FR2518811A1 - Dispositif a circuit integre en conteneur de ceramique - Google Patents

Dispositif a circuit integre en conteneur de ceramique Download PDF

Info

Publication number
FR2518811A1
FR2518811A1 FR8211007A FR8211007A FR2518811A1 FR 2518811 A1 FR2518811 A1 FR 2518811A1 FR 8211007 A FR8211007 A FR 8211007A FR 8211007 A FR8211007 A FR 8211007A FR 2518811 A1 FR2518811 A1 FR 2518811A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
integrated circuit
capacitor
terminals
conductive elements
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8211007A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2518811B1 (fr
Inventor
Elliott Philofsky
Ward Parkinson
Dennis Wilson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Avx Components Corp
Original Assignee
AVX Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AVX Corp filed Critical AVX Corp
Publication of FR2518811A1 publication Critical patent/FR2518811A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2518811B1 publication Critical patent/FR2518811B1/fr
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/057Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49589Capacitor integral with or on the leadframe
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48237Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49109Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49112Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting a common bonding area on the semiconductor or solid-state body to different bonding areas outside the body, e.g. diverging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/1016Shape being a cuboid
    • H01L2924/10162Shape being a cuboid with a square active surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12033Gunn diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/15165Monolayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30105Capacitance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE A ENCAPSULAGE DE CERAMIQUE OU UN CONDENSATEUR D'AMORTISSEMENT D'IMPULSIONS SE TROUVE A L'INTERIEUR DU BOITIER DU CIRCUIT INTEGRE. LE DISPOSITIF UTILISE UN CONDENSATEUR DU TYPE PUCE 21 LIE A UNE PARTIE DE SUPPORT INFERIEURE D'UN EVIDEMENT FORME A L'INTERIEUR DU BOITIER 11, CE CONDENSATEUR FORMANT UNE PLATE-FORME QUI SOUTIENT LE DISPOSITIF A CIRCUIT INTEGRE 18. LES FILS CONDUCTEURS 28, 29, T CONNECTES ENTRE LE CONDENSATEUR ET LES BORNES D'ALIMENTATION ELECTRIQUE 27, 27 PEUVENT ETRE MAINTENUS A DES LONGUEURS TRES COURTES, CE QUI MINIMISE LES INDUCTANCES MISES EN JEU ET PERMET D'AMORTIR LES IMPULSIONS PARASITES A L'AIDE DE CONDENSATEURS AYANT DES CAPACITES RELATIVEMENT PETITES.

Description

2 518811
La présente invention concerne les dispositifs à circuit intégré et vise plus particulièrement un dispositif à circuit intégré
du type utilisant un conteneur d'encapsulation en céramique moulée.
Les dispositifs à circuit intégré trouvent de fréquentes applications comme composants de circuits de mémorisation dans des calculateurs et des dispositifs analogues, aussi bien que dans une large variété d'autres appareils électroniques o la compacité et
la fiabilité sont souhaitables.
On sait que la mise en service de circuits de commuta-
tion à l'intérieur de circuits intégrés produit des impulsions qui
sont transmises dans l'alimentation électrique, laquelle alimenta-
tion est également liée aux circuits de mémorisation d'autres dis-
positifs à circuit intégré Lorsqué des impulsions d'une amplitude suffisante sont transmises à un deuxième dispositif à circuit intégré ou à un autre circuit porté par un dispositif à circuit intégré
donné, les impulsions peuvent déclencher des lectures erronées.
De telles lectures erronées sont appelées dans l'industrie "erreur
de logiciel".
Pour minimiser la transmission d'impulsions dans d'autres trajets de circuit, un procédé connu consiste à shunter l'alimentation
électrique de dispositifs à circuit intégré à l'aide d'un condensa-
teur, ledit condensateur de shunt ayant pour fonction d'amortir ou
de minimiser l'admission de parasites ou d'impulsions.
Il est démontré que la longueur des fils du circuit de shunt, par exemple entre le condensateur et le dispositif à circuit intégré connectés à l'alimentation électrique, possède une profonde influence sur la capacité nécessaire pour réaliser un amortissement satisfaisant Plus le fil est long, plus grande est la réactance inductive du circuit d'amortissement et, par conséquent, plus grande
est la valeur de capacité nécessaire-pour effectuer l'amortissement.
Dansles dispositifs connus jusqu'ici, par exemple dans des dispositifs de mémorisation appartenant à des calculateurs, une
pratique classique a consisté à utiliser des condensateurs à l'exté-
rieur du dispositif à circuit intégré, avec pour conséquence que des longueurs notables de conducteurs sont nécessaires pour coupler les circuits intégrés et les condensateurs Ainsi, il faut faire
appel à des capacités relativement élevés pour compenser les lon-
gueurs de fil nécessairement longues L'utilisation d'une grande capacité, en plus du facteur en coût, implique un gaspillage de place, puisque la taille du condensateur nécessaire pour réaliser l'amortissement est souvent égale ou supérieure à celle du circuit
intégré luî-mème.
Pour parvenir à la compacité, il a été suggéré d'encas-
trer directement un condensateur à l'intérieur du dispositif à circuit intégré Un ensemble de cadre de montage et un condensateur qui utilisent un semblable concept sont décrits dans la demande de brevet des EtatsUnis d'Amérique N O 224 127 déposée le 12 janvier 1981 par la demanderesse sous le titre "Integrated Circuit Device and Subassembly". D'autres structures pour lesquelles des tentatives ont été faites de produire un dispositif à circuit intégré possédant
un condensateur associé sont par exemple les brevets des Etats-
Unis d'Amérique N O 4 023 198, 4 105 475, 4 168 507, 4 208 698 et
4 249 196 et le brevet japonais N O 53-121329.
Un moyen également connu consiste à utiliser, comme bottier de circuit intégré, un composant extérieur présentant une cavité à l'intérieur de laquelle la pastille de circuit intégré est placée, cette structure étant révélée par exemple dans le brevet
des Etats-Unis d'Amérique N O 3 697 666.
L'invention peut être résumée comme concernant un dis-
positif à circuit intégré perfectionné et, plus spécialement, un perfectionnement de dispositifs du type dans lequel un composant à circuit intégré, par exemple une pastille de silicium comportant une multiplicité de circuits, est encapsulé dans un boîtier, par exemple une enceinte en céramique Selon l'invention, il est proposé
une enceinte en céramique comprenant une moitié d'enveloppe infé-
rieure et une moitié supérieure qui possède, de façon facultative mais préférable, une forme analogue à celle d'une enveloppe, au
moins pour la moitié inférieure, la moitié supérieure étant égale-
ment de préférence évidée Un condensateur du type puce est monté dans l'évidement et forme une base de soutien dans la moitié
d'enveloppe inférieure.
18811
Le dispositif à circuit intégré est lié à la surface supérieure du condensateur Les connexions sont réalisées entre les bornes d'alimentation électrique de la pastille de circuit intégré et les bornes du condensateur de façon que ce dernier soit en shunt sur les bornes d'alimentation électrique de la pastille. Du fait de la proximité des parties indiquées, la longueur de fil des connecteurs entre les bornes d'alimentation électrique et le condensateur peut être maintenue à une valeur très courte, ce qui permet de produire un circuit présentant une très faible inductance En raison de la faible valeur de l'inductance, les impulsions de commutation transmises à l'alimentation électrique peuvent être efficacement amorties à l'aide d'un condensateur de
très faible capacité La capacité du condensateur peut être suffisamu-
ment faible pour ne pas accroître la dimension globale du dispositif à circuit intégré, par comparaison avec des dispositifs à circuit
intégré classiques, ce qui permet d'obtenir une grande compacité.
Par conséquent, un but de l'invention est de proposer un dispositif à circuit intégré perfectionné du type comportant une
enceinte en céramique.
Un autre but de l'invention est de proposer un dis-
positif à circuit intégré perfectionné du type décrit, qui est logé
à l'intérieur d'une enceinte en céramique comprenant une moitié infé-
rieure possédant un évidement, sur la base de laquelle est monté un condensateur, cette base définissant une plate-forme de montage du dispositif à circuit intégré lui-même Des connexions électriques
internes sont effectuées entre le condensateur et les bornes d'ali-
mentation électrique du dispositif à circuit intégré, lesdites bornes étant de même connectées à des parties conductrices d'un cadre de montage lié à l'enceinte en céramique A titre de variante, au lieu d'un cadre de montage, les parties conductrices peuvent être déposées
par sérigraphie sur l'enceinte en céramique du condensateur.
Ensuite, on lie une deuxième enveloppe de céramique à la première enveloppe de manière à produire un circuit intégré
encapsulé en céramique.
En raison de la proximité du condensateur et du circuit intégré, les fils existant entre les bornes d'alimentation électrique _ du circuit intégré et les bornes du condensateur sont maintenues à une-très courte longueur, ce qui permet d'obtenir un amortissement
efficace avec une capacité minimale -
La description suivante, conçue à titre d'illustration
-5 de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels
la figure 1 est une vue en perspective d'un sous-
ensemble de cadre de montage-monté sur une partie d'un bottier en céramique; la figure 2 est une vue en plan-agrandie fragmentaire des composants de la figure 1 à une phase avancée de la fabrication;
la figure 3 est une vue en-plan de dessus d'un dis-
positif à circuit intégré terminé selon l'invention; la figure 4 est une vue en coupe prise suivant la ligne 4-4 'de la figure 3; et la figure 5 est une vue coupe agrandie analogue à la coupe de la figure 4, montrant un autre mode de réalisation de i'invention. En relation avec les dessins, on peut voir, notamment sur la figure 1, les composants d'un dispositif à circuit intégré selon l'invention, à savoir une feuille allongée, ou pièce en réseau, en métal constituant un cadre de montage, et une moitié d'enveloppe inférieure 11 en céramique destiné à contenir un dispositif à circuit intégré Il faut comprendre que le cadre de montage 10 constitue une
partie d'une feuille allongée dotée d'ouvertures de repérage 12 per-
mettant que la feuille soit déplacée et traitée par une machine automatique pour la mise en oeuvre des opérations décrites ci-après,
Puisque le cadre de montage lui-même et la machine auto-
matique permettant de le déplacer ne font pas partie de l'invention et sont bien connus dans la technique, on n'entreprendra pas d'en
faire une description détaillée Il est suffisant de noter que le
cadre de montage-10 comporte une partie bord 10 et une multiplicité d'éléments conducteurs 14 séparés par des aires découpées 15, si bien que les éléments conducteurs 14 forment des trajets conducteurs, dont les extrémités extérieures constituent des parties de contact 16 (figure 3) et dont les extrémités inférieures sont destinées à
etre connectées aux bornes d'une pastille de circuit intégré 18.
Comme le montre la figure 1, l'enveloppe de céramique 11 comporte une aire d'évidement centrale 19 Les extrémités internes des conducteurs 17 définissant les limites de l'aire-d'évidement 19. De préférence, le cadre de montage 10 est lié à l'enveloppe de céramique 11 par encastrement dans une couche 20 de verre à bas point de fusion de façon que les extrémités supérieures de la couche de verre et les surfaces supérieures des conducteurs 17 se trouvent sensiblement en alignement coplanaire En ce qui concerne la liaison du cadre de montage de la manière indiquée ci- dessus au moyen de l'utilisation d'une couche de verre à bas point de fusion dans laquelle le cadre de montage s'encastre, il s'agit d'une pratique
connue qui est par exemple décrite dans le brevet cité N O 3 697 666.
Un condensateur en céramique 21 est monté dans l'évi-
dement 19 de l'enveloppe en céramique 11, ce montage pouvant être réalisé à l'aide d'une couche de verre à bas point de fusion (non représentée) ou bien à l'aide d'un liant résistant à la chaleur de type équivalent Le condensateur 21 comporte des bornes 22 et 23 qui sont électriquement connectées à une sur deux des couches
d'électrode du condensateur, ainsi que cela est classique.
La surface supérieure 24 du condensateur est liée à
la surface inférieure d'une pastille de circuit intégré 18.
Dans le mode de réalisation donné à titre d'exemple, la surface supérieure 24 du condensateur est d'abord liée à une
couche 25 disposée centralement d'argent, d'or ou d'un métal analogue.
De préférence, on forme la couche 25 en appliquant à la surface supérieure 24 un mélange de métal et de fritte de verre et en les
chauffant sur place, de manière à former une couche fortement adhé-
rente.
On peut lier la pastille 18 au condensateur 21 en interposant entre la couche métallique 25 du condensateur et l'envers de la pastille une préforme de soudure Après chauffage, la soudure fond, liant fermement la pastille de circuit intégré au condensateur, On comprendra qu'il est possible d'employer d'autres moyens de liaison pour faire porter la pastille par le condensateur; S W kaç vj
il suffit simplement que le liant résiste aux opérations de chauf-
fage faisant partie de la suite du traitement.
La pastille de circuit intégré comporte une multipli-
cité de circuits internes (non représentés), auxquels il est prévu des moyens d'accès à l'aide de bornes 26 Les bornes 27, 27 cons-
tituent les bornes d'alimentation électrique de la pastille 18.
Les éléments de connexion 28, 28, se présentant sous forme de cavaliers de courte longueur, enjambent l'intervalle séparant les conducteurs 17 ', 17 ' d'entrée d'alimentation électrique du cadre
de montage et les entrées 27, 27 de la pastille de circuit intégré.
Pour réaliser une connexion entre les bornes du con-
densateur 21 et les bornes d'alimentation électrique 27, 27 de la pastille, il est prévu une deuxième paire de cavaliers 29, 29 ' respectivement entre les bornes 22 et 23 du condensateur et les
bornes 27, 27 de la pastille de circuit intégré.
Des connexions T sont réalisées entre d'autres con-
ducteurs respectifs du cadre de montage et les bornes correspondantes
de la pastille d'une manière connue dans-la technique.
On achève le montage de la pastille en plaçant la
moitié supérieure d'enveloppe de céramique 30 au-dessus de l'assem-
blage précédemment décrit de la moitié d'envel 3 ppe inférieure La moitié d'enveloppe supérieure 30, voir figure 4, peut comporter un évidement 31 disposé en concordance avec l'évidement 19 de la moitié d'enveloppe inférieure de façon qu'il soit défini une chambre 32 entre les moitiés d'enveloppe, afin de laisser la place nécessaire pour les cavaliers T, 28, 29, etc. La moitié d'enveloppe supérieure 30 est liée-à la moitié d'enveloppe inférieure 11 de manière à réaliser un ensemble
hermétiquement fermé De préférence, on-forme la liaison en plaçant -
la moitié inférieure d'enveloppe Il à l'intérieur d'une préforme 33, qui est rectangulaire en plan et qui offre le jeu nécessaire pour
les éléments de connexion 14 an saillie du cadre de montage.
La préforme 33, qui est constituée d'un verre à base de plomb qui se dévitrifie aux basses températures, par exemple 4600 C,
s'étend jusqu'à un niveau 34 légèrement supérieur -(d'environ 127 mi-
crons) au niveau de la surface supérieure des conducteurs 14 -
18811
La périphérie extérieure de la moitié d'enveloppe supérieure, qui est de préférence plus grande que la périphérie extérieure de la moitié d'enveloppe inférieure, repose sur le bord supérieur de la préforme environnante Un poids est appliqué sur la moitié d'enveloppe supérieure, et l'élément composite est soumis
à une température de dévitrification,' ce qui entraîne que la pré-
forme fond et se mélange avec le matériau de la moitié d'enveloppe supérieure en pénétrant également dans tous les interstices qui entourent les conducteurs saillants 14, de manière à définir une
enceinte hermétiquement fermée pour le dispositif à circuit intégré.
Ainsi que cela est connu, les éléments conducteurs 14 sont fléchis sensiblement à angle droit par rapport au plan initial du cadre de montage, et les éléments métalliques du cadre de montage qui relient des conducteurs adjacents sont retirés, de façon à former
le dispositif à circuit intégré tel que présenté sur-la figure 3.
Sur la figure 5, dans laquelle les parties identiques ont reçu des numéros de référence identiques, il est présenté un dispositif à circuit intégré analogue Le dispositif de la figure 5 diffère du mode de réalisation précédemment décrit en-ce que, au lieu du cadre de montage s'étendant sur toute la chambre 32, les conducteurs 35 distincts sont déposés par sérigraphie sur la'moitié
d'enveloppe inférieure 11.
Dans ce mode de réalisation, des cavaliers 36 vont des conducteurs 35 aux bornes 26 Des connexions extérieures aux conducteurs 35 sont réalisées par une série distincte d'éléments métalliques 37, qui peuvent eux-mêmes être constitués d'éléments
d'une bande métallique ultérieurement découpée.
Sur la base de la description qui vient d'être donnée
il est clair qu'il a été produit-selon l'invention un dispositif à circuit intégré encapsulé en céramique qui se distingue en ce
qu'un condensateur du type puce en céramique est encapsulé à l'in-
térieur d'une enceinte de céramique, le condensateur formant un support pour le dispositif à circuit intégré et en ce que des liaisons par cavaliers courts sont réalisés entre les bornes d'alimentation électrique de la pastille de circuit intégré et les bornes du condensateur Du fait de la très courte longueur des cavaliers, il n' y a qu'une réactance inductive minimale ajoutée au circuit, de sorte que l'amortissement d'impulsions produites par des circuits de commutation se trouvant à l'intérieur de la pastille de circuit intégré peut être efficacement réalisé malgré la valeur relativement petite de la capacité. Le dispositif à circuit intégré terminé présente les mêmes dimensions externes que les dispositifs à circuit intégré de
la technique antérieure.
En formant un condensateur intérieur, on évite la nécessité de devoir utiliser des condensateurs externes volumineux
d'une valeur de capacité élevée.
Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'ima-
giner, à partir du dispositif dont la description vient d'être
donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention.
251881 1

Claims (4)

REVENDICATIONS
1 Dispositif à circuit intégré caractérisé en ce qu'il comprend un conteneur en céramique comportant une moitié d'enveloppe inférieure ( 11) possédant une aire d'évidement centrale ( 19) tournée vers le haut et une moitié d'enveloppe supérieure ( 30), les moitiés d'enveloppe étant liées ensemble suivant une ligne de séparation
plane qui coïncide avec la surface supérieure de la moitié d'enve-
loppe inférieure et définissant ensemble une chambre ( 32) présentant une partie de support dans la moitié inférieure, un condensateur du type puce en céramique ( 21) lié à ladite partie de support de
la chambre, le condensateur comportant une partie de surface supé-
rieure et des bornes terminales ( 22, 23), une pastille de circuit.
intégré ( 18) dont l'envers est lié à la partie de surface supérieure du condensateur, la pastille comportant une paire de bornes d'entrée d'alimentation électrique ( 27, 27), chaque borne étant étroitement rapprochée de l'une desdites bornes terminales,-plusieurs éléments conducteurs mutuellement séparés ( 14) qui sont placés entre lesdites moitiés d'enveloppe au niveau de ladite ligne de séparation, les éléments conducteurs étant liés à la surface supérieure de la moitié d'enveloppe inférieure, lesdits éléments conducteurs possédant des parties terminales internes ( 17) qui définissent des parties de bord de la chambre et des parties terminales externes qui font
saillie du conteneur, une première paire de connexions( 29, 295 dis-
posée à l'intérieur de la chambre, chacune s'étendant entre l'une des bornes d'entrée d'alimentation électrique et l'une des bornes terminales, et une deuxième paire de connexions ( 28, 28) disposées à l'intérieur de la chambre, chacune reliant l'une des bornes d'entrée
d'alimentation électrique avec l'un différent desdits éléments con-
ducteurs. 2 Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les conducteurs sont formés d'une feuille de métal qui définit un sousensemble de cadre de montage, ledit sous-ensemble étant lié à la face supérieure de la moitié d'enveloppe inférieure par une couche de composé isolant, les espaces existant entre les éléments conducteurs adjacents étant remplis par des éléments dudit composé isolant, si bien que la surface supérieure des éléments conducteurs
251881 1
et la surface supérieure de ladite couche se trouvent en alignement
sensiblement coplanaire -
3 Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en
ce que ladite couche isolante est constituée de verre.
4 Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en
ce que les éléments conducteurs comprennent une mince couche métal-
lique formée d'une substance en particules fondues ensemble sur place.
Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la moitié d'enveloppe supérieure comporte un évidement, les évidements de la moitié supérieure et de la moitié inférieure étant'
disposés en concordance de façon à définir ladite chambre.
6 Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la liaison entre la surface supérieure du condensateur et l'envers de la pastille de circuit intégré est formé par une couche métallique fixée à ladite surface supérieure, une connexion de soudure étant prévue entre les couches métalliques et ltenvers de la pastille
de circuit intégré.
FR8211007A 1981-12-22 1982-06-23 Dispositif a circuit integre en conteneur de ceramique Granted FR2518811A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/333,411 US4451845A (en) 1981-12-22 1981-12-22 Lead frame device including ceramic encapsulated capacitor and IC chip

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2518811A1 true FR2518811A1 (fr) 1983-06-24
FR2518811B1 FR2518811B1 (fr) 1985-05-24

Family

ID=23302658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8211007A Granted FR2518811A1 (fr) 1981-12-22 1982-06-23 Dispositif a circuit integre en conteneur de ceramique

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4451845A (fr)
JP (1) JPS58111359A (fr)
CA (1) CA1180823A (fr)
DE (1) DE3230959A1 (fr)
FR (1) FR2518811A1 (fr)
GB (1) GB2112204B (fr)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2524712B1 (fr) * 1982-03-31 1985-06-07 Radiotechnique Compelec Circuit hyperfrequence a condensateur integre et application a un circuit d'alimentation
JPS5954249A (ja) * 1982-09-22 1984-03-29 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4595945A (en) * 1983-10-21 1986-06-17 At&T Bell Laboratories Plastic package with lead frame crossunder
GB8412674D0 (en) * 1984-05-18 1984-06-27 British Telecomm Integrated circuit chip carrier
JPS61108160A (ja) * 1984-11-01 1986-05-26 Nec Corp コンデンサ内蔵型半導体装置及びその製造方法
FR2584865B1 (fr) * 1985-07-12 1988-06-17 Inf Milit Spatiale Aeronaut Composant electronique comportant un condensateur
US6330164B1 (en) * 1985-10-18 2001-12-11 Formfactor, Inc. Interconnect assemblies and methods including ancillary electronic component connected in immediate proximity of semiconductor device
DE3619636A1 (de) * 1986-06-11 1987-12-17 Bosch Gmbh Robert Gehaeuse fuer integrierte schaltkreise
DE3626151C3 (de) * 1986-08-01 1995-06-14 Siemens Ag Spannungszuführungsanordnung für eine integrierte Halbleiterschaltung
GB2197540B (en) * 1986-11-12 1991-04-17 Murata Manufacturing Co A circuit structure.
US4862322A (en) * 1988-05-02 1989-08-29 Bickford Harry R Double electronic device structure having beam leads solderlessly bonded between contact locations on each device and projecting outwardly from therebetween
DE3900512A1 (de) * 1989-01-10 1990-07-19 Tucker Gmbh Bostik Halbleiterbauelement fuer ein schaltnetzteil
US5103283A (en) * 1989-01-17 1992-04-07 Hite Larry R Packaged integrated circuit with in-cavity decoupling capacitors
US5043533A (en) * 1989-05-08 1991-08-27 Honeywell Inc. Chip package capacitor cover
US5061686A (en) * 1989-05-15 1991-10-29 Hewlett-Packard Company Superconducting power distribution structure for integrated circuits
JPH088330B2 (ja) * 1989-07-19 1996-01-29 日本電気株式会社 Loc型リードフレームを備えた半導体集積回路装置
JP2527828B2 (ja) * 1990-02-27 1996-08-28 三菱電機株式会社 半導体パッケ―ジ
US5049979A (en) * 1990-06-18 1991-09-17 Microelectronics And Computer Technology Corporation Combined flat capacitor and tab integrated circuit chip and method
US5239447A (en) * 1991-09-13 1993-08-24 International Business Machines Corporation Stepped electronic device package
JP3156945B2 (ja) * 1993-03-24 2001-04-16 富士写真フイルム株式会社 リード・フレーム形成用材の作製方法
US5498901A (en) * 1994-08-23 1996-03-12 National Semiconductor Corporation Lead frame having layered conductive planes
US5530284A (en) * 1995-03-06 1996-06-25 Motorola, Inc. Semiconductor leadframe structure compatible with differing bond wire materials
US6046901A (en) * 1998-05-04 2000-04-04 Motorola, Inc. Support structure, electronic assembly
US6664628B2 (en) 1998-07-13 2003-12-16 Formfactor, Inc. Electronic component overlapping dice of unsingulated semiconductor wafer
US6683781B2 (en) * 2002-05-23 2004-01-27 Industrial Technology Research Institute Packaging structure with low switching noises
US6950300B2 (en) * 2003-05-06 2005-09-27 Marvell World Trade Ltd. Ultra low inductance multi layer ceramic capacitor
US8049323B2 (en) * 2007-02-16 2011-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chip holder with wafer level redistribution layer
US8890287B2 (en) * 2009-05-29 2014-11-18 Power Gold LLC Integrated nano-farad capacitors and method of formation
US10411498B2 (en) * 2015-10-21 2019-09-10 Allegro Microsystems, Llc Apparatus and methods for extending sensor integrated circuit operation through a power disturbance
US10978897B2 (en) 2018-04-02 2021-04-13 Allegro Microsystems, Llc Systems and methods for suppressing undesirable voltage supply artifacts

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2245140A1 (de) * 1971-09-24 1973-03-29 Diacon Einkapselung fuer elektronische bauelemente
US4023198A (en) * 1974-08-16 1977-05-10 Motorola, Inc. High frequency, high power semiconductor package
FR2456388A1 (fr) * 1979-05-10 1980-12-05 Thomson Brandt Microboitier de circuit electronique, et circuit hybride comportant un tel microboitier
JPS568854A (en) * 1979-07-04 1981-01-29 Mitsubishi Electric Corp Package for semiconductor device
US4249196A (en) * 1978-08-21 1981-02-03 Burroughs Corporation Integrated circuit module with integral capacitor
FR2489592A1 (fr) * 1980-09-02 1982-03-05 Thomson Csf Micro-boitier ceramique d'encapsulation de circuit electronique
FR2495837A1 (fr) * 1980-12-09 1982-06-11 Thomson Csf Embase de microboitier d'encapsulation et microboitier comportant une telle embase

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3500066A (en) * 1968-01-10 1970-03-10 Bell Telephone Labor Inc Radio frequency power transistor with individual current limiting control for thermally isolated regions
JPS5332233B1 (fr) * 1968-12-25 1978-09-07
US3846823A (en) * 1971-08-05 1974-11-05 Lucerne Products Inc Semiconductor assembly

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2245140A1 (de) * 1971-09-24 1973-03-29 Diacon Einkapselung fuer elektronische bauelemente
US4023198A (en) * 1974-08-16 1977-05-10 Motorola, Inc. High frequency, high power semiconductor package
US4249196A (en) * 1978-08-21 1981-02-03 Burroughs Corporation Integrated circuit module with integral capacitor
FR2456388A1 (fr) * 1979-05-10 1980-12-05 Thomson Brandt Microboitier de circuit electronique, et circuit hybride comportant un tel microboitier
JPS568854A (en) * 1979-07-04 1981-01-29 Mitsubishi Electric Corp Package for semiconductor device
FR2489592A1 (fr) * 1980-09-02 1982-03-05 Thomson Csf Micro-boitier ceramique d'encapsulation de circuit electronique
FR2495837A1 (fr) * 1980-12-09 1982-06-11 Thomson Csf Embase de microboitier d'encapsulation et microboitier comportant une telle embase

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Patent Abstracts of Japan, vol. 5, no. 59, 22 avril 1981; & JP-A-56 008 854 *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2518811B1 (fr) 1985-05-24
GB2112204A (en) 1983-07-13
US4451845A (en) 1984-05-29
GB2112204B (en) 1986-08-06
JPS6347353B2 (fr) 1988-09-21
JPS58111359A (ja) 1983-07-02
CA1180823A (fr) 1985-01-08
DE3230959A1 (de) 1983-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2518811A1 (fr) Dispositif a circuit integre en conteneur de ceramique
EP0228953B1 (fr) Boîtier d'encapsulation d'un circuit électronique
EP0688051B1 (fr) Procédé de fabrication et d'assemblage de carte à circuit intégré.
EP0310463A1 (fr) Boîtier pour circuit intégré de haute densité
EP0113273B1 (fr) Boîtier d'encapsulation pour semiconducteur de puissance, à isolement entrée-sortie amélioré
FR2521780A1 (fr) Dispositif a circuit integre presentant un moyen d'amortissement interne des signaux transitoires vis-a-vis de plusieurs sources d'alimentation electrique
FR2688629A1 (fr) Procede et dispositif d'encapsulation en trois dimensions de pastilles semi-conductrices.
FR2464560A1 (fr) Boitier moule a deux rangees de broches pour module electronique et son procede de realisation
EP3089211A1 (fr) Composant electronique resistant a l'humidite et procede d'encapsulation d'un circuit electronique pour former un tel composant
EP3154082A1 (fr) Structure dbc amelioree dotee d'un support integrant un materiau a changement de phase
EP0044755B1 (fr) Boîtier d'encapsulation, résistant à de fortes pressions externes, pour circuit hybride
EP0735582B1 (fr) Boítier de montage d'une puce de circuit intégré
EP0321326A1 (fr) Procédé de mise en place sur un support, d'un composant électronique, muni de ses contacts
FR2495837A1 (fr) Embase de microboitier d'encapsulation et microboitier comportant une telle embase
EP3764756A1 (fr) Composant electronique resistant a l'humidite et procede de realisation d'un tel composant
FR2541828A1 (fr) Dispositif de connexion electrique entre deux cartes de circuits imprimes et procede de connexion de deux cartes de circuits imprimes a l'aide d'un tel dispositif
EP0323295B1 (fr) Procédé pour fixer sur un support un composant électronique et ses contacts
FR2688628A1 (fr) Assemblage tridimensionnel de composants electroniques par microfils et galettes de soudure et procede de realisation de cet assemblage.
EP0079265A1 (fr) Procédé de réalisation d'un socle pour le montage d'une pastille semiconductrice sur l'embase d'un boîtier d'encapsulation
FR2529386A1 (fr) Boitier de circuit electronique comportant un condensateur
FR2489592A1 (fr) Micro-boitier ceramique d'encapsulation de circuit electronique
EP0221809B1 (fr) Circuit hybride et procédé de fabrication d'un tel circuit
FR2529385A1 (fr) Microboitier d'encapsulation de circuits integres logiques fonctionnant en tres haute frequence
EP0642163A1 (fr) Procédé d'assemblage tridimensionnel de composants électroniques par boucles de microfils et éléments de soudure
WO2004075304A1 (fr) Procede de realisation d’un module photovoltaique et module photovoltaique realise par ce procede

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse