JPS5864070A - フツ素を含むアモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
フツ素を含むアモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS5864070A JPS5864070A JP56163684A JP16368481A JPS5864070A JP S5864070 A JPS5864070 A JP S5864070A JP 56163684 A JP56163684 A JP 56163684A JP 16368481 A JP16368481 A JP 16368481A JP S5864070 A JPS5864070 A JP S5864070A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフッ素を含むアモルファスシリコン太陽電池に
関する。トリである。
関する。トリである。
シラン(Sta4)のプラズマ分解法で得られるアモル
ファスシリコンは、W、IC,8p・ar等によって、
PH,+B、it・でドープする事により、その伝導度
を大きく変える事ができることが発見され(1976年
)、D、 1.0arlson 等によってアモルファ
スシリコンを用いた太陽電池が試作(1976年)され
て以来注目を集め、アモルファスシリコン薄膜太陽電池
の効率を改善する研究示活発に行なわれている〇シラン
のプラズマ分解で得られるアモルファスシリコンは耐熱
性に間聴があシ、又5traeblθr−Tlrona
ki効来が太陽電池の特性低下の原因になり得るという
脱がsb、B、 R,0vahinakyは811F、
のグロー放電分解で得られるフッ素を含んだアモルファ
スシリコン(a−81:F:H)は耐熱性があシ、8t
raebler−Wronski効来が小さいと報告す
ると異に、その後M工8型のa−81:F:Hの太陽電
池を製作して6.6−の効率が得られた旨を報告してい
る。
ファスシリコンは、W、IC,8p・ar等によって、
PH,+B、it・でドープする事により、その伝導度
を大きく変える事ができることが発見され(1976年
)、D、 1.0arlson 等によってアモルファ
スシリコンを用いた太陽電池が試作(1976年)され
て以来注目を集め、アモルファスシリコン薄膜太陽電池
の効率を改善する研究示活発に行なわれている〇シラン
のプラズマ分解で得られるアモルファスシリコンは耐熱
性に間聴があシ、又5traeblθr−Tlrona
ki効来が太陽電池の特性低下の原因になり得るという
脱がsb、B、 R,0vahinakyは811F、
のグロー放電分解で得られるフッ素を含んだアモルファ
スシリコン(a−81:F:H)は耐熱性があシ、8t
raebler−Wronski効来が小さいと報告す
ると異に、その後M工8型のa−81:F:Hの太陽電
池を製作して6.6−の効率が得られた旨を報告してい
る。
しかしながら、このMIB型太陽電池の構造はMo/n
fJi a−81:F:H/ iJi a−81:IF
:H/ Nb1Os/Pd−ムUであつ5. Wb、O
sの厚みが30ムと小さいものであったため、再現性に
乏しく、又製作工程が複雑で工業的生産に適していなか
った。
fJi a−81:F:H/ iJi a−81:IF
:H/ Nb1Os/Pd−ムUであつ5. Wb、O
sの厚みが30ムと小さいものであったため、再現性に
乏しく、又製作工程が複雑で工業的生産に適していなか
った。
これに対し、一般的にp−1−n型の構造社、製作工程
が単純で工業生産に適しているものの、81F4のグロ
ー放電分解で得られるa−131:IF:Hを用いたp
−1−n型太陽電池の効率は、EliH,のグロー放電
分解で得られるa−8i 二H等を用いたp−1−n太
陽電池に比べて効率の低い点が問題であった。
が単純で工業生産に適しているものの、81F4のグロ
ー放電分解で得られるa−131:IF:Hを用いたp
−1−n型太陽電池の効率は、EliH,のグロー放電
分解で得られるa−8i 二H等を用いたp−1−n太
陽電池に比べて効率の低い点が問題であった。
本発明者らは81)4のグロー放電分解で得られるp−
1−n型太陽電池の効率を改善する為に鋭意研究した結
果、a−81:F:Hを用い7jpin型太陽電池にお
けるp−1界面に水素化したアモルファスシリコンの真
性層を設ける事によす効率の大巾な改善が可能であるこ
とを見出し、本発明を完成させたものである。以下にそ
の詳細を説明する。
1−n型太陽電池の効率を改善する為に鋭意研究した結
果、a−81:F:Hを用い7jpin型太陽電池にお
けるp−1界面に水素化したアモルファスシリコンの真
性層を設ける事によす効率の大巾な改善が可能であるこ
とを見出し、本発明を完成させたものである。以下にそ
の詳細を説明する。
本発明に用いるフッ素を含むアモルファスシリコン(以
下a−8i:F:Hと記述する)Fi7ツ化シジシラン
tF、)若しくはその誘導体、及び/又はこれとシラン
(81H4)若しくはその誘導体との混合物を、必4k
Kよシ、水素又社水素で希釈したアルゴン、ヘリウム等
の不活性ガスと混合し、容量結合法又は訪導結合法によ
る高周波グロー分解又は直流グロー放電分解することK
よシ得られる。
下a−8i:F:Hと記述する)Fi7ツ化シジシラン
tF、)若しくはその誘導体、及び/又はこれとシラン
(81H4)若しくはその誘導体との混合物を、必4k
Kよシ、水素又社水素で希釈したアルゴン、ヘリウム等
の不活性ガスと混合し、容量結合法又は訪導結合法によ
る高周波グロー分解又は直流グロー放電分解することK
よシ得られる。
本発明は、このa−8i:F:Hを1層(真性層)に用
いる種類のp−1−n型太陽電池に関するものである〇
第1図はこの種の従来品の構造を示し、■はステンレス
又はモリブデン等の基板、■はn型のa−81:H又は
a−81,’F:H,■は真性a−8i:IF:H,■
はp型のa−81:H又tja−81:F:H1■は工
TO又は5n01等の透明電極である。この構造の太陽
電池では開放電圧Voaが0.3vo1tsと小さく、
また短絡電流Jscも゛3mム/傷1と小さいために1
効率ダは0.4516程度でしか遅かった。その理由は
、次の如く考えられる0すなわち、8iF、のグロー放
電分解には水累源としてH!又は81H4が必要である
が、この為不可避的にグロー放電分解によってHIFが
発生する0このIIPは、Slの強いエツチング剤であ
る為に、基板上に堆積し九a−81:F:)Iをエツチ
ングしてしまう0従って、基板上に堆積したa−81:
F:1層の表面は欠陥が多く接合界面でのキャリヤーの
再結合が多くなっているために1効率が悪くなると推定
される0 第2図は本発明の長実施例の構造を示すものである。こ
\に、■ldn型のアモルファス半導体、■紘真性のa
−81:H1■紘真性のa−81:II:F、■はp型
のアモルフ、アス半導体、■は基板、■は透明電極であ
る。真性a−81:H層■は、シラン(B i、H,)
又はボリシラン(81nHgn+t )を、必要により
水素又は不活性ガスで希釈して、グロー放電分解して得
られるものであり、その厚みは約30ム以上必要である
。もつとも、この真性a−81:Hの厚みがあまヤ大き
くなるとセルの耐熱性に問題を生じる可能性があるので
、1000ム以下にするのが好ましい。
いる種類のp−1−n型太陽電池に関するものである〇
第1図はこの種の従来品の構造を示し、■はステンレス
又はモリブデン等の基板、■はn型のa−81:H又は
a−81,’F:H,■は真性a−8i:IF:H,■
はp型のa−81:H又tja−81:F:H1■は工
TO又は5n01等の透明電極である。この構造の太陽
電池では開放電圧Voaが0.3vo1tsと小さく、
また短絡電流Jscも゛3mム/傷1と小さいために1
効率ダは0.4516程度でしか遅かった。その理由は
、次の如く考えられる0すなわち、8iF、のグロー放
電分解には水累源としてH!又は81H4が必要である
が、この為不可避的にグロー放電分解によってHIFが
発生する0このIIPは、Slの強いエツチング剤であ
る為に、基板上に堆積し九a−81:F:)Iをエツチ
ングしてしまう0従って、基板上に堆積したa−81:
F:1層の表面は欠陥が多く接合界面でのキャリヤーの
再結合が多くなっているために1効率が悪くなると推定
される0 第2図は本発明の長実施例の構造を示すものである。こ
\に、■ldn型のアモルファス半導体、■紘真性のa
−81:H1■紘真性のa−81:II:F、■はp型
のアモルフ、アス半導体、■は基板、■は透明電極であ
る。真性a−81:H層■は、シラン(B i、H,)
又はボリシラン(81nHgn+t )を、必要により
水素又は不活性ガスで希釈して、グロー放電分解して得
られるものであり、その厚みは約30ム以上必要である
。もつとも、この真性a−81:Hの厚みがあまヤ大き
くなるとセルの耐熱性に問題を生じる可能性があるので
、1000ム以下にするのが好ましい。
又このa−81:H層■を得る方法としては、一旦、真
性a−81:F:1層を堆積した後に、該層を水素プラ
ズマで7ニールしてもよい。また真性a−fii:H:
P層■とn型アモルファス半導体層■との間にも、この
真性a−81:Hをつけてもよい。
性a−81:F:1層を堆積した後に、該層を水素プラ
ズマで7ニールしてもよい。また真性a−fii:H:
P層■とn型アモルファス半導体層■との間にも、この
真性a−81:Hをつけてもよい。
n型層及びp型層に用いるアモルファス半導体としては
シラン又はその誘導体から得られるa−at :il。
シラン又はその誘導体から得られるa−at :il。
フッ化シラン又はその誘導体から得られるa−81:?
:H。
:H。
シラン又は7ツ化シランとハイドロカーボンから得られ
る水素化又はフッ素化されたアモルファスシリコンカー
バイド(以下それぞれa−810:H。
る水素化又はフッ素化されたアモルファスシリコンカー
バイド(以下それぞれa−810:H。
a−81C:F:Hと記す)シラン又は7ツ化クランと
アンモニア、又はヒドラジン又はチッ素のグロー放電分
解で得られる水素化あるいはフッ素化されたアモルファ
スシリコンナイトライド(以下それぞれa−81N:H
,a−Elili:IF:Hと記す)又社シラン、ハイ
ドロカーボン、アンモニア等から得られる水素化又はフ
ッ素化されたアモルファスシリコンカーボンナイトライ
ド(以下a−81ON:11. a−EIiCN:F:
Hと記す)が用いられる。特に光の入射する側のp型層
4CFin−810:II、 a−810:IP:H%
a−81N:E。
アンモニア、又はヒドラジン又はチッ素のグロー放電分
解で得られる水素化あるいはフッ素化されたアモルファ
スシリコンナイトライド(以下それぞれa−81N:H
,a−Elili:IF:Hと記す)又社シラン、ハイ
ドロカーボン、アンモニア等から得られる水素化又はフ
ッ素化されたアモルファスシリコンカーボンナイトライ
ド(以下a−81ON:11. a−EIiCN:F:
Hと記す)が用いられる。特に光の入射する側のp型層
4CFin−810:II、 a−810:IP:H%
a−81N:E。
a−81N:F:H,a−81ON:H,a−81(3
N:F:Hが好ましいOn型層もこれらのアモルファス
半導体が耐薬品性にすぐれH?(C強いので好ましいO
n型アモルフ1ス半導体層■の厚みaloo〜500ム
が通常用いられ、真性a−131:F:H層■の厚みは
2000A〜10000ムである。p型アモルファス半
導体層■よい。
N:F:Hが好ましいOn型層もこれらのアモルファス
半導体が耐薬品性にすぐれH?(C強いので好ましいO
n型アモルフ1ス半導体層■の厚みaloo〜500ム
が通常用いられ、真性a−131:F:H層■の厚みは
2000A〜10000ムである。p型アモルファス半
導体層■よい。
又第2図にお轄るn型層■とp型層■を置き換えて屯太
陽電池として十分に機能する。但し、この場合にL1真
性a−81:?:H層■と、これK11il接するpf
J層との間に真性a−81:H層を約30i〜1000
ムつける必要がある。
陽電池として十分に機能する。但し、この場合にL1真
性a−81:?:H層■と、これK11il接するpf
J層との間に真性a−81:H層を約30i〜1000
ムつける必要がある。
第3図は本発明の別動様の実施例を示し、■はガラス等
の透明基板0は工T O、@ l=t f?no1で[
株]■は透明電極として機能するものである。■はp型
のアモルファス半導体、■は真性a−8i:H,■は真
性a−Eli:P:H,■はn型のアモルファス半導体
、@はアルミ、モリブデン等の電極である。
の透明基板0は工T O、@ l=t f?no1で[
株]■は透明電極として機能するものである。■はp型
のアモルファス半導体、■は真性a−8i:H,■は真
性a−Eli:P:H,■はn型のアモルファス半導体
、@はアルミ、モリブデン等の電極である。
このようにガラス等の透明基板上に堆積する場合には、
透明t&が工To[株]だけではa−81ニア:Hを堆
積する際にエツチングされるので、SnJをp型のアモ
ルファス半導体層■としては、a−Elie:H。
透明t&が工To[株]だけではa−81ニア:Hを堆
積する際にエツチングされるので、SnJをp型のアモ
ルファス半導体層■としては、a−Elie:H。
a−81N:HX a−810:F:HS a−8
iN:IF:H,a−81σa二m。
iN:IF:H,a−81σa二m。
a−81ON:IF:Hが特に好ましい。何故ならばp
型のアモルファス半導体層としてa−81:H4)a−
Eli :F:Hを用いる場合には、その後JCa−B
1:F:II層■を堆積するときに発生するTIFでエ
ツチングされやすいからである。0社真性のa−81:
Hで厚みは30A〜1000ム、■は真性a−,Si:
F:H,■はn型のアモルファス半導体層であってa−
’81:TIXa−81:F:H。
型のアモルファス半導体層としてa−81:H4)a−
Eli :F:Hを用いる場合には、その後JCa−B
1:F:II層■を堆積するときに発生するTIFでエ
ツチングされやすいからである。0社真性のa−81:
Hで厚みは30A〜1000ム、■は真性a−,Si:
F:H,■はn型のアモルファス半導体層であってa−
’81:TIXa−81:F:H。
a−81C:H,%a−810:F:H,a−8iN:
H,a−8in:IF:H。
H,a−8in:IF:H。
a−81CN:)I、 a−1ON:IF二H等が用い
られる。
られる。
これらのアモルファス半導体を堆積させるためのプラズ
マ分解は通常、200℃から400℃の基板温度で行な
われる。またn型又Up型の制御は、p型にはアルミ、
ボーン等の周期率表筒■族の元素を、n型にはリン、ヒ
素等の周期率表、第マ族の元素を、それらの水素化物あ
るいはフッ素化物として、反応ガス中忙混合してグロー
放電分解するか、それらの元素をイオンインブランチ−
シロンする仁とにより行う。
マ分解は通常、200℃から400℃の基板温度で行な
われる。またn型又Up型の制御は、p型にはアルミ、
ボーン等の周期率表筒■族の元素を、n型にはリン、ヒ
素等の周期率表、第マ族の元素を、それらの水素化物あ
るいはフッ素化物として、反応ガス中忙混合してグロー
放電分解するか、それらの元素をイオンインブランチ−
シロンする仁とにより行う。
叙上説明の如く、本発明ではp−1−n型アモルファス
シリコン系太陽電池において、1層を複層構造とし、第
1の1層として真性a−81:1P:Iliを用いると
共に1第2の1層としてp−1の界面に真性a−81:
H層を約30ム〜1000ムつけることを特徴とし、従
来のa−81:IF:Hの単層を1層とする太陽電池に
比べて大巾なる効率の改善が達成できたものである。
シリコン系太陽電池において、1層を複層構造とし、第
1の1層として真性a−81:1P:Iliを用いると
共に1第2の1層としてp−1の界面に真性a−81:
H層を約30ム〜1000ムつけることを特徴とし、従
来のa−81:IF:Hの単層を1層とする太陽電池に
比べて大巾なる効率の改善が達成できたものである。
次に、この画期的な効率改善効果について、実施例を用
いて説明する〇 実施例 内径11c@の石英反応管を用い13.56MHzの高
周波でグロー放電分解する。所要の各アモルファス半導
体は下記のガス組成でグロー放電分解して基板上に堆積
させた0又基板温度は270℃で固定した0 a−8i :E (10% 8iHa / Hz)
a−131二F、’H(SiH4/ HS =6 )a
−8iO:H(口、/81H,=2)a−81N :H
(MH,/ SiH4:0.3 )a−8iON:H(
m@ 二(コクヨ[、: 81.=0. 2 : 5
: 1)実施例として第2図の構造のものを、対照例と
して第1図の構造のものを用いた。基板■はいずれ4、
BS (ステンレススチール)である。透明電極■はい
ずれも工TOを電子ビーム蒸着した。p型層■及び■の
厚みはいずれ4100ム、真性a−81:F:H0゛ゝ 層■の厚みはいずれも4000A、n型層■及び■の厚
みはいずれも500ムである。本発明に特−有の真性a
−9i:H層(第2の1層)の厚みは500ムとした0
尚、p型アモルファス半導体は、Ba1l@をドーピン
グして得たもので、堆積した膜中のボロン撫度が匹ずれ
の場合も約0.1atom %となるようにし良。また
n型アモルファ、ス半導体はPH,をドーピングして得
たもので、堆積した膜中のリン濃度はいずれの場合も約
0.5atom %である。得られた各種の太陽電池に
ついて、AM−1ソーラーシェミレータ−(100mW
/cmりで、T−v%性を求め、これを第1表に示す如
く短絡電1et;Jaa (mム/♂)、開放電圧To
e (volts) 、曲線因子FF (−)、変換効
率ダ■で記述した。
いて説明する〇 実施例 内径11c@の石英反応管を用い13.56MHzの高
周波でグロー放電分解する。所要の各アモルファス半導
体は下記のガス組成でグロー放電分解して基板上に堆積
させた0又基板温度は270℃で固定した0 a−8i :E (10% 8iHa / Hz)
a−131二F、’H(SiH4/ HS =6 )a
−8iO:H(口、/81H,=2)a−81N :H
(MH,/ SiH4:0.3 )a−8iON:H(
m@ 二(コクヨ[、: 81.=0. 2 : 5
: 1)実施例として第2図の構造のものを、対照例と
して第1図の構造のものを用いた。基板■はいずれ4、
BS (ステンレススチール)である。透明電極■はい
ずれも工TOを電子ビーム蒸着した。p型層■及び■の
厚みはいずれ4100ム、真性a−81:F:H0゛ゝ 層■の厚みはいずれも4000A、n型層■及び■の厚
みはいずれも500ムである。本発明に特−有の真性a
−9i:H層(第2の1層)の厚みは500ムとした0
尚、p型アモルファス半導体は、Ba1l@をドーピン
グして得たもので、堆積した膜中のボロン撫度が匹ずれ
の場合も約0.1atom %となるようにし良。また
n型アモルファ、ス半導体はPH,をドーピングして得
たもので、堆積した膜中のリン濃度はいずれの場合も約
0.5atom %である。得られた各種の太陽電池に
ついて、AM−1ソーラーシェミレータ−(100mW
/cmりで、T−v%性を求め、これを第1表に示す如
く短絡電1et;Jaa (mム/♂)、開放電圧To
e (volts) 、曲線因子FF (−)、変換効
率ダ■で記述した。
(12頁に続く)
この第1表によって明らかな如く、対照例はいずれもJ
eeが格段に小さく、またVocも0.2 vo1ts
以下と小さいので、p−1−n接合の拡散電位が充分形
成されていないことが判かる0又対照例は、IPXPも
小さい為にηaO,2%以下と極めて小さい。これに対
し、本発明の実施例では、vocが0.67 vo1t
θ以上あlJe+c、7Fとも大きな値を示し、p型ア
モルファス半導体層と真性a−8i:F:Hの層(第1
の1層)との間に真性a−8i:Hの層(第2の1層)
をわずか500ムつけるだけでダが大巾に増加すること
が判かる0特Kp層に光学的禁止帯巾の大きいa−81
0:H,a−81N : II、 a−8101:il
等を用いる事によシとの効果社さらに顕著になるもので
ある。
eeが格段に小さく、またVocも0.2 vo1ts
以下と小さいので、p−1−n接合の拡散電位が充分形
成されていないことが判かる0又対照例は、IPXPも
小さい為にηaO,2%以下と極めて小さい。これに対
し、本発明の実施例では、vocが0.67 vo1t
θ以上あlJe+c、7Fとも大きな値を示し、p型ア
モルファス半導体層と真性a−8i:F:Hの層(第1
の1層)との間に真性a−8i:Hの層(第2の1層)
をわずか500ムつけるだけでダが大巾に増加すること
が判かる0特Kp層に光学的禁止帯巾の大きいa−81
0:H,a−81N : II、 a−8101:il
等を用いる事によシとの効果社さらに顕著になるもので
ある。
エテO/p型a−810:H/i型a−81:H/i型
a−81’yF、”H/n型a81 :F :H/ 8
Bのタイプの太陽電池において、i fil a−8
1:Hの層(第2の1層)の厚みを変え九時の太陽電池
特性を第2表に示す。
a−81’yF、”H/n型a81 :F :H/ 8
Bのタイプの太陽電池において、i fil a−8
1:Hの層(第2の1層)の厚みを変え九時の太陽電池
特性を第2表に示す。
(14真に続く)
この第2表かられかるようkわずか5oムの真性a−8
i:H層(第2の1層)をつけるだけでも大「図るη、
向上効果がある。このa−81:H層の厚みが1000
ムを越えた場合でも、大きなダを示すことに変わりはな
いが、 a−81:H層(第2の1層)があtb厚くな
ると、a−81:F:H層(第1の1層)本来の耐熱性
が生かされない傾向があるので、a−81:H層は10
00ム以下1の厚みにすることが望ましい。
i:H層(第2の1層)をつけるだけでも大「図るη、
向上効果がある。このa−81:H層の厚みが1000
ムを越えた場合でも、大きなダを示すことに変わりはな
いが、 a−81:H層(第2の1層)があtb厚くな
ると、a−81:F:H層(第1の1層)本来の耐熱性
が生かされない傾向があるので、a−81:H層は10
00ム以下1の厚みにすることが望ましい。
第1図は従来のp−1−n型太陽電池の構造を示す略本
断面図、第2図及び第3因は本発明の実施例の構造を示
す略本断面図である0 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 代理人弁理士内田敏彦
断面図、第2図及び第3因は本発明の実施例の構造を示
す略本断面図である0 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 代理人弁理士内田敏彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 i p−1−n型のアモルファスシリコン系太陽電池
の1層に7フ化シラン(81F、)若しくはその誘゛導
体と水素、又はフッ化シラン若しくはその誘導体とシラ
ン若しくはその誘導体のグl二′放電分解で得られる真
性a−81・:IP:Hを用いる太陽゛電池において、
p層と前記1層と0閘に、シラン若しくはその誘導体か
らグロー、放電分解して得られる真性a−81:Hの層
又1ia−81:IF:Hを水素プラズマアニールして
得られるa−81:Ifの層から成る第2の1層を設け
る事を特徴とするアモルファスシリコン太陽を池。 2 前記真性a−81:Hの層の厚みが約30ムから1
000ムであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載のアモルファスシリコン太陽電池0 3 前記p層又はn層のアモルファス半導体のうち少な
くとも光が入射する側の層がa−810−:H。 a−8i(!:F:H,a−81N:H,h=B”LM
:F:B、 a−81ON:Hla−81ON:F:)
lから選ばれるアモルファス半導体から成ることを特徴
とする特許請求の範囲第1または第2項に記載のアモル
ファスシリコン太陽電池。 4 前記p−1−n型太陽電池を構成子るアモルファス
半導体が、ガラス等の透明基板に1 工TOと50ム上
に堆積されている仁とを特徴とする特許請求の範囲第1
1第2又は第3項に記載のアモルファスシリコン太ot
池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56163684A JPS5864070A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | フツ素を含むアモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56163684A JPS5864070A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | フツ素を含むアモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5864070A true JPS5864070A (ja) | 1983-04-16 |
JPH0121634B2 JPH0121634B2 (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=15778628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56163684A Granted JPS5864070A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | フツ素を含むアモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5864070A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01278782A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光起電力素子の製造方法 |
JPH01280365A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子 |
JPH01280366A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光起電力素子 |
US5032884A (en) * | 1985-11-05 | 1991-07-16 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor pin device with interlayer or dopant gradient |
JPH03177077A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-01 | Canon Inc | アモルファスシリコン系pin型光電変換素子 |
EP0898303A2 (de) * | 1997-08-22 | 1999-02-24 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Elektrisch isolierendes Dünnschichtsystem mit definierter elektrischer Restleitfähigkeit |
-
1981
- 1981-10-13 JP JP56163684A patent/JPS5864070A/ja active Granted
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5032884A (en) * | 1985-11-05 | 1991-07-16 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor pin device with interlayer or dopant gradient |
JPH01278782A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光起電力素子の製造方法 |
JPH01280365A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子 |
JPH01280366A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光起電力素子 |
JPH03177077A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-01 | Canon Inc | アモルファスシリコン系pin型光電変換素子 |
EP0898303A2 (de) * | 1997-08-22 | 1999-02-24 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Elektrisch isolierendes Dünnschichtsystem mit definierter elektrischer Restleitfähigkeit |
EP0898303A3 (en) * | 1997-08-22 | 1999-04-07 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Electric isolating thin film system with defined residual conduction |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0121634B2 (ja) | 1989-04-21 |
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