DE2829529A1 - Verfahren zur herstellung von sieben fuer zentrifugen, insbesondere von arbeitssieben fuer kontinuierlich arbeitende zentrifugen - Google Patents

Description

Die Erfahrungen haben gezeigt, daß die Arbeitssiebe kontinuierlich arbeitender Zuckerzentrifugen hinsichtlich des Zurückhaltens der Feinkornanteile Schlitzlöcher von etwa 0,04 bis 0,06 mm Breite haben sollten. Die Flanken der Schlitzlöcher sollen möglichst glatt sein und müssen den Schütz in Richtung des Flüssigkeit sdurchtritts verbreitern, um Verstopfungen und rückseitige Verkrustungen zu vermeiden.

Ein weiterer Gradmesser für die Brauchbarkeit der Arbeitssiebe ist die relative offene Siebfläche; sie beeinflußt die Leistung der betreffenden, kontinuierlich arbeitenden Zentrifuge. Da die pro Zeiteinheit durch ein Sieb abtrennbare Flüssigkeitsmenge unter sonst gleichen Umständen um so größer ist, je größer die Summe der Sieblochquerschnitte pro Siebflächeneinheit ist, hat die offene Siebfläche einen leistungsbegrenzenden Einfluß auf die Zentrifuge. Bei bisher angewandten Herstellungsverfahren für Arbeitssiebe kontinuierlich arbeitender Zuckerzentrifugen lassen sich jedoch nur Siebe von bestenfalls etwa 6,5 % offener Siebfläche erzeugen, wenn zugleich auch eine hinsichtlich der Lebensdauer wenigstens einigermaßen befriedigende Siebdicke eingehalten werden soll.

Beim Stanzen, das für Arbeitssiebe kontinuierlich arbeitender Zuckerzentrifugen nur ausnahmsweise eingesetzt wird, können Edelstahlsiebe mit maximal 0,18 mm Dicke und nur 5,5 % offener Siebfläche hergestellt werden, wobei außerdem besondere Hilfsmaßnahmen angewendet werden müssen, um konische Sieblöcher zu erzeugen. Die erzielbare offene Siebflache dieser Siebe ist ebenso unbefriedigend wie die relativ geringe Siebdicke. Außerdem hinterlassen Stanzschnitte rauhe Schnittflächen und Grate, so daß erhöhte Gefahr für Siebverstopfungen infolge von Verkrustungen besteht. Da diese Siebe, um überhaupt stanztechnisch hergestellt werden zu können, im Bereich der Schlitze Biege- und Stauchbehandlungen unterzogen werden müssen, leidet die Exaktheit der Schlitzkonturen und -abmessungen. Beides sind jedoch wichtige Einflußgrößen des Trennverhaltens.

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Das bisher überwiegend zur Herstellung der erwähnten Arbeitssiebe angewandte galvanoplastische Verfahren hat gegenüber dem Stanzverfahren den Vorteil/ sehr glatte Oberflächen und exakte Schlitzkonturen zu gewährleisten. Außerdem können noch Siebe von 0,24 bis 0/28 mm Dicke bei ca. 0,06 mm Schlitzbreite hergestellt werden; das bedeutet gegenüber gestanzten Sieben ein Mehr von etwa 0,1 mm Siebdicke, was zu einer entsprechend längeren Lebensdauer führt. Mit 6,0 bis 6,5 % offener Siebfläche sind diese galvanoplastisch hergestellten Siebe den gestanzten Sieben auch noch um etwa 1 % offene Siebfläche überlegen. Mit diesen Werten sind allerdings auch die Grenzen des bekannten galvanoplastischen Herstellungsverfahrens erreicht. Größere offene Siebflächen sind zwar erzielbar, jedoch nur unter gleichzeitiger Verringerung der Siebdicke. Dies ist durch die gegebenen Gesetzmäßigkeiten des Wachstums galvanischer Niederschläge auf Matrizen bedingt. Von einem elektrisch leitenden Ort auf der Oberfläche einer Matrize wird Material sowohl in der Ebene als auch in Höhenrichtung im wesentlichen gleichmäßig niedergeschlagen. Da ein Siebschlitz jedoch von zwei Kanten begrenzt wird, wächst das Material beim Niederschlagen von beiden Kanten aus in die Öffnung des Siebschlitzes hinein. Wenn beispielsweise ein Sieb von 0,1 mm Dicke und 0,1 mm breiten Siebschlitzen erzeugt werden soll, dann müssen die auf der Matrize liegenden Siebschlitzkanten 0,1 + 2 χ 0,1 = 0,3 mm Abstand voneinander haben. Wird dieser Abstand nicht eingehalten, so ergeben sich zu enge Siebschlitze. Wird unter sonst gleichen Voraussetzungen Material bis zu einer Dicke von 0,15 mm niedergeschlagen, so sind die Siebschlitze zugewachsen. Der Abstand der Siebschlitzkanten auf der Matrize muß also um so größer sein, je dicker das Sieb werden soll. Folglich wird auch der Abstand benachbarter Siebschlitze um so größer, je dicker das Sieb ist, und die offene Siebfläche nimmt mit zunehmender Siebdicke ab.

In der Vergangenheit sind aufgrund dieser Situation bereits

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arbeitende Zuckerzentrifugen auf den Markt gekommen, deren offene Siebfläche zwar über 6,5 % lag, die jedoch zum Teil erheblich weniger als 0,2 mm dick waren. Diese Siebe mußten rückseitig durch Stützsiebe gegen die walkende Beanspruchung der unter dem hohen Schwerefeld der Zentrifuge über die Arbeitsfläche gleitenden Füllmassen ausgesteift werden.

Zu dem Nachteil eines zusätzlichen Aufwandes verursachen diese Stützsiebe jedoch auch eine Verringerung der wirksamen offenen Siebfläche, weil sie einen Teil der Siebschlitze des Arbeitssiebes rückseitig abdecken. Der mit der Verringerung der Siebdicke erkaufte Zuwachs an offener Siebfläche wird durch das wegen dieser geringen Siebdicke erforderliche Stützsieb wieder verkleinert. Darüber hinaus erzeugt das zusätzliche Stützsieb hinter dem Arbeitssieb erschwerte Strömungsverhältnisse und vergrößert die Verkrustungsgefahr.

Trotz Stützsieb sind diese "dünnen" Arbeitssiebe im Einsatz empfindlicher und verletztlicher, so daß sie häufiger als Siebe mit normaler Dicke ausgewechselt werden müssen. Jeder Siebwechsel ist mit einigen Stunden Betriebsunterbrechung verbunden. Deshalb stellen die bekannten "dünnen" Siebe mit größerer offener Siebfläche keine befriedigende Lösung dar.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, unter Anwendung des galvanoplastischen Abscheidens von metallischem Werkstoff auf Matrizen Siebe herzustellen, bei denen die offene Siebfläche und/oder Dicke größer als aufgrund der Gesetzmäßigkeiten bisher möglich sind.

Ausgehend von einem Verfahren zum galvanoplastischen Herstellen von Sieben für Zentrifugen, insbesondere von Arbeitssieben für kontinuierlich arbeitende Zuckerzentrifugen, bei dem zunächst eine elektrisch leitende, das Siebmuster definierende Matrize hergestellt, auf diese Matrize alsdann Siebwerkstoff galvanoplastisch abgeschieden und das fertige Sieb danach von der

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Matrize entfernt wird, wird die vorgenannte Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die galvanoplastische Abscheidung des Siebwerkstoffes vor Erreichen der erforderlichen Siebdicke abgebrochen wird, sobald die Siebschlitze die gewünschten Abmessungen erreicht haben, wonach auf den zuvor abgeschiedenen Siebwerkstoff ein anderer metallischer Stützwerkstoff unter gleichzeitigem Zuwachsen der Siebschlitze bis zum Erreichen der erforderlichen Siebdicke abgeschieden wird, und daß das so erhaltene Zwischenerzeugnis nach dem Entfernen von der Matrize mit einem flüssigen, gegenüber dem Siebwerkstoff unwirksamen, jedoch gegenüber dem Stützwerkstoff aggressiven Ätzmedium so lange behandelt wird, bis die mit Stützwerkstoff zugewachsenen Siebschlitze freigelegt und durch den Stützwerkstoff hindurch zur Siebrückseite geöffnet sind.

Um das seitliche Wegätzen des Stützwerkstoffes an den Siebschlitzflanken in gewünschten Grenzen zu halten, kann das erfindungsgemäß ausgebildete Verfahren unterschiedlich weitergebildet werden. So ist es besonders einfach, wenn das Ätzmedium gegen die Oberfläche des Siebwerkstoffes gerichtet wird.

Bei einer hinsichtlich des Arbeitsaufwandes vorteilhaften Weiterbildung wird.das Ätzmedium in Strahlen von unten nach oben gegen die Oberfläche des Siebwerkstoffes gerichtet.

Bei einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäß ausgebildeten Verfahrens wird die Siebrückseite, d. h. die Oberfläche des Stützwerkstoffes, vor dem Ätzen mit einem vorzugsweise nichtmetallischen Isolierwerkstoff in einem dem Siebmuster entsprechenden und mit dem Siebmuster der Siebvorderseite in Dekkungslage befindlichen Muster beschichtet und das Zwischenprodukt alsdann beidseitig mit dem Ätzmedium beaufschlagt.

Zur Gewährleistung gewünschter Flankenwinkel der Siebschlitze innerhalb des Stützwerkstoffes empfiehlt es sich, wenn das Siebmuster des auf die Oberfläche des Stützwerkstoffes aufgebrachten

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Isolierwerkstoffes der größeren Schlitzbreite auf der Siebrückseite bzw. Oberfläche des Stützwerkstoffes angepaßt wird.

Vorteilhaft ist es, wenn der Isolierwerkstoff im Siebdruckverfahren aufgebracht wird.

Nach einem weiteren, selbständigen Merkmal der Erfindung läßt sich die Siebdicke noch weiter dadurch vergrößern, daß auf die Oberfläche des Stützwerkstoffes ein Negativ-Siebmuster aus elektrisch nicht leitendem Isolierwerkstoff in Deckungslage zum Siebmuster und unter Berücksichtigung der auf der Siebrückseite größeren Siebschlitzbreite bis zu einer Dicke aufgetragen wird, die zusammen mit der Dicke der bereits galvanisch niedergeschlagenen metallischen Werkstoffe zumindest die gewünschte Siebdicke ergibt oder diese geringfügig überschreitet, und daß alsdann auf die metallisch blank gebliebenen Oberflächen des Stützwerkstoffes ein weiterer, vom Ätzmedium nicht angreifbarer metallischer Deckwerkstoff bis zum Erreichen der gewünschten Siebdicke galvanoplastisch niedergeschlagen wird, wobei ein seitliches Zuwachsen der Siebschlitze durch den, entsprechend dem Negativ-Siebmuster, in den Siebschlitzbereichen aufgetragenen Isolierwerkstoff verhindert wird, und daß danach der Isolierwerkstoff entfernt und das so erhaltene Zwischenprodukt beidseitig bis zur Eröffnung der Siebschlitze mit Ätzmedium beaufschlagt wird.

Es ist zweckmäßig, daß das Sieb nach dem Ätzen galvanoplastisch mit einem Oberflächenvergütungswerkstoff beschichtet wird.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäß ausgebildeten Verfahrens wird als Siebwerkstoff und als Deckwerkstoff Nickel und als Stützwerkstoff Kupfer abgeschieden sowie mit 30prozentiger Natriumchloridlösung geätzt, während als Isolierwerkstoff Fotolack, Siebdrucklack oder Epoxydharz aufgetragen wird.

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Der wesentliche Vorteil der Erfindung besteht darin, daß der bisher unumgängliche Kompromiß zwischen Siebdicke und offener Siebfläche nicht mehr erforderlich ist. Die Matrize für das Siebmuster kann erfindungsgemäß, z. B. auf ein Siebmuster, ausgelegt werden, bei dem 16 % offene Siebfläche bei 0,06 mm Schlitzbreite verbleiben, wenn Siebwerkstoff, z. B. Reinnickel, bis zu einer Schichtdicke von 0,12 mm abgeschieden wird. Wenn anschließend 0,33 mm Stützwerkstoff, z. B. Kupfer, abgeschieden wird, ergibt sich ein Sieb mit einer Gesamtdicke von 0,45 mm.

Wird vor dem Ätzen auf die Kupferoberfläche ein Negativ des Siebmusters aus Isolierwerkstoff, etwa bis zu einer Dicke von 0,06 mm, aufgetragen und dann nochmals Deckwerkstoff, etwa Reinnickel,, bis zu einer Schichtdicke von 0,06 mm abgeschieden, so liegt nach dem Ätzen ein Sieb, von insgesamt 0,51 mm Dicke und 16 % offener Siebfläche bei 0,06 mm Schlitzbreite vor.

Ein Vergleich mit Sieben, die nach dem bisher bekannten Verfahren hergestellt wurden, zeigt folgende Aspekte:

Ein Sieb von 15 - 16 % offener Siebfläche konnte bisher nur mit maximal 0,12 mm Dicke hergestellt werden. Erfindungsgemäß hergestellte Siebe können bei gleicher offener Siebfläche mehr als 4mal so dick sein. Das bisher übliche Arbeitssieb für kontinuierlich arbeitende Zentrifugen hatte bei 6 - 6,5 % offener Siebfläche eine Dicke von maximal 0,24 - 0,28 mm. Erfindungsgemäß hergestellte Siebe können demgegenüber mehr als doppelt soviel offene Siebfläche und mit 0,51 mm zugleich auch doppelte Dicke haben. Die genannten Zahlenwerte stellen dabei keinesfalls Grenzwerte des erfindungsgemäß ausgebildeten Verfahrens dar. Auch die angegebenen Werkstoffe bzw. Zwischendicken können im Rahmen der Erfindung weitgehend variiert werden.

Für die Praxis bedeutet die Anwendung des erfindungsgemäß ausgebildeten Verfahrens, daß die bisher denkbaren Werte für die größte offene Siebfläche innerhalb weiter Grenzen ohne die bis-

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herige Inkaufnahme einer gleichzeitigen Verringerung der Siebdicke vervielfacht werden können oder daß die Siebe bei etwa im Rahmen bisher üblicher Werte liegender offener Siebfläche vielfach dicker und damit festigkeitstechnisch stabiler ausgebildet werden können.

Große Möglichkeiten eröffnet dabei auch die Auswahl der Werkstoff kombination; denn es kann Härte im Bereich der Oberflächen mit Zähigkeit kombiniert werden, so daß weitgehende Anpassungen an gegebene Belastungsfälle möglich sind.

Die Erfindung wird in einem Ausführungsbeispiel unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.

Figur 1 zeigt ein erfindungsgemäß hergestelltes Sieb im Schnitt.

Figur 2 zeigt ein weiteres Sieb im Schnitt, das nach einem weitergebildeten Verfahren hergestellt ist.

Bei einem Beispiel des erfindungsgemäß ausgebildeten Verfahrens zur Herstellung von Sieben für Zentrifugen, insbesondere von Ärbeitssieben für kontinuierlich arbeitende Zuckerzentrifugen, wird zunächst auf herkömmliche Weise eine Matrize hergestellt. Diese Matrize weist an der Oberfläche ein dem herzustellenden Arbeitssieb angepaßtes Siebmuster aus elektrisch leitenden und elektrisch nichtleitenden Bereichen auf. Die elektrisch nichtleitenden Bereiche definieren die Sieblöcher bzw. Siebschlitze des herzustellenden Siebes. Entsprechend dem zu erwartenden Seitenwachstum galvanischer Niederschläge sind die nichtleitenden Bereiche um entsprechende Beträge breiter als die Siebschlitze des herzustellenden Siebes. Die Abstände der nichtleitenden Bereiche sind so gewählt, daß sich beim fertigen Sieb aufgrund der gewünschten Breite der Siebschlitze, beispielsweise 0,06 mm, bei entsprechender vorgegebener Schlitzlänge und bei vorgegebenem Abstand der Schlitzreihen eine offene Siebfläche von 16% ergibt. Auf die erstellte Matrize wird dann zunächst Reinnickel als Siebwerkstoff bis zu einer Dicke von 0,12 mm galvanisch

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niedergeschlagen. Dabei wachsen die Siebschlitzkanten unmittelbar an der Matrizenoberfläche über die nichtleitenden Bereiche der Matrize hinweg aufeinander zu und nähern sich auf 0,06 mm einander an. Die Seitenflanken der Siebschlitze sind jedoch um so weiter voneinander entfernt, je größer der Abstand von der Matrizenoberfläche ist. So ergibt sich von selbst die konische Verbreiterung der Siebschlitze.

Auf die niedergeschlagene 0,12 mm dicke Schicht aus Reinnickel wird nun Kupfer als Stützwerkstoff galvanotechnisch aufgetragen, bis die Gesamtdicke des niedergeschlagenen Materiales die Dicke des herzustellenden Siebes ergibt. Im beschriebenen Beispiel werden 0,33 mm Kupfer abgeschieden, so daß ein Sieb von 0,45 mm Dicke entsteht. Beim galvanischen Niederschlagen von Kupfer tritt ebenfalls Seitenwachstum ein. Infolgedessen sind die Siebschlitze nach dem Abscheiden des Stützwerkstoffes zugewachsen. Das vorliegende Zwischenerzeugnis wird nun von der Matrize entfernt. Um die Siebschlitze wieder freizulegen, folgt eine Ätzbehandlung mit 30prozentiger Natriumchloridlösung. Gegen dieses Ätzmedium ist Reinnickel resistent, während Kupfer angegriffen wird.

Um die Planken der Siebschlitze im Bereich des Stützwerkstoffes so wenig wie möglich seitlich abzuätzen, wird das Ätzmedium in Strahlen, vorzugsweise von unten nach oben, gegen die Oberfläche des Siebwerkstoffes gerichtet, so daß der gegen das Ätzmedium resistente Siebwerkstoff die Funktion einer Ätzmaske übernimmt, die den Stützwerkstoff Kupfer im Bereich der Siebstege vor dem Angriff des Ätzmediums schützt. Da sich ein Anätzen der Flanken der Siebschlitze trotzdem nicht ganz vermeiden läßt, ergibt sich auf einfache Weise die gewünschte konische Verbreiterung der Siebschlitze.

Figur 1 zeigt das auf diese Weise hergestellte Sieb (1) im Schnitt. Auf eine Schicht Siebwerkstoff (2) folgt eine Schicht Stützwerkstoff (3). Durch beide hindurch verlaufen Sieb-

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schlitze (4), die sich von der Arbeitsseite (5) in Richtung auf die Rückseite konisch verbreitern.

Wenn der Ätzvorgang zeitlich beschleunigt werden soll, was insbesondere bei dicken Sieben Pertigungsvorteile erbringt, dann muß von beiden Oberflächen des Siebes geätzt werden. Dazu ist auf der Rückseite des Siebes eine Ätzmaske erforderlich. Diese kann auf einfache Weise dadurch erstellt werden, daß die Rückseite, d. h. die Kupferoberfläche des Zwischenproduktes, mit Isolierwerkstoff beschichtet wird. Dazu wird Siebdrucklack oder Fotolack verwendet. Es wird dabei ein Siebmuster auf die Siebrückseite aufgebracht, das im wesentlichen mit dem Siebmuster der Matrize übereinstimmt und sich von diesem lediglich durch die der Konizität der Schlitze entsprechende größere Schlitzbreite unterscheidet. Beim Aufbringen dieser Siebmuster wird darauf geachtet, daß das Siebmuster des Isolierwerkstoffes eine exakte Paßlage zum Siebmuster des Siebwerkstoffes einnimmt. Wenn die Schicht aus Isolierwerkstoff aufgebracht ist, wird mit dem schon genannten Ätzmedium von beiden Oberflächen des Zwischenproduktes aus geätzt, bis die Siebschlitze vollständig eröffnet sind. Der Isolierwerkstoff bildet dabei eine Ätzmaske, die zugleich auch unerwünscht starkes Anätzen der Siebschlitzflanken verhindert. Nach dem Ätzen wird der Isolierwerkstoff durch ein Lösungsmittel entfernt.

Das so hergestellte Sieb (1) entspricht im wesentlichen dem schon beschriebenen, in Figur 1 dargestellten Sieb. Unterschiede sind lediglich insoweit möglich, als die Siebschlitzflanken je nach Gestalt des Siebmusters aus Isolierwerkstoff, d. h. der Ätzmaske, einen steileren Verlauf haben können, wie in Figur 1 in gestrichelten Linien (6) dargestellt ist.

Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäß ausgebildeten Verfahrens wird nach dem galvanischen Niederschlagen des Stützwerkstoffes Kupfer ebenfalls Isolierwerkstoff, z. B. Fotolack oder Siebdrucklack, vorzugsweise durch Siebdruck aufgetragen.

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Abweichend vom schon beschriebenen Verfahren wird jedoch dabei ein Negativ-Siebmuster aufgetragen, so daß der Isolierwerkstoff die Bereiche der Öffnungen der Siebschlitze auf der Kupferoberfläche bedeckt, während die den Stegen zwischen den Siebschlitzen entsprechenden Bereiche der Kupferoberfläche metallisch blank bleiben. Bei der Gestaltung des Negativ-Siebmusters muß die konische Verbreiterung der Siebschlitze berücksichtigt werden. Es wird außerdem auf genaue Paßlage zum Siebmuster der Matrize geachtet. Im Gegensatz zu der bereits beschriebenen Verfahrensvariante wird jedoch eine dicke Schicht aus Isolierwerkstoff aufgetragen; sie beträgt im beschriebenen Beispiel 0,06 mm. Danach wird als Deckwerkstoff Reinnickel galvanisch niedergeschlagen. Bei diesem Vorgang verhindert der Isolierwerkstoff ein Seitenwachstum in die Schlitze.

Das galvanoplastische Niederschlagen des Deckwerkstoffes wird beendet, sobald Siebwerkstoffschicht, Stützwerkstoffschicht und Deckwerkstoffschicht gemeinsam die gewünschte Siebdicke ergeben und bevor der Deckwerkstoff ebenso dick wie die Schicht aus Isolierwerkstoff ist. Wird die letzte Bedingung nicht eingehalten, so beginnt ein Seitenwachstum des Deckwerkstoffes in die Siebschlitze hinein.

Nach dem Abscheiden des Deckwerkstoffes wird der Isolierwerkstoff durch das zugehörige Lösungsmittel entfernt. Anschließend wird geätzt,,und zwar von beiden Oberflächen des Zwischenproduktes. Als Ätzmedium wird wie schon bei den anderen Beispielen 30prozentige Natriumchloridlösung verwendet. Da als Deckwerkstoff Reinnickel verwendet wurde, verhält er sich wie der Siebwerkstoff gegen das Ätzmedium resistent, d. h. er bildet auf der Rückseite des Zwischenproduktes eine Ätzmaske.

Das auf diese Weise hergestellte Sieb (1) ist in Figur 2 im Schnitt dargestellt. Dieses Sieb (1) weist rückseitig eine Schicht aus Deckwerkstoff (7) auf.

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An Stelle von Reinnickel kann auch ein anderer, gegen das Ätzmedium resistenter Deckwerkstoff verwendet werden. Der besondere Vorteil dieses Verfahrens besteht darin, daß die Siebrückseite eine größere Härte aufweisen kann.

Die beschriebenen Beispiele bilden nur Hinweise; im Rahmen des Erfindungsgedankens sind zahlreiche andere Abmessungen, insbesondere Materialkombinationen möglich. Das erfindungsgemäß ausgebildete Verfahren eignet sich nicht nur zur Herstellung von Arbeitssieben für Zuckerzentrifugen, sondern kann mit Vorteil auch zur Herstellung anderer hochbeanspruchter Feinsiebe angewendet werden.

Die in den geschilderten Beispielen hergestellten Siebe werden vor ihrem Einsatz noch oberflächenvergütet. Die übliche Hartverchromung kann dazu angewendet werden.

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Claims (9)

1. Patentansprüche

   Verfahren zum galvanoplastischen Herstellen von Sieben, insbesondere von Arbeitssieben für kontinuierlich arbeitende Zuckerzentrifugen, bei dem zunächst eine elektrisch leitende, das Siebmuster definierende Matrize hergestellt, auf diese Matrize alsdann Siebwerkstoff galvanoplastisch abgeschieden und das fertige Sieb danach von der Matrize entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die galvanoplastische Abscheidung des Siebwerkstoffes vor Erreichen der erforderlichen Siebdicke abgebrochen wird, sobald die Siebschlitze infolge Seitenwachstums die gewünschten Abmessungen erreicht haben, wonach auf den Siebwerkstoff ein anderer metallischer Stützwerkstoff unter gleichzeitigem Zuwachsen der Siebschlitze in einer Dicke, etwa bis zum Erreichen der geforderten Siebdicke, abgeschieden wird, und daß das so erhaltene Zwischenerzeugnis nach dem Entfernen von der Matrize mit einem flüssigen, gegenüber dem Stützwerkstoff aggressiven, gegenüber dem Siebwerkstoff nicht aggressiven Ätzmedium so lange behandelt wird, bis die mit dem Stützwerkstoff zugewachsenen Siebschlitze freigelegt und durch den Stützwerkstoff hindurch bis zur Siebrückseite eröffnet sind.
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzmedium gegen die Oberfläche des Siebwerkstoffes gerichtet wird.

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3. 3. Verfahren nach Ansprüchen 1 und/oder 2, dadurch gekenn ζ sichnet , daß das Ätzmedium in Strahlen von unten nach oben gegen die Oberfläche des Siebwerkstoffes gerichtet wird.
4. 4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Stützwerkstoffes vor dem Ätzen mit einem vorzugsweise nichtmetallischen Isolierwerkstoff in einem dem Siebmuster entsprechenden und mit dem Siebmuster der Siebvorderseite in Deckungslage befindlichen Muster beschichtet und dieses Zwischenprodukt alsdann beidseitig mit Ätzmedium beaufschlagt wird.
5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Muster des auf die Oberfläche des Stützwerkstoffes aufgebrachten Isolierwerkstoffes der größeren Schlitzbreite auf der Siebrückseite bzw. Oberfläche des Stützwerkstoffes angepaßt wird.
6. 6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierwerkstoff im Siebdruckverfahren aufgebracht wird.
7. 7. Verfahren zum galvanoplastischen Herstellen von Sieben, insbesondere nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Oberfläche des Stützwerkstoffes ein Negativ-Siebmuster aus elektrisch nichtleitendem Isolierwerkstoff in Deckungslage zum Siebmuster und unter Berücksichtigung der auf der Siebrückseite größeren Breite der Siebschlitze bis zu einer Dicke aufgetragen wird, die zusammen mit der Dicke des insgesamt bereits galvanisch niedergeschlagenen Werkstoffes zumindest die gewünschte Siebdicke ergibt oder diese geringfügig überschreitet, und daß alsdann auf die metallisch blank gebliebenen Oberflächen des Stützwerkstoffes ein weiterer, vom Ätz-

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   medium nicht angreifbarer Deckwerkstoff bis zum Erreichen der gewünschten Siebdecke galvanoplastisch niedergeschlagen wird, wobei ein seitliches Zuwachsen der Siebschlitze durch den, entsprechend dem Negativ-Siebmuster, in den Siebschlitzbereichen aufgetragenen Isolierwerkstoff verhindert wird, und daß danach der Isloierwerkstoff entfernt und das so erhaltene .Zwischenprodukt beidseitig bis zur Eröffnung der Siebschlitze mit Ätzmedium beaufschlagt wird.
8. 8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Sieb nach dem Ätzen galvanoplastisch mit einem Oberflächenvergütungswerk stoff beschichtet wird.
9. 9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Siebwerkstoff und als Deckwerkstoff Nickel, als Stützwerkstoff Kupfer abgeschieden und mit 30prozentiger Natriumchlorid-Lösung geätzt wird, während als Isolierwerkstoff Fotolack, Siebdrucklack oder Epoxydharz aufgetragen wird.

   Verfahren zur Herstellung von Sieben für Zentrifugen, insbesondere von Arbeitssieben für kontinuierlich arbeitende Zuckerzentrifugen

   Bei kontinuierlich arbeitenden Zuckerzentrifugen kommt es, je nach Einsatz, oft darauf an, auch noch Kristallanteile mit relativ geringer Korngröße aus der Füllmasse abzutrennen; so zum Beispiel bei der Verarbeitung von Endproduktfüllmassen, weil vom Arbeitssieb etwa nicht zurückgehaltene Feinkristalle mit dem Ablauf in die Endmelasse gelangen und damit der Zuckerausbeute verlorengehen würden. Aber auch beim Verarbeiten von Mittelproduktfüllmassen wird angestrebt, daß möglichst wenig Zuckerkristalle in den Ablauf gelangen.

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