DE2938567C2 - Gehäuse für hochintegrierte Schaltkreise - Google Patents

Gehäuse für hochintegrierte Schaltkreise

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DE2938567C2
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Peter Dipl.-Ing. 8000 München Fuchs
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Siemens AG
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Description

Die Erfindung betrifft ein Gehäuse, insbesondere Dual-in-line-Gehäuse, für hochintegrierte Schaltkreise mit einem in einem Anschlußstifte tragenden Gehäuseunterteil angeordneten Halbleiterplättchen und einem Gehäuseoberteil zu dessen Abdeckung.
Komplexe Bausteine und Systeme, welche aus vielen LSI- (Large Scale Integration) und VLSI (Very Large Scale Integration) Schaltungen aufgebaut sind, lassen sich durch ihre Komplexität schwer testen. Mit der Entwicklung immer umfangreicherer Schaltungen auf einer Flachbaugruppe wächst das Testproblem überproportional. Es kann bis jetzt nur durch teure und komplizierte Testeinrichtungen, welchen nur die Benutzerschnittstellen der Bauteile zugänglich sind, gelöst werden.
Aus der US-Patentschrift 32 92 241 ist ein Dual-inline-Gehäuse nach dem Oberbegriff des Hauptanspruchs bekannt.
In der OS 23 60 801 ist außerdem eine Prüfeinrichtung zum Prüfen, von Halbleiterchips beschrieben, wobei mit der Prüfeinrichtung in elektrischer Verbindung stehende, in einem Träger eingelassene Prüfspitzen mit dem jeweiligen Prüfling in Kontakt versetzbar sind. Aus der DE-OS 23 59 152 ist außerdem eine integrierte Schaltung mit unkonventioneller Anordnung von Anschlüssen zu entnehmen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Funktionsprüfung von komplexen integrierten Schallbausteinen zu vereinfachen.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird dabei das Gehäuse für hochintegrierte Schaltkreise derart ausgebildet, daß auf der Leiterbahnen zu den Anschlußstiften führenden Oberseite des Unterteils zusätzliche Kontnktpunkte vorgesehen sind, die über weitere Leiterbahnen unmittelbar mit ausgesuchten Anschlüssen des Halbleiterplättchens verbunden sind und daß im Gehäuseoberteil Durchbrüche über den Kontaktpunkten vorgesehen sind, durch die Prüfspitzen zu Meßzwecken einführbar sind.
Durch die Schaffung von zusätzlichen Meßpunkten welche in Betrieb nicht zugänglich sind und welche keine Einschränkungen hinsichtlich der Schaltungsauflösung mit sich bringen, ist eine wesentliche Vereinfachung der Anzahl der Meßausgänge und von gleichzeitig zu überwachenden Signalen erreichbar.
Anhand der Figur wird die Erfindung näher erläutert.
(Die Figur zeigt einen Baustein mit z. B. einem |Halbleiterplättchen hoher Integration. Auf dem Unterseil 3, das die Anschlußstifte 2 trägt, ist eine Mulde vorgesehen, in der das Halbleiterplättchen 7 liegt. Das Plättchen ist mit den rund um die Mulde liegenden Anschlüssen durch dünne Drähte mit den Halbleiterplättchenanschlüssen verbunden. Die Anschlußstifte 2 wiederum sind dann mit Leiterbahnen mit den sich um die Mulde herum befindlichen Anschlüssen verbunden. Zusätzlich zu diesen Leiterbahnen 1 sind weitere Leiterbahnen 5 vorgesehen, die in sogenannten Kontaktpunkten 4 enden. Diese Kontaktpunkte stellen Meßpunkte für bestimmte ausgesuchte Schaltungspunkte des hochintegrierten Halbleiterplättchens 7 dar.
Die Meßpunkte werden bei der Gehäuseherstellung gleichzeitig mit der »Verdrahtung« für die Anschlußstifte gestanzt. Nach dem Bonden und Verschließen bleiben nur mehr die Endpunkte 4 dieser Leiterbahnen 5 durch Durchbrüche 9 im Gehäuseoberteil 8 zugänglich und ermöglichen damit ein Abtasten von Meßpunkten, welche bei Layout bzw. Schaltungsentwurf vorgesehen worden sind. Es können je nach Gehäusegröße eine unterschiedliche Anzahl von Meßpunkten vorgesehen werden, wobei im Sinne einer Standardisierung möglichst viele Meßpunkte vorgesehen werden sollten.
Es müssen im Einzelfall nicht immer alle benutzt werden. Bei einer Normung ist es möglich, Mehrfachiprüfspitzen zu verwenden, welche es auf einfache Art und Weise ermöglichen, alle in Frage kommenden Signale ohne umständliche Anschlußarbeiten an einem Prüfautomaten o. ä. weiterzuleiten.
Hierzu 1 Blatt/Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Gehäuse, insbesondere Dual-in-line-Gehäuse, für hochintegrierte Schallkreise mit einem in einem Anschlußstifte tragenden Gehäuseunterteil angeordneten Halbleiterplättchen und einem Gehäuseoberteil zu dessen Abdeckung, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Leiterbahnen (J) zu den Anschlußstiften (2) führenden Oberseite des Unterteils (3) zusätzliche Kontaktpunkte (4) vorgesehen sind, die über weitere Leiterbahnen unmittelbar mit ausgesuchten Anschlüssen (6) des Halbleiterplättchens (7) verbunden sind und daß im Gehäuseoberteil (8) Durchbrüche (9) über den Kontaktpunkten (4) vorgesehen sind, durch die Prüfspitzen zu Meßzwecken einführbar sind.
2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktpunkte (4) so angeordnet sind, daß Mehrfachprüfspitzen verwendbar sind.
DE19792938567 1979-09-24 1979-09-24 Gehäuse für hochintegrierte Schaltkreise Expired DE2938567C2 (de)

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DE2938567A1 DE2938567A1 (de) 1981-04-02
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DE2938567A1 (de) 1981-04-02

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