DE2631535A1 - Positiv arbeitendes, waermebestaendiges fotoresist - Google Patents
Positiv arbeitendes, waermebestaendiges fotoresistInfo
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-
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Description
263Ί535
PATENTANWÄLTE
DIpl.-lng. P. WIRTH · Dr. V. SCHMIED-KOWARZIK
DipL-lng. G. DANNENBERG · Dr. P. WEINHOLD · Dr. D. GUDEL
281134 6 FRANKFURT/M.
Case FDN-809
GAF Corporation
140"liest 51 st Street,
New York, N.Y. 10020, USA
Positiv arbeitendes, wärmebeständiges Fotoresist.
609885/0823
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Fotoresists*, und
zwar insbesondere auf ein positiv-arbeitendes, wärmebeständiges Fotoresist. "Wärmebeständig" bedeutet in diesem Zusammenhang
nicht nur, daß das Resist sich bei einer bestimmten Temperatur nicht zersetzt, sondern auch, daß die Bilder des Resists
bei dieser Temperatur keine Veränderungen der Abmessungen und keine Verzerrung erleiden.
Für moderne Verfahren zur Bearbeitung von Halbleitern, wie Plasma- oder Zerstäubungsätzen, Ionenstrahlen implantation
usw., benötigt man Fotoresists mit einer Beständigkeit bei hohen Temperaturen, wie etwa 300 C und höher. Herkömmliche
Fotoresists besitzen eine Wärmebeständigkeit bis etwa 16O0C
und sind für die Verwendung bis zu dieser Temperatur gut geeignet; ihre Wärmebeständigkeit bei Temperaturen von mehr
als 1600C reicht jedoch für die oben beschriebenen Hochtemperaturverfahren
nicht aus.
In der U.S.-Patentschrift 3 623 870 wird ein negativ-arbeitendes
Fotoresist beschrieben, von dem angegeben wird, daß es verbesserte Wärmeeigenschaften besitzt. Negativ-arbeitende Resists
werden häufig verwendet: positiv-arbeitende Resists haben jedoch bekanntfnfh 3^OiPWiIe gegenüber negativ-arbeitenden
Resists. Ein positiv-arbeitendes, wärmebeständiges Fotoresists wäre daher höchst vorteilhaft und dem Fachmann sehr willkommen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist.daher die Schaffung
eines wärmebeständigen, positiv-arbeitenden Fotoresists, das bei erhöhten Temperaturen zur Herstellung von Halbleitern
verwendet werden kann.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine wärmebeständige Fotoresistzusammensetzung, die dadurch gekennzeichnet ist,
daß sie ein lichtempfindliches Orthochinondiazid oder Orthonaphthochinondiazid
und ein "Polyamicsäure"-Kondensationsprodukt
eines aromatischen Dianhydrids und einer aromatischen Di-
* "photoresists" = Photorelief
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2531535
(prim.-Am in)-Vert) in dung umfaßt.
Erfindungsgemäß wird auch ein verbessertes, wärmebeständiges, positiv-arbeitendes Trägerfotoresist geschaffen, welches ein
Trägermaterial umfaßt, worauf die erfiridungsgemäße Fotoresistzuaammensetzung
aufgetragen ist.
Die erfindungsgemäß verwendeten Orthochinondiazide und Orthonaphtochinondiazide
sind bekannte lichtempfindliche Verbindungen, die wasserunlöslich, hydrophob und in organischen Lösungsmitteln
löslich sind. Bei Belichtung werden die Verbindungen in Derivate umgewandelt, die in einer wässrigen, alkalischen
Lösung löslich sind. Das als Bindemittel verwendete Polyamicsäurereaktionsprodukt
ist ebenfalls in organischen Lösungsmitteln und in einer wässrigen alkalischen Lösung löslich.
Die erfindungsgemäße Fotoresistzusammensetzung wird daher als Lösung in einem organischen Lösungsmittel auf einen Träger
aufgebracht, und das bildweise belichtete Fotoresist wird mit einer alkalischen wässrigen Lösung entwickelt. Die vom Licht
getroffenen Flächen enthalten eine Mischung von Polyamlcsäureharz und dem Reaktionsprodükt des Orthochinondiazids, das in
dem wässrigen alkalischen Entwickler löslich ist, so daß die Mischung während der Behandlung mit dem alkalischen wässrigen
Entwickler vom Träger entfernt werden kann. Diejenigen Flächen, Vielehe nicht vom Licht getroffen worden sind, enthalten eine
Mischung von Pplyami:csäureharz und dem Diazid, das in der wässrigen alkalischen Entwicklerlösung nicht löslich ist, und zwar
aufgrund seiner hydrophoben Eigenschaften und der Unlöslichkeit des Diazids vor der Fotolyse. Daher wird auf dem Träger ein
positives Bild erzeugt, das dem bei der bildweisen Belichtung verwendeten Original entspricht.
Die vorliegende Erfindung beruht auf der Verwendung eines positiv-arbeitenden Fotoresists, das aus einem organischen
Lösungsmittel auf einen Träger aufgebracht werden kann und mit einer wässrigen alkalischen Lösung entwickelt werden kann.
609885/0823
Durch Ausnutzung dieser verschiedenen Solvatisierungen ist es
erfindungsgemäß möglich, während der Entwicklung scharf zwischen Mldweise belichteten und nicht belichteten Flächen
zu unterscheiden und dadurch sicherzustellen, daß nur die von Licht getroffenen Flächen von dem Entx^ickler durch Solva-■fcisierun^fülöst
werden, während die nicht belichteten Flächen durch den Entwickler nicht beeinträchtigt werden. In der
U.S.-Patentschrift 3 623 870 wird ein negativ-arbeitendes Fotoresist beschrieben, das ein lichtempfindliches Dichromat
und ein Polyamicsäure-Bindemittel umfaßt. Das Dichromat in den
vom Licht getroffenen Flächen vernetzt das Polyami.csäure-Bindemittel
und bildet ein Produkt, das in dem Entwickler weniger löslich ist als die unvernetzte Polyamicsäure. Der
Entwickler arbeitet also auf der Basis von verschiedenen Löslichkeitsgeschwindigkeiten
von bildweise belichteten und nicht belichteten Flächen und nicht auf der Basis von verschiedenen
SolvatisierunfeSs ist daher schwierig, wenn nicht überhaupt
unmöglich, bei diesem System zu verhindern, daß das Entwicklerlösungsmittel die bildweise nicht belichteten Flächen auch
etwas angreift, was nicht wünschenswert ist.
Lichtempfindliche Orthochinondiazide und Orthonaphthochinondiazide
sind bekannt; siehe z.B. U.S.-Patentschrift Nr. 2 772 972, 2 797 213 und 3 669 658 sowie »Light Sensitive
Systems" (Lichtempfindliche Systeme), Jaromir Kosar, John Wiley and Sons, Inc., New York (1965), Seiten 336 - 352. Besonders
gut geeignet sind solche Diazide, die in wässrigen alkalischen Lösungen unlöslich sind und die Lichtzersetzungsprodukte
ergeben, welche in dem wässrigen alkalischen Entwickler sehr stark löslich sind. Diazide, die einen Abietylsubstituenten
aufweisen, sind aufgrund ihrer stark hydrophoben Eigenschaften und ihrer Beständigkeit gegen Auskristallisieren aus dem
Überzug besonders gut geeignet. Zu den bevorzugten Diaziden gehören:
N-Dehydroabietyl-6(5H)-diazo-5(6H)-oxo-1-naphthalinsulfonamid,
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N-Dehydroabietyl-3-diazo-4-oxo-1,5-cyclohexadien-isulfonamide
N-Dehydroabietyl-3-diazo-4(3H)-oxo-1-naphthalin-sulfonamide
N,N'-Didehydroabietyl-3-diazo-4(3H)-oxo-1,6-naphthalinsulfonamid,
N-Dehydroabietyl-N-2-hydroxyäthyl-6-diazo-6(6h)-oxo-1-naphthalinsulfonamid
,
N-Dehydroabietyl-3-diazo-6-methyl-4-oxo-1,5-cyclohexadien-1-sulfonamid,
N-Dehydroabietyl-5,6,7,8-tetrahydro-4-diazo-3(4H)-oxo-2-naphthalin-sulfonamid,
N-Dextropimaryl-S-diazo^-oxo-i^-cyclohexadien-i-sulfonamid,
N-Dehydroabietyl-N-äthyl-6-diazo-5(6H)-oxo-1-naphthalinsulfonamid,
N-Dihydroabietyl-6-diazo-5(6H)-oxo-1-naphthalin-sulfonamid,
N-Tetrahydroabietyl-6-diazo-5(6H)-oxo-1-naphthalinsulfonamid.
Das Polyamic.säurekondensationsprodukt von einem aromatischen
Dianhydrid und einem aromatischen Di-(prim-Ämino)verbindung kannbekanntlich
leicht gebildet werden. Ein besonders gut geeignetes aromatisches Dianhydrid ist Pyromellithäianhydrid.Geeignete
aromatische Diamine sind aromatische Di-(prira-Amino)verbindungendei
Benzol- oder Naphthalinreihen, einschließlich der Di-(prim.-.Amino)
-phenyläther. Derartige Polyamicsäurekondensationsprodukte sind bekannt; sie werden beispielsweise in der U.S.-Patentschrift
3 179 634 beschrieben, und sie können durch Hitze
leicht in ein wärmebeständiges Polyimid umgewandelt werden, das wasserunlöslich, beständig gegen verdünnte Säuren und
organische Lösungsmittel und bis zu Temperaturen von mehr als 40O0C bzw. 50O0C hitzebeständig ist.
Die eriindungsgemäße Fotoresistzusammensetzung wird hergestellt,
indem das Diazid in einem organischen Lösungsmittel,
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wie i-Methyl-2-pyrrolidon, Dimethylformamid, Dimethylacetamid
und dergleichen, mit dem Polyamic.säurekondensationsprodukt gemischt wird. Im allgemeinen beträgt das Gewichtsverhältnis
von Polyaniic.säure zu Diazid etwa 1:20 bis 10:1, vorzugsweise
etwa 1:10 bis 5:1. Die Polyamic.säure wird in einem organischen Lösungsmittel gelöst, so daß die Lösung etwa 10 bis 20 % PoIyamicsäure
enthält, und dieser Lösung wird dann zweckiaäßigerweise
das Diazid zugegeben. Die Menge des Lösungsmittels und sein Flüchtigkeitsgrad werden so ausgewählt, daß man eine bestimmte
Dicke und Beschichtungsqualität erhält, die für bekannte Beschichtungsverfahren zweckmäßig sind.
Die Lösung von Diazid und Polyamic.säure in dem organischen Lösungsmittel wird nach einem gebräuchlichen Verfahren, wie
Drehbeschichten, Tauchbeschichten, Bürsten, Aufrollen, Aufsprühen usw., auf einen geeigneten Träger aufgetragen.
Das jeweils angewendete Verfahren hängt von der Konsistenz, der Viskosität und dem Feststoffgehalt der Lösung ab. Es
wurde gefunden, daß ein Drehbeschichten bei 2000 bis 10.000 U/Min für die Dauer von 1-90 Sekunden geeignet ist und zu
einer gleichmäßigen Fotoresistschicht führt. Die Dicke der Fotoresistschicht auf dem Träger kann etwa 0,3 bis 100 Mikron
betragen. Wenn dickere Überzüge verwendet werden, erhöht sich die Zeit, die zum Belichten und Entwickeln der Platte notwendig
ist. Für die meisten Verwendungszwecke ist eine Dicke von etwa 0,3 bis 8 Mikron, vorzugsweise etwa 0,8 bis 4 Mikron,
zufriedenstellend. Für gedruckte Schaltungen sind größere Dicken erforderlich, und zwar im allgemeinen von etwa 15 100
Mikron, vorzugsweise von etwa 25 - 50 Mikron. Bei jedem Auftrageverfahren der Beschichtung ist es zweckmäßig, den
höchstmöglichen Feststoffgehalt in der Überzugszusammensetzung
zu verwenden.
Nachdem die Schicht auf den Träger aufgebracht worden ist, läßt man sie trocknen. Der Träger kann auf Zimmertemperatur
gehalten werden, um ein Verdampfen des Lösungsmittels zu ermöglichen; vorzugsweise wird er in einen Ofen mit einer Temperatur
von etwa 800C gegeben, um das Verdampfen des Lösungs-
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mittels zu beschleunigen.
Für das Fotoresist kann jeder" geeignete Träger verwendet werden,
wie beispielsweise diejenigen Träger, die in der Mikroelektronik und zur Herstellung von gedruckten Schaltungen verwendet
werden. Solche Träger sind z.B. Glas, Metallplatten, Bimetall- und Trimetallplatten, Halbleiterplatten, fertige gedruckte
Schaltungen und dergleichen.
Das erfindungsgemäße Fotoresist kann mit einer geeigneten aktinischen Lichtquelle, wie einer 200 Watt-Mittel- oder
Hochdruckquecksilberbogenlampe, bildweise durch eine positive oder negative Maske, gewöhnlich durch eine negative Maske,
belichtet werden. Die Belichtungszeit und die Lichteinfallsintensität
werden empirisch ermittelt, um mit einer bestimmten Maske und einem bestimmten Fotoresist optimale Ergebnisse zu
erhalten; im allgemeinen führt jedoch eine Belichtung von etwa 30 - 60 Sekunden bei einer Lichtintensität von etwa 3000 4600
Mikrowatt/cm zu zufriedenstellenden Ergebnissen.
Nach dem Belichten wird das Fotoresist in einer alkalischen wässrigen Lösung einer organischen oder anorganischen Base,
wie einem organischen Amin, entwickelt. Vorzugsweise enthält der alkalische wässrige Entwickler eine geringe Menge eines
oberflächenaktiven Mittels, um die Oberflächenspannung zu verringern. Im allgemeinen enthält der Entwickler etwa 0,01 25
% der Base und gegebenenfalls etwa 0,1 - 0,5 % des oberflächenaktiven
Mittels. Als Base sind Dialkyl- und Dialkanolamine, wie Diäthyläthanolamin, Diäthylamin, Diäthanolamin,
Triäthanolamin usw., cyclische Amine, wie Piperidin und dergleichen, Alkalimetallsalze von starken und schwachen Säuren,
wie Natriumhydroxyd, Natriumcarbonat, Natriumdihydrogenphosphat
und dergleichen, geeignet. Geeignete oberflächenaktive Mittel sind Alkylarylsulfonate oder Äthylenoxydaddukte
eines langkettigen Alkohols oder dergleichen.
609885/0823
Die Entwicklungszeit wird, wie üblich, empirisch ermittelt, gewöhnlich ist die Entwicklung jedoch in etwa 5 - 60 Sekunden
abgeschlossen. Zimmertemperatur (etwa 200C) ist durchaus
geeignet, es können jedoch gegebenenfalls a.ich höhere Temperaturen
verwendet werden.
Das auf diese ¥eise hergestellte Fotoresist hat eine ausgezeichnete
Beständigkeit gegen Säureätzung, und wenn sie für Säureätzungen bei Temperaturen von weniger als etwa 2000C
bestimmt ist, kann die entwickelte Platte so verwendet werden, wie sie ist.
Wenn die entwickelte Platte für eine basische Ätzung - unabhängig"
von der Temperatur - vorgesehen ist, wird die Gesamtfläche
einer Belichtung mit aktinischem Licht ausgesetzt, um das
auf der Platte zurückgebliebene Diazid zu zersetzen. Die Belichtung dauert etwa 60 - 180 Sekunden bei etwa 3000 Mikrowatt/
2
cm , und anschließend wird das Polyamicsäurekondensationsprodukt durch Erhitzen des Fotoresists auf 2200C oder höher für etwa 30 Minuten in die Palyimidform umgewandelt. Die PoIyimidform ist beständig gegen basische Ätzungen.
cm , und anschließend wird das Polyamicsäurekondensationsprodukt durch Erhitzen des Fotoresists auf 2200C oder höher für etwa 30 Minuten in die Palyimidform umgewandelt. Die PoIyimidform ist beständig gegen basische Ätzungen.
Wenn das Fotoresist bei Temperaturen von etwa 200 C oder höher für Säure- oder Basenätzungen verwendet werden soll, wird die
Platte vorzugsweise in der oben beschriebenen Weise über die gesamte Fläche belichtet, um jede Möglichkeit der Bildverzerrung,
die infolge von bei den Arbeitstemperaturen durch Wärmeζersetzung des Diazids freigesetztem Stickstoffgas
auftreten kann, zu vermeiden. Die Belichtung über die gesamte Fläche kann weggelassen werden, wenn das Fotoresist bei Ver-
\/endung langsam erhitzt wird,und eine rasche Zersetzung des
Diazids vermieden wird,Wenn das Fotoresist bei Temperaturen von etwa 2000C oder mehr verwendet wird, findet die Umwandlung in
das Polyimid während der Verwendung statt. Gegebenenfalls kann das Polyamic.säurekondensationsprodukt auch vor der Verwendung
in die Polyiminform umgewandelt werden, um eine Wärmebeständigkeit
des Bildes während der Verwendung des Fotoresists bei
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erhöhten Temperaturen von etwa 2000C oder mehr zu gewährleisten.
Das Fotoresist kann für jedes Halbleiterherstellungsverfahren ohne Auftreten einer Wärmeverzerrung verwendet werden. Gegebenenfalls
kann die Fotoresistschicht durch Behandlung mit einer starken Säure, wie Schwefelsäure, bei erhöhten Temperaturen,
wie etwa 14O - 1800C, für die Dauer von einigen
Minuten sauber von dem Träger gestrippt werden.
Die folgenden Beispiele dienen zur näheren Erläuterung der vorliegenden Erfindung. Alle darin genannten Teile und Verhältnisse
beziehen sich auf das Gewicht, wenn nicht anders angegeben.
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Es wurde eine Fotoresistzusammensetzung hergestellt, indem die
folgenden Bestandteile miteinander gemischt wurden:
83,50 g Polyamicsäurekondensationsprodukt von Pyromellithsäuredianhydrid
und 4,4f-Di-(prinirÄniiiio)äiphenyläther
(17 % Feststoffe in N-Methylpyrrolidon)
(17 % Feststoffe in N-Methylpyrrolidon)
16,50 g N-Dehydroabietyl-6(5H)-diazo-5(6H)-oxo-1-naphthalinsulfonamid
100 ml Dimethylformamid
Es wurden mehrere Fotoresists hergeste3.lt, indem die erhaltene
Mischung 60 Sekunden lang mit den in Tabelle I aufgeführten Geschwindigkeiten durch Drehbeschichten auf einen Glasträger
aufgebracht wurde, um Schichten von verschiedenen Dicken zu. erhalten. Um die Haftfähigkeit der Fotoresistschicht auf dem
Glasträger zu verbessern, wurde eine "Vorbeschichtung aus Hexamethyldisilazan verwendet, es können jedoch, wie üblich,
auch andere Silazane verwendet werden. Das Lösungsmittel wurde nach dem Drehbeschichten entfernt, indem die Platten
1 Stunde lang auf 800C erhitzt wurden.
Tabelle I Drehgeschwindigkeit - Dicke
Drehgeschwindigkeit Dicke
χ 1000 U/Min. (Mikron)
2,0 1,37
2,5 1,17
4,0 0,98
6,0 0,79
8,0 0,71
10,0 0,66
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Nach dem gleichen Verfahren wie in Beispiel 1 wurden Fotoresists mit einer Schichtdicke von 1,2p der Fotoresistzusammensetzung
auf Glasplatten hergestellt. Dann wurden die Fotoresists durch eine Spaltfeldtestmaske mit hoher Auflösung*
mit einer 200 W-Mitteldruckquecksilberbogenlampe
mit UV-Licht belichtet. Die Lichtintensität betrug 3000 Mikrowatt/cm , und eine Belichtungszeit von 60 Sekunden erwies
sich als ausreichend.
Nach dem Belichten wurden die Fotoresists entwickelt, indem sie etwa 20 Sekunden lang bei etwa 25°C in einen Entwickler
getaucht wurden, der aus einer 10 °/o-igen wässrigen Lösung
von Diäthyläthanolamin, verdünnt mit Wasser, auf einer Vol./Vol.-Basis von 1:15 bestand. Eine angemessene Entwicklung
wurde ebenfalls erreicht, wenn die Platten 15 Sekunden lang bei 210C in eine 10 %-ige wässrige Diäthyläthanolaminlösung,
verdünnt mit Wasser auf einer Vol./Vol.-Basis von 1:30, getaucht wurden.
Nach dem Entwickeln wurden die Fotoresistplatten über die gesamte Fläche mit UV-Licht, und zwar unter Verwendung
der gleichen Lampe und Intensität wie bei der bildweisen Belichtung, 60 und 120 Sekunden lang belichtet, um
das Chinondiazid lichtzuzersetzen.
Um die Auswirkung von Wärme auf die Bildauflösung zu bestimmen, wurden die erhaltenen Platten 1 Stunde lang auf
3000C erhitzt; es wurde jedoch selbst in der Größenordnung
von 1 Mikron keine Bildverzerrung festgestellt.
* "split field high resolution test mask"
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Aus diesem Beispiel ist ersichtlich, daß sich das erfindungsgemäße
Fotoresist insbesondere zum Ätzen von Aluminiumschichten
s.ehr/
eignet, wobei stark saure Atzlösungen bei erhöhten Temperaturen von etwa 600C verwendet werden müssen, um die für das Ätzen benötigte Zeit abzukürzen. Viele handelsübliche positivarbeitende Resists halten der Kombination von hochaktiven Säureätzungen und hohen Temperaturen nicht stand, während dies die erfindungsgemäßen Resists tun und gleichzeitig eine gute Auflösung und originalgetreue geätzte Bilder ergeben.
eignet, wobei stark saure Atzlösungen bei erhöhten Temperaturen von etwa 600C verwendet werden müssen, um die für das Ätzen benötigte Zeit abzukürzen. Viele handelsübliche positivarbeitende Resists halten der Kombination von hochaktiven Säureätzungen und hohen Temperaturen nicht stand, während dies die erfindungsgemäßen Resists tun und gleichzeitig eine gute Auflösung und originalgetreue geätzte Bilder ergeben.
Eine Glasplatte, die durch Dampfphasenablagerung mit reinem
Aluminium von 10.000 S. Dicke beschichtet worden war, wurde durch Drehbeschichten bei 2500 U/Min, von 60 Sekunden Dauer
mit der Fotoresistzusammensetzung von Beispiel 1 beschichtet, und zwar in einer Dicke von 1,0 μ. Dann wurde die Platte auf
800C erhitzt.. , (vorerhizt' ) . Nach dem Abkühlen wurde die
Platte in Kontakt mit einer Maske mit hoher Auflösung, die sowohl dunkle als auch helle Felder aufwies, deren kleinste
eine Abmessung von 1,25 μ aufwiesen, mit einer UV-Lichtquelle von einer Intensität von 3000 μ Watt/cm 60 Sekunden lang
belichtet. Die belichtete Platte wurde dann entwickelt, indem sie. 15 Sekunden lang bei 220C in eine 0,5 %-ige wässrige
Lösung von Diäthyläthanolamin getaucht wurde, wonach sie in entionisiertem ¥asser gespült wurde. Danach wurde die Platte
60 Sekunden lang über die gesamte Fläche (nicht bildweise) belichtet, wobei die gleiche UV-Lichtquelle verwendet wurde,
und anschließend wurde sie 15 Minuten lang bei 2000C nacherhitzt
. Nachdem die Platte abgekühlt war, wurde sie 2 Minuten lang bei 600C in die folgende Ätzlösung getaucht:
800 | ml |
50 | ml |
50 | ml |
100 | ml |
Konzentrierte Phosphorsäure (H^PO/)
Konzentrierte Salpetersäure (HNO^) Konzentrierte Essigsäure (H) Entionisiertes Wasser (HpO)
insgesamt 1000 ml
Nach dem Spülen zeigten die unter dem Mikroskop untersuchten
Bilder eine gute Auflösung und originalgetreue Abmessungen.
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Claims (12)
- Patentansprüche ;( 1. Fotoresistzusammensetzung, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein lichtempfindliches Orthochinondiazid oder Naphthochinondiazid und ein Polyamißsäurekondensationsprodukt eines aromatischen Dianhydrids und eine aromatischen Di-(primrAmino)Verbindung umfaßt.
- 2. Fotoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Polyamicsäurekondensationsprodukt das Kondensationsprodukt von Pyromellithsäuredianhydrid und 4,4l-Di-,(prim-Amino)-diphenyläther ist.
- 3. Fotoresistzusammensetzung nach Anspruch 1-2, dadurch gekennzeichnet, daß das Gewichts verhältnis von Polyamj c.säure zu Diazid zwischen etwa 1:20 und 10:1 liegt.
- 4. Fotoresistzusammensetzung nach Anspruch 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß das Diazid N-Dehydroabietyl-6(5H)-diazo-5(6H)-oxo-1-naphthalinsulfonamid ist.
- 5. Fotoresistzusammensetzung nach Anspruch 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß das Diazid und die Polyamicsäure in einem organischen Lösungsmittel gelöst sind.
- 6. Lichtempfindliches Material, dadurch gekennzeichnet, daßes einen Träger umfaßt, worauf eine Schicht der Fotoresistzusammensetzung gemäß Anspruch 1-5 aufgebracht ist.
- 7. Material nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger Glas, eine Metallplatte oder eine halbleitende Platte ist.
- 8. Verfahren zur Erzeugung eines wärmebeständigen Fotorelief-bildes, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtempfindliche Material gemäß Anspruch 6-7 mit aktinischem Licht bildweise belichtet und anschließend ein Bild entwickelt wird,609885/0823indem die "belichtete Schicht mit einem alkalischen wässrigen Entwickler behandelt wird.
- 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht nach dem Entwickeln auf eine Temperatur von wenigstens etwa 2000C erhitzt wird, um das Polyamicsäurekondensationsprodukt in dem entwickelten Bild in die PoIyimidform umzuwandeln.
- 10. Verfahren nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht nach dem Entwickeln und vor dem Erhitzen . über die gesamte Fläche mit aktinischem Licht belichtet wird, um das Diazid in dem entwickelten Bild zu zersetzen.
- 11. Verfahren nach Anspruch 8-10, dadurch gekennzeichnet, daß als Entwickler eine alkalische wässrige Lösung einer organischen Base verwendet wird.
- 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß als organische Base Diäthyläthanolamin verwendet wird.609885/0823
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