JP3869952B2 - 光電変換装置とそれを用いたx線撮像装置 - Google Patents
光電変換装置とそれを用いたx線撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3869952B2 JP3869952B2 JP26666398A JP26666398A JP3869952B2 JP 3869952 B2 JP3869952 B2 JP 3869952B2 JP 26666398 A JP26666398 A JP 26666398A JP 26666398 A JP26666398 A JP 26666398A JP 3869952 B2 JP3869952 B2 JP 3869952B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- center
- conversion device
- light
- signal lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 79
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 14
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は光電変換装置、詳しくはスキャナー、デジタル複写機などに用いられ、光電変換素子とスイッチ素子とから構成される画素を1次元的、あるいは2次元的に配列してなる光電変換装置、及びそれを用いたX線撮像装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、ファクシミリ、デジタル複写機あるいはX線撮像装置等の読み取り系としては縮小光学系とCCD型センサを用いた読み取り系が用いられており、一方、水素化アモルファスシリコン(以下、a−Siと記す)に代表される光電変換半導体材料を用いた光電変換素子及びスイッチ素子からなる画像読みとり装置が広く利用されている。
【0003】
特に、a−Siは、大面積基板に均一に、しかも、低温で形成できる。そのため、安価なガラス基板に形成することができるという利点があり、広く応用されている。
【0004】
そして、上記のような光電変換装置の光電変換素子には、PIN型フォトダイオードが用いられるのが一般的であり、スイッチ素子には、TFTが用いられるのが一般的である。
【0005】
例えば、94′SPIE Vol.2127,P144〜P151には、光電変換装置は、微弱な光にも感度があり、ダイナミックレンジ(DR)として104 〜105 が達成された、と述べられている。ただし、DRはランダムノイズ、熱ノイズなどのノイズにより大きく影響を受けるものと記述されている。さらに、97′SPIE Vol.3032,P2〜P13には、この種の光電変換装置の応用例としてX線デジタル検出器が示されている。
【0006】
X線デジタル検出器は、X線像を可視画像に変換するCsIなどの蛍光体または、Gd2O2Sなどの蛍光板と、その蛍光板から発せられる光を受光する光電変換装置とを備えている。
【0007】
図8は、上述のX線デジタル検出器の等価回路図である。図9は、X線デジタル検出器を構成する光電変換装置の1画素分の模式平面図であり、図10は、その模式断面図である。図8のドライバ1は、ゲート線2を介してスイッチであるTFT3と接続されている。照射X線は、蛍光板により光に変換され、図10に示されるように、PIN型フォトダイオード4に入射する。
【0008】
フォトダイオード4に入射した光は、透明電極9を透過し、さらに、P層を透過してI型a−Si層で光電変換され、光信号が電気信号に変換される。電荷が蓄積される。
【0009】
フォトダイオード4に蓄積された電荷は、ドライバ1からの制御信号により、順次TFT3をオンすることにより、信号線5を介してアンプ7に出力される。そして、アンプ7において、電気信号は増幅され、A/Dコンバータ8において、A/D変換され図示しないコンピュータなどに出力される。なお、バイアス線6により、フォトダイオード4には、逆バイアスが印加されている。
【0010】
コンピュータでは、入力された画像信号をモニタなどに表示したり、記録媒体などに記録するという画像処理を行う。
【0011】
図9、図10に示すように、PIN型フォトダイオード4の上部に設けられている透明電極9の上部には、フォトダイオード4にバイアスを印加するためのバイアス線6が備えられている。バイアス線6を設ける位置は、透明電極9の上部であればよく、特に定められていなかった。
【0012】
ところで、上記のような光電変換装置においては、フォトダイオードの受光感度を向上させることが強く求められている。特に、X線撮像装置においては、感度アップは、直接、X線線量を低減できる大きな利点となり、早急に解決すべき課題である。図11にフォトダイオードの受光光量とセンサからの電気信号の出力との関係の1例を示す。本図においては、光量10-3〜1の範囲で使用できるセンサであるが、これを例えは10-4〜1の範囲で使用できるようにすることが求められている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
フォトダイオードの受光感度を向上させるために、画素の開口率を増加させることや、配線容量を低くすることにより、電気信号のノイズ成分を抑制することなどが種々検討されている。
【0014】
しかしながら、蓄積電荷の転送能力を考慮してTFTのサイズが決定されているため、画素の開口率を高めることには限界がある。また、ゲート線と信号線とのクロス部の面積は、製造歩留まりなどを考慮して決定されているため、配線幅低減により、配線間容量を低くすることにも限界があった。
【0015】
(発明の目的)
そこで本発明は、フォトダイオードの受光感度を向上させることを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された複数のスイッチ素子と、前記光電変換素子のそれぞれの光電変換により得られた電気信号を出力する複数の信号線と、前記光電変換素子を駆動する複数の駆動配線とを配列した光電変換装置において、前記駆動配線は、前記信号線の間において前記信号線と平行に配列し、前記駆動配線は、その中心線が前記信号線の間の中央の第1位置と前記光電変換素子の領域の重心点である第2位置との間に位置していることを特徴とする。
【0017】
また、複数の光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された複数のスイッチ素子と、前記光電変換素子のそれぞれの光電変換により得られた電気信号を出力する複数の信号線と、前記光電変換素子を駆動する複数の駆動配線とを配列した光電変換装置、及び、前記光電変換装置に光入射側に配置した入射X線を可視光に変換し該可視光を前記光電変換装置に入射させるX線−光変換手段を備えているX線撮像装置において、前記駆動配線は、前記信号線の間において前記信号線と平行に配列し、前記駆動配線は、その中心線が前記信号線の間の中央の第1位置と前記光電変換素子の領域の重心点である第2位置との間に位置していることを特徴とする。
【0018】
(作用)
バイアス配線の配置を適切に設定することにより、透明電極の膜厚を薄くし、または、透明電極の面積を小さくすることを可能とし、センサの受光感度を高める。
【0019】
【発明の実施の形態】
(実施形態1)
本発明の光電変換装置の第1の実施形態について図1を用いて説明する。図1は、本実施形態の光電変換装置の画素を示した図である。画素は、スイッチであるTFT3とフォトダイオード4とを含んで構成されている。画素は、2次元に配列され、その配列ピッチは、たとえば、160μである。
【0020】
ゲート線2は、TFT3と接続されている。そして、ドライバ(不図示)からゲート線2を介して与えられる信号によりTFT3がオンされ、これによりフォトダイオード4から光電変換された電荷が信号線5に出力される。
【0021】
つぎに、本実施形態に示す光電変換装置の画素の動作について説明する。入射光は、PIN型フォトダイオード4上に設けられた透明電極(不図示)(以下、ITOと称する)を透過し、さらに、フォトダイオード4のP層を透過してI型a−Si層で光電変換され、光信号が電気信号に変換され、電荷が蓄積される。
【0022】
フォトダイオード4に蓄積された電荷は、ドライバ(不図示)からの制御信号により、順次TFT3をオンすることにより、信号線5を介してアンプ(不図示)に出力される。そして、アンプにおいて、電気信号は増幅され、A/Dコンバータ(不図示)でA/D変換され、画像処理装置(不図示)により画像信号が処理される。
【0023】
光電変換装置を作動させるときには、バイアス線6によって、センサ(フォトダイオード)4にバイアスをかける。そのときに、ITO(不図示)の膜厚に依存してセンサ4へのバイアス印加状態が変わる。そのため、受光感度が低くなる場合がある。
【0024】
ここで、図2は、フォトダイオードの異なる位置にバイアス線を配置した様子を示す図である。図3は、図2における各々のバイアス線配置の場合のセンサ4の受光感度をITOの膜厚をパラメーターとして測定した測定結果を示す図である。なお、フォトダイオード4入射する光量は、バイアス線6の配線位置に拘わらず同じである。
【0025】
図2において、バイアス線の配線位置(a)は、センサ4の領域の重心Bを通っており、配線位置(b)、(c)はセンサ4の領域の重心Bから離れた位置を通っている。また、図3に示すように、バイアス線6の配線位置は、フォトダイオード4の重心を通る配線位置(a)とすることにより、センサ感度を最も高くすることができる。
【0026】
つぎに、センサ4の受光感度とバイアス線6の配線レイアウトとの関係について図4、図5を用いて説明する。図4は、バイアス線6をフォトダイオード4の各々異なる位置に配置した様子を示した図である。図5は、図4に示した各々のバイアス線6の位置に対するセンサ4の受光感度を信号線に対する配置位置をパラメータとして測定した結果を表す図である。
【0027】
図5に示すように、フォトダイオード4は、隣接信号線間におけるバイアス線6の位置により受光感度に影響を受ける。これは、バイアス線6を隣接信号線間の端の方に配置するにつれて、バイアス線6と信号線との間の容量結合が大きくなる。このことにより、信号のノイズ成分が増大しDRが低下するからである。
【0028】
また、バイアス線6を隣接信号線間の端の方に配置するにつれて、リーク電流が大きくなり、これによっても信号のノイズ成分が増大しDRが低下するからである。したがって、バイアス線6の位置は隣接信号線間の中央Aが最も好ましい。
【0029】
図1において、バイアス線6は、隣接する2つの信号線5間の中央を示す破線Aと、フォトダイオード4の領域の重心Bを通り信号線5と平行な破線との間に中心線が位置するように配置されている。もちろん、最も好ましいのは、破線Aと点Bを通る破線との中央にバイアス線6を配置した場合である。
【0030】
このようにすることで、ITOの膜厚が薄く抵抗値が大きい場合でも、センサ4の全体に充分なバイアスを印加できるという第1の効果と、バイアス線と信号線との間の容量を小さくして信号のノイズを低減するという第2の効果とを良好に調和させ、双方ともの効果を良好に得ることで、センサ4の受光感動を向上させることができる。
【0031】
本実施形態と従来技術とにおけるITO膜厚とセンサ感度との関係を図6に示す。本図に示すように、本発明の実施形態は、ITOの膜厚を薄膜化して、センサの受光感度を従来技術の光電変換装置のセンサの受光感度より向上させることができる。
【0032】
(実施形態2)
つぎに、本発明の光電変換装置の第2の実施形態について図7を用いて説明する。本実施形態の光電変換装置は、光電変換素子の受光部より小さな面積の電極(ITO9)を用いている。なお、バイアス線6や図示しない信号線などの構成は実施形態1と同様であるため説明を省略する。また、バイアス線6は、実施形態1と同様に、隣接信号線間の中央と光電変換素子の領域の重心との間に配置している。
【0033】
上記のように、バイアス線6の位置を変更することにより、ITO9へのバイアス印加が充分達成でき、そのため、ITOの面積を10μm程度までは小さくしても、電界のしみ出しによりフォトダイオード4に所望のバイアスをかけることができる。ITO9の面積は、ITO9からフォトダイオード4への電界の広がり、またはP層の電極として機能を考慮して決定している。具体的には、ITO9は、周辺を10μmほど小さくすることができる。
【0034】
図7に示したように、ITO9は、フォトダイオード4より小さい面積のものを用いることができる。したがって、ITO9により吸収される光量が減少するため、センサ4への入射光の利用効率を高めることができ、受光感度を向上させることができる。
【0035】
また、ITO9における光吸収量を減らすことによりセンサの光吸収量を増やすためには、ITO9の形状をメッシュ状にしてもよい。このことにより、上記のようにITO9の面積を減らした場合と同様の効果が得られる。具体的には、メッシュの穴の部分の大きさは、10μm四方とすることができる。
【0036】
同様に、P層又はN層が十分な抵抗値を持つならば、ITO9を用いずに直接P層又はN層にバイアス線を配置でき、このとき、さらに、センサをP層のみで素子間分離してもよいことになる。すなわち、ITO9を設けない構成とすることもできる。したがって、P層のみで素子間分離してもいいことになる。このことにより、上記と同様に、センサの光吸収量を増やすことができる。また、薄くて、受光感度のよいセンサを用いた光電変換装置を形成することができる。
【0037】
以上の実施形態の光電変換装置の光入射側にX線像を光線像に変換する蛍光板を配置することで、X線撮像装置を構成することができる。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、光電変換素子の駆動配線の中心線を、信号線間の中央と、光電変換素子の重心との間に配置することにより、光電変換素子に均一にバイアスを印加できることができる。そのため、透明電極の膜厚を薄くすることができ、光電変換素子へ入射する入射光の利用効率を高めることができる。したがって、光電変換素子の受光感度を向上させることができる。
【0039】
よって、このような光電変換装置をX線撮像装置に応用した場合には、X線デジタル撮像装置で必要な照射X線量を減らすことができる。そのため、X線照射により人体に与える影響を少なくしたX線撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1の光電変換装置の画素の模式的平面図である。
【図2】フォトダイオードとバイアス線との配置位置を示す図である。
【図3】図2に示したバイアス線の位置によるITO膜厚と相対感度との関係を示す図である。
【図4】フォトダイオードとバイアス線との配置位置を示す図である。
【図5】図4に示したバイアス線の位置によるITO膜厚と相対感度との関係を示す図である。
【図6】ITOの膜厚とフォトダイオードの受光感度との関係を示す図である。
【図7】実施形態2の光電変換装置の画素の模式的平面図である。
【図8】従来技術の光電変換装置の等価回路である。
【図9】従来技術の光電変換装置の画素の模式的平面図である。
【図10】従来技術の光電変換装置の画素の模式的断面図である。
【図11】従来技術の光電変換装置の入射光量と出力電子数との関係を示す図である。
【符号の説明】
1 ドライバ
2 ゲート線
3 TFT
4 フォトダイオード(センサ)
5 信号線
6 バイアス線
7 アンプ
8 A/Dコンバータ
9 透明電極(ITO)
Claims (7)
- 複数の光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された複数のスイッチ素子と、前記光電変換素子のそれぞれの光電変換により得られた電気信号を出力する複数の信号線と、前記光電変換素子を駆動する複数の駆動配線とを配列した光電変換装置において、
前記駆動配線は、前記信号線の間において前記信号線と平行に配列し、前記駆動配線は、その中心線が前記信号線の間の中央の第1位置と前記光電変換素子の領域の重心点である第2位置との間に位置していることを特徴とする光電変換装置。 - 前記駆動配線の中心線は、前記第1位置と前記第2位置との中央に位置したことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記光電変換素子の光入射側に光通過性電極を設け、該光通過性電極は前記光電変換素子のそれぞれ領域内の1部に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 複数の光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された複数のスイッチ素子と、前記光電変換素子のそれぞれの光電変換により得られた電気信号を出力する複数の信号線と、前記光電変換素子を駆動する複数の駆動配線とを配列した光電変換装置、及び、前記光電変換装置に光入射側に配置した入射X線を可視光に変換し該可視光を前記光電変換装置に入射させるX線−光変換手段を備えているX線撮像装置において、
前記駆動配線は、前記信号線の間において前記信号線と平行に配列し、前記駆動配線は、その中心線が前記信号線の間の中央の第1位置と前記光電変換素子の領域の重心点である第2位置との間に位置していることを特徴とするX線撮像装置。 - 前記駆動配線の中心線は、前記第1位置と前記第2位置との中央に位置したことを特徴とする請求項4に記載のX線撮像装置。
- 前記光電変換素子の光入射側に光通過性電極を設け、該光通過性電極は前記光電変換素子のそれぞれ領域内の1部に配置されていることを特徴とする請求項4または5に記載のX線撮像装置。
- 前記X線−光変換手段は、蛍光板であることを特徴とする請求項4から6のいずれか1項に記載のX線撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26666398A JP3869952B2 (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 光電変換装置とそれを用いたx線撮像装置 |
US09/396,880 US6753915B1 (en) | 1998-09-21 | 1999-09-16 | Photoelectric Conversion Apparatus and Image Pickup Apparatus having an Optimally Positioned Driving Wire |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26666398A JP3869952B2 (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 光電変換装置とそれを用いたx線撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000101920A JP2000101920A (ja) | 2000-04-07 |
JP3869952B2 true JP3869952B2 (ja) | 2007-01-17 |
Family
ID=17433967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26666398A Expired - Fee Related JP3869952B2 (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | 光電変換装置とそれを用いたx線撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6753915B1 (ja) |
JP (1) | JP3869952B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6765187B2 (en) * | 2001-06-27 | 2004-07-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging apparatus |
US7034309B2 (en) | 2001-11-13 | 2006-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus and method of driving the same |
JP2003209232A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体検出器 |
US7214945B2 (en) * | 2002-06-11 | 2007-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, manufacturing method therefor, and radiation image pickup system |
JP4391078B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2009-12-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置及び放射線撮像装置 |
US7282719B2 (en) * | 2004-09-30 | 2007-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
JP5207583B2 (ja) | 2005-07-25 | 2013-06-12 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置および放射線検出システム |
JP5142943B2 (ja) * | 2007-11-05 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム |
JP5330779B2 (ja) | 2008-09-10 | 2013-10-30 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置、及びその製造方法 |
JP2010225735A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサー及びその製造方法 |
JP5537135B2 (ja) | 2009-11-30 | 2014-07-02 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
US20220173080A1 (en) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Unit pixel and displaying apparatus including the unit pixel |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3280418T2 (de) * | 1981-07-17 | 1993-03-04 | Kanegafuchi Chemical Ind | Amorpher halbleiter und photovoltaische vorrichtung aus amorphem silizium. |
JPS613471A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置 |
CA1321660C (en) * | 1985-11-05 | 1993-08-24 | Hideo Yamagishi | Amorphous-containing semiconductor device with high resistivity interlayer or with highly doped interlayer |
JP3077034B2 (ja) * | 1990-07-25 | 2000-08-14 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体イメージセンサ装置 |
US5507881A (en) * | 1991-09-30 | 1996-04-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thin-film solar cell and method of manufacturing same |
US5435608A (en) * | 1994-06-17 | 1995-07-25 | General Electric Company | Radiation imager with common passivation dielectric for gate electrode and photosensor |
JP3957803B2 (ja) * | 1996-02-22 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
US5838054A (en) * | 1996-12-23 | 1998-11-17 | General Electric Company | Contact pads for radiation imagers |
-
1998
- 1998-09-21 JP JP26666398A patent/JP3869952B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-09-16 US US09/396,880 patent/US6753915B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6753915B1 (en) | 2004-06-22 |
JP2000101920A (ja) | 2000-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7897930B2 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
US6707066B2 (en) | Radiation image pick-up device | |
US7541617B2 (en) | Radiation image pickup device | |
US7408167B2 (en) | Imaging apparatus, radiation imaging apparatus, and radiation imaging system | |
EP2168370B1 (en) | Radiation detecting apparatus and radiation imaging system | |
JP3957803B2 (ja) | 光電変換装置 | |
US5929449A (en) | Flat panel detector for radiation imaging with reduced electronic noise | |
US6353228B1 (en) | Photosensor, and radiation detection apparatus and system | |
JP4018725B2 (ja) | 光電変換装置 | |
US7122804B2 (en) | X-ray imaging device | |
JP3869952B2 (ja) | 光電変換装置とそれを用いたx線撮像装置 | |
JP2006186031A (ja) | 光電変換装置及び放射線撮像装置 | |
US7271390B2 (en) | Imaging systems and methods including an alternating pixel arrangement | |
JP3372783B2 (ja) | 光電変換装置及びその駆動方法及びそれを有するシステム | |
JP3707924B2 (ja) | X線撮像装置 | |
JP2003092395A (ja) | 撮像装置 | |
JPH05160378A (ja) | 2次元イメージセンサ | |
JPH05130510A (ja) | イメージセンサ | |
JP2004045420A (ja) | 放射線撮像装置およびその製造方法 | |
JP2002158343A (ja) | 放射線検出装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040330 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061005 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061016 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091020 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101020 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101020 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111020 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111020 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121020 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131020 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |