DE3650712T2 - Fotovoltaische Vorrichtung - Google Patents

Fotovoltaische Vorrichtung

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiter-Vorrichtung, umfassend eine amorphes Material enthaltende pin-Typ- oder nip-Typ-Halbleiterschicht und mindestens zwei Elektroden. Dies ist eine Teilanmeldung aus EP-A-0 221 523 (86 115 170.2).
  • Bisher wurde als Material für photoelektrische Umwandler wie Solarzellen ein Halbleiter-Material verwendet, umfassend amorphe Halbleiter wie a-Si:H, a- Si1-X:CX:H, a-Si1-XGeX:H, a-Si:F:H a-Si1-XN H a-Ge:H, a-Si1-XGeX:F:H, a- Si:H, uc-Si:H, uc-Si1-XGeX:H, wobei x die Beziehung o < x < 1 erfüllt oder Halbleiter-Material, das teilweise diese amorphen Halbleiter enthält.
  • Eine übliche Solarzelle weist eine laminierte Struktur aus pin, nip, pinpin ... oder nipnip ... auf, erhalten durch Abscheiden derselben Art amorpher Halbleiter oder verschiedener Arten amorpher Halbleiter mit einem breiten Energieband nur in der dotierten Schicht in dieser Reihenfolge. Die Dichte des Dotierungsmittels in der p-Typ- oder n-Typ-Schicht ist gleichmäßig in der Richtung der Dicke der Schicht mit Ausnahme der Verteilung des Dotierungsmittels aufgrund thermischer Diffusion während und nach der Herstellung der Vorrichtung, und beträgt üblicherweise 0,01 bis 5 at %.
  • Fig. 5 zeigt eine in einer üblichen Solarzelle verwendete Halbleiter- Vorrichtung unter Verwendung eines pin-Typ-Halbleiters mit einer Dreifach- Schicht-Konstruktion. In Fig. 5 ist Nummer 31 ein Glassubstrat, an dem eine transparente Elektrode 32 befestigt ist. Auf der transparenten Elektrode 32 sind eine p-Typ-Halbleiterschicht 34, i-Typ-Halbleiterschicht 35 und n-Typ- Halbleiterschicht 36 in dieser Reihenfolge gebildet. Darüber hinaus ist auf der n-Typ-Halbleiterschicht 36 eine Elektrode 37 gebildet. Die Halbleitervorrichtung 38 besteht aus einem Glassubstrat 31, einer transparenten Elektrode 32, einer p-Typ-Halbleiterschicht 34, einer i-Typ- Halbleiterschicht 35, einer n-Typ-Halbleiterschicht 36 und einer Elektrode 37.
  • In der obigen Halbleitervorrichtung 38 tritt Licht in das Glassubstrat 31 entlang der Pfeilrichtung in Fig. 5 ein und dringt durch das Glassubstrat 31 und die Elektrode 32 durch und bestrahlt dann die p-Typ-Halbleiterschicht 34, i-Typ-Halbleiterschicht 35 und n-Typ-Halbleiterschicht 36. Durch diese Bestrahlung werden in jeder Halbleiterschicht 34, 35 und 36 Paare von Elektronen und Löchern erzeugt. Dann werden Elektronen in der n-Typ-Schicht und Löcher in der p-Typ-Schicht gesammelt, und dadurch werden an der transparenten Elektrode 32 positive Ladungen und an der Elektrode 37 negative Ladungen erzeugt. So wird eine photoelektrische Umwandlung durchgeführt, so daß der Halbleitervorrichtung 38 eine Funktion als Photozelle verliehen wird.
  • Eine Halbleiter-Vorrichtung mit der obigen Konstruktion hat jedoch einen Nachteil dahingehend, daß sie die Spannung im Leerlaufzustand (im folgenden als Voc bezeichnet) während der Lichteinstrahlung nicht erhöhen kann, da die Halbleitervorrichtung eine Beschränkung bei der Verstärkung eines eingebauten Felds aufweist.
  • Im Fall der Verwendung der obigen Vorrichtungen, beispielsweise falls eine elektromotorische Kraft größer als Voc erforderlich ist, kann eine Vielzahl von Vorrichtungen in Reihe geschaltet werden, um den obigen Nachteil zu überwinden. Sogar in diesem Fall kann jedoch die Anzahl an Reihenverbindungen vermindert werden, falls Voc pro Vorrichtung verbessert werden kann. Darüber hinaus kann erwartet werden, daß sich die Leistung der Vorrichtungen deutlich verbessert, indem die Fläche pro Halbleiter-Schicht groß gemacht wird, sogar in dem Fall, in dem die Gesamtfläche aller Vorrichtungen beschränkt ist.
  • Als Ergebnis forcierter Untersuchungen unter Beachtung einer Vorrichtungskonstruktion eines Halbleiters haben die Erfinder eine Halbleitervorrichtung mit höherer Voc und höherem elektrischem Strom (elektrischer Betriebsstrom) bei einer spezifischen Spannung als übliche Halbleiter-Vorrichtungen ohne Erhöhung der Anzahl der Serienverbindungen und der Gesamtfläche aller Flächen entdeckt, und haben die erfindungsgemäße Halbleiter-Vorrichtung vervollständigt.
  • Darüber hinaus ist von den üblichen Halbleitervorrichtungen bekannt, daß der Kontakt-Widerstand zwischen einer p-Typ-Halbleiterschicht und einer Elektrode auf der Seite einer p-Schicht und zwischen einer n-Typ-Halbleiterschicht und einer Elektrode auf der Seite der n-Schicht klein wird, wenn der Wert der Verunreinigungsdichte groß wird. Es ist wünschenswert, diesen Kontaktwiderstand klein zu halten, da er den Füllfaktor einer photovoltaischen Vorrichtung beeinträchtigt, wenn eine p-Typ- Halbleiterschicht und n-Typ-Halbleiterschicht als photovoltaische Vorrichtung wie Solarzelle verwendet werden. Daher ist es unter diesem Gesichtspunkt wünschenswert, die Verunreinigungsdichte zu erhöhen. Falls die Verunreinigungsdichte der n-Typ- und p-Typ-Halbleiterschicht jedoch zu groß werden, wird ein Problem dahingehend verursacht, daß die Eigenschaft als photovoltaische Vorrichtung sich aufgrund des großen Absorbtionsverlusts von Licht in den Teilen, die Verunreinigungen enthalten, verschlechtert.
  • Die vorliegende Erfindung wurde zur Lösung der obigen Probleme gemacht, und eine Aufgabe ist die Bereitstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer hohen Leerlaufspannung unter Lichtbestrahlung und einer Halbleitervorrichtung, deren photoelektrische Umwandlungseffizienz verbessert ist.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein wie in Anspruch 1 definierte Halbleiter- Vorrichtung bereit.
  • Erfindungsgemäß bedeutet der Begriff "pin-Typ- oder nip-Typ-Vorrichtung" eine Vorrichtung, die mindestens jeweils eine Schicht aus (A) einer Leitfähigkeits-Typ-Schicht, (B) einer nicht-dotierten oder leichtdotierten im wesentlichen intrinsischen Schicht und (C) eine mit zur obigen leitfähigen Schicht entgegengesetzte Leitfähigkeits-Typ-Schicht umfaßt: und mindestens zwei Elektroden. Darüber hinaus schließt sie natürlich eine Vorrichtung ein, die eine Vielzahl von p-, 1- und/oder n-Schichten umfaßt: und eine Vorrichtung von Tandern-Typ, bei der eine Einheit von pin oder nip gestapelt ist.
  • Fig. 1 ist eine Ansicht, die eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Halbleiter-Vorrichtung erklärt;
  • Fig. 2 ist eine Ansicht, die eine Ausführungsform einer üblichen Halbleiter- Vorrichtung erklärt;
  • Fig. 3 ist eine Ansicht, die ein Beispiel der Verteilung des Dotierungsmittels in einer erfindungsgemäß verwendeten pin-Typ- Halbleiterschicht und ein Beispiel der Verteilung des Dotierungsmittels in einer üblichen pin-Typ-Halbleiterschicht erklärt;
  • Fig. 4 ist ein Graph, der die U-I-Eigenschaft von in Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1 erhaltenen Solarzellen zeigt;
  • Fig. 5 ist ein Schnitt einer üblichen Halbleiter-Vorrichtung.
  • Der Begriff "amorphes Material enthaltende Halbleiter-Vorrichtung vom pin-Typ oder nip-Typ" bedeutet im allgemeinen eine Vorrichtung, die eine in a-Si- photovoltaischen Vorrichtungen oder Photoioden verwendete Konstruktion aufweist. Jede Halbleiter-Vorrichtung kann erfindungsgemäß verwendet werden, so lange sie diese Bedingung erfüllt.
  • Weiter bedeutet der Begriff "amorphes Material enthaltender Halbleiter" (1) einen Halbleiter, der ausschließlich aus amorphem Material aufgebaut ist, (2) einen Halbleiter, bei dem mikrokristalliner Halbleiter in amorphem Halbleiter dispergiert ist. (3) einen Halbleiter, bei dem amorpher Halbleiter in großkörnigem kristallinem Halbleiter dispergiert ist. Diese Halbleiter werden im allgemeinen Nicht-Einkristall-Halbleiter genannt.
  • Bevorzugt kann als amorphes Material enthaltende p-Typ Halbleiterschicht mit Bor dotiertes a-Si1-XCX:H (im folgenden als p-Typ-Schicht bezeichnet): a- Si:H, a-Si1-XGeX:H als amorphes Material enthaltende i-Typ-Halbleiterschicht (im folgenden als i-Typ-Schicht bezeichnet). Phosphor-dotiertes a-Si:H, uc- Si:H oder ähnliches als amorphes Material enthaltende n-Typ-Halbleiterschicht (im folgenden als n-Typ-Schicht bezeichnet) verwendet werden, die in üblichen amorphen photovoltaischen Halbleiter-Vorrichtungen oder Photodioden verwendet werden.
  • Der elektrische Widerstand der obigen Halbleiter kann einfach durch Verändern der Zusammensetzungsrate eingestellt werden, d. h. des Werts von "x" oder der Menge des Dotierungsmittels in den oben genannten Formeln. Erfindungsgemäß werden beispielsweise 0,01 bis 5 at % trivalenter oder pentavalenter Elemente wie P oder B als Dotierungsmittel verwendet.
  • Als die amorphes Material enthaltende pin-Typ- oder nip-Typ- Halbleiterschichten bildende 1-Typ-Schicht kann erfindungsgemäß eine Schicht mit etwa 250 bis 900 nm (2500 bis 9000 Å) Dicke verwendet werden, umfassend beispielsweise a-Si:H, a-SiGe:H, a-Ge:H, a-Si:F:H. a-SiN:H oder a-SiSn:H. Als p-Typ-Schicht kann eine Schicht mit etwa 8 bis 30 nm (80 bis 300 Å) Dicke verwendet werden, die durch Dotieren von beispielsweise a-SiC: H, uc-Si:H oder a-Si:H mit Elementen der Gruppe IIIa des Periodensystems gebildet wird, die p-Typ-Dotierungsmittel sind. Darüber hinaus kann als n-Typ-Schicht eine Schicht von etwa 8 bis 300 nm (80 bis 3000 Å) Dicke verwendet werden, die durch Dotieren von beispielsweise a-Si:H, uc-Si:H oder a-SiC:H mit Elementen der Gruppe Va des Periodensystems gebildet wird, die n-Typ-Dotierungsmittel sind.
  • Von den oben genannten p-Typ-Schichten sind Schichten bevorzugt, die durch Dotieren von a-SiC:H oder a-Si:H mit Elementen der Gruppe IIIa erhalten werden, da sie eine kleine Aktivierungsenergie und einen kleinen Licht- Absorbtionsverlust aufweisen. Darüber hinaus sind von den oben genannten n- Typ-Schichten Schichten bevorzugt, die durch Dotieren von a-SiC: H, uc-Si:H oder a-Si:H mit Elementen der Gruppe Va erhalten werden, da sie eine kleine Aktivierungsenergie und hohe Leitfähigkeit aufweisen.
  • In der vorstehenden Erklärung werden als p-Typ-Dotierungsmittel Elemente der Gruppe IIIa des Periodensystems, d. h. B. Al, Ga, In und Tl; und als n-Typ- Dotierungsmittel Elemente der Gruppe Va des Periodensystems, d. h. N, P, As, Sb, Te und Po beschrieben. Erfindungsgemäß verwendbare Dotierungsmittel sind jedoch nicht auf die oben beschriebenen beschränkt, und jedes Dotierungsmittel kann verwendet werden, so lange es durch Dotieren p-Typ- oder n-Typ-Halbleiter bilden kann.
  • In der erfindungsgemäßen pin-Typ- oder nip-Typ-Halbleiterschicht wird in mindestens einer der p-Typ-Schicht und n-Typ-Schicht ein Teil vorgesehen, bei dem die Menge des Dotierungsmittels in der p-Typ-Schicht oder der n-Typ- Schicht am niedrigsten ist an der Verbindungsfläche p/i oder n/i und sich allmählich zur Verbindungsfläche p/Elektrode oder n/Elektrode erhöht und wobei die Menge des Dotierungsmittels in einem Teil der p-Typ oder n-Typ-a- SiC:H-Schicht mit einer Dicke von mindestens 2 nm von der Verbindungsfläche von p/i oder n/i nicht größer ist als 0,001 at %.
  • Fig. 1 ist eine Ansicht, die eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung erklärt. In Fig. 1 ist auf einem Glassubstrat 11 mit einer transparenten Elektrode 12 eine p-Typ-Halbleiterschicht 13 in solcher Weise vorgesehen, daß die Menge des Dotierungsmittels an der Verbindungsfläche p/i am geringsten ist. Auf der p-Typ-Halbleiterschicht 13 sind eine i-Typ-Halbleiterschicht 14, eine n-Typ-Halbleiterschicht 15 und eine rückwärtige Elektrode 16 in dieser Reihenfolge gebildet.
  • In der Halbleitervorrichtung aus Fig. 1 ist die Menge des Dotierungsmittels an der Verbindungsfläche von p/i am geringsten. Die Halbleiter-Vorrichtung kann jedoch in solcher Weise hergestellt werden, daß die Verteilung des Dotierungsmittels in der p-Typ-Halbleiterschicht gleichmäßig ist und daß die Menge des Dotierungsmittels an der Verbindungsfläche von n/i in der n-Typ- Halbleiterschicht am geringsten ist. Die Halbleiter-Vorrichtung kann weiter in einer solchen Weise hergestellt werden, daß die Menge des Dotierungsmittels sowohl in den p-Typ- und n-Typ-Halbleiterschichten an den Verbindungsflächen von p/i und n/i jeweils am geringsten ist. In Fig. 1 tritt Licht 17 von der Seite der p-Typ-Schicht ein, es könnte jedoch auch von der Seite der n-Typ-Schicht eintreten. Die Anzahl der pin-Schichten ist nicht auf eine beschränkt, sondern sie könnte in zwei bis fünf Schichten gestapelt sein. In diesem Fall könnten Schichten auf der ersten p-Schicht auch auf solche Weise hergestellt werden, daß die Menge an Dotierungsmittel an der Verbindungsfläche der i-Schicht am geringsten ist, oder könnte aus üblichen in Fig. 2 dargestellten pin-Schichten hergestellt sein. Nummer 18 in Fig. 2 ist eine übliche p-Typ-Schicht.
  • Die Menge an Dotierungsmittel die in der p-Typ- oder n-Typ-Schicht verwendet wird, beträgt üblicherweise 0.01 bis 5 atm % in der vorliegenden Erfindung ist die Menge an Dotierungsmittel in der Nachbarschaft einer Verbindungsfläche von p/i oder n/i, bei der die Menge an Dotierungsmittel am geringsten ist, bevorzugt im Bereich von 2 bis 30 nm (20 bis 30 Å) von der Verbindungsfläche entfernt, bevorzugter im Bereich von 100 Å, bevorzugt nicht mehr als 0.001 atm %. Diese Tatsachen ergeben sich klar aus dem Ergebnis von Testherstellungen von Halbleiter-Vorrichtungen durch die Erfinder.
  • Die Verteilung des Dotierungsmittels muß allmählich von der Verbindungsfläche von p/i oder n/i zur Verbindungsfläche von p/Elektrode oder n/Elektrode ansteigen. Mit Hilfe dieses Aufbaus wird die Deffusion des Dotierungsmittels in die i-Schicht reduziert und die Fläche zwischen der i-Schicht und der Dotierungsmittel-Schicht wird verbessert, und dementsprechend steigt die Leerlaufspannung an.
  • In der vorliegenden Beschreibung bedeutet der Ausdruck "allmählicher Anstieg" nicht einen durch thermische Deffusion verursachten natürlichen Anstieg des Dotierungsmittels, sondern bedeutet schrittweisen oder treppenartigen Anstieg, der durch Einstellen der Menge des Dotierungsmittels erzielt wird. In diesem Fall ist es unter dem Gesichtspunkt der Erhöhung von Voc bevorzugt, daß andere Komponenten als das Dotierungsmittel in der p-Typ- oder n-Typ- Schicht sich nicht wesentlich ändern.
  • Fig. 3 ist eine Ansicht, die eine Ausführungsform der Verteilung des Dotierungsmittels in einer erfindungsgemäßen Halbleiter-Vorrichtung erklärt, wobei p-Typ-, i-Typ- und n-Typ-Schicht jeweils a-SiC:H, a-Si:H und a-Si:H umfassen. In Fig. 3 ist A ein Graph, der die Verteilung des p-Typ- Dotierungsmittels in einer p-Typ-Halbleiterschicht zeigt, B ist ein Graph, der die Verteilung des n-Typ-Dotierungsmittel in einer n-Typ- Halbleiterschicht zeigt, und C und D sind Graphen, die die Verteilungen von p-Typ-Dotierungsmittel und n-Typ-Dotierungsmittel in einer üblichen Halbleiter-Vorrichtung zeigen.
  • Fig. 3 zeigt nur ein bevorzugtes Beispiel der Verteilung des Dotierungsmittels in der p-Typ- oder n-Typ-Schicht, und der Zustand der Verteilung ist nicht auf den in Fig. 3 gezeigten beschränkt. Mit anderen Worten ist es nur erforderlich, daß der Dotierungsmittelgehalt von mindestens einer Leitfähigkeitsschicht an der Verbindungsfläche von p/i oder n/i minimiert ist.
  • Im Fall der Herstellung einer Halbleiter-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung unter Verwendung von a-SiC:H als dotierter Schicht existiert eine isolierende Schicht aus nicht dotiertem a-SiC:H an der Verbindungsfläche von p/i oder n/i. Erfindungsgemäß ist jedoch eine solche Konstruktion verwendbar.
  • Erfindungsgemäß verwendete Elektroden sind nicht besonders beschränkt, sondern es können eine transparente Elektrode, Metallelektrode, Silicidelektrode oder eine aus diesen Materialien erhaltene laminierte Elektrode verwendet werden, die üblicherweise bei der Herstellung von Solarzellen verwendet werden.
  • Als Apparatur zur Herstellung eines Halbleiters in der vorliegenden Erfindung kann eine kapazitiv gekoppelte Parallelplatten-Plasma-CVD-Apparatur, eine induktiv gekoppelte Plasma-CVD-Apparatur, eine thermische CVD-Apparatur, eine ECR-Plasma-CVD-Apparatur, eine Photo-CVD-Apparatur, eine Anregungs-CVD- Apparatur und ähnliches verwendet werden. Verwendbare Apparaturen sind nicht auf diese beschränkt. Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters in der vorliegenden Erfindung und das dabei verwendete Material sind nicht besonders beschränkt.
  • Ein pin-Aufbau oder nip-Aufbau in der vorliegenden Erfindung ist einer, der allgemein in amorphe Halbleiter umfassenden photovoltaischen Vorrichtungen oder Photodioden verwendet wird.
  • Nun werden Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1 der vorliegenden Erfindung erläutert.
    • Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1
  • Eine Solarzelle mit dem in Fig. 1 dargestellten Aufbau wurde als Experiment hergestellt.
  • SnO&sub2; mit 80 nm (800 Å) Dicke wurde als transparente Elektrode zur Herstellung eine Substrats aus Glas abgeschieden.
  • p-Typ-a-SiC:H-Film mit 15 nm (150 Å) Dicke wurde auf dem Substrat mit Hilfe der Plasma-CVD-Methode akkumuliert. Unter Verwendung von SiH&sub4;, CH&sub4; und B&sub2;H&sub6; (mit Wasserstoff auf 1000 ppm verdünnt) als Materialgas für p-Typ-a-SiC:H, 7 nm (70 Å) SiH&sub4;, CH&sub4; und B&sub2;H&sub6; mit 10 sccm, 30 sccm und 200 sccm. Dann wurden unter Fortsetzung der Glimmentladung restliche 8 nm (80 Å) a-SiC:H akkumuliert, während die Menge an B&sub2;H&sub6; allmählich abnahm. Die Flußrate von B&sub2;H&sub6; bei Vervollständigung der Abscheidung der p-Schicht war 0 sccm. Eine i- Typ-a-Si:H-Schicht mit 700 nm (7000 Å) Dicke wurde mit Hilfe einer Glimmentladungs-Zersetzung abgeschieden. Dann wurde eine n-Typ-uc-Si:H- Schicht von 30 nm (300 Å) Dicke mit Hilfe einer Glimmentladungs-Zersetzung abgeschieden, unter Verwendung eines Mischgases aus 20 sccm SiH&sub4; und 100 sccm 100 ppm PH&sub3;, verdünnt mit H&sub2;. Al mit 100 nm (1000 Å) Dicke wurde darauf als rückwärtige Metallelektrode zur Herstellung von 1 cm² Vorrichtung vakuum verdampft.
  • Die Menge an Dotierungsmittel in der p-Typ-Schicht bei Durchfluß eines konstanten Volumens von B&sub2;H&sub6; war 2 at %.
  • Zum Vergleich wurden Solarzellen des üblichen Typs auf dieselbe Art wie oben beschrieben hergestellt, mit der Ausnahme, daß p-Typ-a-SiC:H mit 15 nm (150 Ä) Dicke mit der obigen konstanten Flußrate abgeschieden wurde.
  • Die V-I-Eigenschaften der erhaltenen beiden Arten von Solarzellen wurden unter Fluoreszenz bei einer Lichtstärke von 200 Lux gemessen. Die Ergebnisse sind in Fig. 4 dargestellt.
  • Die Leerlauf-Spannung der Solarzelle von Vergleichsbeispiel 1 war etwa 0,6 V. Andererseits war die der Solarzelle von Beispiel 1 0,70 V. Es wurde beobachtet, daß der elektrische Strom und FF (Kurvenfüllfaktor) leicht verbessert waren.
  • Wie im Detail zuvor beschrieben, hat die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung eine größere Voc und einen größeren elektrischen Strom (Arbeitsstrom) bei einer spezifischen Spannung als übliche Vorrichtungen, und daher kann sie bevorzugt in Verbraucher-Solarzellen eingesetzt werden, insbesondere in solche Solarzellen, die mit elektrischer Ausrüstung versehen sind, die mit Lichtquellen geringer Lichtstärke wie einer Fluoreszenslampe eingesetzt werden.
  • Der Füllfaktor wurde mit der folgenden Formel berechnet:

Claims (4)

1. Halbleitervorrichtung, umfassend einen amorphes Material enthaltende pin-Typ- oder nip-Typ-Halbleiterschicht und mindestens zwei Elektroden, wobei mindestens eine der p-Typ- oder n-Typ-Schicht eine Schicht aus a- Sic:H ist und die i-Typ-Schicht eine Schicht aus a-Si:H oder a-Si1-XGeX:H ist, und wobei die Menge des Dotierungsmittels in der p- Typ- oder n-Typ-a-SiC:H-Schicht allmählich von der Verbindungsfläche von p/i oder n/i gegen die entsprechende Verbindungsfläche von p/Elektrode oder n/Elektrode ansteigt, dadurch charakterisiert, daß die Menge an Dotierungsmittel im Bereich dieser p-Typ- oder n-Typ-a-SiC:H- Schicht von mindestens 2 nm Dicke von der Verbindungsfläche von p/i oder n/i an nicht größer ist als 0,001 at %.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Menge von nicht mehr als 0,001 at % innerhalb eines Bereichs dieser p-Typ- oder n-Typ-Schicht von mindestens 10 nm Dicke von der Verbindungsfläche von p/i oder n/i an vorliegt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Dotierungsmittel in dieser p-Typ-Schicht ein Element ist, das ausgewählt wird aus der B, Al, Ga, In und Tl bestehenden Gruppe.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Dotierungsmittel in dieser n-Typ-Schicht ein Element ist, das aus der aus N, P, As, Sb, Te und Po bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
DE3650712T 1985-11-05 1986-11-01 Fotovoltaische Vorrichtung Expired - Lifetime DE3650712T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
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