DE3644874A1 - Hybridstruktur - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich allgemein auf Hybridstrukturen und insbesondere auf eine Hybridstruktur mit einer Linse, einem Antennenfeld und einer integrierten Schaltung.

Dielektrische Linsen (die aus Materialien mit Brechungs­ indizes (n) von 2 bis 9 oder mehr hergestellt sind) können dazu verwendet werden, eine Millimeterwellenstrahlung auf Antennenelemente (Dipole oder Quadrupole) zu fokussieren, die auf ebenen Substraten gebildet sind. Diese Antennenele­ mente erfassen die Strahlung, die dann von aktiven Kompo­ nenten demoduliert und verarbeitet wird, die als integrier­ te Schaltung auf einer Scheibe aus Halbleitermaterial, ge­ wöhnlich Silicium, jedoch möglicherweise auch Galliumarse­ nid, hergestellt sind. Nach der Theorie von Brewitt-Tayler und anderen in Electronics Letters (1981) 17, 729-31 zeigen ebene Antennen, die auf einem Substrat mit hohem Brechungs­ index (wie Silicium) in Kontakt mit einem Medium mit niedri­ gem Brechungsindex (wie Luft) hergestellt sind, ihre maxi­ male Empfindlichkeit in einer Richtung, die senkrecht zur Ebene des Substrats verläuft und im Medium mit hohem Bre­ chungsindex liegt, wie in Fig. 1 der Zeichnung dargestellt ist. Eine mögliche Struktur, die in dielektrischen Linsen aus Materialien wie Aluminiumoxid (Brechungsindex 3,1) ver­ wendet werden kann, besteht darin, die ebenen Antennen als ein auf fotografischem Wege definiertes Feld aus aufgedampf­ ten Metallstäben auf einer Scheibe aus Silicium zu bilden, die an eine Fühler- und Signalverarbeitungsschaltung ange­ schlossen ist, die in dem Silicium hergestellt ist, wie in Fig. 2 der Zeichnung dargestellt ist. Die Rückseite dieser Schaltung wird eng mit der Aluminiumoxidlinse in Kontakt gebracht, wie Fig. 3 der Zeichnung zeigt. Das Silicium und das Aluminiumoxid müssen sehr eng in Kontakt miteinander stehen, wobei der maximal zulässige Luftspalt etwa 5 µm be­ trägt.

Es hat sich gezeigt, daß die in Fig. 3 dargestellte Struk­ tur nicht immer ausführbar ist, wenn das Linsenmaterial einen beträchtlich höheren Brechungsindex (n etwa gleich 6) als das Silicium (mit n etwa 3,4) hat. Wenn dies der Fall ist, muß das Material der Linse mit höherem Brechungsindex direkt mit der Metallisierung der Antennenstruktur in Kon­ takt stehen. Es sind nur sehr schmale Luftspalte zulässig, wenn die Struktur der Vorrichtung funktionsfähig sein soll (in der Größenordnung von 1 µm oder weniger), und eine Struktur mit durch Zusammenpressen gebildeten Kontakten nach Fig. 3 bereitet bei der Herstellung beträchtliche Schwierigkeiten. Trotzdem haben Linsen mit höherem Bre­ chungsindex eine Anzahl von Vorteilen, da die Wellenlänge der Strahlung (λ_n) innerhalb des höherbrechenden Materials entsprechend kürzer ist, nämlich gegeben ist durch

λ_n = λ_f/n,

wobei λ_f die Wellenlänge im freien Raum ist, während n der Brechungsindex des höherbrechenden Materials ist.

Dies bedeutet, daß bei einer gegebenen Betriebsfrequenz die Antenne anteilsmäßig kleiner sein kann, was anderer­ seits beinhaltet, daß eine größere Anzahl empfindlicher Punkte pro Flächeneinheit des Strahlerfeldes erzeugt wer­ den kann. Als Alternative können die Abmessungen der di­ elektrischen Linse ebenfalls reduziert werden, wenn höher­ brechendes Material verwendet wird, was zu einem kompakte­ ren System für eine gegebene Strahlerfeldgröße führt.

Mit Hilfe der Erfindung soll unter anderem eine verbesser­ te Struktur der Vorrichtung erzielt werden, die die Her­ stellung der Antennenfeld/Mikroschaltungsstrukturen mit höherbrechenden Linsen beträchtlich erleichtert.

Nach der Erfindung ist eine Hybridstruktur mit einer Linse, einem Antennenfeld und einer integrierten Schaltung dadurch gekennzeichnet, daß das Antennenfeld auf der Oberfläche der Linse oder auf der Oberfläche eines Substrats mit im wesent­ lichen dem gleichen Brechungsindex wie dem Material der Linse angebracht ist, und daß Mittel vorgesehen sind, die die Linse oder das Substrat mit im Abstand befindlichen Stellen auf der integrierten Schaltung verbinden.

Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, daß das Antennenfeld durch Fotoauflösung einer Metallschicht erzeugt wird, die (beispielsweise durch Aufdampfen, Zerstäu­ ben oder aus einer Lösung unter Verwendung eines chemischen oder elektrochemischen Prozesses) direkt auf dem Material mit höherem Brechungsindex aufgebracht ist, aus dem die Linse oder das Substrat hergestellt ist.

In einer Ausführung der Erfindung ist eine elektrische und mechanische Verbindung zwischen den Antennenelementen des Feldes und zuvor festgelegten Bondflächen auf der Halblei­ ter-Mikroschaltung gebildet.

In einer anderen Ausführungsform ist zwischen den Antennen­ elementen des Feldes und den zuvor festgelegten Bondflächen auf der Halbleiter-Mikroschaltung eine rein mechanische Verbindung hergestellt.

Vorzugsweise wird die elektrische und/oder mechanische Ver­ bindung zwischen den Antennenelementen und den zuvor fest­ gelegten Bondflächen unter Verwendung einer Metallwarzen- Bondtechnik erzeugt, beispielsweise der Lotwarzen- oder Indiumwarzentechnik.

Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung beispielshalber erläutert. Es zeigt

Fig. 1 ein bekanntes Verstärkungs-Polarkoordina­ tendiagramm für eine in Resonanz befindli­ che Dipolantenne auf einem Substrat,

Fig. 2 einen Anordnungsplan einer Antennenstruktur auf einem Substrat,

Fig. 3 eine schematische Darstellung einer Hybrid­ struktur,

Fig. 4 eine schematische Darstellung einer Hybrid­ struktur gemäß einer Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 5 eine Draufsicht auf die Hybridstruktur von Fig. 4,

Fig. 6 eine schematische Darstellung einer Hybrid­ struktur gemäß einer zweiten Ausführungs­ form der Erfindung,

Fig. 7(a) und 7(b) ein Lot-Bondverfahren für die Verwen­ dung bei der Herstellung der Hybrid­ strukturen nach den Fig. 4, 5 und 6,

Fig. 8(a) und 8(b) ein Indium-Bondverfahren für die Ver­ wendung bei der Herstellung der Hybrid­ strukturen nach den Fig. 4, 5 und 6 und

Fig. 9 und 10 schematische Darstellungen von Gehäuse­ anordnungen für Hybridstrukturen nach der Erfindung.

Nach Fig. 4 ist eine Halbleiter-Mikroschaltung 2 auf einer ihrer ebenen Oberflächen mit acht im Abstand voneinander liegenden Bondflächen 4 versehen. Jede der Bondflächen ist mittels zugehöriger Metallwarzen 6 mit einem zugehörigen Bereich eines Antennenfeldes 8 verbunden, das auf einer ebenen Fläche einer hochbrechenden Linse 10 angebracht ist.

Nach Fig. 5 enthält die Anordnung Vorkehrungen für eine An­ zahl von Blind-Bondelementen 12, die nicht an Schaltungen auf dem Halbleiterkörper angeschlossen sind. Diese Elemente ergeben eine zusätzliche mechanische Halterung für die Hy­ bridstruktur während des Zusammenbauens. Ihre exakte Lage relativ zu den Antennenstrukturen ist nicht kritisch; sie wird am besten entsprechend den Raumerfordernissen der Ver­ arbeitungsschaltungen festgelegt.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung enthält die Struktur eine Halbleiter-Mikroschaltung, ein Substrat 14 mit hohem Brechungsindex und eine Linse 10 mit hohem Bre­ chungsindex. Eine solche Hybrid/Linsen-Struktur ist schema­ tisch in Fig. 6 dargestellt. Die Antennenstrukturen werden zunächst auf einem dünnen, parallele Seiten aufweisenden Substrat mit hohem Brechungsindex aufgebracht, das aus dem gleichen Material wie die Linsen besteht. Das Substrat wird unter Verwendung von Metallwarzen mit der Halbleiter-Mikro­ schaltung verbunden, worauf das Hybrid-Gebilde dann in en­ gem mechanischem Kontakt mit der hochbrechenden Linse ge­ bracht wird. Das Substrat und die Linse sollten aus dem gleichen Material mit hohem Brechungsindex hergestellt sein. Eine solche Anordnung erleichtert die Anwendung des Bond­ verfahrens mit Lotwarzen und das anschließende Aufbauen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses um die Hybrid-Vor­ richtung, wie anschließend noch beschrieben wird.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird zwischen dem definierten Antennenfeld und dem hochbrechenden Substrat sowie einem anpassenden Feld von Antennenelementen auf der aus Silicium bestehenden integrierten Schaltung eine kapazitive Kopplung vorgesehen. In diesem Fall sorgen die Lot-Bondverbindungen für eine mechanische und nicht für eine elektrische Verbindung der Hybridstruktur, wobei die gleichmäßig gesteuerte Lotwarzenhöhe und die Selbstausrich­ tung des Prozesses für die kapazitive Kopplung wesentlich sind. In dieser Ausführung können die Lot-Bondverbindungen an zweckmäßigen Punkten auf der Silicium-Oberfläche und nicht notwendigerweise nur auf den Antennenelementen ange­ bracht werden. Indium-Lotwarzen sind für diese Ausführung nicht geeignet.

Es gibt zwei grundsätzliche Bondverfahren, die zur Herstel­ lung mehrfacher elektrischer und mechanischer Verbindungen zwischen der dielektrischen Linse oder dem Substrat und der aus Silicium bestehenden integrierten Schaltung angewendet werden können, nämlich das Lot-Bondverfahren und das Indium- Warzen-Bondverfahren.

Das erstgenannte Verfahren umfaßt einen echten Lötvorgang, bei dem die Komponenten über den Schmelzpunkt des ausge­ wählten Lots zur Erzielung des Bondvorgangs erhitzt werden, während das zuletzt genannte Verfahren auf dem Fließ- und Kaltschweißverhalten von festen Indium-Warzen beruht, die auf den unter Anwendung von mechanischem Druck bei Umge­ bungstemperatur oder einer leicht angehobenen Temperatur zu verbindenden Flächen angebracht sind. Das zuerst genann­ te Verfahren weist eine Reihe von Vorteilen auf, und es ist auch mit der Konstruktion eines hermetisch abdichtenden Gehäuses um die Hybridstruktur herum verträglich. Die zwei Bondverfahren sind schematisch in den Fig. 7 und 8 dar­ gestellt.

Eine wichtige erste Stufe bei jedem Bondverfahren besteht gewöhnlich darin, einen ohmschen Kontakt mit den auf der aus Silicium bestehenden integrierten Schaltung gebildeten Aluminium-Eingangskontaktflächen und, falls notwendig, mit der Antennenmetallisierung auf dem dielektrischen Material herzustellen. Im zuerst genannten Fall kann dies mittels eines Prozesses wie dem Ionenstrahl- oder Zerstäubungsrei­ nigungsprozeß erreicht werden, mit dem ein 6 nm dicker Oxidfilm auf den Aluminium-Eingangskontaktanschlüssen (Durch­ bruchsfestigkeit etwa 1 V) entfernt wird, woran sich das Auf­ bringen einer geeigneten Metallschicht in dem gleichen Va­ kuumprozeß anschließt. Dieses Metall ist so gewählt, daß eine gute Haftung auf dem Aluminium erzielt wird und daß es als Diffusionssperre wirkt, die eine Wechselwirkung nach­ folgender Schichten (die ebenfalls mit dem gleichen Vakuum­ prozeß aufgebracht werden) mit dem Aluminium verhindert. Metalle wie Chrom, Titan oder Nichrom (eine Ni-Cr- Legierung) sind für diesen Zweck geeignet. Beim Indium- Bondprozeß wird diese Haft/Diffusionssperr-Schicht sofort mit einer Indium-Warze beschichtet, die typischerweise eine Dicke zwischen 1 und 5 µm hat, während beim Lot-Bondprozeß eine Schicht aus lotfähigem Metall (beispielsweise Kupfer oder Nickel) aufgebracht wird, die dann mit einer dünnen Goldschicht überzogen wird. Diese Goldschicht verhindert ein Anlaufen oder Korrodieren des lötfähigen Metalls nach dem Entfernen aus der Vakuum-Aufbringungsanlage und während des anschließenden Verarbeitens. Wenn als lötfähiges Material Kupfer verwendet wird, muß gewährleistet werden, daß zwischen der Sperrschicht und dem Kupfer eine Legierungszone vor­ handen ist, damit eine völlige Lösung des Kupfers beim Löten verhindert wird, was zu einem Ablösen führen würde.

Beim Lot-Bondprozeß wird das ausgewählte Lot in einem an­ schließenden Aufbringungsvorgang auf eine Fläche aufge­ bracht, die gewöhnlich ein wenig größer als die der löt­ fähigen Metallisierung ist, die sie jedoch überlappt. Das Lot kann beispielsweise durch Elektroabscheidung aufge­ bracht werden, wenn zwischenzeitlich eine kontinuierliche Schicht mit Hilfe einer geeigneten Maskierung auf der Ober­ fläche des Halbleiterplättchens gebildet ist; es kann auch ein thermisches Aufbringungsverfahren angewendet werden, mit dessen Hilfe die Bestandteile der Lotlegierung nach­ einander aufgebracht werden, beispielsweise ein Elektronen­ strahl-Aufdampfverfahren unter Verwendung einer dicken Re­ sist-Maske. Nach der Aufbringung des Lots wird das Lot üb­ licherweise zurückgeschmolzen, damit die Bestandteile sich bei dem Prozeß zu einer Gruppe wohldefinierter Lot-Warzen formen.

Beim Indium-Bondprozeß wird das Bonden bewirkt, indem die zwei Komponenten mechanisch aufeinander ausgerichtet wer­ den und dann bei Umgebungstemperatur oder einer geringfügig angehobenen Temperatur mechanischer Druck (wenige kg/mm²) ausgeübt wird. Das Indium verformt sich unter solchen Be­ dingungen leicht durch Kriechen, wobei der Indiumoxidfilm auf der Oberfläche zerstört wird und eine echte Metallver­ bindung entsteht. Die Anwendung des mechanischen Drucks ist möglicherweise ein unerwünschtes Merkmal dieses Prozesses, jedoch kann die Schaffung einer festen Verbindung bei niedri­ gen Temperaturen für manche Anwendungen ein Vorteil sein. Der dabei auftretende Mangel einer sehr genauen Ausrichtung der Komponenten (möglicherweise nicht besser als ±10 µm) und der relativ niedrige Schmelzpunkt von Indium (156°C), die den Prozeß mit den Herstellungsverfahren hermetisch dichter Packungen unverträglich macht, sind jedoch im vor­ liegenden Fall nachteilig.

Der Lot-Bondprozeß bietet jedoch einen Hauptvorteil, da er einen Mechanismus zur Selbstausrichtung der Komponente des eigentlichen Lot-Bondvorgangs in sich trägt. Die rela­ tiv hohe Oberflächenspannung des geschmolzenen Lots be­ wirkt die Eliminierung jeder anfänglichen Fehlausrichtung und erzeugt somit eine gut ausgerichtete Hybridstruktur. Dieser Selbstausrichtvorgang ist wirksam, falls eine gute Lötbarkeit gewährleistet ist und die Masse der beweglichen Komponente nicht zu groß ist. Der Bondvorgang beeinhaltet keine Ausübung mechanischen Drucks. Es können Lotlegierun­ gen gewählt werden, damit ein ausreichend hoher Schmelz­ punkt erhalten wird, damit bei späteren Vorgängen, die zur Erzielung einer hermetischen Abdichtung um das Gehäusefen­ ster herum erforderlich sind, niedriger schmelzendes Lot verwendet werden kann. Beispielsweise kann ein Lot mit 95 Gew.-% Blei und 5 Gew.-% Zinn für die Lot-Warzen ver­ wendet werden (Solidus-Punkt 310°C, Liquidus-Punkt 314°C), was die Verwendung einer eutektischen Blei-Zinn-Legierung (63 Gew.-% Zinn - 37 Gew.-% Blei, Eutektik-Temperatur 183°C) für die Lötabdichtung des Gehäusedeckels erlaubt.

Die im Zusammenhang mit den Fig. 4, 5 und 6 beschriebe­ nen Hybridstrukturen mit eingelötetem Chip erfordern die Herstellung elektrischer Verbindungen vom Silicium-Chip und das Einschließen und Schützen in einem hermetisch abgedich­ teten Gehäuse, das mit der dielektrischen Linse vereinigt sein kann. Gemäß der Erfindung sind zwei grundlegende Ein­ hüllungskonzepte vorgesehen, die im wesentlichen von der Wärmeenergieableitung auf dem Chip der integrierten Sili­ ciumschaltung abhängen, wie in den Fig. 8 und 10 veran­ schaulicht wird.

Der in Fig. 9 dargestellte Gehäuseaufbau beinhaltet das Auf­ löten des Silicium-Chips 2 auf dem Substrat 14, das aus einem hochbrechenden Material besteht. Das Substrat 14 trägt das Antennenfeld 8 und ebenfalls Verbindungsbahnen, die von einer Position gegenüber dem Umfang des IC-Chips zum Umfang des Substrats führen. Zwischen dem Antennen­ feld 8 auf dem Substrat 14 und den entsprechenden Eingangs­ kontaktanschlüssen auf dem IC-Chip 2 sind Verbindungen mit Hilfe von Lot-Warzen gebildet. Verbindungen mit Hilfe von Lot-Warzen werden auch längs des Umfangs des Silicium- Chips zu den Bahnen 18 auf dem hochbrechenden Substrat hergestellt, damit die zum Ansteuern des IC-Chips 2 er­ forderliche Energie zugeführt und verarbeitete Signale erfaßt werden können. Auf dem Chip 2 sind somit keine Drahtverbindungen gebildet. Das Substrat mit dem darauf beispielsweise unter Verwendung einer Lotlegierung von 95-5 PbSn mit dem Schmelzpunktbereich 310 bis 314°C an­ gelöteten Chip 2 wird dann dicht in eine entsprechend me­ tallisierte Ausnehmung im Sockel des Gehäuses eingelötet. Diese Einlötdichtung wird am besten unter Verwendung eines niedrigschmelzenden Lots bewirkt, beispielsweise einem eutektischen Zinn-Silber-Lot (Schmelzpunkt 221°C, 3,5 Gew.-% Ag), damit eine Störung der Lotwarzen-Verbindungen vermie­ den wird. Anschließend werden Drahtverbindungen 20 von den Verbindungsbahnen auf dem Substrat zu den inneren Leiter­ bahnen auf dem Gehäuse hergestellt, die bleihaltig oder bleilos sein können. Das Gehäuse wird vollendet, indem ein Deckel gemäß der Darstellung dicht angelöstet wird, wobei wieder ein niedrigschmelzendes Lot verwendet wird. Zur Er­ zielung dieser Endabdichtung ohne Unterbrechung der Dich­ tung zwischen dem Substrat und dem Gehäuse kann eine ört­ lich begrenzte Erhitzung erforderlich sein. Die Dicke des hochbrechenden Substrats und die Gehäuseausnehmung sind so ausgelegt, daß das Substrat aus dem Gehäusesockel heraus­ ragt, so daß es in engem Kontakt mit der Rückseite der hoch­ brechenden Linse 10 (mit einem Luftspalt kleiner oder gleich 5 µm) gehalten werden kann. Diese Gehäuseart ist möglicher­ weise dann am geeignetsten, wenn der Chip 10 relativ wenig Energie verbraucht (kleiner oder gleich etwa 0,5 W), da der einzig wirksame thermische Weg vom Chip 2 über die Lotwarzen-Verbindungen verläuft. Der typische Wärmewider­ stand einer einzigen Lotwarzen-Verbindung (95-5 PbSn) mit einem Durchmesser von 100 µm und einer Höhe von 75 µm be­ trägt etwa 270°C/W, und das hochbrechende Substrat, das das nächste Material im thermischen Weg ist, muß keine hohe Wärmeleitfähigkeit haben.

Die in Fig. 10 dargestellte Gehäuseanordnung ist in Wirk­ lichkeit die Umkehrung der Anordnung von Fig. 9, da bei ihr der kleine Chip 14 aus dem hochbrechenden Material auf den Silicium-Chip 2 aufgelötet ist. Bei dieser Anordnung trägt der Chip aus hochbrechendem Material wieder das An­ tennenfeld, jedoch werden nun die innerhalb und außerhalb des Silicium-Chips liegenden Anschlußverbindungen in her­ kömmlicher Weise mit Hilfe von Drahtverbindungen hergestellt. Beim Zusammenbau wird der hochbrechende Chip zuerst mit dem Silicium-Chip verlötet, wobei das Lot mit 95-5 PbSn verwen­ det wird. Der resultierende Hybrid-Chip wird dann in die Ausnehmung des Gehäuses eingebondet, wobei ein Verfahren benutzt wird, das die Lot-Bondverbindungen nicht stört (bei­ spielsweise Gleit-Bondverfahren oder Epoxid-Befestigung). Die Drahtverbindungen 20 werden dann vom Silicium-Chip aus zu den inneren Leitern des Gehäuses gebildet. Das Gehäuse wird vollendet, indem ein hochbrechender Deckel 30 an Ort und Stelle unter Verwendung einer Lötlegierung mit niedrigem Schmelzpunkt festgelötet wird. Während dieses Vorgangs wird der hochbrechende Deckel 30, der einen mittleren flachen Vorsprung aufweist, gegen die Oberfläche des hochbrechenden Chips 14 gehalten, so daß nach dem Abdichten des Gehäuses ein sehr kleiner Spalt zwischen den zwei hochbrechenden Kom­ ponenten aufrechterhalten wird. Ein Spalt bis zu etwa 5 µm kann toleriert werden, falls der hochbrechende Chip dicker als 200 µm ist, d. h. daß der Spalt um mehr als 200 µm vom Antennenfeld entfernt liegt. Diese Größenstruktur erlaubt eine wirksame Wärmeableitung vom Silicium-Chip 2 und somit einen größeren Verlustleistungswert. Bei dieser Struktur können Kühlkörper einfach am Sockel des Gehäuses zur Unter­ stützung der Wärmeableitung angebracht werden. Im Betriebs­ zustand wird das zusammengebaute Gehäuse mit dem freiste­ henden Deckel aus hochbrechendem Material eng in Kontakt mit der Rückseite der hochbrechenden Linse 10 gehalten.

Claims (9)

1. Hybridstruktur mit einer Linse, einem Antennenfeld und einer integrierten Schaltung, dadurch gekennzeichnet, daß das Antennenfeld (8) auf der Oberfläche der Linse (10) oder auf der Oberfläche eines Substrats (14) mit im wesent­ lichen dem gleichen Brechungsindex wie dem Material der Linse (10) angebracht ist, und daß Mittel (6, 12) vorgese­ hen sind, die die Linse (10) oder das Substrat (14) mit im Abstand befindlichen Stellen auf der integrierten Schal­ tung (2) verbinden.

2. Hybridstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Antennenfeld (8) durch fotografische Auflösung einer Metallschicht gebildet wird, die direkt auf dem Mate­ rial mit hohem Brechungsindex aufgebracht ist, aus der die Linse (10) oder das Substrat (14) hergestellt ist.

3. Hybridstruktur nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Verbindungen (6, 12) zwischen den Anten­ nenelementen des Feldes (8) und zuvor festgelegten Bond- Flächen (4) vorgesehen sind, die auf der Halbleiter-Mikro­ schaltung der integrierten Schaltung (2) gebildet sind.

4. Hybridstruktur nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich­ net, daß wenigstens eine der Verbindungen (6) eine elek­ trische Verbindung zwischen den Antennenelementen des Fel­ des (8) und der Halbleiter-Mikroschaltung (2) herstellt und daß wenigstens eine der Verbindungen (12) als mechani­ sche Halteverbindung dient.

5. Hybridstruktur nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich­ net, daß alle Verbindungen (12) zwischen den Antennenele­ menten des Feldes (8) und den zuvor gebildeten Bondflächen (4) der Halbleiter-Mikroschaltung eine mechanische Halte­ funktion ergeben und daß die Antennenelemente des Feldes (8) und die Halbleiter-Mikroschaltung (2) so angeordnet sind, daß sie im Betrieb kapazitiv gekoppelt sind.

6. Hybridstruktur nach einem der Ansprüche 3 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß die Verbindungen (6, 12) unter Verwendung eines Metallwarzen-Bondverfahrens hergestellt werden.

7. Hybridstruktur nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein Lotwarzen-Verfahren angewendet wird.

8. Hybridstruktur nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein Indiumwarzen-Verfahren angewendet wird.

9. Hybridstruktur mit einer Linse, einem Antennenfeld und einer integrierten Schaltung, dadurch gekennzeichnet, daß das Antennenfeld 8 auf einem Substratmaterial gebildet ist, das einen höheren Brechungsindex als das Substratmaterial hat, in dem die integrierte Schaltung (2) gebildet ist.