DE2245140A1 - Einkapselung fuer elektronische bauelemente - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf Umhüllungen elektronischer
Bauelemente, und sie bezieht sich insbesondere auf
schützende, hermetische Einkapselungen für Halbleiterbauelemente.
schützende, hermetische Einkapselungen für Halbleiterbauelemente.
Einkapselungen bekannter Art, wie sie beispielsweise in der USA-Patentschrift 3 340 347 beschrieben sind? enthalten eine
Kombination aus einer keramischen Unterlage, einem metallischen Leiterrahmen und einer nicht-"entglasten11 Glaszusammensetzung,
welche eine Glas-Metall-Versiegelung bildet. Es ist üblich, daß die Komponenten einer solchen Umhüllung in der
für die Zusammensetzung vorgesehenen Orientierung angeordnet werden, wobei das Glas im wesentlichen nicht-entglast bleibt. Die gesamte Anordnung wird anschließend in einem Ofen untergebracht, und das Glas wird geschmolzen und dann entglast, wobei sich eine feste, unempfindliche hermetische Glas-Metall-Versiegelung bildet.
für die Zusammensetzung vorgesehenen Orientierung angeordnet werden, wobei das Glas im wesentlichen nicht-entglast bleibt. Die gesamte Anordnung wird anschließend in einem Ofen untergebracht, und das Glas wird geschmolzen und dann entglast, wobei sich eine feste, unempfindliche hermetische Glas-Metall-Versiegelung bildet.
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Diese Art des Vorgehens ist insofern nachteilig, als es während des Versiegelungsvorgangs vielfach vorkommt, daß sich der metallische
Leiterrahmen innerhalb des geschmolzenen Glases geringfügig verschiebt. Eine solche Verschiebung kann zur Folge haben,
daß die dünnen Metalldrähte brechen, welche das Bauelement mit dem metallischen Leiterrahmen verbinden, so daß das Bauelement
unbrauchbar wird.
Es wäre daher vorteilhaft, wenn eine Einkapselung für ein Halbleiterbauelement
geschaffen werden könnte, bei der diese Bewegung vermieden ist, so daß die Stabilität der gegenseitigen Anordnung
der Unterlage und des Leiterrahmens während des Zusammensetzens und des Versiegeins wirksam gesichert ist.
Die Einkapselung für elektronische Bauelemente gemäß der Erfindung
enthält eine Unterlage, z.B. aus Keramik, wie sie an sich bekannt ist. Der Leiterrahmen wird fest mit der Unterlage verbunden,
und er wird in der erfindungsgemäß zusammengesetzten Glasschicht auf der Unterlage eingebettet. Die zusammengesetzte
Schicht hat einen ersten unteren Schichtteil, welcher im wesentlichen entglast ist, und einen zweiten oberen Schichtteil, welcher
im wesentlichen nicht-entglast ist. Zur elektrischen Kontaktgabe sind Flächen des Leiterrahmens sowohl innerhalb als
auch außerhalb des Umfangs der Unterlage freigelegt, und der Teil des Leiterrahmens zwischen den freigelegten Teilen ist in
der zusammengesetzten Glasschicht eingebettet. Außerdem ist eine obere Abdeckung vorgesehen, welche am Ende des Bearbeitungsganges
mit der Unterlage versiegelt wirdo
Da bei der erfindungsgemäß vorgesehenen Einkapselung der Leiterrahmen
in einer Glasschicht eingebettet ist, von dem wenigstens
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ein Teil vor dem abschließenden Verkapseln der Abdeckung mit
der Unterlage entglast ist, ist das bisherige Problem der Bewegung des Leiterrahmens während der abschließenden Versiegelung
der Abdeckung vollständig gelöst.
Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäß vorgesehenen Einkapselung
und Verfahren zur Herstellung und Zusammensetzung werden nachfolgend anhand der Zeichnungen beschrieben.
Figur 1 zeigt eine Draufsicht des Unterlagenteils der Einkapselung
gemäß der Erfindung nach dem Anbringen des ersten unteren Teils der zusammengesetzten Glasschicht, jedoch
vor dem Anbringen der zweiten oberen Glasschicht.
Figur 2 ist eine Schnittdarstellung nach der Linie 2-2 der in Figur 1 dargestellten Unterlage.
Figur 3 ist eine Draufsicht des Unterlagenteils der Einkapselung
gemäß der Erfindung nach dem Anbringen beider Teile der zusammengesetzten Glasschicht.
Figur 4 ist eine Schnittdarstellung nach der Linie 4-4 der in Figur 3 dargestellten Unterlage.
Figur 5 zeigt im Schnitt eine Abdeckung für die Einkapselung
gemäß der Erfindung.
Figur 6 ist eine Schnittdarstellung der Unterlage und der Abdeckung
nach der Versiegelung mit einem Halbleiterbauelement, welches auch die entsprechenden elektrischen
Anschlüsse aufweist.
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Wie aus Figur 1 hervorgeht, weist die Einkapselung gemäß der
Erfindung eine Unterlage 1 auf, weiche Üblicherweise aus keramischem Material besteht. Es können jedoch auch aridere Materialien
verwendet werden, beispielsweise metallische Werkstoffe oder andere leitfähige Werkstoffe, da gemäß der Erfindung die
Glasschichten die erforderliche Isolierung zwischen Unterlage 1 und Leiterrahmen 2 bilden. Obwohl der Leiterrahmen 2 zur Vereinfachung
der Darstellung als aus zwei Leitern zusammengesetzt gezeigt ist, werden üblicherweise mehr als zwei Leiter verwendet,
welche sich vom äußeren Umfang 3 der Unterlage i nach innen erstrecken und um den gesamten Umfang herum angeordnet sind. Teile
5 der Leiter 2, welche sich zum Innern des Hohlraums 4 der Unterlage
1 erstrecken, und Teile 6 der Leiter 2, welche sich außerhalb des Umfangs 3 der Unterlage 1 befinden, sind frei von Glas
und stehen daher für die Herstellung der elektrischen Kontakte zur Verfügung. Dies erfolgt im Regelfall durch Lot- oder
Schweißverbindung mit geeigneten Drähten·
Die Herstellung der Einkapselung gemäß der Erfindung beginnt mit dem Aufsetzen des Leiterrahmen 2 auf die Unterlage 1. Während
des Zusammenbaus sind die Leiter 2 normalerweise miteinander in einem Rahmen verbunden. Zuerst wird eine dünne Paste eines entglasungsfähigen
Glasmaterials 7 auf die Unterlage 1 aufgetragen, und zwar über die gesamte Unterlage mit Ausnahme des inneren
Hohlraums 4, welcher frei von Glas gehalten wird. Bei bestimmten Ausführungsformen der. Erfindung ist es auch möglich, daß eine
Glasschicht 7 über dem Hohlraum 4 angeordnet wird. Es ißt Jedoch
im allgemeinen zweckmäßiger, daß dieser Innenraum frei von Glas ist, damit ein unmittelbarer thermischer Kontakt und eine Wärmeleitung zwischen dem in der Einkapselung einzuschließenden Halbleiterbauelement
und dem keramischen Material der Unterlage 1 besteht. 309813/1066
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Ein entglasungsfähiges Glas hat eine solche Zusammensetzlang, daß eine "Entglasung" möglich ist. Als Entglasung wird das Auf-•vechsen
von kdstallinem Material in dem Glas bezeichnet. Bei der
Herstellung von Glas werden normalerweise geeignete Maßnahmen getroffen, um eine solche Entglasung zu verhindern. Bei der Einkapselung
von Halbleiterbauelementen wird jedoch eine Versiegelung unter bewußter Anwendung von Entglasungsmaßnahmen hergestellt.
Das zur Versiegelung vorgesehene Glas wird zunächst einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur ausgesetzt, und es
wird dann durch Entglasung bei einer höheren Temperatur in ein Material von kristallinem Charakter umgewandelt, welches anschließend
hohen Umgebungstemperaturen widersteht, ohne zu erweichen oder zu fließen.
Für die Zusammensetzung des Glaswerkstoffes stehen mehrere Sorten von Gläsern zur Verfügung, bei denen eine Entglasung möglich
ist. Bevorzugte Zusammensetzungen sind in der USA-Patentschrift 3 248 350 beschrieben. Diese entglasungsfähigen Glaszusammensetzungen
werden bei Temperaturen entglast, die im allgemeinen über 400° C liegen, wie es in der genannten Patentschrift
beschrieben ist.
Gemäß der Erfindung wird dann entsprechend der Darstellung in Figur 1 der Leiterrahmen 2 auf die Glasschicht 7 aufgesetzt.
Die Anordnung, die aus Unterlage 1, Glasschicht 7 und Rahmen 2 besteht, wobei der Rahmen in dem Glas angeordnet ist, wird dann
in einen Entglasungsofen üblicher Bauart eingesetzte Die Entglasung
kann bei Temperaturen im Bereich von 450 - 550° C ausgeführt werden. Die hierfür benötigten Zeiten liegen zwischen
etwa 2 Minuten und 1 Stunde. Wenn beispielsweise eine Glaszusammensetzung
verwendet wird, wie sie unter der Bezeichnung
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"CV-98" bei Owens-Illinois zur Verfügung steht, erfolgt eine
zuverlässij
5 Minuten.
5 Minuten.
zuverlässige Entglasung bei einer Temperatur von 500 C in etwa
Nachdem die Unterlage 1 aus dem Entglasungsofen entnommen und abgekühlt ist, wird entsprechend der Darstellung in Figur 2 eine
zweite Glasschicht 8 aufgebracht. Die zweite Glasschicht besteht ebenfalls aus entglasungsfähigem Glasmaterial, und ihr Wärmeausdehnungsverhalten
muß dem der Unterlage angepaßt sein, sowie auch der vorher aufgebrachten Glasschicht und des Metalleiterrahmens
2. Es ist jedoch nicht erforderlich, daß die Zusammensetzung identisch ist mit der Glaszusammensetzung, wie sie für
die erste Schicht verwendet wurde, solange die erwähnten Forderungen erfüllt sind. Die zweite Schicht 8 wird oben auf der entglasten
ersten Schicht angeordnet, und sie bedeckt den Leiterrahmen
2 mit Ausnahme derjenigen Teile, welche sich zum Hohlraum 4 erstrecken und über ihm liegen, um zu ermöglichen, daß ein
Halbleiterbauelement, wie bereits beschrieben, unmittelbar an dem freiliegenden keramischen Material der Einkapselung angebracht
werden kann. Die Teile 6 (Figur 1) der Leiter 2 außerhalb des Umfangs 3 der Unterlage 1 und die Teile 5 der Leiter 2, die
sich in den Hohlraum 4 der Unterlage 1 erstrecken, bleiben frei von Glas, so daß Drähte oder andere elektrische Kontaktmittel
unmittelbar mit den Metalleitern 2 verbunden werden können. Die zweite Glasschicht 8 wird bei solchen Temperaturen und in solchen
Zeiträumen aufgebracht, daß keine Entglasung erfolgt. Vorzugsweise wird die Schicht Jedoch gesintert, und zwar bei Temperaturen,
welche zwischen etwa 425 und 480° C liegen, und diese Temperaturen sind so gewählt, daß sie unter denjenigen Bedingungen
(Zeit und Temperatur) bleiben, unter denen eine Entglasung der Glaszusammensetzung erfolgen würde· Der Zweck der Sinterung
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ist lediglich die Verfestigung der'Glassohicht^ ledciefe, soll
diese nicht-entglast bleiben, so daß sie später ejßtgl&B.t werden
kann, wenn die abschließende Versiegelung einer oberen Abdeckung
mit der Unterlage erfolgt.
Schließlich wird eine obere Abdeckung 9, wie sie als Beispiel in Figur 5 dargestellt ist, auf die Umhüllung aufgesetzt^ nachdem
das Halbleiterbauelement in geeigneter Weise in dem Hohlraum 4 der Unterlage 1 angebracht und entsprechend verdrahtet ist,
wie aus Figur 2 zu erkennen ist. Die obere abdichtung 9 kann
entsprechend der Darstellung in Figur 5 erforderlichenfalls auch
eine nieht-entglaste Glasschicht 10 aufweisen. Jedoch ist eine
solche Glasschicht nicht unbedingt erforderlich, da eine Abdichtung unmittelbar zwischen Glasschicht 8 (Figur Z) und der unbeschichteten
keramischen Abdeckung 9 hergestellt werden kann.
Der Vorteil der Einkapselung gemäß der Erfindung ist vor allem, daß der Leiterrahmen 2 sich während des abschließenden Versiegelungsvorgangs
nicht verschieben kann» Dies Wird dadurch erreicht, daß erfindungsgemäß eine untere entgläste Glässchicht 7
vorgesehen ist. Jedoch ist eine zusätzliche, nicht-ehtgläste
Glasschicht 8 über dem Rahmen 2 angeordnet 3 um eine leichte und
einfache Versiegelung der oberen Abdeckung 9 ait der Unterlage
zu ermöglichen. Ob eine Glasschicht 10 auf der oberen Abdeckung
9 zum Zweck der Erleichterung der Versiegelung anzubringen ist, kann von Fall zu Fall entschieden werden.
Die erfindungsgemäß vorgesehene Einkapselung kann in der in
Figur 2 dargestellten Form für den Gebrauch ausgeliefert werden,
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zusammen mit einer oberen Abdeckung 9, wie sie in Figur 5 dargestellt
ist. Der Benutzer befestigt lediglich sein Halbleiterbauelement 12 gemäß der Darstellung in Figur 6 in dem mittleren
Teil 4, stellt die elektrischen Verbindungen, z.B. über dünne Drähte 11, zu den inneren Teilen 5 der Leiter 2 her und versiegelt
dann die obere Abdeckung 9 mit der Einkapselung. Dies ist in Figur 6 dargestellt. Wie bereits erwähnt, kann die Versiegelung
bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen ausgeführt werden, beispielsweise unterhalb von 500° C. Niedrigere Versiegelung
st emp er atur en haben auch den Vorteil, daß das fertige Bauelement nach Abschluß der Herstellung bessere Betriebseigenschaften
hat.
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Claims (4)
- Ansprüche/U) Einkapselung für elektronische Bauelemente, dadurch gekennzeichnet,daß ein Leiterrahmen an einer Unterlage befestigt und in einer auf der Unterlage angeordneten zusammengesetzten Glasschicht eingebettet ist, welche einen ersten unteren Teil aufweist, der im wesentlichen entglast ist, und einen zweiten oberen Teil, welcher im wesentlichen nicht-entglast 1st, daß der Leiterrahmen Teile aufweist, welche zur elektrischen Kontaktgabe sowohl innerhalb als auch außerhalb des Umfangs der Unterlage freiliegen,und daß der Zwischenteil des Leiterrahmens zwischen den freiliegenden Teilen in der zusammengesetzten Glasschicht eingebettet ist.
- 2. Einkapselung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich eine Abdeckung vorhanden ist, welche mit der Glasschicht versiegelt werden kann.
- 3. Einkapselung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet', daß der obere Teil der zusammengesetzten Glasschicht den Zwischenteil des Leiterrahmens bedeckt.
- 4. Einkapselung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckung eine Glasbeschichtung aufweist, welche mit dem oberen Teil der zusammengesetzten Glasschicht versiegelt werden kann.309813/1066
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JP (1) | JPS56943B2 (de) |
CA (1) | CA952234A (de) |
DE (1) | DE2245140A1 (de) |
GB (1) | GB1334998A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2518811A1 (fr) * | 1981-12-22 | 1983-06-24 | Avx Corp | Dispositif a circuit integre en conteneur de ceramique |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3778686A (en) * | 1972-08-18 | 1973-12-11 | Motorola Inc | Carrier for beam lead integrated circuits |
GB1490978A (en) * | 1973-12-21 | 1977-11-09 | Marconi Co Ltd | Light emitting diode(led)arrays |
JPS5543110Y2 (de) * | 1975-02-27 | 1980-10-09 | ||
US4326214A (en) * | 1976-11-01 | 1982-04-20 | National Semiconductor Corporation | Thermal shock resistant package having an ultraviolet light transmitting window for a semiconductor chip |
JPS5936824B2 (ja) * | 1976-12-15 | 1984-09-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JPS598358Y2 (ja) * | 1978-02-08 | 1984-03-15 | 京セラ株式会社 | 半導体素子パツケ−ジ |
US4262300A (en) * | 1978-11-03 | 1981-04-14 | Isotronics, Inc. | Microcircuit package formed of multi-components |
JPS5588356A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS5599153U (de) * | 1978-12-28 | 1980-07-10 | ||
JPS5683050A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-07 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
US4298769A (en) * | 1979-12-14 | 1981-11-03 | Standard Microsystems Corp. | Hermetic plastic dual-in-line package for a semiconductor integrated circuit |
JPS5873563A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-05-02 | 株式会社日立製作所 | 作動液収容体 |
JPS5936947A (ja) * | 1982-08-25 | 1984-02-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US4567545A (en) * | 1983-05-18 | 1986-01-28 | Mettler Rollin W Jun | Integrated circuit module and method of making same |
FR2547113B1 (fr) * | 1983-06-03 | 1986-11-07 | Inf Milit Spatiale Aeronaut | Boitier d'encapsulation de composant electronique, durci vis-a-vis des radiations |
JPS60156756U (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-18 | 株式会社 フジ電科 | 気密端子 |
US4622433A (en) * | 1984-03-30 | 1986-11-11 | Diacon, Inc. | Ceramic package system using low temperature sealing glasses |
US5071712A (en) * | 1985-03-22 | 1991-12-10 | Diacon, Inc. | Leaded chip carrier |
US4651415A (en) * | 1985-03-22 | 1987-03-24 | Diacon, Inc. | Leaded chip carrier |
US4701573A (en) * | 1985-09-26 | 1987-10-20 | Itt Gallium Arsenide Technology Center | Semiconductor chip housing |
JPS62271842A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-26 | 笹岡 信彦 | 包装箱 |
US4888449A (en) * | 1988-01-04 | 1989-12-19 | Olin Corporation | Semiconductor package |
JPH01226550A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-11 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | 容器胴体 |
JPH02174144A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用パッケージ |
JPH03129862A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Nec Corp | ガラス封止型半導体装置 |
DE19727913A1 (de) * | 1997-07-01 | 1999-01-07 | Daimler Benz Ag | Keramikgehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung |
US6084297A (en) * | 1998-09-03 | 2000-07-04 | Micron Technology, Inc. | Cavity ball grid array apparatus |
US10014189B2 (en) * | 2015-06-02 | 2018-07-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic package with brazing material near seal member |
-
1971
- 1971-09-24 US US3697666D patent/US3697666A/en not_active Expired - Lifetime
-
1972
- 1972-08-10 CA CA149,165A patent/CA952234A/en not_active Expired
- 1972-08-17 GB GB3846872A patent/GB1334998A/en not_active Expired
- 1972-09-12 JP JP9165472A patent/JPS56943B2/ja not_active Expired
- 1972-09-14 DE DE2245140A patent/DE2245140A1/de active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2518811A1 (fr) * | 1981-12-22 | 1983-06-24 | Avx Corp | Dispositif a circuit integre en conteneur de ceramique |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA952234A (en) | 1974-07-30 |
US3697666A (en) | 1972-10-10 |
GB1334998A (en) | 1973-10-24 |
JPS4841672A (de) | 1973-06-18 |
JPS56943B2 (de) | 1981-01-10 |
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