DE2938567C2 - Gehäuse für hochintegrierte Schaltkreise - Google Patents
Gehäuse für hochintegrierte SchaltkreiseInfo
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- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
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- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Description
Die Erfindung betrifft ein Gehäuse, insbesondere Dual-in-line-Gehäuse, für hochintegrierte Schaltkreise
mit einem in einem Anschlußstifte tragenden Gehäuseunterteil angeordneten Halbleiterplättchen und einem
Gehäuseoberteil zu dessen Abdeckung.
Komplexe Bausteine und Systeme, welche aus vielen LSI- (Large Scale Integration) und VLSI (Very Large
Scale Integration) Schaltungen aufgebaut sind, lassen sich durch ihre Komplexität schwer testen. Mit der
Entwicklung immer umfangreicherer Schaltungen auf einer Flachbaugruppe wächst das Testproblem überproportional.
Es kann bis jetzt nur durch teure und komplizierte Testeinrichtungen, welchen nur die Benutzerschnittstellen
der Bauteile zugänglich sind, gelöst werden.
Aus der US-Patentschrift 32 92 241 ist ein Dual-inline-Gehäuse nach dem Oberbegriff des Hauptanspruchs
bekannt.
In der OS 23 60 801 ist außerdem eine Prüfeinrichtung zum Prüfen, von Halbleiterchips beschrieben, wobei mit
der Prüfeinrichtung in elektrischer Verbindung stehende, in einem Träger eingelassene Prüfspitzen mit dem
jeweiligen Prüfling in Kontakt versetzbar sind. Aus der DE-OS 23 59 152 ist außerdem eine integrierte Schaltung
mit unkonventioneller Anordnung von Anschlüssen zu entnehmen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Funktionsprüfung von komplexen integrierten Schallbausteinen
zu vereinfachen.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird dabei das Gehäuse für hochintegrierte Schaltkreise derart ausgebildet, daß
auf der Leiterbahnen zu den Anschlußstiften führenden Oberseite des Unterteils zusätzliche Kontnktpunkte
vorgesehen sind, die über weitere Leiterbahnen unmittelbar mit ausgesuchten Anschlüssen des Halbleiterplättchens
verbunden sind und daß im Gehäuseoberteil Durchbrüche über den Kontaktpunkten vorgesehen
sind, durch die Prüfspitzen zu Meßzwecken einführbar sind.
Durch die Schaffung von zusätzlichen Meßpunkten welche in Betrieb nicht zugänglich sind und welche
keine Einschränkungen hinsichtlich der Schaltungsauflösung mit sich bringen, ist eine wesentliche Vereinfachung
der Anzahl der Meßausgänge und von gleichzeitig zu überwachenden Signalen erreichbar.
Anhand der Figur wird die Erfindung näher erläutert.
Anhand der Figur wird die Erfindung näher erläutert.
(Die Figur zeigt einen Baustein mit z. B. einem |Halbleiterplättchen hoher Integration. Auf dem Unterseil
3, das die Anschlußstifte 2 trägt, ist eine Mulde vorgesehen, in der das Halbleiterplättchen 7 liegt. Das
Plättchen ist mit den rund um die Mulde liegenden Anschlüssen durch dünne Drähte mit den Halbleiterplättchenanschlüssen
verbunden. Die Anschlußstifte 2 wiederum sind dann mit Leiterbahnen mit den sich um
die Mulde herum befindlichen Anschlüssen verbunden. Zusätzlich zu diesen Leiterbahnen 1 sind weitere
Leiterbahnen 5 vorgesehen, die in sogenannten Kontaktpunkten 4 enden. Diese Kontaktpunkte stellen
Meßpunkte für bestimmte ausgesuchte Schaltungspunkte des hochintegrierten Halbleiterplättchens 7 dar.
Die Meßpunkte werden bei der Gehäuseherstellung gleichzeitig mit der »Verdrahtung« für die Anschlußstifte gestanzt. Nach dem Bonden und Verschließen bleiben nur mehr die Endpunkte 4 dieser Leiterbahnen 5 durch Durchbrüche 9 im Gehäuseoberteil 8 zugänglich und ermöglichen damit ein Abtasten von Meßpunkten, welche bei Layout bzw. Schaltungsentwurf vorgesehen worden sind. Es können je nach Gehäusegröße eine unterschiedliche Anzahl von Meßpunkten vorgesehen werden, wobei im Sinne einer Standardisierung möglichst viele Meßpunkte vorgesehen werden sollten.
Die Meßpunkte werden bei der Gehäuseherstellung gleichzeitig mit der »Verdrahtung« für die Anschlußstifte gestanzt. Nach dem Bonden und Verschließen bleiben nur mehr die Endpunkte 4 dieser Leiterbahnen 5 durch Durchbrüche 9 im Gehäuseoberteil 8 zugänglich und ermöglichen damit ein Abtasten von Meßpunkten, welche bei Layout bzw. Schaltungsentwurf vorgesehen worden sind. Es können je nach Gehäusegröße eine unterschiedliche Anzahl von Meßpunkten vorgesehen werden, wobei im Sinne einer Standardisierung möglichst viele Meßpunkte vorgesehen werden sollten.
Es müssen im Einzelfall nicht immer alle benutzt werden. Bei einer Normung ist es möglich, Mehrfachiprüfspitzen
zu verwenden, welche es auf einfache Art und Weise ermöglichen, alle in Frage kommenden
Signale ohne umständliche Anschlußarbeiten an einem Prüfautomaten o. ä. weiterzuleiten.
Hierzu 1 Blatt/Zeichnungen
Claims (2)
1. Gehäuse, insbesondere Dual-in-line-Gehäuse,
für hochintegrierte Schallkreise mit einem in einem Anschlußstifte tragenden Gehäuseunterteil angeordneten
Halbleiterplättchen und einem Gehäuseoberteil zu dessen Abdeckung, dadurch gekennzeichnet,
daß auf der Leiterbahnen (J) zu den Anschlußstiften (2) führenden Oberseite des Unterteils (3) zusätzliche Kontaktpunkte (4) vorgesehen
sind, die über weitere Leiterbahnen unmittelbar mit ausgesuchten Anschlüssen (6) des Halbleiterplättchens
(7) verbunden sind und daß im Gehäuseoberteil (8) Durchbrüche (9) über den Kontaktpunkten
(4) vorgesehen sind, durch die Prüfspitzen zu Meßzwecken einführbar sind.
2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktpunkte (4) so angeordnet
sind, daß Mehrfachprüfspitzen verwendbar sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792938567 DE2938567C2 (de) | 1979-09-24 | 1979-09-24 | Gehäuse für hochintegrierte Schaltkreise |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792938567 DE2938567C2 (de) | 1979-09-24 | 1979-09-24 | Gehäuse für hochintegrierte Schaltkreise |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2938567A1 DE2938567A1 (de) | 1981-04-02 |
DE2938567C2 true DE2938567C2 (de) | 1982-04-29 |
Family
ID=6081681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792938567 Expired DE2938567C2 (de) | 1979-09-24 | 1979-09-24 | Gehäuse für hochintegrierte Schaltkreise |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2938567C2 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5923548A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
FR2603739B1 (fr) * | 1986-09-05 | 1988-12-09 | Cimsa Sintra | Boitier de composant electronique muni de broches de connexion comportant un micro-boitier amovible |
FR2614134B1 (fr) * | 1987-04-17 | 1990-01-26 | Cimsa Sintra | Procede de connexion d'un composant electronique pour son test et son montage, et dispositif de mise en oeuvre de ce procede |
EP0346061A3 (de) * | 1988-06-08 | 1991-04-03 | Fujitsu Limited | Integrierte Schaltungsanordnung mit einer verbesserten Packungsstruktur |
EP0351581A1 (de) * | 1988-07-22 | 1990-01-24 | Oerlikon-Contraves AG | Hochintegrierte Schaltung sowie Verfahren zu deren Herstellung |
WO1990015438A1 (en) * | 1989-06-08 | 1990-12-13 | Unistructure, Inc. | Beam lead and semiconductor device structure and method for fabricating integrated structure |
JP3138539B2 (ja) * | 1992-06-30 | 2001-02-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びcob基板 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3292241A (en) * | 1964-05-20 | 1966-12-20 | Motorola Inc | Method for connecting semiconductor devices |
US3795845A (en) * | 1972-12-26 | 1974-03-05 | Ibm | Semiconductor chip having connecting pads arranged in a non-orthogonal array |
US3806800A (en) * | 1972-12-26 | 1974-04-23 | Ibm | Method and apparatus for determining the location of electrically conductive members on a structure |
-
1979
- 1979-09-24 DE DE19792938567 patent/DE2938567C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2938567A1 (de) | 1981-04-02 |
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