DE3640248A1

DE3640248A1 - Halbleitervorrichtung

Info

Publication number: DE3640248A1
Application number: DE19863640248
Authority: DE
Inventors: Hem P Takiar
Original assignee: National Semiconductor Corp
Current assignee: National Semiconductor Corp
Priority date: 1985-12-16
Filing date: 1986-11-25
Publication date: 1987-06-19
Also published as: GB2184288A; GB8614593D0; FR2591802A1; JPS62145758A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervor richtung mit mindestens einem zum Anlöten oder Bonden an Kupfer dienenden Kontaktfeldaufbau. Der Aufbau oder die Anordnung des Kontaktfeldes bezweckt inbesondere die Verbindung von Halbleitervorrichtungen mit dazuge hörigen Leiterrahmen oder anderen äußeren Schaltungen durch automatisches Bandlöten bzw. -schweißen oder Bonden. Vor allem befaßt sich die Erfindung mit dem Verhindern der Oxydation von Kupfer an oder in der Nach barschaft von Kontaktfeldern.

Das automatische Bandschweißen bzw. -löten oder Bonden (tape automated bonding) ist ein Verfahren zum gleichzeitigen Verbinden einer Mehrzahl von Kontakt feldern an einer Halbleitervorrichtung mit einer äußeren Schaltung, insbesondere mit entsprechenden Leitern an einem Leiterrahmen, auf dem die Halbleitervorrich tung angebracht werden soll. Die zum Bonden dienenden Kontaktfelder sind gewöhnlich aus Kupfer hergestellt und bilden die Ein- und Ausgangsanschlüsse der Halb leitervorrichtung.

Zum automatischen Bonden wird ein Metallband ver wendet, in der Regel ein dünnes Kupferband oder ein plattiertes Kupferband, an welchem kurze Anschlußarme ausgebildet sind. Durch Ausrichten des Bandes mit der Halbleitervorrichtung können die inneren Enden der Anschlußarme durch Bonden mit den Kontaktfeldern an der Halbleitervorrichtung in einem einzigen Arbeitsgang verbunden werden, in der Regel durch Thermokompression oder Rückfluß (reflow), um die inneren Leiterverbin dungen herzustellen. Nachdem die inneren Leiterverbin dungen hergestellt sind, werden äußere Leiterverbindungen zwischen den äußeren Enden der Anschlußarme und den Leitern des Leiterrahmens hergestellt; das überschüssige Bandmaterial wird abgeschnitten.

Bei der Herstellung der inneren Leiterverbindungen ist es erforderlich, daß ein Vorsprung oder Buckel ent weder an den Anschlußarmen oder dem Kontaktfeld vorge sehen wird. Er dient dazu, einerseits das zur Herstellung der Verbindung notwendige Metall bereitzustellen, und andererseits den erforderlichen Höhenabstand zwischen dem Anschlußarm und dem Halbleiterplättchen zu schaffen. In jedem Falle ist es wichtig, dafür zu sorgen, daß das Kupferanschlußkontaktfeld oder das mit einem Buckel ver sehene Kupferanschlußkontaktfeld eine Vorbehandlung erfährt, um die Oxydation des Kupfers zu hindern, da eine solche die Güte der Verbindung und den elektrischen Kontakt mit dem Leiterarm beeinträchtigen würde.

Bislang war es üblich, zum Schutz gegen Oxydation des Kupfers an dem Kontaktfeld oder dem mit einem Buckel versehenen Kontaktfeld eine Beschichtung mit einer dünnen Lage von Gold auf der obersten Schicht der Halbleiter vorrichtung vorzusehen, in der Regel durch Besprühen oder Anwendung eines nicht-elektrischen Goldplattie rungsbades. Die Goldschicht war gewöhnlich dünn, ihre Dicke betrug etwa 500 Angström, und die inneren Leiter waren in üblicher Weise entweder durch Verwendung eines gebuckelten Kupferbandes oder eines flachen Kupferbandes hergestellt.

Die Verwendung von Gold zum Oxydationsschutz von Kupfer ist zwar im allgemeinen brauchbar, aber mit be stimmten Nachteilen behaftet. Vor allem bei höheren Temperaturen diffundiert das Gold in das benachbarte Kupfer, wobei das Kupfer der Oxydation ausgesetzt bleibt. Die Möglichkeit der Diffusion erfordert die Verwendung dickerer Goldschichten, um einen angemessenen Schutz des darunterliegenden Kupfers zu gewähren, und in manchen Fällen wird dadurch auch die Fähigkeit der Goldschicht zum Schutz des Kupfers gegen Oxydation vermindert.

Es besteht daher ein großes Interesse daran, andere Möglichkeiten zum Schutz von Kupferanschlußkontaktfeldern und gebuckelten Kupferkontaktanschlußfeldern gegen Oxy dation zu schaffen. Vor allem ist es wichtig, andere schützende Beschichtungsmaterialien zu finden, die elek trisch leitfähig sind, in den bei Halbleitern in Betracht kommenden Umfeldern nicht reaktiv sind, eine geringe Fähigkeit zum Diffundieren in Kupfer aufweisen und in welche zu Diffundieren auch das Kupfer eine geringe Fähigkeit besitzt, und die sich leicht auf der Ober fläche von Halbleitervorrichtungen anbringen lassen.

Das automatische Bandlöten bzw. -schweißen oder Bonden an Halbleitervorrichtungen mit Anschlußkontakt feldern, die mit einem Buckel versehen sind, ist all gemein in der U.S. Patentschrift 40 00 842 beschrieben. Das automatische Bandbonden unter Verwendung von ge buckeltem Band ist in der U.S. Patentschrift 42 09 355 beschrieben. Die Verwendung verschiedener oxydations hindernder Schichtungen wie Gold, Chrom und Kupfer phosphat auf Kupferanschlußfeldaufbauten ist in der U.S. Patentschrift 41 88 438 beschrieben.

Die Erfindung befaßt sich mit verbesserten Möglich keiten zur Verhinderung der Oxydation von Anordnungen zur Verbindung mit Kupfer an Halbleitervorrichtungen (Halbleiterbausteinen). Die Anordnungen zur Verbindung mit Kupfer sind solche, wie sie für das automatische Bandlöten oder -schweißen der Halbleiter an einen Leiter rahmen oder eine andere äußere Schaltung benutzbar sind. Insbesondere bilden die Anordnungen zur Verbindung mit Kupfer die inneren Leitungsanschlüsse mit den Anschluß armen des Kupferbandes, mit dem die Halbleitervorrich tung verbunden werden soll. Die Erfindung ist sowohl anwendbar mit gebuckelten Anschlußkontaktfeldanordnungen, die mit einem flachen Kupferband zusammenpassen sollen, als auch mit buckelfreien, also flachen Anschlußfeld anordnungen, die mit gebuckelten Bändern zusammen passen sollen.

Erfindungsgemäß wird eine Schicht aus Palladium als Oxydationsschutz auf den Kupferanschlußfeldanord nungen angebracht. Vorzugsweise wird die Palladium schicht bis zu einer Dicke im Bereich von 80 bis 300 Angström oder noch besser im Bereich zwischen 100 und 200 Angström aufgebracht. Dieses Aufbringen geschieht in der Regel durch Aufsprühen. Es wurde gefunden, daß Palladium im Gegensatz zu den aus Gold bestehenden Oxydationsschutzschichten bekannter Art eine sehr niedrige Fähigkeit zur Wanderung in die angrenzende Kupferschicht aufweist, und zwar auch bei hohen Tempe raturen. Darüber hinaus widersteht auch das Kupfer einer Wanderung in das Palladium, selbst bei den gleichen hohen Temperaturen. Es wurde ferner gefunden, daß Palladium sich durchaus mit der Formierung elektrischer Anschlußverbindungen niedrigen Widerstandes zwischen dem zu bondenden Band und der zu bondenden Kontaktfeld anordnung verträgt, und daß es sich im wesentlichen nicht reaktiv verhält unter den Bedingungen, denen der Halbleiter normalerweise ausgesetzt ist. Vor allem ist das Palladium auch hoch-widerstandsfähig gegen Reaktion in hoch-sauerstoffhaltigen Umfeldern bei erhöhten Tem peraturen.

Im folgenden ist die Erfindung anhand der Zeich nungen beispielsweise näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 ein mit Aluminium metallisiertes Kon taktfeld, das vor der Ausbildung des zum Bonden an Kupfer dienenden Kontaktfeldaufbaues gemäß der Erfin dung von zwei Isolierschichten abgedeckt ist;

Fig. 2 das metallisierte Kontaktfeld von Fig. 1 nach Einätzen einer Öffnung in die Isolierschichten zur Schaffung eines Zuganges zu dem metallisierten Kontaktfeld;

Fig. 3 das gemäß Fig. 2 freigelegte metalli sierte Kontaktfeld, nachdem übereinander auf dieses Schichten aus Aluminium, Nickel und Kupfer nachein ander aufgebracht worden sind;

Fig. 4 den metallisierten Kontaktfeldaufbau von Fig. 3, zusätzlich versehen mit einer darüber an gebrachten Photoresistschicht;

Fig. 5 den Aufbau von Fig. 4 nach Exponierung und Entwicklung der Photoresistschicht, so daß alle anderen Flächenteile dieser mit Ausnahme derjenigen, welche das metallisierte Kontaktfeld überlagern, ent fernt sind;

Fig. 6 den Kupferanschlußkontaktfeldaufbau gemäß der Erfindung nach Ätzen der Kupfer-, Nickel und Aluminiumschichten und Abstreifen des Photo resists;

Fig. 7 den Kupferanschlußkontaktfeldaufbau von Fig. 6 nach Anbringung einer Palladiumschicht zur Hinderung der Oxydation des Kupfers; und

Fig. 8 eine andere Ausführungsform der Er findung, bei welcher der Kupferanschlußkontaktfeld aufbau von Fig. 6 mit einem Kupfervorsprung oder -buckel versehen ist und eine Palladiumbeschichtung aufweist, um die Oxydation des Kupferbuckels zu hindern.

Durch die Erfindung wird ein verbesserter Kupfer anschlußkontaktfeldaufbau, insbesondere für automa tisches Bandbonden von Halbleitervorrichtungen ge schaffen. Der Kupferanschlußkontaktfeldaufbau weist die kennzeichnende Besonderheit auf, daß er mit einer abschließenden Palladiumschicht versehen ist, die eine Hinderung der Oxydation des Kupferanschlußkontaktfeld aufbaues bewirkt, aber gleichzeitig das Bonden des Kupferkontaktfeldaufbaues durch Thermokompression an ein Band, wie es gewöhnlich zum Bonden verwendet wird, insbesondere ein Kupferband, ermöglicht. Die Palladium schicht besteht in der Regel aus reinem Palladium oder einer Legierung, die in erster Linie aus Palladium besteht, und wird durch Aufsprühen oder nicht-elek trisches Plattieren im Endstadium der Plättchenher stellung aufgebracht.

Bei der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird der Kupferanschlußkontaktfeldaufbau aus drei Metallschichten gebildet, die nacheinander über einem freiliegenden, mit Aluminium metallisierten Kontakt feld aufgebracht sind; dieser Aufbau hindert die Wan derung des Kupfers aus dem Anschlußkontaktfeld in das darunter liegende Aluminium. Wenngleich dies die bevor zugte Ausführungsform ist, so ist doch die Erfindung in gleicher Weise vorteilhaft nutzbar mit anderen Kon taktfeldaufbauten, die zur Zeit bekannt sind und künftig entwickelt werden mögen. Die Erfindung bezieht sich auf die Verhinderung der Oxydation des freiliegenden Kupfers an dem Kupferanschlußkontaktfeldaufbau. Sie ist nicht beschränkt auf die besondere Art und Weise, in der das Kupfer mit den unterlegten Schaltungselementen verbunden ist.

Anhand der Fig. 1 bis 8 wird die Herstellung der Kupferanschlußkontaktfeldaufbauten gemäß der Erfindung im einzelnen näher beschrieben. Fig. 1 veranschaulicht ein Halbleitersubstrat 10, auf dessen Oberfläche ein mit Aluminium metallisiertes Kontaktfeld 12 ausgebildet ist. Über dem metallisierten Kontaktfeld 12 sind passi vierende Schichten 14 und 16 in bekannter Art und Weise hergestellt. Um den Kupferanschlußkontaktfeldaufbau gemäß der Erfindung zu schaffen, ist es zunächst not wendig, eine Zugangsöffnung durch die Isolierschichten 14 und 16 auszubilden. Dies kann durch photolithographische Verfahren bekannter Art geschehen, so daß die Öffnung 18 entsteht, wie in Fig. 2 veranschaulicht.

Nach der Herstellung der Öffnung 18 kann eine Alu miniumschicht 20 (Fig. 3) direkt auf dem mit Aluminium metallisierten Kontaktfeld 12 sowie als Beschichtung der Isolierschicht 16 aufgebracht werden. Die Aluminium schicht wird in der Regel eine Dicke von mindestens 2000 Angström oder noch besser im Bereich zwischen 2000 und 6000 Angström, vorzugsweise etwa 4000 Angström, haben. Da die Aluminiumschicht direkt auf dem mit Aluminium metallisierten Kontaktfeld 12 angebracht wird, kann die Aluminiumschicht durch Aufsprühen, Aufdampfen oder nach einem anderen gebräuchlichen Verfahren angebracht werden.

Nachdem die Aluminiumschicht 20 aufgebracht ist, wird eine Nickelschicht 22 direkt über der Aluminium schicht angebracht. Die Nickelschicht 22 kann nach ge bräuchlichen Verfahren, in der Regel durch Aufsprühen, aufgebracht werden; sie bildet eine Aluminiumlegierung an der Grenzfläche zwischen den Schichten 20 und 22. Die Dicke der Nickelschicht ist ausreichend, um die Wan derung des Kupfers in das Aluminium zu verhindern; sie beträgt in der Regel mindestens etwa 2000 Angström oder noch besser sie liegt im Bereich zwischen 2000 und 5000 Angström, vorzugsweise bei etwa 3000 Angström.

Danach wird eine Kupferschicht 24 bis zu einer Dicke von mindestens 4000 Angström aufgesprüht, in der Regel im Bereich von etwa 4000 bis 15 000 Angström, vorzugsweise von etwa 8000 Angström. Die Kupferschicht kann, wie an sich bekannt, zum direkten Bonden an das gebuckelte Kupferband dienen.

Nach Anbringung der drei Metallschichten 20, 22 und 24 des metallisierten Anschlußfeldaufbaues wird eine Photoresistschicht 26 (Fig. 4) auf der Halbleitervor richtung angebracht. Der Photoresist wird zur Bestimmung der Grenzen des metallisierten Kontaktfeldaufbaues be nutzt. Zunächst wird der Photoresist exponiert und ent wickelt, so daß der Photoresist vom größten Teil der Oberfläche der Halbleitervorrichtung entfernt wird, aber oberhalb des mit Aluminium metallisierten Kontaktfelds 12 verbleibt, wie in Fig. 5 dargestellt. Die Schichten aus Kupfer bzw. Nickel 22, 24 werden dann mit einer Ätzflüssigkeit wie Salpetersäure und Wasserstoffperoxid und anschließend durch eine Aluminiumätzung in einer Mischung aus Phosphorsäure und Essigsäure behandelt. Die Ätzungen werden fortgesetzt, bis die Metallschichten im wesentlichen von allen Flächenteilen der Halbleiter vorrichtung mit Ausnahme derjenigen oberhalb des me tallisierten Kontaktfelds 12 entfernt sind, das durch die Photoresistkappe 26 a (Fig. 5) geschützt ist. Die Photoresistkappe 26 a wird dann abgenommen und das Kupfer in einer milden Säure gereinigt. Der sich daraus er gebende Aufbau ist in Fig. 6 dargestellt.

Der in Fig. 6 dargestellte Aufbau ist im allge meinen für das Bonden durch Thermokompression an ein Kupferband geeignet. Die freiliegende Kupferschicht 24 ist jedoch der Oxydation unterworfen, wenn die Halb leitervorrichtung einer Sauerstoff enthaltenden Um gebung ausgesetzt wird. Eine solche Oxydation ist un erwünscht, da sie sich mit der Formierung einer Bin dung geringen Widerstandes mit dem Kupferband nicht verträgt.

Daher wird in einer ersten Ausführungsform der Erfindung gemäß Fig. 7 die Oxydation des Kontaktfeld aufbaues 24 durch die Anbringung einer dünnen Palla diumschicht 30 auf der Oberseite der aus Kupfer be stehenden Metallisierungsschicht 24 gehindert. Die Palladiumschicht 30 wird auf der gesamten Oberseite der Halbleitervorrichtung entweder durch Aufsprühen oder durch nicht-elektrisches Plattieren angebracht. Die Palladiumschicht 30 wird dann von allen Flächen teilen des Plättchens bis auf die Kupferanschlußkon taktfelder 24 durch gebräuchliche photolithographische Maskierungsverfahren entfernt. Stattdessen kann aber auch wahlweise die Palladiumschicht durch Aufsprühen oder Aufdampfen auf den Aufbau gemäß Fig. 3 angebracht werden. Das überschüssige Palladium wird dann während des nachfolgenden Ätzvorganges der in Verbindung mit den Fig. 4 bis 6 beschrieben wurde, entfernt.

In jedem Fall wird das Palladium schließlich bis zu einer Dicke im Bereich von 80 bis 300 Angström oder noch besser in dem Bereich von 100 bis 200 Angström aufgebracht. Es wurde gefunden, daß die Palladium schichten unter etwa 80 Angström häufig Unstetigkeiten bezüglich der Abdeckung des Kupfers aufweisen und daher für die Hinderung der Oxydation weniger wirksam sind. Im Gegensatz hierzu sind Palladiumschichten mit einer Dicke von mehr als etwa 300 Angström sehr brüchig und neigen zur Rißbildung während des Bondens an das Kupferband durch Thermokompression. Die Palladium schicht 30 wird in der Regel durch Aufsprühen aufge bracht, wenngleich nicht-elektrisches Plattieren eben falls stattfinden kann.

In Fig. 8 ist eine zweite Ausführungsform der Er findung dargestellt. Ein Kupfervorsprung oder -buckel 32 ist direkt auf der Oberseite der Kupferschicht 24 aus gebildet. Der Kupfervorsprung 32 ist durch herkömmliche Verfahren hergestellt; er ragt in der Regel um etwa 0,0254 mm (0,001 Zoll) über die Oberseite der Halbleiter vorrichtung hinaus. Dann wird eine Palladiumschicht 34 über dem Kupferbuckel nach einem der in Verbindung mit Fig. 7 beschriebenen Verfahren aufgebracht. Wie in Fig. 8 gezeigt, kann die Palladiumschicht 34 auf den Aufbau gemäß Fig. 3 aufgebracht und danach mit den Schichten 20, 22 und 24 weggeätzt werden, da die senk rechten Flächen des Palladiums entfernt worden sind.

Nach der Aufbringung der Palladiumschicht 30 oder 34 sind die Halbleitervorrichtungen im allgemeinen bereit für die der herkömmlichen Technik entsprechende Formierung der Verbindungen der inneren Leiter mit dem Kupferband.

Die Ausführungsbeispiele sollen mit ihren Einzel heiten nur zur Veranschaulichung und zur Erleichterung des Verständnisses der Erfindung dienen, sie haben jedoch keine beschränkende Bedeutung.

Claims

1. Halbleitervorrichtung mit mindestens einem zum Anlöten oder Bonden an Kupfer dienenden Kontaktfeldauf bau, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktfeldaufbau mit einer Beschichtung aus Palladium versehen ist, die dazu dient, die Oxydation des angrenzenden Kupfers zu hindern.

2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die aus Palladium bestehende Be schichtung eine Dicke im Bereich von 80 bis 300 Angström hat.

3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die aus Palladium bestehende Beschichtung durch Besprühen oder nicht-elektrisches Plattieren (electroless plating) angebracht ist.

4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zum Anlöten oder Bonden an Kupfer dienende Kontaktfeldaufbau als Buckel ausgebildet (bumped) ist.

5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zum Anlöten oder Bonden an Kupfer dienende Kontaktfeldaufbau buckel frei ausgebildet, also im wesentlichen flach ist.

6. Halbleitervorrichtung mit mindestens einem zum Anlöten oder Bonden an Kupfer dienenden Kontaktfeldauf bau, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktfeld mit Aluminium metallisiert, eine Aluminiumschicht direkt auf dem mit Aluminium metallisierten Kontaktfeld angebracht, eine Schicht aus Nickel direkt auf der Aluminiumschicht durch Aufsprühen zwecks Bildung einer stabilen Aluminium- Nickellegierung an der Grenzfläche vorgesehen, eine Schicht aus Kupfer direkt auf der Nickelschicht zur Ermöglichung des Bondens an ein Kupferband angebracht und eine Palla diumschicht auf der Kupferschicht aufgebracht ist, die dazu dient, die Oxydation des angrenzenden Kupfers zu hindern.

7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Aluminiumschicht eine Dicke im Bereich von etwa 2000 Angström bis 6000 Angström auf weist.

8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Nickelschicht eine Dicke im Bereich von etwa 2000 Angström bis 5000 Angström auf weist.

9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferschicht eine Dicke im Bereich von etwa 4000 Angström bis 15 000 Angström auf weist.

10. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Palladiumschicht eine Dicke im Bereich von etwa 80 bis 300 Angström aufweist.

11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferschicht einen Buckel auf weist.

12. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferschicht im wesentlichen buckelfrei, also flach ausgebildet ist.

13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Palladiumschicht durch Auf sprühen oder nicht-elektrisches Plattieren aufgebracht ist.

14. Verfahren zur Herstellung einer zum Anlöten oder Bonden an Kupfer geeigneten Anordnung an einem mit einer Aluminiummetallisierung versehenen Kontaktfeld, die dazu dient, das Anlöten oder Bonden an ein Kupferband zu ermöglichen, dadurch gekennzeichnet, daß eine Aluminiumschicht direkt auf dem mit Alu minium metallisierten Kontaktfeld angebracht wird,

daß eine Nickelschicht direkt auf der Aluminium schicht angebracht wird,

daß eine Kupferschicht direkt auf der Nickelschicht angebracht wird, und

daß eine Palladiumschicht auf der Kupferschicht an gebracht wird, um die Oxydation des Kupfers zu hindern.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekenn zeichnet, daß die Aluminiumschicht bis zu einer Dicke im Bereich von etwa 2000 Angström bis 6000 Angström aufgebracht wird.

16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekenn zeichnet, daß die Nickelschicht bis zu einer Dicke im Bereich von etwa 2000 Angström bis 5000 Angström aufgebracht wird.

17. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekenn zeichnet, daß die Kupferschicht bis zu einer Dicke im Bereich von etwa 4000 Angström bis 15 000 Angström aufgebracht wird.

18. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekenn zeichnet, daß ein Kupferbuckel auf der Kupferschicht angebracht wird, bevor das Palladium aufgebracht wird.

19. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekenn zeichnet, daß die Palladiumschicht bis zu einer Dicke im Bereich von etwa 80 bis 300 Angström aufgebracht wird.

20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekenn zeichnet, daß das Palladium durch Aufsprühen oder nicht-elektrisches Plattieren aufgebracht wird.

21. Verfahren zur Ausbildung einer Anordnung zum Anlöten oder Bonden von Kupfer an einer Halbleiter vorrichtung zwecks Bondens durch Thermokompression an ein Kupferband, dadurch gekennzeichnet, daß eine Palladiumschicht auf der Anordnung zum Bonden an Kupfer angebracht wird, um die Oxydation des Kupfers zu hin dern.

22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekenn zeichnet, daß die Palladiumschicht bis zu einer Dicke im Bereich von 80 bis 300 Angström aufgebracht wird.

23. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekenn zeichnet, daß die Palladiumschicht durch Aufsprühen oder nicht-elektrisches Plattieren aufgebracht wird.

24. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekenn zeichnet, daß die Anordnung zum Bonden an Kupfer mit einem Buckel versehen ist.

25. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekenn zeichnet, daß die Anordnung zum Bonden an Kupfer buckelfrei, also im wesentlich flach ausgebildet ist.