KR910007227B1

KR910007227B1 - 포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액

Info

Publication number: KR910007227B1
Application number: KR1019890012186A
Authority: KR
Inventors: 야스유끼 다께다; 하쯔유끼 다나까; 도시마사 나까야마
Original assignee: 도오교오오오까고오교오 가부시기가이샤; 나까네 히사시
Priority date: 1988-08-26
Filing date: 1989-08-26
Publication date: 1991-09-20
Also published as: JPH02160246A; KR900003686A; JP2527811B2

Abstract

내용 없음.

Description

포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액

제1a,b도는 기판표면상의 레지스트층의 라인패턴의 개략적 단면 프로필.

제2도 및 제3도는 종래의 현상액과 본 발명의 현상액을 사용하여 얻은 레지스트패턴 차원의 기능으로서 초점심도와 매개변수로서 노출시간을 도시한 각각의 그래프.

본 발명은 포지티브-워킹(positive-working) 레지스트조성물용 현상액에 관한 것으로, 상세하게는 필림형성수지성 성분으로서 알카리가용성 노보락수지와 감광성 성분으로서 나프토퀴논 디아지드화합물로 이루어지고, 화학선 조사로 레지스트패턴을 형성할 수 있는 포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 목적은 포지티브-워킹 레지스트조성물에 형성된 패턴영상의 콘트라스트 및 초점심도를 크게 향상시킬 수 있는 현상액을 제공하는 것이다.

잘 열려진 바와 같이, 각종의 전자장치 및 반도체기판 집적회로, 집적회로제조용 포토마스크, 인쇄회로판 등과 같은 성분의 제조공정은 항상 에칭처리, 확산처리등과 같이 기판 영역의 선택적 표면처리공정을 수반하며, 일반적으로 자외선, X-레이, 전자비임등의 화학선에 대해 감광성을 지니는 수지성레지스트 조성물의 패턴층을 목적으로 하는 기판 표면상에 형성하여 표면처리를 받지않은 기판표면영역을 보호하는 선택적 표면 처리가 있다.

이러한 패턴방식의 보호레지스트층은 기판표면에 레지스트조성물의 피막층을 형성하고, 레지스트층패턴을 화학선으로 조사하고, 조사로 형성된 숨은 영상을 현상액으로 현상하는 공정으로 이루어진 방법에 의해 기판표면에 형성된다. 화학선에 대한 감광성의 형태에 따라 포지티브-워킹으로 분류되는 레지스트조성물에서 화학선으로 조사된 레지스터층의 영역은 현상액내에서 용해도가 증가하는 반면 비조사된 영역은 불용으로 있으며, 네가티브-워킹의 레지스트조성물은 현상액내에서 조사 및 비조사된 영역의 용해도행동이 포지티브-워킹레지스트조성물과 반대이다.

최근, 전자부품의 제조시 일반적으로 작업의 차원 정밀성이 높아짐에 따라, 고해상력을 지니는 포지티브-워킹 레지스트조성물이 네가티브-워킹 레지스트조성물에 비하여 우세한 추세이다. 대표적인 형태의 포지티브-워킹 레지스트조성물은 수지성 필림형성성분으로서 알키라가용성노보락수지와 화학선에 대한 감광성을 지니는 성분으로서 나프토퀴논디아지드화합물로 이루어지며, 노보락수지와 나프토퀴논디아지드 화합물을 이루어진 이런 포지티브-워킹 레지스트조성물에서 형성된 레지스트층은 현상액으로서 수성알카리용액으로 현상될 수 있으며, 여기서 수용성알카리화합물은 일반적으로 테트라메틸암모늄히드록시드, 콜린, 즉 트리메틸 2-히드록시에틸 암모늄히드록시드등의 유기알카리화합물이다. 대부분의 경우 포지티브-워킹 레지스트조성물용의 현상액이 유용하만, 이런 형태의 현상액중의 문제점의 하나로는 화학선으로 조사된 영역과 조사되지 않은 영역사이 또는 영상형성내 콘트라스트사이의 용해도행동의 차이가 비교적 작아 현상된 레시스트층의 라인패턴의 단면프로필이 종종 기판표면상에 늘여진 자락을 지녀 레시스트패턴의 정밀성 또는 충실성을 크게 감소시킨다. 이 문제점은 용액이 소위 서브미크론오더에 이르는 증가된 정밀성을 지니는 레지스트패턴의 현상에 사용될 경우 특히 심각하다. 따라서, 입수할 수 있는 현상액의 성능은 현재의 반도체 집적회로의 제조시 작업의 차원정밀성의 증가에 대한 요구에 순응하지 못하는 한정요인이다.

한편, 화학선에 의한 조사기술의 향상은 반도체장치의 제조시 작업 정밀성의 증가를 촉진시키는데 커다란 영향을 주어 예를 들면, 서브미크론오더의 정밀성을 지니는 패턴레지스트층을 광원으로서 365㎚의 단파장을 지니는 i선 자외선광을 방출하는 램프를 사용하여 최근 개발된 축소투영노광기술로 쉽게 얻을 수 있다. 그럼에도 불구하고 이 방법은 초점심도에 대한 문제점에 관하여 실사용에 문제점을 지니다.

초점심도에 관한 문제점은 즉, 해상력이 증가될 경우 초점심도가 감소하는 문제점은 패턴방식 조사용의 조사장치가 광학시스템을 사용하는 한 피할 수 없게된다. 그러나, 초점심도의 감소에 기인한 문제점은 고-콘트라스트영상을 주는 현상액을 사용함으로써 보상될 수 있어 초점심도가 작고 광도분포의 폭이 작을때에도 유효한 레지스트패턴을 얻을 수 있다.

이에 관하여, 현상된 영상의 콘트라스트를 증가시키기위한 목적의 포지티브-워킹레지스트조성물을 위한 현상액을 구성에 대하여 1, 2-나프토퀴논 디아지드계포지티브-워킹 레지스트조성물용의 현상액으로서 고리형 아민화합물수용액(일본특허 kokai 57-30832), 고리형 4차암모늄히드록시드화합물수용액(일본특허 kokai 60-179738)등의 다양한 제안이 있다.

전자형태의 현상액은 포지티브-워킹 레지스트조성물의 현상에 대해서는 유용하지만, 이들의 수지성성분은 α-β-불포화된 올레핀 카르복시산의 공중합체이기 때문에 현행기술에 주로 사용되는 필름형성성분으로서의 노보락수지로 이루어진 포지티브-워킹 레지스트조성물에는 적용할 수 없는 결점을 지닌다. 또한 후자형태의 현상액은 수용액의 주성분으로서의 고리형 4차암모늄히드록시드 화합물이 고리형질소화합물의 N-메틸올화반응 및 이온교환공정으로 이루어진 매우 복잡한 방법으로 제조되어야하므로 현상액의 현상성능의 안정성이 용액의 일련의 복잡한 제조공정으로서는 거의 기대할 수 없어 결과적으로 제지스트층의 패턴을 재생하지 못하는 단점을 지닌다.

따라서 본 발명의 목적은 필림형성성분으로서 알카리가용노보락수지와 화학선에대한 감광성을 지니는 성분으로서 나프토퀴논 디아지드화합물로 구성되고 높은 콘트라스트로 현상된 영상을 주는 포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액을 제공하여 종래의 포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액의 문제점과 결점을 해결함으로써 초점심도의 감소를 보상한다.

즉, 알카리가용노보락수지와 나프토퀴논디아지드화합물로 이루어진 포지티브-워킹 레지스트조성물을 현상하기 위한 본 발명의 현상액은 (a) 용매로서의 물 : (b) 수용성유기알카리화합물 : (c) 알카리가용유기고리형 질소화합물로 이루어진 수용액이다.

특히 성분(b)로서 수용성유기알카리화합물은 테트라메틸암모늄히드록시드 또는 콜린이며, 성분(c)로서 알카리가용유기고리형화합물은 N-히드록시에틸 피페라진, N-메틸-4-피페리돈, 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논으로 이루어진 군에서 선택되며, 현상액에 함유된 알카리가용 유기고리형화합물의 양은 용액의 0.1-10중량% 또는 0.3-5.0중량%범위가 바람직하다.

상기 설명으로부터 알수 있듯이 본 발명의 현상액은 특정의 알카리가용유기고리형 질소화합물을 수용성유기알카리화합물의 수용액에 첨가시킨 것에 특징이 있다. 수용성유기알카리화합물은 특히 안정되지는 않으나, 테트라메틸암모늄히드록시드 또는 콜린이 바람직하며, 이들 화합물을 필요에 따라 혼합하여 사용할 수 있다. 현상액내 수용성유기알카리화합물 농도는 일반적으로 1.0∼10.0중량% 또는 1.5∼7.0중량% 범위가 바람직하며, 이들의 농도가 너무낮으면 패턴의 유효감광성이 감소되며, 반면에 이들의 농도가 너무높으면 레지스트조성물은 화학선으로 조사되지않은 영역에서도 현상액의 공격을 받게되어 현상으로 얻어진 패턴레지스트층은 두께가 바람직하지 않게 감소된다.

본 발명의 현상액에서 가장 특징적인 성분으로서의 알카리가용유기고리형 질소화합물은 피롤, 피롤리딘, 피롤리돈, 인돌, 피리돈, 피리딘, 피레리돈, 피레리딘, 퀴놀린, 피라졸, 이미다졸, 이미다졸린, 이미다졸리디논, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 피레라진, 트리아졸, 옥사졸, 모로폴린, 티아졸 및 이들의 유도체가 있으며, 2-히드록시에틸 피리딘, N-메틸 피페라진, N-히드록시에틸 피페라진, 2-히드록시에틸피레라진, 2-메틸 이미다졸, 4-(2-히드록시에틸)모르폴린, 1-(2-히드록시에틸)피롤리돈, N-메틸-N-피페리돈, 2-아미노티아졸, 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논등의 혼합물이 바람직하며, 이들 중에서 N-히드록시에틸 피페라진, N-메틸-4-피페리돈, 1, 3-디메틸-2-이미다졸리논이 현상된 영상의 초점심도 및 콘트라스트를 향상하고 현상 후 기판표면에 지꺼기를 남기지 않는 점에서 더욱 바람직하다. 이들 고리형질소화합물은 단독으로 사용되거나 필요에 따라 2종류 이상으로 혼합되어 사용될 수 있다.

본 발명의 현상액내에 상기 설명한 알카리가용유기고리형 질소화합물의 농도는 일반적으로 0.1∼10중량% 또는 0.3∼0.5중량%범위가 바람직하며, 이들의 농도가 너무 낮으면 본 발명의 목적을 달성할 수 없으며, 반면에 이들의 농도가 너무 높으면, 조사되지 않은 영역내의 레지스트층은 현상액의 공격을 어느정도 받으므로 패턴영상의 콘트라스트는 바람직하지 않게 감소된다.

본 발명의 현상액이 적용되는 포지티브-워킹 레지스트조성물은 기본성분으로서 알카리가용노보락수지와 나프토퀴논디아지드화합물로 이루어진다. 적합한 알카리가용노보락수지는 페놀, 크레졸, 크실레놀 등과 같은 페놀성화합물과 포름알데히드같은 알데히드에서 얻은 것들이며, 알카리가용노보락수지로서 크레졸노보락수지가 바람직하다. 더욱 바람직하게, 크레졸노보락수지는 실질적으로 o-크레졸이 없이 m-크레졸 10∼45중량%와 p-크레졸 90∼55중량%와의 이성질혼합물에서 제조되며, 이런 크레졸노보락수지의 사용은 우수한 차원정밀성과 안정성을 지니는 레시스트패턴을 쉽게 얻게한다.

노보락수지와 혼합되는 나프토퀴논디아지드화합물은 o-나프토퀴논디아지드술폰산과 페놀성 히드록시기 또는 아미노기를 지니는 화합물과의 완전 또는 부분 에스테르화반응을 하거나 완전 또는 부분적으로 아미드화반응을 하는 것들을 포함하며, 페놀성 히드록시기를 지니는 에스테르화제는 2, 3, 4-트리히드록시 벤조페논, 2, 2', 4, 4'-테트라히드록시 벤조페논, 2, 3, 4, 4'-테트라히드록시벤조페논등의 폴리히드록시 벤조페논류, 알킬 갈레이트, 아릴 갈레이트, 페놀, p-메톡시 페놀, 디에틸 페놀, 히드로퀴논, 비스페놀 A, 나프톨, 피로카테롤, 피로갈롤, 피로갈롤 모노메틸에테르, 피로갈롤 1, 3-디메틸 에테르, 갈산, 적어도 하나의 비에스테르된 또는 비에테르화된 히드록시기를 지니는 갈산의 에스테르 또는 에테르등이 있으며, 상기 언급한 아미드화제는 아닐린, 4-아미노디페닐아민등이 있다.

상기 설명한 나프토퀴논 디아지드화합물의 양은 일반적으로 포지티브-워킹 레지스트조성물내 알카리가용노보락수지의 양을 기초로 10∼40중량%이며, 이들의 양이 너무 적으면 레지스트조성물은 이들로부터 얻어진 레지스트층의 라인패턴의 단면프로필이 불충분하기 때문에 실사용에 유용하지 못하고, 반면에 이들의 양이 너무 많으면 레지스트조성물은 화학선에 대해 현저하게 감소된 감광성을 지니다.

본 발명의 현상액은 그속의 주요성분이 알카리가용노보락수지와 자외선광, 원자외선광, 전자비임, X-레이등의 각종 화학선에 대해 감광성을 지닌 것을 포함하는 나프토퀴논디아지드화합물인 것을 조건으로하여 어떠한 포지티브-워킹 레지스트조성물의 현상처리에도 적용할 수 있다.

예를 들면, 바람직한 포지티브-워킹 전자비임감광성 레지스트조성물은 m-크레졸 10∼45중량%와 p-크레졸 90∼55중량%의 이성질체 크레졸혼합물에서 제조된 크레졸노보락수지와 2, 3, 4-트리히드록시 벤조페논, 2, 2', 4, 4'-테트라히드록시벤조페논, 2, 3, 4, 4'-테트라히드록시벤조페논에서 선택된 적어도 한종류의 폴리히드록시 벤조페논 화합물과의 나프토퀴논-1, 2-디아지드-4-술폰산에스테르로 이루어진 것이 있으며, 상기 언급한 에스테르화합물의 에스테르화정도가 60%이상인 것이 본 발명의 현상액으로 현상되는 포지티브-워킹 전자비임-감광성 레지스트조성물내 감광성성분으로서 사용될 경우 패턴영상이 매우 향상된 콘트라스트에 관해서 매우 만족스런 결과가 얻어진다.

포지티브-워킹 레지스트조성물은 적당한 유기용매내에 알카리가용노보락수지와 나프토퀴논 디아지드화합물 각각을 특정량 용해시켜서 제조된다. 포지티브-워킹 레지스트조성물에 사용된 유기용매의 예로는 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 이소아밀케톤등의 케톤화합물, 에틸렌글리콜, 프로필렌 글리콜, 에틸렌글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌글리콜 또는 디에틸렌글리콜 모노아세테이트의 모노메틸, 모노에틸, 모노프로필, 모노이소프로필, 모노부틸 및 모노페닐에테르등과 같은 다가알콜 및 이들의 유도체, 디옥산등과 같은 고리형에테르, 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트등과 같은 에스테르화합물이 있으며, 이들 유기용매는 단독 또는 필요에 따라 2종류 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다.

상기 설명한 바와 같이, 본 발명의 현상액은 수용성유기알카리화합물 이외에 특징적인 성분으로서 알카리가용성유기고리형 질소화합물로 이루어져 본 발명의 현상액을 알카리가용성노보락수지와 나프토퀴논 디아지드화합물로 이루어진 포지티브-워킹 레지스트조성물의 현상처리에 사용할 경우, 패턴레지스트층은 매우 향상된 콘트라스트의 영상을 지닌 우수한 라인패턴의 직교단면프로필을 지님으로써 결과로서 유효초점심도를 증가시킨다. 또한 본 발명의 현상액은 지꺼기 제거제로서 작용하므로 포지티브-워킹 레지스트층의 매우 미세한 패턴작업시에도 매우 만족스런 결과를 얻을 수 있다.

이하, 주어진 실시예는 본 발명의 현상액을 더욱 자세히 설명하는 것으로 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.

[실시예 1∼7과 비교예]

현상액에 있어서 다음의 표에 나타낸 바와 같은 농도량을 지니는 테트라메틸 암모늄히드록시드 수용액을, 현상액이 있어서 동일표에 나타낸 바와 같은 종류와 농도량을 지니는 알카리가용성유기 고리형 질소화합물과 혼합(용액Ⅰ∼ Ⅶ) 또는 혼합하지 않은 용액(Ⅷ) 8개의 현상액을 제조하여 각각 용액 Ⅰ∼ Ⅷ로 한다.

따로이, 40 : 60중량의 m-크레졸과 p-크레졸 혼합물과 포르말린을 촉매로서 옥살산을 사용하여 종래의 방법으로 축합반응하여 얻은 크레졸 노보락수지 100중량부, 나프토퀴논-1, 2-디아지드-5-술폰산의 2, 3, 4-트리히드록시 벤조페논 에스테르 30중량부를 에틸렌 글리콜모노에틸에테르 아세테이트 390중량부에 용해시키고 구경직경 0.2㎛의 막필터를 통해 용액을 여과시킴으로써, 포지티브-워킹 레지스트조성물을 제조한다.

4-인치 실리콘웨이퍼를 헥사메틸 디실라잔으로 표면처리한 후 이렇게 제조된 레지스트용액으로 스피너를 사용하여 피막두께 1.35㎛로 피복하고, 열판의 110℃에서 90초간 예비베이크하고 건조한다. 다음 레지스트 피복된 실리콘웨이퍼를 축소투영노광장치(모델 NSR-1505G4D, Nikon CO.제)로 테스트챠트십자선을 통해 자외선광에 대한 패턴방식으로 노광시키고, 상기 제조된 현상액 Ⅰ∼ Ⅷ중의 하나를 사용하여 23℃에서 65초간 현상처리한 후 물로 30초간 세척한뒤 건조시킨다.

다음의 표는 테스트를 통해 얻은 결과를 요약한것으로, 레지스트조성물의 유효 감광성은 자외선광에 대해 노광된 영역에 있어서 현상액으로 레지스트층을 완전히 제거하는데 요구된 밀리초의 노광시간으로 표현되며, 현상된 레지스트층의 라인패턴의 단면프로필은 제1a도로 나타낸 직교성단면과 제1b도로 나타낸 둥근어깨와 늘여진 자락을 지닌 단면에 대응하는 a,b로 각각 나타내었으며, 현상후 표면상의 지꺼기의 상태를 각각 A, B, C 표시하여 각각은 자와선광에 대해 노광된 영역상에 지꺼기가 전혀없는 것, 검출가능한 것 및 상당량의 지꺼기가 발견된 것을 나타낸다.

[표 1]

[실시예 8]

포지티브-워킹 레지스트조성물이 크레졸노보락수지와 나프토퀴논디아지드화합물을 함유하는 통상의 제품(TSMR-8800, Tokyo Ohka Kogyo Co. 제품)이며, 현상액이 콜린의 수용액 4.60중량%에 N-히드록시에틸 피페라진 2.5중량%가 첨가된 것인 이외에 실시예 1과 동일한 실험방법을 반복한다. 결과로서 감광성은 160ms이고 라인패턴의 단면프로필은 제1a도에 도시한 바와 같은 직교성을 지니며 현상처리후 기판표면에는 지꺼기가 검출되지 않는다.

비교를 위해, 현상액에서 N-히드록시에틸 피페라진을 제거한 외에 상기와 동일한 실험방법을 반복한다. 그 결과, 감광성은 150ms이나, 라인패턴의 단면프로필은 제1b도에 도시한 바와 같이 둥근어깨와 늘여진 자락을 지녀 직교성을 지니지 않으며 현상처리후 기판표면에 지꺼기가 발견된다.

[실시예 9]

현상액이 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액의 2.38중량% 또는 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액의 2.14중량 %에 N-히드록시에틸피페라진 2.5중량 %를 첨가한 것인 이외에 동일 포지티브-워킹 레지스트조성물을 패턴시키기위해 실시예 1과 동일한 실험방법을 반복한다. 이렇게 얻은 레시스트패턴을 1.0㎛폭의 라인패턴에 대한 초점심도를 측정하면, 각각 제2도 및 3도에 도시한 바와 같은 가로좌표로서 라인패턴의 중심선에서 ㎛간격과 세로좌표로서 ㎛의 라인패턴의 폭을 취하는 그래프를 나타낸다. 제3도에서 명백하게 알수있듯이, N-히드록시에틸피페라진을 본 발명에 따른 현상액에 첨가하는 것은 초점마진을 증가시키는 효과를 지니다.

[실시예 10]

현상액이 2.10중량%의 테트라메틸 암모늄히드록시드 수용액에 1.5중량 %의 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논을 첨가한것 이외에 통상 제품의 포지티브-워킹 레지스트조성물을 사용하여 실시예 8과 동일하게 레지스트층의 패턴을 위한 실험을 행한다. 그 결과, 감광성은 140ms이고, 라인패턴의 단면프로필은 제1a도에 도시한 바와 같은 직교성을 지니며, 현상처리후 기판표면상에 지꺼기가 전혀 발견되지 않는다.

[실시예 11]

에틸렌글리콜모노에틸 에테르아세테이트 350중량부에 실시예 1에서 사용된 동일 크레졸노보락수지 100중량부와 평균에스테르화율이 75%인 2, 3, 4-트리히드록시 벤조페논과 나프토퀴논-1, 2-디아지드-4-술폰산의 에스테르 17중량부를 용해시키고 구경직경 0.2㎛인 막필터를 통해 용액을 정제하여 포지티브-워킹 전자비임-감광성 레지스트조성물을 제조한다. 4-인치실리콘웨이퍼를 헥사메틸 디실라잔으로 표면처리한후 이렇게 제조된 레지스트용액을 스피너를 사용하여 피막두께 0.5㎛로 피복하고 건조하며 열판의 80℃에서 90초간 예비베이킹하여 전자비임조사장치(모델 HHS-2R, Hitachi Ltd.제조)를 사용하여 가속전압 20㎸에서 전자비임으로 조사된 패턴방식의 레지스트층을 형성한다. 다음 레지스트층을 1.8중량 %의 테트라메틸암모늄 히드록시드 수용액에 1.0중량 %의 2-히드록시에틸피리딘과 2.0중량 %의 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논을 첨가한 현상액을 사용하여 23℃에서 90초간 현상하여 전자비임으로 조사된 영역내에 레지스트층을 용해시켜 패턴레지스트층을 형성한다.

이렇게 얻은 페턴레지스트층은 매우 높은 콘트라스트의 영상과 0.5㎛폭을 지니는 라인패턴의 단면프로필을 지녀 제1a도에 도시한 바와 같이 기판표면에 만족스런 직교성을 지닌다. 90% 잔류 필림비율에서의 감광성은 18μC/㎠이며, 현상처리후에 전자비임으로 조사된 영역에 지꺼기가 전혀 발견되지 않는다.

[실시예 12]

실리콘웨이퍼상에 패턴레지스트층을 얻기위하여 포지티브-워킹 레지스트조성물내 감광성성분이 2, 3, 4-트리히드록시 벤조페논과 나프토퀴논-1, 2-디아지드-4-술폰산의 에스테르인 대신에 평균 에스테르화율이 75%인 2, 2', 4, 4'-테트라히드록시벤조페논과 나프토퀴논-1, 2-디아지드-4-술폰산의 에스테르이며, 현상을 위한 시간이 90초 대신 120초인 것 이외에 실시예 11과 동일한 실험방법을 실행한다. 그 결과를 실시예 11과 실질적으로 동일하다.

[비교예 2]

현상액이 고리형 질소화합물을 첨가하지 않은 2.38중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액인것 이외에 실시예 11과 동일한 실험방법을 실행한다. 그 결과 라인패턴의 단면프로필의 직교성은 제1b도에 도시한 바와 같이 둥근어깨와 늘여진 자락을 지녀 불량하며 90%잔류 필름비율에서의 감광성은 40μC/㎠이다. 또한 현상처리 후 전자비임으로 조사된 기판표면의 영역에 지꺼기가 검출된다.

[비교예 3]

현상액이 고리형질소화합물을 첨가하지 않은 2.38중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드수용액인것 이외에 실시예 12과 동일한 실험방법을 실행한다. 그 결과 라인패턴의 단면프로필의 직교성은 제1b도에 도시한 바와 같이 둥근어깨와 늘여진 자락을 지녀 불량하며 90%잔류 필름비율에서의 감광성은 80μC/㎠이다. 또한 현상처리 후 전자비임으로 조사된 기판표면의 영역에 지꺼기가 발견된다.

Claims

알카리가용성 노보락수지와 나프토퀴논 디아지드화합물로 이루어진 포지티브-워킹 레지스트조성물을 현상하기 위한 형상액은, (a) 용매로서의 물, (b) 용매내에 1.0∼10.0중량 % 범위의 농도로 용해된 수용성 유기알카리화합물, (c) 용매내에 0.1∼10중량 % 범위의 농도로 용해된 알카리가용성유기고리형 질소화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액.
제1항에 있어서, 성분(b)로서의 수용성유기알카리화합물은 테트라메틸암모늄히드록시드 또는 콜린인 것을 특징으로 하는 포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액.
제1항에 있어서, 성분(c)로서의 알카리가용성 유기고리형 질소화합물은 N-히드록시에틸 피페라진, N-메틸-4-피레리돈, 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논으로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액.
제3항에 있어서, 성분(c)로서의 알카리가용성 유기고리형 질소화합물은 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논인 것을 특징으로 하는 포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액.