DE3733304A1 - Vorrichtung und verfahren zum versiegeln eines hermetisch dichten keramikgehaeuses mit einem keramikdeckel - Google Patents

Vorrichtung und verfahren zum versiegeln eines hermetisch dichten keramikgehaeuses mit einem keramikdeckel

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DE3733304A1
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Robert C Byrne
Jon T Ewanich
Chee-Men Yu
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Original Assignee
National Semiconductor Corp
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Description

Die Erfindung betrifft hermetisch versiegelte, in der Regel zur Aufnahme von Halbleiterelemen­ ten dienende Gehäuse. Ein derartiges Element ist in der Halbleiterindustrie als seitlich gelö­ tetes Dual-in-Line-Gehäuse bekannt. Das Ge­ häuse hat eine rechteckige Form und weist an seinen Seiten zwei Reihen aufgelöteter Metall­ stifte auf. Eine im Gehäusekörper vorgesehene Mulde dient zur Aufnahme eines Halbleiterele­ mentes, und mit Hilfe von dafür vorgesehenen Vorrichtungen werden die Bondungswülste (Bondungsinseln) mit den im Gehäuse befind­ lichen Metallbahnen verbunden. Diese Bahnen stellen die stromleitende Verbindung mit den seitlich gelöteten Stiften her. Das Gehäuse wird schließlich durch Aufschweißen oder -löten eines Verschlußdeckels auf die im Ge­ häuse befindliche Mulde hermetisch versiegelt.
Die Gehäusemulde ist in der Regel von einem Metallisierungsring umgeben, der auf dem Keramik­ untergrund haftet. Über dem Ring befindet sich eine Lötvorform und auf dieser ein Metallver­ schlußdeckel. Dieser Aufbau wird erwärmt, um das Lötmittel zu schmelzen, das dann den Metalldeckel und die Metallisierung benetzt. Beim Abkühlen des Lötmittels wird der Deckel durch das Lötmittel auf dem Gehäuse fixiert. Der Metalldeckel besteht in der Regel aus einer Legierung aus Nickel, Eisen, Kobalt und Mangan und ist auch unter dem Namen Kovar bekannt, das mit dem Keramikuntergrund verträglich ist, auf das es aufgetragen wird. Zur Vermeidung von Korrosion wird der Deckel in der Regel mit Nickel und dann mit Gold überzogen. Die Lötvor­ form besteht aus einer Gold-Zinn-Legierung mit einem Schmelzpunkt von etwa 280 Grad C. Alter­ nativ kann der Deckel aber auch aus umweltver­ träglichen Metallen wie Nickel-, Titan-, Tantal-, Niob- oder Wolframlegierungen oder aus rostfreiem Stahl bestehen. Nach dem Auflöten des Deckels auf den Keramikkörper wird auf diesen die Kenn­ zeichnung des Halbleiterelements und andere ge­ wünschte Informationen wie z.B. Herstellercodie­ rung und Herstellungsdatum eingedruckt.
Die Anforderungen an den Metalldeckel sind hoch. Die abschließende Fläche muß rostfrei sein und die Kennzeichnung haltbar aufnehmen. Sie muß mit dem Keramikkörper verträglich und auf diesen auf­ lötbar sein, während sie während der thermischen und mechanischen Behandlung eine hermetische Versiegelung aufrechterhalten muß. Diese in einem Gegensatz stehenden Anforderungen führten zu einer sowohl sehr kostspieligen als auch unzuverlässigen Dichtungsversiegelung. Es ist wünschenswert, die Kosten zu senken und die Zuverlässigkeit des Verschlußdeckels für ein Keramikgehäuse zu erhöhen.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen kostengünstigen Keramikdeckel zur Ver­ siegelung eines Keramikgehäuses zu schaffen.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Schaf­ fung eines Verfahrens zur Herstellung eines kostengünstigen Keramikdeckels zur Herstellung einer zuverlässigen Versiegelung eines Keramik­ gehäuses.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist ebenfalls die Schaffung eines kostengünstigen Keramik­ deckels zur Schaffung einer zuverlässigen Ver­ siegelung in einem Keramikgehäuse, der die Kennzeichnung des Elements aufnimmt und hält.
Ebenfalls ist es weitere Aufgabe der Erfindung, einen kostengünstigen Keramikdeckel zur Schaffung einer zuverlässigen Versiegelung in einem Keramikgehäuse zu schaffen, der die Kennzeich­ nung des Elements haltbar aufnimmt und auch bei rauhen und salzhaltigen Bedingungen der Umgebung frei von Korrosion bleibt.
Diese und andere Aufgaben werden auf die im folgenden beschriebene Art und Weise gelöst.
Dabei wird zur Lösung der gestellten Aufgabe eine Versiegelung eines hermetisch dichten Keramik­ gehäuses, bei der ein Keramikdeckel zur Schaffung einer hermetischen Dichtung auf das genannte Ge­ häuse aufgelötet wird, vorgeschlagen, derart, daß der Deckel eine Platte aus hochtonerdehalti­ ger Keramik mit einer flachen ersten Seite mit einer umlaufenden Kante, die mit einer Ein­ ziehung versehen ist, umfaßt, und eine sich auf der gegenüberliegenden Seite über die Ein­ ziehung in der umlaufenden Kante erstreckende Metallisierungsschicht aufweist, wobei beim Auf­ löten des Deckels auf das Gehäuse eine Lötkehl­ naht geschaffen wird, die sich in die Einziehung erstreckt.
Im einzelnen ist dabei folgendes vorgesehen. Ein hochtonerdehaltiger Keramikdeckel ist entlang der ihn umgebenden Kante mit einer Einziehung versehen. Die mit der Einziehung, Zurück- oder Ausnehmung ver­ sehene Seite ist mit einer die Einziehung be­ deckenden, auf dem Keramikuntergrund haftenden und eine lötbare Fläche schaffenden Metallisierung versehen. Der mit der Metallisierung versehene Deckel wird mit einer zwischem dem Deckel und einem Keramikgehäuse angeordneten Lötform gegen die auf dem Keramikgehäuse befindliche Metalli­ sierung gedrückt. Dieser Aufbau wird dann er­ wärmt, um das Lötmittel zum Schmelzen zu bringen. Das Lötmittel benetzt das Metall auf dem Deckel und das Metall auf dem Gehäuse, so daß es zu der Lötversiegelung kommt. Das Lötmittel bildet eine Kehlnaht, die an der Einziehung im Deckel haftet und dadurch eine sichtbare und zuverlässige hermetische Versiegelung schafft. Der Keramik­ deckel versiegelt das Gehäuse hermetisch und seine Außenfläche ist geeignet, die Markierung des Elements haltbar aufzunehmen. Da sich die Ausnehmung des Keramikdeckels der Ausnehmung des Gehäuses anpaßt, wird die Versiegelung während wiederholter Temperaturbehandlungen keiner Belastung ausgesetzt, so daß die Ver­ siegelung außerordentlich sicher ist. Darüber hinaus hält der Deckel auch chemisch ungünstigen Bedingungen der Umgebung stand.
Weitere Merkmale der Erfindung sind in den Unteransprüchen und in der nachfolgenden Beschrei­ bung angegeben.
In der Zeichnung sind Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt, und zwar zeigt
Fig. 1 den Keramikdeckel nach der Erfindung in einer schaubildlichen Ansicht,
Fig. 2 ein Keramikgehäuse mit Deckel vor dem Versiegeln in einem senkrechten Schnitt,
Fig. 3 ein Keramikgehäuse mit Deckel nach dem Versiegeln in einem senkrechten Schnitt,
Fig. 4 eine zur Herstellung des Deckels ver­ wendete Scheibe,
Fig. 5 einen Ausschnitt aus der Scheibe gemäß Fig. 4 nach der Metallisierung, und
Fig. 6 ein Blockdiagramm zur Darstellung der Gehäusemontage.
In Fig. 1 ist ein Deckel 10 mit einer aufgebroche­ nen Ecke dargestellt, um den inneren Aufbau zu ver­ deutlichen. Der Deckel 10 weist einen Tonerdege­ halt von 92-96 % auf, wobei zur Erzielung einer gewünschten Farbe Pigmente hierin enthalten sein können. Zur Bildung einer Einziehung ist der Deckel 10 entlang seiner Kante bei 11 eingezogen. Die die Einziehung aufweisende Deckelseite ist mit einer Metallisierungsschicht 12 überzogen.
Die entgegengesetzte Seite des Deckels bildet die vom fertiggestellten Gehäuse abgewandte Fläche. Während die hier dargestellte Metalli­ sierung nur einen Teil der Versiegelungsfläche bedeckt, ist an dieser Stelle darauf hinzuwei­ sen, daß sie die Versiegelungsfläche auch voll­ ständig bedecken kann.
In Fig. 2 bildet ein hochtonerdehaltiger Ke­ ramiksockel 13 den Körper eines seitlich ge­ löteten Keramikgehäuses. Die Stifte 14 sind bei 15 an die Seiten des Körpers 13 angelötet. Ein Halbleiterelement 16 ist auf der Metalli­ sierung 17 unten in dem im Körper 13 befind­ lichen Hohlraum befestigt. Eine Stufe in dem Hohlraum ist mit einer Metallisierung 18 ver­ sehen, die mit Hilfe von Drahtanschlüssen 19 mit den Bondungswülsten auf dem Halbleiter­ element 16 verbunden ist. Die Metallisierung 18 der Stufe setzt sich, wie durch die ge­ strichelten Linien dargestellt, durch den Körper 13 fort, um die Lösstellen 15 zu berühren. Auf diese Weise sind die Stifte 14 elektrisch mit dem Halbleiterelement 16 über die im Körper 13 eingebetteten Metallinien verbunden.
Der Körper 13 umfaßt einen Metallisierungsring 20, der den in ihm befindlichen Hohlraum umgibt. Bis zu diesem Punkt der Beschreibung wurde ein herkömmliches seitlich gelötetes Keramikgehäuse beschrieben. Bei den bekannten Verfahren würde eine Metallplatte auf den Metallisierungsring 20 gelötet, um ein hermetisch versiegeltes Ge­ häuse zu erhalten.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein in Fig. 1 dargestellter Keramikdeckel auf den Körper 13 aufgelötet. Hierzu wird, wie in Fig. 2 dargestellt, eine Lötvorform 21 zwischen den Deckel 10 und den Körper 13 gelegt. Fig. 3 zeigt den Querschnitt eines Gehäuses nach dem Löten. Die Lötvorform ist geschmolzen und hat eine Kehlnaht 22 gebildet. Während auch andere Lötmittel zur An­ wendung kommen können, empfiehlt sich die Herstel­ lung der Vorform aus einer eutektischen Gold- und Zinnlegierung mit einem Schmelzpunkt bei ca. 280 Grad C. Ein derartiges Lötmittel erlaubt eine Behandlung des Gehäuses bei über 200 Grad C sowie seine Versiegelung bei Temperaturen, bei denen die Halbleiterelemente unbeschadet bleiben. Schließ­ lich ist ein solches Lötmittel der Umgebung gegen­ über widerstandsfähig und wird in Umgebungsbe­ dingungen, die sich für die meisten herkömmlichen Lötmittel als abträglich erweisen, nicht korro­ dieren.
Wie in Fig. 3 dargestellt ist, hat das Lötmittel eine Kehlnaht 22 gebildet, die sowohl den Körper 13 als auch den Deckel 10 an den Stellen benetzt, an denen eine Metallisierung aufgebracht ist. Die Lötmittelkehlnaht ist nach dem Löten sichtbar und ihr Vorhandensein kann zur optischen Prüfung des Lötvorganges dienen. Die Lötmittelkehlnaht haftet an der Metallisierung des Deckels 10 innerhalb der Einziehung 11, so daß eine gute Versiegelung geschaffen wird. Da sowohl der Körper 13 als auch der Deckel 10 aus Keramik bestehen, dehnen sie sich gemeinsam aus und ziehen sich gemeinsam zusammen, wenn das fertiggestellte Ge­ häuse der Wärmebehandlung unterzogen wird. Die Lötversiegelung wird auf diese Weise durch eine derartige Wärmebehandlung nicht belastet, so daß sich auch bei wiederholten Wärmebehandlungen keine Materialermüdungen zeigen. Es zeigte sich, daß solche Keramikdeckelversiegelungen sehr wider­ standsfähig sind. Während die bereits bekannten Metalldeckel von einem Keramikgehäuse "abgeknipst" werden können, ist dies bei Keramikdeckeln nicht möglich. Um einen versiegelten Keramikdeckel abnehmen zu können, muß er in der Regel zerbro­ chen und stückweise entfernt werden.
Fig. 4 zeigt, wie ein Keramikdeckel kostengünstig hergestellt werden kann. Eine hochtonerdehaltige Scheibe 23 bildet das Ausgangsmaterial, das preiswert sein kann, da die Anforderungen an die Toleranzen niedrig sind. Es können z.B. Scheiben von 4 Quadratzoll (ca. 102 mm) mit einer Stärke von etwa 0,025 Quadratzoll (ca. 0,635 mm) eingesetzt werden. Eine Reihe senkrechter und waagerechter Sägeeinschnitte kann entsprechend der Darstellung vorgesehen werden, die sich über einen Teil (etwa 1/3 bis 1/5) der Scheibe erstrecken und dadurch Einschnitte bilden, wie es in Fig. 5 dargestellt wird, in der eine Teilansicht eines Abschnitts der Scheibe 23 gezeigt wird. Zur Schaffung des Einschnitts 24 läßt sich ein relativ breites Sägeblatt verwenden. Ein Sägeblatt von 10 Mil (0,254 mm) z.B. stellt beim Schneiden eine Tiefe von 5 bis 8 Mil (ca. 0,127 bis 0,203 mm) einen ausreichenden Einschnitt her. In dem dargestellten Beispiel lassen sich von einer einzigen Scheibe von 4 Quadratzoll 64 Deckel von 0,472 Quadratzoll (ca. 12 mm) herstellen. Nachdem die Einschnitte wie dargestellt, herge­ stellt sind, wird die eingesägte Seite mit einer Metallisierung 12 überzogen. Wenngleich eine Vielzahl von Metallisierungsschemen zur Verfügung steht, ist es zu bevorzugen, eine Metallisierungs­ paste im Siebdruckverfahren aufzubringen. Die Suspension von Partikeln einer Palladium-Silber- Legierung in einem organischen Binde- und Lö­ sungsmittel (wie z.B. DuPont 9770) wird z.B. durch die Zugabe von Lösungsmittel (wie DuPont 9180) verdünnt, um eine für das Siebdruckver­ fahren geeignete Pastenkonsistenz zu erhalten. Die Paste wird im Siebdruckverfahren auf die Scheibe aufgebracht und anschließend während der Dauer von zehn Minuten bei 150 Grad C getrocknet. Wenn gewünscht, wird eine zweite derartige Schicht im Siebdruckverfahren auf die Scheibe aufgetragen und getrocknet. Nach Erreichen einer ausreichenden Pastenstärke wird die Scheibe während einer Dauer von zehn Minuten bei einer Höchsttemperatur von ca. 870° C ± 5°C ge­ brannt. Das Brennen bei Höchsttemperatur dauert eine Stunde. Während dieser Zeit werden die rest­ lichen organischen Stoffe verbrannt und das Glas geschmolzen, um eine Palladium-Silber-Feststoff- Masse zu erhalten, die in einem Glasbinder fest­ gehalten wird. Die dadurch entstehende Schicht 12 ist elektrisch leitend und haftet gut am hochtonerdehaltigen Keramikuntergrund. Die Schicht wird ebenfalls leicht durch herkömm­ liches Lötmittel benetzt.
Nach dem Brennen der leitenden Schicht 12 auf die Keramikscheibe wird ein "Nikko"-Band mit einem Metallhaltering (nicht dargestellt) auf die nicht metallisierte Seite der Scheibe auf­ gebracht, so daß die Scheibe in einzelne Deckel zersägt werden kann. In diesem Arbeitsgang wird die Scheibe (und ein Teil des Haltebandes) wie durch die gestrichelten Linien bei 25 in Fig. 5 angedeutet, mit einem dünnen Sägeblatt mit einer Stärke von etwa 3 Mil (ca. 0,077 mm) durchgesägt. Es ist erkennbar, daß die ursprünglichen Säge­ einschnitte die gewünschten Einziehungen an den Kanten bilden. Nach dem letzten Sägen wird das Halteband mit einem entsprechenden chemischen Lösungsmittel entfernt. Hierdurch entsteht eine Gruppe metallisierter Keramikdeckel. Da die Me­ tallisierung im Siebdruckverfahren aufgebracht wird, kann das Verfahren auch zur selektiven Metallisierung nur des Bereiches der Sägeein­ schnitte angewandt werden. Andererseits bedeckt die Metallisierung die Seite der Sägeeinschnitte vollständig.
Zur Herstellung eines Gehäuses für Halbleiter­ elemente wird ein in Fig. 6 dargestelltes Ver­ fahren eingesetzt, um die Bauteile nach Fig. 2 und 3 herzustellen. Die Vorform 21 nach Fig. 2 besteht vorzugsweise aus 80% Gold und 20% Zinn. Wie in dem Blockdiagramm 26 dargestellt, wird das Halbleiterelement 16 innerhalb des Hohlraums mit Hilfe herkömmlicher Mittel wie durch Löten oder mit Hilfe leitfähigen Klebers befestigt. Dann werden die Bondungswülste der Halbleiterelemente mit den Leitern des Gehäuses mit Hilfe von Aluminium- oder Golddrähten 16 oder durch mit Hilfe von Kupferspinnen gebondete (nicht darge­ stellt) Bandvorrichtungen verbunden. Danach wird das Gehäuse in einer Montagevorrichtung (ebenfalls nicht dargestellt) montiert, in der, entsprechend dem Blockdiagramm 26 ein Deckel in eine Position über einer Vorform 21 gepreßt wird. Dann durch­ läuft die Montagevorrichtung einen Ofen, in dem sie während der Dauer von ca. 5 Minuten einer Höchsttemperatur von ca. 340° C ausgesetzt wird. Während des Brennens wird die Lötversiegelung, die bei 22 in Fig. 3 dargestellt, erreicht, um den im Blockdiagramm 28 dargestellten Effekt zu erzielen. Wie in Block 29 dargestellt wird, wird das Verfahren durch die visuelle Prüfung der letzten Versiegelung vervollständigt. Die fertig­ gestellten Elemente werden entsprechend der Dar­ stellung im Blockdiagramm 30 markiert.
Zusammenfassend wird gemäß der vorliegenden Er­ findung ein seitlich gelötetes Keramikgehäuse mit einer Versiegelungsdichtung durch einen hochtonerdehaltigen Keramikdeckel versehen, dessen Zusammensetzung der des Gehäusekörpers entspricht. Der Deckel weist dabei eine Ein­ ziehung in der Dichtungsfläche auf, und die Dichtungsfläche ist mit einer Metallisierung versehen, die auf dem Keramik haftet und durch Lötmittel benetzt wird. Der metallisierte Kera­ mikdeckel wird mit Hilfe eines herkömmlichen Gold-Zinnlötmittels auf den Metallisierungsring auf dem seitlich gelöteten Keramikgehäuse ver­ siegelt. Die dadurch entstandene hermetische Versiegelung läßt sich durch Begutachtung der Lötkehlnaht in der Zurücknehmung des Deckels überprüfen. Eine solche Dichtungsversiegelung ist vollkommen hermetisch und hält wiederholten Wärmebehandlungen problemlos stand.

Claims (14)

1. Versiegelung eines hermetisch dichten Keramik­ gehäuses, bei der ein Keramikdeckel zur Schaffung einer hermetischen Dichtung auf ein Gehäuse aufgelötet wird, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Deckel (10) eine Platte aus hochtonerdehaltiger Keramik mit einer flachen ersten Seite und einer ihr gegenüber­ liegenden Seite mit einer umlaufenden Kante, die mit einer Einziehung (11) versehen ist, umfaßt, und eine sich auf der gegenüberlie­ genden Seite über die Einziehung (11) in der umlaufenden Kante erstreckende Metallisierungs­ schicht (12) aufweist, wobei beim Auflöten des Deckels (10) auf das Gehäuse (13) eine Lötkehlnaht geschaffen wird, die sich in die Einziehung (11) erstreckt.
2. Versiegelung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die auf den Deckel (10) auf­ gebrachte Metallisierungsschicht (12) nach ihrer Lötbarkeit und ihrem Haftverhalten auf einer Keramikoberfläche ausgewählt ist.
3. Versiegelung nach Anspruch 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Metallisierungs­ schicht (12) aus einer Paladium-Silber- Legierung besteht.
4. Versiegelung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Metalli­ sierungsschicht (12) die gegenüberliegende Seite des Deckels (10) vollständig bedeckt.
5. Versiegelung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Me­ tallisierungsschicht (12) den sich un­ mittelbar an die Einziehung (11) an­ schließenden Teil der gegenüberliegenden Seite des Deckels (10) bedeckt.
6. Verfahren zur Herstellung des Keramik­ deckels zur Schaffung einer Versiegelung in einem hermetisch dichten Keramikgehäuse, das folgende Schritte umfaßt:
Beginn mit einer Keramikplatte (23) mit flachen sich gegenüberliegenden Seiten,
Bildung einer Reihe von Einziehungen (24) in einer ersten Fläche der Platte (23), die sich nur teilweise über die gesamte Platte (23) erstrecken, wobei die Ein­ ziehungen (24) eine im wesentlichen vor­ bestimmte Breite aufweisen und die Ein­ ziehungen (24) zur Umreißung einer Viel­ zahl von Keramikdeckelstrukturen aus­ gebildet sind,
Aufbringung einer Metallisierungsschicht (12) auf die erste Seite nach Ausbildung der Einziehungen (24), so daß die Ein­ ziehungen (24) metallisiert werden, und
Auseinanderschneiden der Scheibe inner­ halb der Umgrenzungen der Einziehungen (24) zur Herstellung einer Vielzahl einzelner Deckel (10) mit einer Metalli­ sierung (12) in den so hergestellten Einziehungen (11) der umlaufenden Kan­ ten.
7. Verfahren nach Anspruch 6, in dem die Auf­ bringung der Metallisierungsschicht folgende Schritte umfaßt:
Bildung einer Paste aus Metallpartikeln, Glaspulver, Binder und Lösungsmitteln,
Aufbringung der Paste im Siebdruckver­ fahren auf die Scheibe, und
Brennen der Scheibe zur Entfernung des Lösungsmittels und des Bindemittels,
um eine Maske aus Metallpartikeln in einer Glasstruktur zu erhalten, die auf der Ke­ ramikgrundlage haftet.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Paste im Siebdruckverfahren aufgetragen wird, um die erste Fläche der Keramikplatte (23) vollständig zu bedecken.
9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Siebdruckverfahren auf die Einziehungen (24) und die sich direkt an diese anschließenden Flächenbereiche angewandt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Schritt der Formung durch Sägen ausgeführt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der genannte Schneideschritt durch Sägen mit Hilfe eines Sägeblattes durchgeführt wird, das im Vergleich zu dem in dem genannten Formungsschritt verwendeten Sägeblatt dünn ist.
12. Verfahren zur Herstellung einer Versiegelung in einem hermetisch dichten Keramikgehäuse aus einem hochtonerdehaltigen Keramikkörper, der zur Aufnahme eines elektronischen Ele­ mentes in einer seiner Seiten mit einer Mulde versehen ist, wobei die Mulde von einem Me­ tallisierungsring auf der genannten Seite umgeben ist wobei das Verfahren die folgen­ den Schritte umfaßt:
Bildung einer hochtonerdehaltigen Keramikkappe (10) mit einer umlaufenden Zurücknehmung (11) in einer ihrer Seiten,
Bildung einer Metallisierungsschicht (12) auf der genannten Seite der Kappe, in der die Einziehung (11) mit der Metalli­ sierung (12) bedeckt ist,
Aufbringung einer Lötvorform (21) auf den Keramikkörper (13) in Deckungsgleichheit mit dem genannten Metallisierungsring,
Auflegen des Deckels (10) auf die Löt­ vorform (21) so, daß die Metallisierung (12) auf der Deckelseite mit der Lötvor­ form (21) Kontakt hat, und
Brennen des genannten Körpers (13) mit der Lötvorform (21) und dem aufliegen­ den Deckel (10) so, daß das Lötmittel schmilzt und den Deckel (10) auf dem Körper (13) zur Herstellung der herme­ tischen Versiegelung befestigt.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Metallisierung (12) aus Metallpartikeln in einer Glasmaske und das Lötmittel aus einer Metallegierung besteht, die bei einer für das elektronische Element verträglichen Temperatur schmilzt.
14. Verfahren nach Anspruch 13, in dem das elek­ tronische Element ein integrierter Silicium­ schaltkreis ist, die Metallisierung aus einer Paladium-Silber-Legierung und die Lötlegierung aus Gold und Zinn besteht.
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