DE10259790A1

DE10259790A1 - Prüfplatine zum Prüfen von Halbleitervorrichtungen

Info

Publication number: DE10259790A1
Application number: DE10259790A
Authority: DE
Inventors: Daisuke Ito; Hiroshi Nakagawa; Katsutoshi Ito; Naoyuki Shinonaga; Shinji Senba
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2002-04-18
Filing date: 2002-12-19
Publication date: 2003-11-13
Also published as: US6724213B2; KR20030083559A; US20030197524A1; TWI223091B; CN1452231A; TW200305725A; JP2003315408A

Abstract

Es ist eine Prüfplatine von Halbleitervorrichtungen vorgesehen durch Verbinden einer Mehrzahl von DUTs (zu prüfende Halbleitervorrichtungen) mit einem Prüfkopf und durch Übertragen von Prüfsignalen von dem Prüfkopf an die Mehrzahl an DUTs. Die Prüfplatine umfasst eine Hauptplatine, die mit dem Prüfkopf verbunden ist; eine mehrlagige Verdrahtungsplatine, die mit jedem einzelnen der Mehrzahl an DUTs verbunden ist; und eine Verteilungsplatine, die zwischen der Hauptplatine und der mehrlagigen Verdrahtungsplatine angeordnet ist. Die Hauptplatine und die Verteilungsplatine sowie die mehrlagige Verdrahtungsplatine und die Verteilungsplatine sind jeweils durch Buchsen und Stecker miteinander verbunden.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Prüfplatine zum Prüfen von Halbleitervorrichtungen durch Verbinden einer Halbleiterprüfvorrichtung und einer Halbleitervorrichtung bei der Prüfung.

Der Aufbau einer herkömmlichen mehrlagigen Verdrahtungsprüfplatinenvorrichtung ist in Fig. 9 gezeigt. Bei der mehrlagigen Verdrahtungsprüfplatinenvorrichtung werden Ausgangssignale von dem Anschluß des Prüfkopfs 105 des Prüfgerätes (der Halbleiterprüfvorrichtung) in DUTs (englisch: Devices Under Test = zu prüfende Vorrichtungen) 120 eingespeist durch eine mehrlagige Verdrahtungsplatine (Hauptplatine) 104, eine mehrlagige Übergabeverdrahtungsplatine (I/F-Platine) 103 und Kontaktsockel 102. Die mehrlagige Übergabeverdrahtungsplatine 103 und die Kontaktsockel 102 entsprechen der Gehäuseform der DUTs 120 und den Anschlußorten der DUTs 120, und sie sind mit Kabeln verdrahtet. Die Prüfsignale werden von dem Prüfkopf 105 an das DUT 120 auf einem Leitungsträger übertragen, und die vorbestimmte Prüfung wird ausgeführt.

Jedoch begrenzt die Kapazität des Prüfgerätes die Anzahl der DUTs 120, die zugleich geprüft werden können, und die Art der DUTs ändert die Anzahl. Daher sind die Spezifikationen der mehrlagigen Verdrahtungsprüfplatinenvorrichtung unterschiedlich abhängig von Parametern, wie z. B. der Gehäuseform der DUTs 120, den Anschlußorten der DUTs 120, und der Anordnung der DUTs 120.

Um solchen verschiedenen Prüfungen Rechnung zu tragen, war bei einer herkömmlichen mehrlagigen Verdrahtungsprüfplatinenvorrichtung, wie in Fig. 9 gezeigt, eine Verdrahtung, bei der Koaxialkabel 106 verwendet werden, unvermeidbar bei der Verbindung der mehrlagigen Verdrahtungsplatine 104 mit der mehrlagigen Übergabeverdrahtungsplatine (I/F-Platine) 103 aufgrund des Aufbaus einer solchen Prüfvorrichtung. Die Verdrahtung mit den Koaxialkabeln 106 wurde entsprechend den Spezifikationen der DUTs 120 verändert. Dabei wurden einige Dutzend Koaxialkabel 106 für einen DUT 120 (IC) benötigt. Zum Beispiel, wenn 30 DUTs 120 zugleich zu prüfen waren, wurde die Verdrahtung mit Koaxialkabeln 106 sehr kompliziert. Es entstanden dort die Probleme der Komplikation des Verdrahtungsverfahrens und der Verschlechterung der Verdrahtungszuverlässigkeit und der elektrischen Eigenschaften.

Bei den herkömmlichen Prüfverfahren tauchte auch ein Problem der Verschlechterung der Meßeffizienz und der Kompliziertheit des Prüfverfahrens auf, wenn ein einzelner IC als DUT 120 auf einen Leitungsträger 101 anzuordnen war. Außerdem wurde der Vorgang des Wechsels des ICs auf dem Leitungsträger 101 auf einen anderen Träger benötigt.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die oben beschriebenen Probleme zu lösen, eine verbesserte Zuverlässigkeit der Verbindung zwischen dem DUT und dem Prüfgerät, verbesserte elektrische Eigenschaften, sowie ein vereinfachtes Prüfverfahren und verbesserte Meßeffizienz bereitzustellen.

Die Aufgabe wird gelöst durch eine Prüfplatine zum Prüfen von Halbleitervorrichtungen gemäß Anspruch 1. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Nach der vorliegenden Erfindung ist eine Prüfplatine zum Prüfen von Halbleitervorrichtungen durch Verbinden einer Mehrzahl von zu prüfenden Halbleitervorrichtungen mit einer Halbleiterprüfvorrichtung vorgesehen. Die Prüfplatine sendet Prüfsignale von der Halbleiterprüfvorrichtung an die Mehrzahl von zu prüfenden Halbleitervorrichtungen. Die Prüfplatine beinhaltet eine erste Verdrahtungsplatine, eine zweite Verdrahtungsplatine und eine dritte Verdrahtungsplatine. Die erste Verdrahtungsplatine ist auf der Halbleiterprüfvorrichtung angeordnet und ist mit der Halbleiterprüfvorrichtung verbunden. Die zweite Verdrahtungsplatine ist mit jeder der Mehrzahl von zu prüfenden Halbleitervorrichtungen durch Kontaktabschnitte verbunden. Die dritte Verdrahtungsplatine ist zwischen der ersten Verdrahtungsplatine und der zweiten Verdrahtungsplatine angeordnet. Die erste und die dritte Verdrahtungsplatine, sowie die zweite und die dritte Verdrahtungsplatine sind jeweils durch Steckverbinder miteinander verbunden.

Da die Verbindungen zwischen der ersten und der dritten Verdrahtungsplatine, sowie zwischen der zweiten und der dritten Verdrahtungsplatine durch Steckverbinder ausgeführt sind, kann die Verbindung zwischen den Verdrahtungsplatinen drahtlos ausgeführt werden, und kein Verdrahtungsmaterial, wie z. B. Koaxialkabel, wird benötigt. Daher können fehlerhafte Verbindungen beim Aufbau vermieden werden, und komplizierte Verdrahtungsverfahren werden unnötig. Da die Verschlechterung des Verdrahtungsmaterials verhindert werden kann, die durch deren Änderung aufgrund von Alterung verursacht wird, kann hohe Zuverlässigkeit aufrecht erhalten werden.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der beigefügten Zeichnungen.

Von den Figuren zeigen:

Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung, die den Aufbau einer mehrlagigen Verdrahtungsprüfplatinenvorrichtung (Prüfplatine zum Prüfen von Halbleitern) gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;

Fig. 2 eine Draufsicht, die den Fall darstellt, wo die größte Anzahl, die gleichzeitig mit dem Prüfgerät gemessen werden kann, nicht mit der Anzahl der ICs auf dem Führungsrahmen übereinstimmt;

Fig. 3 eine Draufsicht, die den Zustand darstellt, bei dem die Führungsrahmen miteinander verbunden wurden;

Fig. 4 eine Draufsicht, die die Position des Trennens der ICs auf den Führungsrahmen darstellt, die bestimmt wurde um die größte Anzahl an ICs zu erreichen, die mit dem Prüfgerät gleichzeitig gemessen werden können;

Fig. 5 eine schematische Zeichnung, die die Flächenmuster der 32 ICs darstellt, die durch die in Fig. 4 gezeigten Grenzlinien getrennt sind;

Fig. 6 eine schematische Zeichnung, die eine auf der mehrlagigen Verdrahtungsplatine angebrachte Buchse darstellt;

Fig. 7 eine schematische Zeichnung, die einen auf der Verteilungsplatine angebrachten Stecker darstellt;

Fig. 8 ist eine schematische Zeichnung, die den Zustand darstellt, in dem die Buchse 8 mit dem Stecker 9 verbunden wurde;

Fig. 9 eine schematische Schnittdarstellung, die den Aufbau einer herkömmlichen mehrlagigen Verdrahtungsprüfplatinenvorrichtung darstellt;

Erste Ausführungsform

Fig. 1 ist eine schematische Schnittdarstellung, die den Aufbau einer mehrlagigen Verdrahtungsprüfplatinenvorrichtung (Prüfplatine zum Prüfen von Halbleitern) gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Diese mehrlagige Verdrahtungsprüfplatinenvorrichtung ist auf dem Prüfkopf 5 des Prüfgeräts (Halbleiterprüfvorrichtung) angeordnet, und verbindet die Prüfanschlüsse des Prüfkopfs 5 elektrisch mit den DUTs 20.

Wie in Fig. 1 dargestellt, ist die Prüfvorrichtung auf dem oberen Abschnitt des Prüfkopfs 5 angeordnet und setzt sich zusammen aus einer mehrlagigen Verdrahtungsplatine (Hauptplatine) 4 mit Buchsen, einer mehrlagigen Verdrahtungsplatine (Verteilungsplatine) 3 mit Steckern 9 auf sowohl dessen Vorder-, als auch dessen Rückseite, und einer mehrlagigen Verdrahtungsplatine 2, die zwischen den DUTs 20 und der Verteilungsplatine 3 vermittelt. Die Prüfvorrichtung setzt sich aus diesen mehrlagigen Verdrahtungsplatinen zusammen, die auf den Prüfkopf S gestapelt sind. Die mehrlagige Verdrahtungsplatine 2 setzt sich zusammen aus einer unteren I/F-Platine und einem oberen Rahmenkontaktabschnitt. Auf der Unterseite der I/F-Platine sind Buchsen 8 angebracht.

Bei der ersten Ausführungsform sind die DUTs 20, die der Prüfung unterzogen werden, ICs (Halbleiterchips), die auf dem Führungsrahmen 1 angeordnet sind. Durch das Prüfen der ICs vor dem Trennen der ICs auf dem Führungsrahmen 1 kann das Prüfverfahren nach dem Verkapseln der ICs auf dem Führungsrahmen 1 mit Harz fortgesetzt werden, und das Herstellungsverfahren kann vereinfacht werden.

ICs, die DUTs 20 sind, sind gehalten von einem Führungsrahmen 1 in einer Kammer 6 angeordnet. Ein Rahmentransporteinsatz 7 zum Transportieren des Führungsrahmens 1 ist in der Kammer 6 vorgesehen.

Der Rahmenkontaktabschnitt der mehrlagigen Verdrahtungsplatine 2 ist mit den DUTs 20 auf dem Führungsrahmen 1 in der Kammer 6 elektrisch verbunden, und damit wird die Prüfung bei einer vorbestimmten Temperatur ausgeführt. Die Verteilungsplatine 3 ist speziell entworfen und hergestellt, um die Spezifikationen der DUTs 20 zu erfüllen.

Bei dieser Prüfvorrichtung ist die Hauptplatine 4 mit der Verteilungsplatine 3 verbunden, wobei Buchsen 10 und Stecker 9 verwendet werden. Die Verteilungsplatine 3 ist auch mit der mehrlagigen Verdrahtungsplatine 2 verbunden, wobei Stecker 9 und Buchsen 8 verwendet werden. Bei der ersten Ausführungsform können z. B. ZIF-Verbindungen als Buchsen 8 und 10, sowie Stecker 9 verwendet werden. Diese Steckverbinder verwendend, kann die Verbindung zwischen den mehrlagigen Platinen ausgeführt werden ohne Verdrahtung zu verwenden, und kein Verdrahtungsmaterial, wie z. B. Koaxialkabel, wird bei der elektrischen Verbindung der Signalleitungen von den Prüfanschlüssen des Prüfkopfs 5 an die DUTs 20 benötigt. Verglichen mit der herkömmlichen Verdrahtung, bei der Koaxialkabel verwendet werden, kann daher die fehlerhafte Verdrahtung beim Aufbau minimiert werden. Auch kann die Verschlechterung der Verdrahtung, die durch Änderung der Verdrahtung aufgrund von Alterung verursacht wird, verhindert werden, und hohe Zuverlässigkeit kann aufrechterhalten werden.

Da nach Beispiel 1, wie oben beschrieben, die mehrlagige Verdrahtungsplatine 2 mit der Verteilungsplatine 3 unter Verwendung von Buchsen 8 und Stecker 9 verbunden ist, sowie die mehrlagige Verdrahtungsplatine 4 mit der Verteilungsplatine 3 unter Verwendung von Buchsen 10 und Stecker 9 verbunden ist, kann die Verbindung zwischen den mehrlagigen Verdrahtungsplatinen in einem drahtlosen Aufbau ausgeführt werden, und die elektrische Verbindung zwischen dem Prüfkopf 5 und den DUTs 20 kann ausgeführt werden ohne Verdrahtungsmaterial, wie z. B. Koaxialkabel, zu verwenden. Daher kann fehlerhafte Drahtverbindung beim Aufbau minimiert werden und ein kompliziertes Verdrahtungsverfahren kann vermieden werden. Auch kann eine hohe Zuverlässigkeit aufrechterhalten werden, da die Verschlechterung der Verdrahtung verhindert werden kann, die durch die Veränderung der Verdrahtung aufgrund von Alterung verursacht wird.

Zweite Ausführungsform

Als nächstes wird die zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Die zweite Ausführungsform ermöglicht das Prüfen der von der Kapazität eines Prüfgeräts festgelegten größten Anzahl an DUTs 20, die gleichzeitig gemessen werden kann. Bei der zweiten Ausführungsform wird eine mehrlagige Verdrahtungsprüfplatinenvorrichtung der ersten Ausführungsform verwendet.

Fig. 2 stellt den Fall dar, bei dem die größte Anzahl, die gleichzeitig von dem Prüfgerät gemessen werden kann, nicht mit der Anzahl der ICs auf dem Führungsrahmen 1 übereinstimmt, wenn die ICs auf dem Führungsrahmen 1 ohne Trennung geprüft werden. Hier ist die Anzahl der ICs, die von dem Führungsrahmen getragen werden: 3 (Zeilen) × 10 (Spalten) = 30.

Auf der anderen Seite, obwohl die größte Anzahl an ICs, die bestimmt von der Kapazität eines Prüfgerätes gleichzeitig gemessen werden kann, von den Spezifikationen der ICs abhängt, ist diese normalerweise 4, 8, 16 oder 32. Daher ist, wie in Fig. 2 dargestellt, selbst wenn mit der intrinsischen Kapazität des Prüfgeräts 2 mehr ICs gemessen werden können, die Anzahl an gemessenen ICs, wenn ein Führungsrahmen 1 gemessen wird, gleich 30, und die größte Anzahl an gleichzeitigen Messungen des Prüfgeräts kann nicht geprüft werden.

Insbesondere wird es zwangsläufig von diesen Faktoren bestimmt, da die Anzahl der ICs, die auf einem Führungsrahmen 1 angeordnet sind, beschränkt ist durch die Spezifikationen der ICs, durch die Halbleiterherstellungsgeräte und durch verschiedene Prüfvorrichtungen. Daher ist es schwierig, die größte Anzahl der gleichzeitigen Messung des Prüfgeräts mit der Anzahl der ICs auf dem Führungsrahmen 1 in Übereinstimmung zu bringen und weder zu viele noch zu wenige zu haben.

Bei der zweiten Ausführungsform ist eine Mehrzahl von Führungsrahmen 1 derart miteinander verbunden, daß sie sich in Längsrichtung erstrecken, und die Führungsrahmen 1 werden in der Kammer 6 bei jeder Prüfung transportiert zum Prüfen der größten Anzahl von ICs, die gleichzeitig durch das Prüfgerät gemessen werden kann.

Fig. 3 ist eine Draufsicht, die den Zustand darstellt, wo die Führungsrahmen 1 miteinander verbunden worden sind. Wie Fig. 3 zeigt, ist eine Mehrzahl von Führungsrahmen 1 miteinander verbunden und wird nacheinander mit einem Rahmentransporteinsatz 7 in der Kammer 6 transportiert zum Prüfen der größten Anzahl von ICs, die gleichzeitig mit dem Prüfgerät gemessen werden kann.

Hier wird z. B. der Fall beschrieben, bei dem die größte Anzahl von ICs, die gleichzeitig mit dem Prüfgerät gemessen werden kann, 32 ist. Selbst in dem Fall, wo die Führungsrahmen miteinander verbunden sind, können nur 30 ICs gleichzeitig geprüft werden, wenn 10 Spalten der ICs gleichzeitig geprüft werden. Daher bleiben zwei ICs der zweiunddreißig ICs, der größten Anzahl an ICs, die gleichzeitig mit dem Prüfgerät gemessen werden kann, über, und die Effizienz der gleichzeitigen Messung ist erniedrigt. Daher wird bei der zweiten Ausführungsform die Trennposition der ICs auf den miteinander verbundenen Führungsrahmen 1 für eine einzelne Prüfung geändert, um die größte Anzahl an ICs, die gleichzeitig mit dem Prüfgerät gemessen werden kann, zu erreichen.

Fig. 4 ist eine Draufsicht, die eine Position des Trennens von ICs auf den Führungsrahmen 1 darstellt, die derart bestimmt ist, daß die größte Anzahl an ICs erreicht wird, die gleichzeitig mit dem Prüfgerät gemessen werden kann. Nach Fig. 4 stellen Grenzlinien 14a, 14b und 14c Grenzen des Teilens der angeordneten Führungsrahmen 1 in Bereiche für jeweils die größte Anzahl von ICs dar, die gleichzeitig mit dem Prüfgerät gemessen werden könne. Somit kann durch Verbinden einer Mehrzahl von Führungsrahmen 1 in Reihe und Einteilen dieser in Flächen für jeweils 32 ICs, der größten Anzahl an ICs, die gleichzeitig mit dem Prüfgerät gemessen werden kann, die größte Anzahl von ICs, die gleichzeitig mit dem Prüfgerät gemessen werden kann, in einer einzelnen Prüfung geprüft werden.

Fig. 5 ist ein schematisches Diagramm, das die Flächenmuster der zweiunddreißig ICs darstellt, die durch die in Fig. 4 dargestellten Grenzlinien 14a, 14b und 14c eingeteilt sind. Wenn drei Spalten von ICs auf den Führungsrahmen 1 in Hauptrichtung angeordnet sind, gibt es drei Flächenmuster der zweiunddreißig ICs, die durch die Grenzlinien 14a, 14b und 14c eingeteilt sind, z. B. Flächenmuster (A) 11, Flächenmuster (B) 12 und Flächenmuster (C) 13.

Daher können jedes Mal zweiunddreißig ICs geprüft werden, indem die Führungsrahmen 1 transportiert werden, während die Prüfsignale von dem Prüfgerät in drei Flächenmustern geschaltet werden, und indem die ICs in dem Flächenmuster (A) 11, dem Flächenmuster (B) 12 und dem Flächenmuster (C) 13 geprüft werden.

Die Verteilungsplatine 3 hat die Aufgabe, die Flächenmuster zu schalten. Die Verteilungsplatine 3 umfasst alle Verdrahtungsspezifikationen (Schaltungen) für das Flächenmuster (A) 11, das Flächenmuster (B) 12 und das Flächenmuster (C) 13, und schaltet die Verdrahtungsspezifikationen entsprechend dem jeweiligen Flächenmuster für jede Prüfung zum Übertragen der Prüfsignale von dem Prüfgerät an die mehrlagige Verdrahtungsplatine 2.

Damit können die Flächenmuster und die Verdrahtung von den Prüfgerätanschlüssen für jede Prüfung derart geschaltet werden, daß sie den drei Flächenmustern entsprechen, und die Prüfung von zweiunddreißig ICs, der größten Anzahl von ICs, die gleichzeitig mit dem Prüfgerät gemessen werden kann, kann durchgeführt werden. Daher kann die Anzahl der gleichzeitig gemessenen ICs erhöht werden, und die Meßeffizienz kann verbessert werden.

Wenn ähnliche Flächenmuster unter Verwendung einer herkömmlichen mehrlagigen Verdrahtungsprüfplatinenvorrichtung geschaltet werden, die mit Koaxialkabeln wie in Fig. 9 gezeigt verschaltet ist, müssen alle Prüfvorrichtungen entsprechend allen Verdrahtungsmustern hergestellt werden, da verschiedene Verdrahtungen durch Koaxialkabel für die drei Flächenmuster verwendet werden müssen. Da die Verteilungsplatine 3 die Aufgabe hat, die Flächenmuster zu schalten, kann die Prüfung bei der zweiten Ausführungsform unter Verwendung einer Prüfvorrichtung durchgeführt werden, was Kosten für die Prüfung minimiert und den Wartungsbetrieb erleichtert.

Da wie oben beschrieben nach der zweiten Ausführungsform die Führungsrahmen 1 in Längsrichtung miteinander verbunden sind und die größte Anzahl von ICs, die gleichzeitig mit dem Prüfgerät geprüft werden kann, in regelmäßiger Folge geprüft wird, während die Führungsrahmen 1 mit dem Rahmentransporteinsatz 7 transportiert werden, kann die Prüfung für die größte Anzahl an ICs, die gleichzeitig mit dem Prüfgerät gemessen werden kann, ohne die Beschränkung der Anordnung der ICs auf den Führungsrahmen 1 durchgeführt werden. Hier kann, selbst wenn das Flächenmuster der ICs jedes Mal verschieden ist, die größte Anzahl an ICs, die gleichzeitig mit dem Prüfgerät gemessen werden kann, immer geprüft werden durch das Schalten der Flächenmuster der Reihe nach, wobei die Verteilungsplatine 3 verwendet wird. Daher kann die Anzahl von ICs, die gleichzeitig gemessen werden kann, erhöht werden, und die Meßeffizienz kann wesentlich verbessert werden.

Dritte Ausführungsform

Als nächstes wird die dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben werden. Bei der dritten Ausführungsform wird das Schalten der Flächenmuster nach der zweiten Ausführungsform durch. Schalten der Verbindung der Verteilungsplatine 3 mit der mehrlagigen Verdrahtungsplatine 2 durchgeführt.

Fig. 6 ist eine schematische Zeichnung, die eine Buchse 8 darstellt, die auf der mehrlagigen Verdrahtungsplatine 2 angebracht ist. Fig. 7 ist eine schematische Zeichnung, die einen Stecker 9 darstellt, der auf der Verteilungsplatine 3 angebracht ist. Wie Fig. 6 und 7 zeigen, weist die Buchse 8 eine sich linear erstreckende Rinne auf, und der Stecker 9 weist einen rippenartigen Vorsprung auf.

Mit Bezug auf Fig. 6 und 7 wird weiter unten ein Verfahren zum Schalten der elektrischen Verbindung der Verteilungsplatine 3 mit der mehrlagigen Verdrahtungsplatine 2 beschrieben werden. Wie Fig. 7 zeigt, weist der Stecker 9 eine Mehrzahl an vergoldeten Verbindungsabschnitten 16 auf. Die vergoldeten Verbindungsabschnitte 16 sind auf beiden Seiten des rippenartigen Vorsprungs des Steckers 9 angeordnet und weisen drei Muster auf: Vergoldeter Verbindungsabschnitt 16a, vergoldeter Verbindungsabschnitt 16b und vergoldeter Verbindungsabschnitt 16c.

Wie bei der zweiten Ausführungsform beschrieben umfasst die Verteilungsplatine 3 all die Verdrahtungsspezifikationen für das Flächenmuster (A) 11, das Flächenmuster (B) 12 und das Flächenmuster (C) 13. Auf der Verteilungsplatine 3 sind die vergoldeten Verbindungsabschnitte 16a mit: der dem Flächenmuster (A) 11 entsprechenden Verdrahtung verbunden. Ähnlich sind die vergoldeten Verbindungsabschnitte 16b mit der dem Flächenmuster (B) 12 entsprechenden Verdrahtung verbunden, und die vergoldeten Verbindungsabschnitte 16c sind mit der dem Flächenmuster (C) 13 entsprechenden Verdrahtung verbunden. Wie Fig. 7 zeigt, sind die vergoldeten Verbindungsabschnitte 16a, 16b und 16c zyklisch auf dem Vorsprung des Steckers 9 in dieser Reihenfolge angeordnet.

Wie Fig. 6 zeigt, hat die Buchse 8 einen vergoldeten Verbindungsabschnitt 17 für die drei vergoldeten Verbindungsabschnitte 16a, 16b und 16c des Steckers 9. Die vergoldeten Verbindungsabschnitte 17 sind in der Rinne der Buchse 8 in dem Rasterabstand der drei vergoldeten Verbindungsabschnitte 16a, 16b und 16c angeordnet.

Fig. 8 ist eine schematische Zeichnung, die den Zustand darstellt, in dem die Buchse 8 mit dem Stecker 9 verbunden ist. In dem Zustand, in dem die Buchse 8 mit dem Stecker 9 bei der Prüfung verbunden ist, ist einer der drei vergoldeten Verbindungsabschnitte 16a, 16b oder 16c mit dem vergoldeten Verbindungsabschnitt 17 elektrisch verbunden.

Hier wird, da der vergoldete Verbindungsabschnitt 16a dem Flächenmuster (A) 11 entspricht, die Prüfung mit dem Flächenmuster (A) 11 durchgeführt, wenn die vergoldeten Verbindungsabschnitte 16a mit den vergoldeten Verbindungsabschnitten 17 verbunden sind. Da die vergoldeten Verbindungsabschnitte 16b dem Flächenmuster (B) 12 entsprechen und die vergoldeten Verbindungsabschnitte 16c dem Flächenmuster (C) 13 entsprechen, wird ähnlich die Prüfung mit dem Flächenmuster (B) 12 durchgeführt, wenn die vergoldeten Verbindungsabschnitte 16b mit den vergoldeten Verbindungsabschnitten 17 verbunden sind, und die Prüfung wird mit dem Flächenmuster (C) 13 durchgeführt, wenn die vergoldeten Verbindungsabschnitte 16c mit den vergoldeten Verbindungsabschnitten 17 verbunden sind.

Das Schalten des Flächenmusters (A) 11, des Flächenmusters (B) 12 und des Flächenmusters (C) 13 wird durch Schalten der Verbindungen der vergoldeten Verbindungsabschnitte 17 mit den vergoldeten Verbindungsabschnitten 16a, 16b und 16c durchgeführt. Da die Rinne der Buchse 8 angepaßt ist an den rippenartigen Vorsprung des Steckers 9, kann das Schalten der Verbindungen ausgeführt werden durch relatives Bewegen der Buchse 8 und des Steckers 9 um den Rasterabstand der vergoldeten Verbindungsabschnitte 16a, 16b und 16c.

Bei der dritten Ausführungsform wird die Verbindung der Verteilungsplatine 3 mit der in Fig. 1 gezeigten Hauptplatine 4 auch durch Anpassung des rippenartigen Vorsprungs des Steckers 9 der Verteilungsplatine 3 mit der Rinne der Buchse 10 der Hauptplatine 4 durchgeführt. Die Erstreckungsrichtung der Rippe des Steckers 9 auf der Vorder- und der Rückseite der Verteilungsplatine 3 ist die gleiche. Daher kann in dem Zustand, bei dem die mehrlagige Verdrahtungsplatine 2 und die Hauptplatine 4 fixiert sind, die Verteilungsplatine 3 alleine bewegt werden. Da das Schalten der elektrischen Verbindung des Steckers 9 der Verteilungsplatine 3 mit der Buchse 10 der Hauptplatine 4 nicht benötigt wird, wird der elektrische Verbindungszustand der Verteilungsplatine 3 mit der Hauptplatine 4 nicht durch deren relative Bewegung zueinander geschaltet.

Insbesondere bei der ersten Prüfung sind die vergoldeten Verbindungsabschnitte 17 mit den vergoldeten Verbindungsabschnitten 16a verbunden und die mehrlagige Verdrahtungsplatine 2 kontaktiert die Verdrahtung der Verteilungsplatine 3 entsprechend dem Flächenmuster (A) 11. Die Prüfung wird mit dem Flächenmuster (A) 11 durchgeführt. Bei der zweiten Prüfung bewegt sich die Verteilungsplatine 3 in horizontaler Richtung um einen Rasterabstand der vergoldeten Verbindungsabschnitte 16, die vergoldeten Verbindungsabschnitte 17 sind mit den vergoldeten Verbindungsabschnitten 16b verbunden, und die mehrlagige Verdrahtungsplatine 2 kontaktiert die Verdrahtung der Verteilungsplatine 3 entsprechend dem Flächenmuster (B) 12. Die Prüfung wird mit dem Flächenmuster (B) 12 durchgeführt. Bei der dritten Prüfung bewegt sich die Verteilungsplatine 3 weiter in horizontaler Richtung um einen Rasterabstand der vergoldeten Verbindungsabschnitte 16, die vergoldeten Verbindungsabschnitte 17 sind mit den vergoldeten Verbindungsabschnitten 16c verbunden, und die mehrlagige Verdrahtungsplatine 2 kontaktiert die Verdrahtung der Verteilungsplatine 3 entsprechend dem Flächenmuster (C) 13. Die Prüfung wird mit dem Flächenmuster (C) 13durchgeführt. Die Verteilungsplatine 3 wird automatisch durch eine mechanische Steuerung bewegt, die den Vorschub der Führungsrahmen 1 durch den Rahmentransporteinsatz 7 synchronisiert.

Somit kann durch Bewegung der Verteilungsplatine 3 um einen Rasterabstand der vergoldeten Verbindungsabschnitte 16 bei jeder Messung das Flächenmuster (A) 11, das Flächenmuster (B) 12 und das Flächenmuster (C) 13 leicht geschaltet werden. Daher wird die Überarbeitung der Verdrahtung, die die mehrlagige Platine 2 mit der Hauptplatine 4 verbindet, für jedes Flächenmuster unnötig, und die Meßeffizienz kann wesentlich verbessert werden.

Nach der dritten Ausführungsform kann wie oben beschrieben die Verdrahtung für jedes Flächenmuster, das auf der Verteilungsplatine 3 vorgesehen ist, geschaltet werden, da die Buchse 8 und der Stecker 9 verrutscht werden zum Schalten elektrischer Verbindungen. Daher können das Flächenmuster (A) 11, das Flächenmuster (B) 12 und das Flächenmuster (C) 13, die Muster der größten Anzahl an ICs, die gleichzeitig durch das Prüfgerät gemessen werden kann, unverzüglich geschaltet werden, und die Meßeffizienz kann wesentlich verbessert werden.

Wie oben beschrieben ausgebildet hat die vorliegende Erfindung die unten beschriebenen Effekte.

Da die Verbindungen zwischen der ersten und der dritten Verdrahtungsplatine, sowie zwischen der zweiten und der dritten Verdrahtungsplatine durch Steckverbinder ausgeführt sind, kann die Verbindung zwischen den Verdrahtungsplatinen drahtlos gemacht werden, und kein Verdrahtungsmaterial, wie z. B. Koaxialkabel wird benötigt. Daher können fehlerhafte Verbindungen beim Aufbau ausgeschlossen werden, und komplizierte Verdrahtungsverfahren werden unnötig. Da die Verschlechterung des Verdrahtungsmaterials vermieden werden kann, die durch deren Änderung aufgrund von Alterung verursacht wird, kann eine hohe Zuverlässigkeit aufrechterhalten werden.

Da die Prüfung durchgeführt wird durch Verbinden mit einer Mehrzahl von zu prüfenden Halbleitervorrichtungen, die auf Führungsrahmen angeordnet sind, kann die Prüfung nach der Verkapselung der ICs durchgeführt werden und das Herstellungsverfahren kann vereinfacht werden.

Da die Führungsrahmen in Hauptrichtung miteinander verbunden sind und die Prüfsignale synchronisiert mit der Beförderung der Führungsrahmen übertragen werden, kann die größte Anzahl an ICs, die gleichzeitig von dem Prüfgerät gemessen werden kann, der Reihe nach geprüft werden.

Da die dritte Verdrahtungsplatine eine Mehrzahl an Schaltungen entsprechend den verschiedenen Flächenmustern aufweist, können die Flächenmuster der Reihe nach geschaltet werden, selbst wenn die Flächenmuster der ICs sich bei jeder Prüfung unterscheiden. Daher kann die größte Anzahl an ICs, die gleichzeitig von dem Prüfgerät gemessen werden kann, geprüft werden ohne durch die Anordnung der ICs auf den Führungsrahmen beschränkt zu sein. Dadurch kann die Anzahl an ICs, die gleichzeitig gemessen werden kann, erhöht werden, und die Meßeffizienz kann wesentlich verbessert werden.

Da die Steckverbinder so ausgebildet sind, daß die dritte Verdrahtungsplatine verschiebbar relativ zur ersten und zweiten Verdrahtungsplatine ist und den Steckverbindern eine Mehrzahl an Verdrahtungsmustern zugeordnet ist, die entsprechend der Verschiebeposition der dritten Verdrahtungsplatine geschaltet werden, kann eine Mehrzahl an Schaltungen durch Schalten der Verbindungen der Verdrahtungsmuster der Steckverbinder geschalten werden. Daher wird keine Überarbeitung der Verdrahtung für jedes Verdrahtungsmuster notwendig, und die Verdrahtungsmuster der größten Anzahl an ICs, die durch das Prüfgerät gemessen werden kann, kann unverzüglich geschaltet werden. Damit kann die Messeffizienz wesentlich verbessert werden.

Claims

1. Eine Prüfplatine zum Prüfen von Halbleitervorrichtungen durch Verbinden einer Mehrzahl von zu prüfenden Halbleitervorrichtungen (20) mit einer Halbleiterprüfvorrichtung und durch das Senden von Prüfsignalen von der Halbleiterprüfvorrichtung an die Mehrzahl von zu prüfenden Halbleitervorrichtungen (20), wobei die Prüfplatine beinhaltet:
eine erste Verdrahtungsplatine (4), die auf der Halbleiterprüfvorrichtung angeordnet ist und mit der Halbleiterprüfvorrichtung verbunden ist;
eine zweite Verdrahtungsplatine (2), die mit jeder der Mehrzahl von zu prüfenden Halbleitervorrichtungen durch Kontaktabschnitte verbunden ist;
eine dritte Verdrahtungsplatine (3), die zwischen der ersten und der zweiten Verdrahtungsplatine angeordnet ist; und
wobei die erste Verdrahtungsplatine (4) mit der dritten Verdrahtungsplatine (3) und die zweite Verdrahtungsplatine mit der dritten Verdrahtungsplatine jeweils durch Steckverbinder (8, 9, 10) verbunden sind.

2. Prüfplatine zum Prüfen von Halbleitervorrichtungen nach Anspruch 1, bei der
die Mehrzahl von zu prüfenden Halbleitervorrichtungen (20) auf einem Führungsrahmen (1) angeordnet ist; und
die Prüfplatine mit der Mehrzahl der auf dem Führungsrahmen (1) angeordneten zu prüfenden Halbleitervorrichtungen (20) verbunden ist.

3. . Prüfplatine zum Prüfen von Halbleitervorrichtungen nach Anspruch 2, .bei der eine Mehrzahl von Führungsrahmen (1) in Längsrichtung miteinander verbunden sind, und die Prüfsignale derart übertragen werden, dass sie synchron mit dem Transport der Führungsrahmen (1) übertragen werden.

4. Prüfplatine zum Prüfen von Halbleitervorrichtungen nach Anspruch 2 oder 3, bei der die dritte Verdrahtungsplatine (3) eine Mehrzahl an Schaltungen umfasst, die den verschiedenen Flächenmustern der Mehrzahl an zu prüfenden Halbleitervorrichtungen (20) auf den Führungsrahmen entsprechen.

5. Prüfplatine zum Prüfen von Halbleitervorrichtungen nach Anspruch 4, bei der
die Steckverbinder (8, 9, 10) so ausgebildet sind, dass die dritte Verdrahtungsplatine (3) relativ zu der ersten und der zweiten Verdrahtungsplatine (2, 4) gleiten kann und den Steckverbindern eine Mehrzahl an Verdrahtungsmustern (16a, 16b, 16c, 17) zugeordnet ist, dessen Verbindungszustände entsprechend der Gleitposition der dritten Verdrahtungsplatine (3) geschaltet sind; und
das Schalten der Mehrzahl an Schaltungen durch das Schalten der Verbindungszustände der Mehrzahl an Verdrahtungsmustern (16a, 16b, 16c, 17) geschaltet wird.