DE3705896C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Photoresistmustern auf Substratflächen mit hervorragendem Auflösungsvermögen, ohne daß das Problem von anhaftendem Schaum nach der Entwicklung auftritt. Die Erfindung betrifft eine dafür geeignete Spüllösung zur Schaumentfernung.

Bekanntlich werden zur Herstellung verschiedener Präzisionsartikel, wie beispielsweise integrierte Schaltungen, Photomasken für die Herstellung von integrierten Schaltungen, gedruckter Schaltungsplatten oder Leiterplatten, Photoresistzusammensetzungen verwendet. Das Prinzip dieses Verfahrens besteht darin, die Oberfläche eines Substrats mit einer Photoresistzusammensetzung zu beschichten und die Schicht bildmustergemäß zu entfernen, um die Substratoberfläche nur an den Flächen freizulegen, an denen sie vorzugsweise einer weiteren Behandlung, wie Ätzen oder Dotieren, unterworfen wird, wobei die bildmustergemäße Photoresistschicht als Schutzmaske dient.

Die Reliefbilderzeugung geschieht hauptsächlich unter Verwendung eines lichtempfindlichen Gemisches, das bildmäßig aktinischer Strahlung, beispielsweise UV-Licht, ausgesetzt wird, um eine Änderung der Löslichkeit der erhaltenen Photoresistschicht in einem flüssigen Entwickler zu erreichen. Je nach Art der Änderung der Löslichkeit der Zusammensetzung in einer Entwicklerlösung durch die UV-Bestrahlung werden die Photoresistzusammensetzungen in positiv arbeitende und negativ arbeitende eingeteilt. Eine positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung ist durch eine erhöhte Löslichkeit im Entwickler nach UV-Bestrahlung gekennzeichnet, so daß die Substratoberfläche nach der Entwicklung an den Stellen, die bildmustergemäß dem UV-Licht ausgesetzt waren, frei ist und die Photoresistschicht an den nicht belichteten Stellen zurückbleibt. Eine negativ arbeitende Photoresistschicht ist dagegen durch verminderte Löslichkeit der Photoresistschicht im Entwickler nach bildmäßiger UV-Bestrahlung gekennzeichnet, so daß nach Belichtung und Entwicklung eine bildmustergemäße Photoresistschicht auf den belichteten Flächen zurückbleibt.

Es wurden bereits verschiedene Photoresistzusammensetzungen, sowohl positiv als auch negativ arbeitende, angegeben, die im großtechnischen Maßstab verwendet werden. So bestehen beispielsweise die typischen und am meisten verwendeten positiv arbeitenden lichtempfindlichen Gemische aus einem alkalilöslichen Novolakharz als filmbildender Komponente und einer lichtempfindlichen Komponente; die Löslichkeit der Zusammensetzung wird durch eine lichtinduzierte Zersetzungsreaktion erhöht. Die mit einer solchen lichtempfindlichen Zusammensetzung nach der bildgemäßen UV-Bestrahlung hergestellte Photoresistschicht wird mit einem Entwickler entwickelt, und zwar im allgemeinen mit einer alkalischen wäßrigen Lösung. Als alkalisches Mittel für einen derartigen Entwickler kann jedoch keine Alkalimetallverbindung verwendet werden, insbesondere nicht bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen, da die Verunreinigung des Halbleitermaterials mit Alkalimetallionen sehr schädlich für die Eigenschaften der Halbleitervorrichtungen ist. Deshalb enthalten die Entwickler für positiv arbeitende Photoresists im allgemeinen eine wasserlösliche organische Base als alkalisches Mittel, beispielsweise quaternäre Ammoniumhydroxide (vgl. IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 13, Nr. 7, S. 2009 (1970) oder Cholin (vgl. US 42 39 661).

Eine der Anforderungen an den Entwickler ist die Selektivität der Solubilisierung der Photoresistzusammensetzung nach der Belichtung. Ein idealer Entwickler für einen positiv arbeitenden Photoresist sollte deshalb die Schicht an den UV-bestrahlten Stellen so leicht wie möglich weglösen, während die Schicht an den nicht belichteten Stellen im Entwickler absolut intakt bleiben sollte. Außerdem sollte der Querschnitt der Photoresistschicht nach der Entwicklung zweckmäßigerweise rechtwinklig sein, wobei die Außenflächen senkrecht auf der Schichtträgeroberfläche stehen sollten; herkömmliche Entwickler ergeben im allgemeinen einen trapezähnlichen Querschnitt.

Der rasche Fortschritt bei der Herstellung von intergrierten Halbleiterschaltungen in den letzten Jahren verlangt immer feinere Bildmuster der lichtempfindlichen Schicht auf dem Schichtträger, um ein Auflösungsvermögen im sog. Submikrometerbereich zu erzielen. Im einzelnen hängen Qualität und Ausbeute annehmbarer Produkte stark von der Leistungsfähigkeit der Entwicklung der bildmustergemäßen Photoresistschicht, die freie Flächen mit einer Feinheit von etwa 1 µm oder Kontaktfenster aufweist, ab. Herkömmliche Entwickler können diese Anforderungen nicht voll erfüllen; Verbesserungen der Entwickler sind deshalb sehr erwünscht.

Demgemäß wurden bereits verschiedene Versuche und Vorschläge für verbesserte Entwickler gemacht, beispielsweise eine Metallionen-freie wäßrige Lösung eines Tetraalkylammoniumhydroxids, die eine quartäre Ammoniumverbindung als grenzflächenaktives Mittel enthält, beispielsweise Methyl- bis(2-hydroxy)kokosfett-ammoniumchlorid und Trimethylkokosfett-ammoniumchlorid (vgl. JP 58-9143), oder ein Entwickler, der durch Zugabe eines grenzflächenaktiven Mittels oder eines organischen Lösungsmittels zu einem herkömmlichen Entwickler für positiv arbeitende Photoresists hergestellt ist (vgl. JP 58-57 128).

Diese Verbesserungen der Entwickler beruhen darauf, daß die Entwicklerlösung die lichtempfindliche Schicht besser benetzt und somit schneller und besser weglöst, was zu Verbesserungen des Auflösungsvermögens und der Dimensionsgenauigkeit des erhaltenen Bildmusters führt. Diese Entwickler werfen jedoch immer noch Probleme auf, insbesondere dann, wenn Bildmuster mit sehr feinen freien Flächen oder Kontaktfenster hergestellt werden sollen, da Schaum oder dünne Restschichten der Photoresistschicht an den dem UV-Licht ausgesetzten Stellen zurückbleiben, obgleich die Photoresistschicht vollständig von diesen Stellen weggelöst sein sollte. Das führt zu einer nur begrenzten Verbesserung des Auflösungsverfahrens solcher feinen Bildmuster.

Die oben angegebenen Schaum- und Schichtreste können durch eine kurze Nachbehandlung der bildmustergemäßen Photoresistschicht mit Sauerstoffplasma oder durch Sputtern entfernt werden (vgl. beispielsweise S. M. Irving, Solid State Technology, Band 14, Nr. 6, S. 47 (1971). Diese Nachbehandlungen sind jedoch praktisch nicht durchführbar, da die Formen des Resistmusters an sich beschädigt werden können, wenn die Nachbehandlung nicht unter gut kontrollierten Bedingungen durchgeführt wird. Außerdem ist sie nicht immer zufriedenstellend, da die Schaum- und Schichtrückstände insbesondere bei extrem feinen Mustern mit Kontaktfenstern in der Photoresistschicht nicht einheitlich entfernt werden.

Aus DE 29 16 384 war ein Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern aus Positivresists bekannt, bei dem das nach der Entwicklung erhaltene Reliefbild mit einer Spüllösung gespült wird, die aus einem mit Wasser mischbaren Lösungsmittel oder einem Gemisch von Wasser und einem organischen Lösungsmittel besteht. In dieser Druckschrift sind quartäre Ammoniumhydroxide weder als Entwickler- noch als Spüllösungskomponenten genannt.

Der Monographie "Photoresist", Materials and Processes, W. S. DeForest, McGraw-Hill Book Company, New York, 1975, S. 157, 158, 242-244, ist zu entnehmen, daß als Spüllösungen auch verdünnte Entwicklerlösungen eingesetzt werden können. Da die Reaktionsprodukte der belichteten Bereiche von Photoresists wasserlöslich sind, ist angegeben, nach der Entwicklung und nach dem Spülen mit verdünnten Entwicklerlösungen in jedem Falle abschließend mit Wasser zu spülen.

Aus DE 32 35 108 waren ferner quartäre Ammoniumhydroxide als basische Entwickler für positiv arbeitende lichtempfindliche Gemische bekannt. Eine Spülbehandlung nach der Entwicklung ist in dieser Druckschrift nicht erwähnt.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung von extrem feinen Reliefbildern auf einem Schichtträger, bei dem die nach der Entwicklung zurückbleibenden Schaum- und Schichtrückstände wirkungsvoll und vollständig sogar in feinsten Mustern entfernt werden können, sowie eine hierfür geeignete Spüllösung anzugeben. Dadurch soll den Anforderungen der sich schnell entwickelnden Halbleiterindustrie nach erhöhter Feinheit der Reliefbilder Rechnung getragen werden.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Reliefbildes umfaßt folgende Schritte:

• (a) Beschichten des Schichtträgers mit einem positiv arbeitenden lichtempfindlichen Gemisch,
• (b) bildmäßige Belichtung der lichtempfindlichen Schicht,
• (c) Entwickeln mit einem flüssigen Entwickler und
• (d) Spülen des Bildes mit einer Spüllösung;

es ist dadurch gekennzeichnet, daß als Spüllösung ein Gemisch aus 100 Masseteilen einer wäßrigen Lösung eines quartären Ammoniumhydroxids einer Konzentration von 0,5 bis 1,5 Masse-% und 1 bis 30 Masseteilen eines mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittels verwendet wird.

Die Erfindung betrifft entsprechend die Verwendung einer wäßrigen Spüllösung mit

• (A) 100 Masseteilen einer wäßrigen Lösung eines quartären Ammoniumhydroxids einer Konzentration von 0,5 bis 1,5 Masse-% und
• (B) 1 bis 30 Masseteile eines mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittels in dem oben angegebenen Verfahren.

Die in Stufe (d) des erfindungsgemäßen Verfahrens als Schaumentfernungsmittel verwendete Spüllösung entält als quartäres Ammoniumhydroxid ein Tetraalkylammoniumhydroxid oder ein Trialkylhydroxyalkylammoniumhydroxid, wie Tetramethylammoniumhydroxid oder Trimethyl-2-hydroxyethylammoniumhydroxid.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erhält das erhaltene Reliefbild ein stark verbessertes Auflösungsvermögen als Folge der vollständigen Entfernung des nach der Entwicklung auf der Schicht zurückbleibenden Schaums.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren unterliegt das positiv arbeitende lichtempfindliche Gemisch, aus dem auf dem Schichtträger die lichtempfindliche Schicht hergestellt wird, keiner besonderen Einschränkung. Obwohl jedes herkömmliche positiv arbeitende Gemisch beim erfindungsgemäßen Verfahren verwendet werden kann, werden doch solche Photoresists bevorzugt, die als lichtempfindliche Komponente ein teilweise oder vollständig verestertes oder amidiertes Derivat einer eine Chinondiazidgruppe enthaltenden Verbindung enthalten, das mit einer eine phenolische Hydroxyl- oder Aminogruppe aufweisenden Verbindung erhalten ist. Geeignet sind die Sulfonsäuren von Chinondiaziden, beispielsweise von o-Benzochinondiazid, o-Naphthochinondiazid und o-Anthrachinondiazid.

Phenolische Hydroxyl- oder Aminogruppen enthaltende Verbindungen sind beispielsweise Polyhydroxybenzophenone, wie 2,3,4-Trihydroxybenzophenon und 2,2′,4,4′-Tetrahydroxybenzophenon, Alkyl- und Arylgallate, Phenol, 4-Methoxyphenol, Dimethylphenol, Hydrochinon, Bisphenol A, Naphthole, Brenzcatechin, Pyrogallol, Monomethyl- und 1,3-Dimethylether von Pyrogallol, Gallussäure sowie etwa teilweise oder vollständig veresterte Produkte aus Gallussäure, Anilin oder 4-Aminodiphenylamin.

Neben der lichtempfindlichen Komponente sollte das beim erfindungsgemäßen Verfahren verwendete positiv arbeitende lichtempfindliche Gemisch ein filmbildendes Harz enthalten. Beispiele hierfür sind verschiedene Arten von alkalilöslichen Harzen, wie Novolakharze, die aus einer phenolischen Verbindung, beispielsweise Phenol oder Cresol, und einem Aldehyd erhalten sind, Acrylsäureharze, Polyvinylalkohole, Poly(vinylalkylether), Styrol-Acrylsäure-Copolymere, Hydroxystyrolpolymere, Poly(vinylhydroxybenzoat) sowie Poly(hydroxybenzal).

Das positiv arbeitende lichtempfindliche Gemisch wird vorzugsweise in Form einer Lösung verwendet, die durch Lösen der oben angegebenen lichtempfindlichen Komponente und des filmbildenden Harzes in einem geeigneten organischen Lösungsmittel hergestellt wird.

Als organisches Lösungsmittel für diesen Zweck geeignet sind beispielsweise Ketone, wie Aceton, Methylethylketon, Cyclohexanon oder Isoamylketon, mehrwertige Alkohole, wie Ethylenglykol oder Diethylenglykol sowie deren Monoacetate, beispielsweise Ethylenglykol- und Diethylenglykol-monoacetat, sowie deren Monoether, beispielsweise die Monomethyl-, Monoethyl-, Monopropyl-, Monobutyl- und Monophenylether, cyclische Ether, wie Dioxan, und Ester, wie Ethylacetat und Butylacetat. Diese organischen Lösungsmittel können entweder allein oder in Form von Gemischen aus mindestens zwei dieser Lösungsmittel verwendet werden.

In Stufe (a) des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Oberfläche eines Substrats als Schichtträger, wie einer Halbleiter-Siliciumscheibe, einheitlich mit dem lichtempfindlichen Gemisch in Form einer Lösung beschichtet, und zwar mit einer geeigneten Beschichtungsvorrichtung, wie einem Spinner oder einer Klinge, und zu einer Schicht auf der Schichtträgeroberfläche getrocknet.

In Stufe (b) des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die gebildete Schicht bildmäßig belichtet. Sie kann z. B. durch eine das gewünschte Bildmuster aufweisende Photomaske mit UV-Licht aus einer Lichtquelle, wie einer Niederdruck-, Hochdruck- oder Ultrahochdruck-Quecksilberlampe, einer Bogenlampe oder einer Xenonlampe, bestrahlt werden. Andererseits kann auch ein bildmäßiges Abtasten mit Elektronenstrahlen mit einer der UV-Bestrahlung entsprechenden Wirkung durchgeführt werden. Durch diese Belichtung erhält die Photoresistschicht in den bildmäßig belichteten Bereichen erhöhte Löslichkeit.

In Stufe (c) des erfindungsgemäßen Verfahrens wird das so gebildete latente Bild der Photoresistschicht mit einem Entwickler, der die Photoresistschicht an den belichteten, erhöht löslichen Stellen weglösen kann, entwickelt. Die Schicht wird durch diese Entwicklung an den bestrahlten Flächen weggelöst, wobei die Schicht an den nicht belichteten Flächen zurückbleibt. Als Entwickler können ohne Einschränkung beliebige herkömmliche, für die Entwicklung von Positivresists verwendete Entwickler verwendet werden; Entwickler, die ein quartäres Ammoniumhydroxid als alkalisches Mittel, wie Tetraalkyl- und Trialkyl-2-hydroxyalkyl-ammoniumhydroxide, in einer Konzentration von 2 bis 7 Masse-% in Wasser als Lösungsmittel enthalten, werden bevorzugt. Besonders bevorzugt ist eine wäßrige Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid oder Trimethyl-2-hydroxyethyl-ammoniumhydroxid als Entwickler.

In Stufe (d) des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die entwickelte Schicht mit der speziellen Schaumentfernungslösung aus einem Gemisch eines quartären Ammoniumhydroxids und eines mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittels in entsprechender Konzentration behandelt, die jede kleine Menge von auf der Schicht nach der Entwicklung zurückbleibendem Schaum weglösen kann.

Für diesen Zweck geeignete quartäre Ammoniumhydroxide sind z. B. Tetramethyl-, Tetraethyl-, Trimethylethyl-, Dimethyldiethyl, Trimethyl-2-hydroxyethyl- und Dimethyl-di-(2-hydroxyethyl)-ammoniumhydroxid. Diese quartären Ammoniumhydroxide können entweder allein oder als Kombination von mindestens zwei dieser Verbindungen verwendet werden. Besonders bevorzugt sind Tetramethylammoniumhydroxid und Trimethyl-2-hydroxyethylammoniumhydroxid.

Die Konzentration des quartären Ammoniumhydroxids in der wäßrigen Lösung liegt im Bereich von 0,5 bis 1,5 Masse-% und vorzugsweise von 0,7 bis 1,3 Masse-%. Bei einer zu niedrigen Konzentration ist die Geschwindigkeit der Schaumentfernung stark vermindert. Bei einer zu hohen Konzentration andererseits hat die Lösung ein so hohes Lösevermögen, daß nicht nur die Schaumreste weggelöst werden, sondern auch die bildmustergemäße Schicht mehr oder weniger angelöst wird, wodurch die Genauigkeit der Bildmusterwiedergabe in unerwünschter Weise vermindert wird.

Wäßrige Lösungen von Tetramethylammoniumhydroxid oder Trimethyl- 2-hydroxyethylammoniumhydroxid sind als Entwickler für positiv arbeitende Photoresists bekannt. Die herkömmlichen Entwickler enthalten jedoch diese quartären Ammoniumhydroxide im allgemeinen in einer Konzentration von 2 bis 7 Masse-%, damit die Entwicklung voll wirksam ist. Die erfindungsgemäß verwendete Schaumentfernungslösung hingegen enthält das quartäre Ammoniumhydroxid in einer viel niedrigeren Konzentration als die herkömmlichen Entwickler.

Das zur Herstellung der erfindungsgemäß verwendeten Spüllösung zur Schaumentfernung eingesetzte, mit Wasser mischbare organische Lösungsmittel ist beispielsweise Ethanol, n-Propanol, Isopropanol, Ethylenglykolmonomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, Ethylenglykolmonobutylether, Aceton, Methylethylketon, Cyclohexanon, Cyclopentanon, Ethylenglykolmonomethyletheracetat oder Ethylenglykolmonoethyletheracetat. Die Menge an mit Wasser mischbarem organischem Lösungsmittel in der Spüllösung liegt im Bereich von 1 bis 30 Masseteilen und vorzugsweise von 4 bis 20 Masseteilen je 100 Masseteile der wäßrigen Lösung des quartären Ammoniumhydroxids. Ist die Menge an mit Wasser mischbarem organischem Lösungsmittel zu gering, so hat die Lösung keine ausreichende Schaumentfernungswirkung. Bei einer zu großen Menge des organischen Lösungsmittels löst die Spüllösung die bildmustergemäße Photoresistschicht sogar in unbelichteten Bereichen weg, so daß die Genauigkeit der Wiedergabe mehr oder weniger stark vermindert ist. Das beruht darauf, daß die alkalilösliche Harzkomponente und die lichtempfindliche Chinondiazid-Komponente des Photoresists in den oben angegebenen, mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmitteln löslich ist. Deshalb ist für eine hohe Genauigkeit der Bildmusterwiedergabe der oben angegebene Anteil an organischem Lösungsmittel in der wäßrigen Lösung entscheidend.

Das Spülen in Stufe (d) des erfindungsgemäßen Verfahrens kann nach jedem geeigneten Verfahren durchgeführt werden, z. B. durch Eintauchen, Besprühen oder Schwenken. Nachdem die Schaumreste vollständig weggelöst worden sind, wird gründlich mit Wasser gespült und dann getrocknet. Auf diese Weise werden der auf dem Schichtträger gebildeten bildmustergemäßen Photoresistschicht stark verbesserte Auflösungseigenschaften verliehen, ohne daß Schaum- oder Resistrückstände in den bestrahlten Bereichen zurückbleiben. In manchen Fällen ist es günstig, nach dem Entwickeln in Stufe (c) vor der Behandlung mit der Spüllösung mit Wasser zu spülen, um den Entwickler auf der Oberfläche so vollständig wie möglich zu entfernen und einen unerwünschten Einfluß des Entwicklers auf die Genauigkeit des reproduzierten Bildmusters auszuschalten.

Die Erfindung wird durch die folgenden Beispiele erläutert.

Beispiel 1

Eine Halbleiter-Siliciumscheibe mit einem Durchmesser von 10 cm wurde mit einem Spinner mit einem positiv arbeitenden lichtempfindlichen Gemisch beschichtet, worauf die Photoresistschicht auf einer heißen Platte bei 110°C 90 s zu einer Dicke von 1,3 µm getrocknet wurde. Die Schicht wurde dann bildmäßig durch eine Rasterversuchsmaske hindurch in einem Apparat für verkleinernde Projektion mit UV-Licht bestrahlt und durch 25 s langes Schwenken bei 23°C in einer 2,38masse-%igen wäßrigen Tetramethylammoniumhydroxidlösung als Entwicklerlösung entwickelt. Die Siliciumscheibe wurde dann 20 s in einer Spüllösung bei 23°C zur Entfernung des Schaums geschwenkt, gründlich mit Wasser gespült und danach getrocknet.

Die verwendete Spüllösung war ein Gemisch einer 1,3masse-%igen wäßrigen Tetramethylammoniumhydroxidlösung und eines mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittels. In Tabelle 1 sind die Mengen des verwendeten organischen Lösungsmittels in Masseteilen je 100 Masseteile der wäßrigen Tetramethylammoniumhydroxidlösung angegeben. In Tabelle 1 ist ferner die Lichtempfindlichkeit als diejenige Mindestbelichtungszeit in ms angegeben, die für jede Kombination von Entwicklung und Spülbehandlung mit der Spüllösung notwendig ist, damit die Schicht nur an den nicht belichteten Flächen vollständig weggelöst wird.

Wird der Entwicklung Schritt (d) durchgeführt, so bleiben keine Schaumreste in den freien Bereichen der bildmustergemäßen Schicht einer Breite von 1 µm oder in Kontaktfenstern einer Breite von 1,2 µm zurück. Wird die Schaumentfernungsbehandlung nach der Entwicklung weggelasen, so werden sowohl in den freien Bereichen als auch den Kontaktfenstern der bildmustergemäßen Schicht Schaumreste gefunden. Die Lichtempfindlichkeit bei Weglassen der Schaumentfernungsbehandlung beträgt 120 ms.

Tabelle 1

Beispiel 2

Es wurde eine lichtempfindliche Schicht auf einer Anzahl von Halbleiter-Siliciumscheiben gemäß Beispiel 1 hergestellt mit dem Unterschied, daß die Entwicklungszeit verändert und die Schaumentfernungsbehandlung in Schritt (d) verschieden lang durchgeführt wurden. Die Spüllösung enthielt 100 Masseteile einer 1,3masse-%igen wäßrigen Tetramethylammoniumhydroxidlösung und 15 Masseteile Isopropanol. In Tabelle 2 ist die Lichtempfindlichkeit in ms für jeden dieser Versuche mit unterschiedlicher Dauer der Entwicklung und der Spülbehandlung angegeben. Die Vollständigkeit der Schaumentfernung wurde durch elektronenmikroskopische Untersuchung der freien Bereiche einer Breite von 1 µm in der bildmustergemäßen Schicht untersucht und wie folgt bewertet:
A=keinerlei Schaumreste,
B=geringe Mengen an Schaumresten und
C=große Mengen an Schaumresten.

Tabelle 2

Claims (8)

1. Verfahren zur Herstellung eines Reliefbildes auf einem Schichtträger durch

• (a) Beschichten des Schichtträgers mit einem positiv arbeitenden lichtempfindlichen Gemisch,
• (b) bildmäßige Belichtung der lichtempfindlichen Schicht,
• (c) Entwickeln mit einem flüssigen Entwickler und
• (d) Spülen des Bildes mit einer Spüllösung,

dadurch gekennzeichnet, daß als Spüllösung ein Gemisch aus 100 Masseteilen einer wäßrigen Lösung eines quartären Ammoniumhydroxids einer Konzentration von 0,5 bis 1,5 Masse-% und 1 bis 30 Masseteilen eines mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittels verwendet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Verwendung einer Spüllösung, bei der die Konzentration des quartären Ammoniumhydroxids in der wäßrigen Lösung 0,7 bis 1,3 Masse-% beträgt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch Verwendung einer Spüllösung, bei der der Mengenanteil des mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittels 4 bis 20 Masseteile auf 100 Masseteile der wäßrigen Lösung des quartären Ammoniumhydroxids beträgt.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch Verwendung von Tetramethylammoniumhydroxid oder Trimethyl-2-hydroxyethylammoniumhydroxid als quartäres Ammoniumhydroxid.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch Verwendung von Ethanol, n-Propanol, Isopropanol, Ethylenglykol-monomethylether, Ethylenglykolmonoethylether, Ethylenglykol-monobutylether, Aceton, Methylethylketon, Cyclohexanon, Cyclopentanon, Ethylenglykol-monomethyletheracetat und/oder Ethylenglykol-monoethyletheracetat als mit Wasser mischbare organische Lösungsmittel.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch Verwendung einer wäßrigen Lösung mit einem Gehalt von 2 bis 7 Masse-% eines quartären Ammoniumhydroxids als Entwicklerlösung.

7. Verwendung einer wäßrigen Spüllösung mit

• (A) 100 Masseteilen einer wäßrigen Lösung eines quartären Ammoniumhydroxids einer Konzentration von 0,5 bis 1,5 Masse-% und
• (B) 1 bis 30 Masseteilen eines mit Wasser mischbaren organischen Lösungsmittels im Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6.