurde während der Be-Abscheidung an gelassen, um die As-Verdampfung von der Oberfläche des Halbleiters zu vermindern.) Die Flächen- Loch-Konzentration (Sheet Hole Concentration) des Basisbereichs lag in dem Bereich von 0,5 bis 5,0 x 10¹³/cm³, welches einer Sub-Monoschicht-Bedeckung von ungefähr 1 bis 10 % entsprach. Größere Bedeckungen waren ebenfalls geeignet bis zu nahezu 100 %, welche bei einer Konzentration von ungefähr 6 x 10¹&sup4;/ cm² auftrat. Eine undotierte (nicht absichtlich dotierte) GaAs- Rücksetzschicht 19 mit ungefähr 50 bis 200 Å Dicke wurde über der Be-Sub-Monoschicht aufgewachsen, und danach wurde ein 0,2 um dicker Al0,3Ga0,7As-Emitterbereich 12, der n-Typ auf 5 x 10¹&sup7;/cm³ dotiert war, auf die Rücksetzschicht aufgewachsen. Die Diffusionslänge des Be ist bei ungefähr 600ºC (einer typischen MBE-Aufwachstemperatur) in GaAs kleiner als ungefähr 20 Å. Demzufolge zeigten SIMS- Messungen, daß vernachlässigbare Be-Diffusion in den Emitter stattfand. Der Emitter-kontakt ermöglichende Bereich 22 wurde dann gebildet durch zunächst Aufwachsen einer 500 Å dicken AlxGa1-xAs-Schicht 23, die n&spplus;-Typ auf 3 x 10¹&sup8;/cm³ dotiert war, mit einer Zusammensetzung, die sich von x = 0,3 dem Emitter benachbart bis x = 0 in der letzten Schicht veränderte, die eine 0,2 um dicke GaAs-Schicht 21 war, die n&spplus;-Typ auf 3 x 10¹&sup8;/cm³ dotiert war. Alle n-Typ- Schichten wurden mit Si dotiert.
  • Nachdem das epitaxiale Aufwachsen vollständig durchgeführt wurde, wurden Transistorstrukturen unter Verwendung einer Kombination aus Ionenimplantation und naßchemischem Ätzen hergestellt, um jeweils das Herst.ellen elektrischen Kontaktes zu den Basis- und Kollektorbereichen zu ermöglichen. Eine ringförmige Zone 24 wurde mit Be-Atomen bei 25 KeV, gefolgt von Be-Atomen bei 55 KeV implantiert und dann schnellem thermischem Tempern bzw. Annealen bei 800ºC ausgesetzt. Eine ringförmige AuBe- Basiselektrode 28 wurde auf der Zone 24 abgeschieden. Die Emitterelektrode enthielt eine AuGeNi-Legierung und wurde in dem Ring der Basiselektrode abgeschieden. Der Emitterbereich betrug ungefähr 8 x 10&supmin;&sup5; cm². Naßchemisches Ätzen wurde verwendet, um die Mesa zu formen und um die kontaktermöglichende Schicht 20 freizulegen. Eine AuGeNi- Kollektorelektrode 34 wurde auf der Oberfläche 32 der Schicht 20 aufgewachsen.
  • Ein Schema des Energie-Banddiagramms des PDB-HBT ist in Fig. 2 für den Fall dargestellt, bei dem eine Vorwärtsvorspannung VBE zwischen der Basis und dem Emitter angelegt ist und eine Rückwärts-vorspannung VBC zwischen der Basis und dem Kollektor angelegt ist. Die Quasiferminiveaus des Leitungsbandes (EFc) und des Valenzbandes (EFv) sind ebenfalls dargestellt. Diesem idealisierten Modell sind die Wirkungen des geringen Betrages an Be-Diffusion aus der Ebene der Sub-Monoschicht vernachlässigt. Fig. 2 zeigt, daß die Emitter- und Kollektor-Verarmungsbereiche nahe der Ebene des Basisbereiches, die als die Akzeptorebene bezeichnet wird, ineinander übergehen. Die effektive Basisbreite, die Breite des Bereiches, in welchem Löcher eingeschlossen sind wird auf weniger als 100 A geschätzt. Die Löcher besetzen eines oder mehrere zweidimensionale Energie-Subbänder in einem Quantentrog (Quantum Well), der ungefähr in der Akzeptorebene angeordnet ist. Da die zweidimensionale Basis stark dotiert ist, ist der Basiswiderstand ausreichend gering, so daß Selbstausrichtung der Emitter- und Basiskontakte nicht von wesentlicher Bedeutung ist. Die Basisübergangszeit ist ebenfalls vernachlässigbar, da die effektive Basisbreite viel dünner als die in konventionellen HBTs auffindbare ist. Diese Eigenschaft sollte ebenfalls zu erhöhten Stromverstärkungen aufgrund der fehlenden Rekombination innerhalb des Basisbereiches führen. Statt dessen wird die Stromverstärkung des PDB-HBT durch andere Faktoren, einschließlich Grenzflächen- und Oberflächen-Rekombination, bestimmt.
  • Ein weiterer Vorteil des PDB-HBT liegt in der Möglichkeit der Ausnutzung heißen Elektronentransportes in den Kollektor-verarmungsbereich. Elektronen, die über die Emitterbarriere injiziert werden, werden ballistisch durch die Heteroübergangs-Leitungsband-Diskontinuität durch die Basis in den Kollektor beschleunigt. Es wurde vorhergehend gezeigt, daß der Basisbereich in einem konventionellen HBT sehr wirkungsvoll beim Streuen heißer Elektronen ist, obwohl Anzeichen bestehen, daß sich abrupt entgegengesetzt graduell ändernde Emitter manche Vorteile beim Senken der Basisübergangszeit haben. Jedoch kann im Falle des PDB-HBT die direkte Injizierung heißer Elektronen in den Kollektor zu sehr kurzen Elektronen-Übergangszeiten führen.
  • Die Emitterschaltungs-Gleichsignal-Kennlinien sind in Fig. 3 dargestellt. Bei diesem speziellen Transistor betrug die Flächen-Dotierungskonzentration des Basisbereiches 2,5 x 10¹³cm&supmin;². Das Bauteil hatte eine maximale Verstärkung von 700 bei einem Kollektorstrom von 100 mÅ. Diese Stromverstärkung ist um einen Faktor von 2 bis 6 Mal größer als die in unseren konventionellen HBTs mit Basisbreiten von 0,1 um beobachtete. Es ist ebenfalls festzuhalten, daß die Kollektor-Stromsättigungs-Kennlinien flach sind, was andeutet, daß eine sehr geringe Basisbreitenmodulation existiert (Early Effect); die Abwesenheit dieses Effektes beruht auf der hohen Basisflächen-Dotierungskonzentration und der engen Basisbreite. Der offensichtliche negative Widerstand bei hohen Kollektorströmen beruht auf thermischen Heizeffekten und stellt im allgemeinen kein Problem dar, da die Einrichtung so betrieben werden kann, daß die Leistungsabgabe beschränkt und somit dieser Effekt gemildert ist.
  • Die Abhängigkeit der Stromverstärkung &beta; von der Kollektorstromdichte ist in Fig. 4 dargestellt. Es ist zu erkennen, daß &beta; ungefähr proportional zu Ic hoch 1/3 ist. Im Kontrast dazu ist &beta; bei AlGaAs/GaAs-HBTs, die durch Oberflächenrekombination dominiert werden, proportional zu Ic hoch 1/2. Somit erscheint in dem PDB-HBT die Stromverstärkung durch eine Mischung aus Rekombination an dem Heteroübergang und an der Oberfläche der extrinsischen Basis beschränkt zu sein.
  • Im speziellen können erfindungsgemäße HBTs aus anderen Materialsystemen, wie z.B. InP/InGaAs oder InAlAs/InGaAs hergestellt werden, wobei InP und InAlAs jeweils die Halbleiter mit breiterer Bandlücke sind.

Claims (8)

1. Bipolartransistor mit einem Halbleiterkörper mit Emitter- (12), Basis- (14) und Kollektor (16) -Bereichen, wobei der Basisbereich (14) Dotierstoffatome eines ersten Leitfähigkeitstyps enthält, wobei die Dotierstoffatome im wesentlichen in einer einzelnen atomaren Ebene eingeschlossen sind, ohne die gesamte Ebene zu überdecken, wobei diese Dotierstoffatomverteilung als eine "Sub- Monoschicht" aus Dotierstoffatomen bezeichnet wird, dadurch gekennzeichnet, daß
a) der Emitterbereich (12) Halbleitermaterial mit einer Bandlückenenergie (Eg), die größer als diejenige des Halbleitermaterials des Kollektorbereichs (16) ist, enthält,
b) zwischen dem Emitterbereich (12) und der Sub- Monoschicht aus Dotierstoffatomen eine undotierte oder nicht absichtlich dotierte Abstandsschicht (19) umfassend Halbleitermaterial mit einer Bandlückenenergie, die geringer als Eg ist, liegt, wobei die Abstandsschichtdicke nicht kleiner als eine Diffusionslänge der Dotierstoffatome in dem Abstandsschicht-Halbleitermaterial ist, und
c) der Basisbereich (14) einen Quantentrog umfaßt, in welchem die Ladungsträger des ersten Leitfähigkeitstyps eines oder mehrerer zweidimensionale Energieunterbänder besetzen.
2. Transistor nach Anspruch 1,
in welchem die Emitter- und Kollektorbereiche Gruppe-III-V- Verbindungshalbleiter enthalten.
3. Transistor nach Anspruch 2,
in welchem der Emitterbereich AlGaAs und der Kollektorbereich GaAs enthalten.
4. Transistor nach Anspruch 3,
in welchem der Körper eine erste Hauptoberfläche (26) hat und die Sub-Monoschicht unter dieser Oberfläche liegt und eine Basiskontakt-einrichtung (24) mit einer dotierten Halbleiterzone des ersten Leitfähigkeitstyps hat, die sich von der ersten Oberfläche zu der Sub-Monoschicht erstreckt.
5. Transistor nach den Ansprüchen 1, 2, 3 oder 4,
in welchem die Abstandsschichtdicke im Bereich von ungefähr 5 bis 20 nm liegt.
6. Transistor nach den Ansprüchen 1, 2, 3, 4 oder 5,
in welchem die Sub-Monoschicht eine Flächen-Loch-Konzentration von ungefähr 0,5 x 10¹³/cm² bis 5,0 x 10¹³/cm² hat.
7. Transistor nach Anspruch 4,
in welchem der Körper die Form einer Mesa hat, die benachbart zu einer zweiten Hauptoberfläche (32) nahe dem Boden der Mesa ausgebildet ist, wobei die erste Hauptoberfläche (26) am Oberteil der Mesa angeordnet ist und die zweite Hauptoberfläche auf einer den Kollektorkontakt ermöglichenden Schicht (20) angeordnet ist, und ferner Basis- (28) und Emitter- (30) -Elektroden, die auf der ersten Oberfläche ausgebildet sind, und eine Kollektorelektrode (34), die auf der zweiten Oberfläche ausgebildet ist, umfaßt.
8. Transistor mit
einem ersten kontaktermöglichenden Bereich (22) mit einer ersten n-GaAs-Schicht (21) und einer zweiten Gradienten- Bandlücken-n-AlGaAs-Schicht (23),
einem Emitterbereich (12) mit einer dritten n-AlGaAs- Schicht, die der zweiten Schicht benachbart ist, einer vierten, ungefähr 50 bis 200 Å (5-20 nm) dicken, undotierten GaAs-Schicht (19), die der dritten Schicht benachbart ist,
einem Basisbereich (14) mit Be-Dotierstoffatomen, wobei die Dotierstoffatome im wesentlichen in einer einzelnen atomaren Ebene eingeschlossen sind, ohne die gesamte Ebene zu bedecken, wobei diese Dotierstoffatomverteilung als eine "Sub-Monoschicht" aus Dotierstoff-atomen bezeichnet wird, wobei die Sub-Monoschicht aus Be-Dotierstoff-atomen der vierten Schicht benachbart ist,
einem Kollektorbereich (16) mit einer sechsten n-GaAs- Schicht, die der fünften Schicht benachbart ist, einem zweiten kontaktermöglichenden Bereich (20) mit einer siebten n&spplus;-GaAs-Schicht, die der sechsten Schicht benachbart ist,
wobei die erste bis sechste Schicht in einer Mesa angeordnet sind,
mit einer elektrischen Kontakteinrichtung zur fünften Schicht, die einen ringförmigen Halbleiterbereich (24) enthält, der mit Akzeptoratomen dotiert ist, die sich von dem Oberteil der Mesa zu wenigstens der Tiefe der fünften Schicht erstrecken, und einer Basiselektrode (28), die auf der ersten Schicht und auf dem ringförmigen Bereich angeordnet ist,
einer auf der ersten Schicht in der Öffnung des ringförmigen Bereichs angeordneten Emitterelektrode (30) und
einer auf der siebten Schicht angeordneten Kollektorelektrode (34)
DE3887716T 1987-09-04 1988-08-30 Transistor. Expired - Lifetime DE3887716T2 (de)

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US07/094,633 US4825265A (en) 1987-09-04 1987-09-04 Transistor

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DE3887716D1 DE3887716D1 (de) 1994-03-24
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