Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Halbleitertechnologie
und betrifft ein Verfahren zum Strukturieren einer Schicht.
Zur Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen, bei
spielsweise Halbleiterspeichern, muß eine Vielzahl von unter
schiedlichen Materialien, die z. B. in Form von Schichten auf
einem Grundsubstrat aufgebracht sind, strukturiert werden.
Dazu werden die zu strukturierenden Schichten mit einer ge
eigneten Ätzmaske bedeckt und anschließend einem Ätzmedium
ausgesetzt. Dieses führt durch physikalischen und/oder chemi
schen Abtrag zu einem Entfernen der zu strukturierenden
Schicht von den nicht durch die Ätzmaske bedeckten Bereiche
des Grundsubstrats. Beim Ätzen kann es jedoch durch den An
griff des Ätzmediums auch zu einem teilweisen Entfernen der
Ätzmaske kommen, in dessen Folge die Schicht nicht mehr maß
haltig geätzt wird. Dies äußert sich beispielsweise in ge
neigten Ätzflanken der zu strukturierenden Schicht. Derartig
geneigte Ätzflanken sollen jedoch möglichst weitestgehend
vermieden werden, um den durch sie verursachten zusätzlichen
Platzbedarf zu vermindern. Auch eine Maßaufweitung durch ge
neigte Ätzfahren kann beobachtet werden.
Besondere Schwierigkeiten bereitet das Ätzen von Metall- und
Metalloxidschichten. So erhält man beispielsweise beim Ätzen
von Platin mit einem Ätzverfahren mit hoher physikalischer
Komponente relativ steile Ätzflanken, jedoch bilden sich da
bei gleichzeitig Materialablagerungen an der Ätzmaske aus,
die nur äußerst schwer entfernbar sind. Daher wird neben der
physikalischen Komponente dem Ätzverfahren zusätzlich eine
reaktive chemische Komponente zugeordnet, um diese Material
ablagerungen während des Ätzens zu unterdrücken bzw. abzutra
gen. Derartige Ätzverfahren werden beispielsweise in den
Fachartikeln Yoo et al. "Control of Etch Slope during Etching
of Pt in Ar/Cl2/O2 Plasmas", Japanese Journal of Applied Phy
sics Vol. 35, 1996, Seiten 2501 bis 2504 und Park et al.
"Platinium Etching in an Inductively Coupled Plasma" 26th
Essderc 1996, Seiten 631 bis 634 beschrieben. In beiden Fach
artikeln wird Platin in einem Argonplasma anisotrop geätzt,
wobei dem Argonplasma Chlorionen als chemische Komponente zur
Reduzierung der Materialablagerungen beigesetzt sind. Ungün
stigerweise entstehen jedoch bei diesen Verfahren stark ge
neigte Platinätzflanken, die zu einer unerwünschten Vergröße
tung der Ätzstruktur führen.
Das Ätzen von Platin in einem reinen Argonplasma wird in bei
den Fachartikeln vermieden, da die sich beim Ätzen ausbilden
den Materialablagerungen nur schwer entfernbar sind. Da die
Materialablagerungen aus dem gleichen Material wie die zu
strukturierende Schicht bestehen, würde z. B. ein naßchemi
sches Entfernen der Materialablagerungen auch zu einem uner
wünschten Angreifen der Schicht führen.
Es ist auch möglich, Platin bei stark erhöhten Temperaturen
zu ätzen, da das Platin bei hohen Temperaturen mit den Ätzga
sen flüchtige Verbindungen bildet. Voraussetzung hierfür ist
jedoch die Verwendung von sogenannten Hartmasken aus relativ
temperaturstabilen Maskenmaterialien. Der nachfolgend erfor
derliche Abtrag der Hartmasken führt jedoch gleichzeitig zu
einem Abtrag freigelegten Grundsubstrats und damit zu einer
unerwünschten Erhöhung der Topologie der zu prozessierenden
Struktur.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Struk
turieren einer Schicht anzugeben, bei dem möglichst steile
Ätzflanken ohne weiteren Angriff der zu strukturierenden
Schicht entstehen sowie eine Vorrichtung zur Durchführung ei
nes derartigen Verfahrens zu benennen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren
zum Strukturieren einer Schicht mit folgenden Schritten:
- - ein Substrat mit zumindest einer dauerhaft zu strukturie
renden Schicht wird bereitgestellt;
- - auf diese Schicht wird eine Ätzmaske aufgebracht;
- - die Schicht wird mittels eines Ätzverfahrens unter Verwen
dung der Ätzmaske geätzt und nachfolgend
- - mit einem auf die Schicht gerichteten Flüssigkeitsstrahl
gereinigt, wobei durch den Flüssigkeitsstrahl die Ätzrück
stände und gegebenenfalls die Ätzmaske weitestgehend von
der Schicht entfernt werden.
Mit Hilfe der Erfindung ist es möglich, Ätzrückstände sowie
die ggf. auf dem Substrat und der strukturierten Schicht ver
bliebene Ätzmaske durch einen gerichteten Flüssigkeitsstrahl
weitestgehend rückstandsfrei zu entfernen. Dabei wird der Um
stand ausgenutzt, daß die Ätzrückstände durch die Wucht des
auf sie gerichteten Flüssigkeitsstrahl vom Substrat entfernt
werden. Insbesondere bei einer ausreichend hohen Strömungsge
schwindigkeit des Flüssigkeitsstrahls lassen sich auch fest
haftende Ätzrückstände entfernen. Der Flüssigkeitsstrahl wird
bevorzugt durch zumindest eine Düse geformt, durch die Flüs
sigkeit unter hohem Druck austritt und dabei einen relativ
scharf gebündelten und mit hoher Strömungsgeschwindigkeit
versehenen Hochdruckflüssigkeitsstrahl bildet.
Durch Versuche konnte überraschenderweise festgestellt wer
den, daß mittels eines bevorzugt gebündelten Flüssigkeits
strahls auch fest anhaftende und mit der zu ätzenden Schicht
bzw dem Substrat verbundene Ätzrückstände von der Schichto
berfläche entfernbar sind. Derartige Ätzrückstände bestehen
häufig aus einem amorphen oder polykristallinen Gemisch aus
Schichtrückständen- und Ätzmaskenbestandteilen, die mecha
nisch fest mit der zu strukturienden Schicht verbunden sind.
Die Schichtrückstände, d. h. Materialablagerungen, schlagen
sich zumindest teilweise während des Ätzprozesses an den Sei
tenflanken der Ätzmaske und auf der Oberseite der Ätzmaske
nieder und bilden dort zusammen mit teilweise aufgelockerten
und oberflächennahen Ätzmaskenschichten eine mehrkomponentige
festhaftende Schicht. Daher kann auch von aufgewachsenen Ätz
rückständen bzw. Materialablagerungen gesprochen werden. Die
se sind chemisch selektiv ohne Angriff der zu strukturieren
den Schicht nur schwer zu entfernen, da ein chemischer Abtrag
der Materialablagerungen gleichzeitig die zu strukturierende
Schicht angreifen würde. Obwohl im weiteren von Ätzrückstän
den auf der Schicht gesprochen wird, sollen auch die auf dem
Substrat haftenden Ätzrückstände mitumfaßt werden.
Durch den Flüssigkeitsstrahl werden die Ätzrückstände wei
testgehend physikalisch entfernt. Ein chemischer Angriff auf
die strukturierte Schicht ist daher ausgeschlossen. Bevorzugt
werden gegenüber der Schicht weitestgehend inerte Flüssigkei
ten verwendet.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es möglich, die
Schicht nahezu ausschließlich mit einem Ätzverfahren mit
physikalischer Komponente zu ätzen und dadurch sehr steile
Ätzflanken (70°-90°) der geätzten Schicht zu erhalten. Die
bei diesem Ätzen, z. B. bei reinem Argonsputtern, entstehenden
unerwünschten Materialablagerungen auf der Ätzmaske werden
jedoch gemäß der Erfindung anschließend weitestgehend
rückstandsfrei und einfach durch den Flüssigkeitsstrahl
entfernt. Die Verwendung von reaktiven Gasen beim Ätzen, die
zu facettierten Flanken führen und dadurch die laterale
Ausdehnung der aus der Schicht geätzten Strukturen erhöhen,
ist nicht nötig.
Bevorzugt wird eine die zu strukturierende Schicht chemisch
weitestgehend nicht angreifende Flüssigkeit verwendet.
Dadurch kommt es während der Reinigung durch den
Flüssigkeitstrahl nicht zu einem Abtrag der strukturierten
Schicht. Diese bleibt vielmehr maßhaltig. Unterstützend kann
der Flüssigkeit eine die Ätzmaske bzw. die Ätzmaskenreste
angreifende Substanz enthalten sein. Dadurch wird neben der
zunächst rein physikalischen Reinigungskomponente eine
chemische Komponente hinzugefügt, die jedoch ausschließlich
zu einem Abtrag der Ätzmaske bzw. der Ätzmaskenreste führt.
Günstig ist beispielsweise die Verwendung von N-
Methylpyrrolidon.
Optional kann vor dem Entfernen der Ätzrückstände und
Materialablagerungen die Ätzmaske zumindest teilweise
entfernt werden. Dadurch verlieren die Ätzrückstände bis zu
einem gewissen Grad ihre mechanische Unterstützung durch die
Ätzmaske und können daher leichter durch den
Flüssigkeitsstrahl entfernt werden. Die Ätzmaske kann
beispielsweise durch ein Veraschen des Ätzmaskenmaterials
oder durch naßchemischen Abtrag entfernt werden. Günstig ist
weiterhin eine abschließende Reinigung der geätzten Schicht,
um noch anhaftende Rückstände zu entfernen. Die abschließende
Reinigung erfolgt bevorzugt unter Einwirkung von Ultraschall
oder Megaschall.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können Metallschichten,
Metalloxidschichten oder Schichtenstapel, die zumindest aus
einer Metallschicht und einer metalloxidhaltigen Schicht be
stehen, mit sehr steilen Profilflanken strukturiert werden.
Bevorzugt wird dieses Verfahren daher bei der Strukturierung
von Metallschichten aus insbesondere Platin, Ruthenium, Iri
dium, Rhenium, Palladium, Eisen, Kobalt, Nickel, Schichten
aus Iridiumoxid und Rutheniumoxid sowie von amorphen bzw. po
lykristallinen metalloxidhaltigen Schichten, die zur Herstel
lung von Halbleiterspeichern verwendet werden, benutzt.
Der zweite Teil der Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch
eine Vorrichtung, wobei
- - die Vorrichtung mit einer Ätzkammer verunreinigungsdicht
verbindbar ist,
- - ein Substrat mit der zu ätzenden Schicht von der Ätzkammer
in die Vorrichtung einführbar ist; und
- - die Vorrichtung zumindest eine auf die Schicht richtbare
Düse (40) zum Formen zumindest eines gerichteten Flüssig
keitsstrahls aufweist, der zum Entfernen von Ätzrückständen
und gegebenenfalls einer Ätzmaske von dem Substrat dient.
Gemäß der Erfindung kann in der Vorrichtung nach dem Ätzen
der Schicht diese durch den Flüssigkeitsstrahl gereinigt wer
den, ohne daß die Schicht beim Transport zur Vorrichtung
schädlichen Umwelteinflüssen ausgesetzt ist. Zu diesem Zweck
ist die erfindungsgemäße Vorrichtung verunreinigungsdicht mit
der Ätzkammer verbunden. Dies ist beispielsweise durch geeig
nete abdichtbare Ansatzstutzen möglich, durch die gleichzei
tig auch die auf einem Substrat befindliche Schicht von der
Ätzkammer zur Vorrichtung überführt werden kann. Das Substrat
mit der strukturierten Schicht kann daher ohne Entnahme aus
der durch die Ätzkammer und die Reinigungskammer gebildeten
Einheit vorteilhaft geätzt und gereinigt werden.
Durch das verunreinigungsfreie Verbinden der Vorrichtung mit
der Ätzkammer wird auch ein Verunreinigen der Ätzkammer
selbst bei der Entnahme des Substrats vermieden. Günstig ist,
die zumindest eine Düse und das Substrat mit der strukturier
ten Schicht relativ zueinander bewegbar anzuordnen, so daß
die gesamte Schicht von dem aus der Düse austretenden Flüs
sigkeitsstrahl überstrichen werden kann. Zur Verbesserung der
Reinigungswirkung kann gleichzeitig mit mehreren Düsen und
Flüssigkeitsstrahlen gearbeitet werden. Dabei ist es sinn
voll, das Substrat rotieren zu lassen, um die Schicht aus al
len Richtungen zu überstreichen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbei
spiels beschrieben und schematisch in einer Zeichnung darge
stellt. Es zeigen:
Fig. 1a bis 1e einzelne Verfahrensschritte des erfin
dungsgemäßen Verfahrens,
Fig. 2 und 3 auf einem Schichtenstapel verbliebene
Ätzrückstände, und
Fig. 4 und 5 eine erfindungsgemäße Vorrichtung.
In Fig. 1 ist ein Grundsubstrat 5 dargestellt, auf dessen
Oberseite eine Schichtstruktur aus einer Oxid- oder
Nitridschicht 10, einer Barrierenschicht 15 und einer
Platinschicht 20 angeordnet sind. Die Platinschicht 20 und
die Barrierenschicht 15 stellen hier zusammen die zu
strukturierende Schicht dar. Die Barrierenschicht 15 besteht
ihrerseits aus einer etwa 100 nm dicken Titannitridschicht und
einer darunter befindlichen etwa 20 nm dicken Titanschicht.
Die Platinschicht 20 ist etwa 250 nm dick. Auf die
Platinschicht wird nachfolgend eine Ätzmaske 25 aufgebracht.
Die Ätzmaske 25 kann aus einem fotolithografisch
strukturierbaren Material, beispielsweise Photolack, bestehen
und dadurch leicht strukturiert werden. Sofern ein
lichtunempfindliches Maskenmaterial verwendet wird, erfolgt
das Strukturieren der Ätzmaske 25 unter Verwendung einer
weiteren fotolithografisch strukturierbaren Schicht.
Anschließend werden die Platinschicht 20 und die Barrieren
schicht 15 geätzt. Dies erfolgt bevorzugt in einem MERIE-Re
aktor (Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching), wobei die
Prozeßkammer zuvor auf einen Druck von etwa 10 mTorr evaku
iert wurde. Danach wird die Platinschicht 20 in reinem Argon
plasma etwa 3 Minuten lang bei etwa 50°C geätzt, wobei das
verwendete Magnetfeld etwa 0,008 T (80 Gauss) aufweist und die
zur Aufrechterhaltung des Plasmas nötige Leistung etwa 750
Watt beträgt. Der Argonätzprozeß ist ein nahezu rein physika
lischer Ätzvorgang, da das Platin nur durch die beschleunig
ten Argonionen abgetragen wird. Da die Barrierenschicht 15 im
Gegensatz zur Platinschicht 20 unterschiedlich stark durch
Argon geätzt wird, dient die Barrierenschicht 15 hier gleich
zeitig als Ätzstoppschicht, so daß ein eventuell auftretendes
räumlich inhomogenes Ätzen der Platinschicht 20 nicht zu ei
ner ungleichmäßigen Ätztopologie führt.
Nach dem Ätzen der Platinschicht 20 wird die Barrierenschicht
15 in einem reinen Chlorplasma für etwa 30 sec geätzt. Da ein
Ätzangriff des Chlors auf der Seitenwand des strukturierten
Platins nur unwesentlich erfolgt, und da die Oberseite der
Platinschicht 20 weiterhin durch die Maske 25 geschützt ist,
wird die Platinschicht 20 während der Barrierenätzung nicht
weiter abgetragen.
Insbesondere beim Ätzen der Platinschicht 20 bilden sich Ma
terialablagerungen 30 (redepositions) an den Seitenwänden der
Ätzmaske 25 aus. Diese bestehen überwiegend aus umverteilten
Platin. Durch das Ätzen kann es weiterhin auch zu einem teil
weisen Abtragen der Ätzmaske 25 kommen, was sich in leicht
geneigten Flanken der Ätzmaske 25 bemerkbar macht. Grundsätz
lich werden jedoch mittels Argonsputtern äußerst steile Flan
ken (80°-90°) 32 geätzt. Materialablagerungen entstehen dar
über hinaus auch auf der Oberseite der Ätzmaske 25. Diese
werden jedoch durch die Argonionen immer wieder abgetragen,
so daß dort eine sich ständig erneuernde Schicht bildet, die
äußerst dünn ist. Diese dünne Schicht ist in den Figuren
nicht dargestellt.
Zum Entfernen der Materialablagerungen 30 und der Ätzmaske 25
werden anschließend mehrere Reinigungsschritte durchgeführt.
Zunächst wird die Ätzmaske 25 durch Einwirkung eines Sauer
stoffplasmas verbrannt, wodurch auf der Platinschicht 20 nur
noch die Materialablagerungen 30 in Form von steilen Wänden
verbleiben, die nach Entfernen der Ätzmaske 25 aufgrund der
nun fehlenden mechanischen Unterstützung zueinander gebogen
sein können. Es ist möglich, daß bei dem Veraschen die Ätz
maske 25 bis auf einige Rückstände 35 von der Platinschicht
20 entfernt wird. Diese Rückstände 35 können durch eine naß
chemische Reinigung in einer karoschen Säure (H2O2+H2SO4) oder
durch ein Hydroxylamin, Katechol und Ethylendiamin enthalten
des Reinigungsmedium entfernt werden. Alternativ kann auch
die gesamte Maske 25 naßchemisch entfernt werden.
Eventuell verbliebene Ätzmaskenrückstände 35 und die Mate
rialablagerungen 30 werden nachfolgend durch einen Flüssig
keitsstrahl 45 weitestgehend rückstandsfrei von der Platin
schicht 20 entfernt. Der Flüssigkeitsstrahl 45 wird mittels
einer Düse 40 geformt, durch die Flüssigkeit mit hohem Druck
strömt. Günstig ist ein Druck, der materialabhängig zwischen
20 und 150 bar gewählt wird. Bei Platin haben sich etwa 80
bar bewährt.
Die verwendete Flüssigkeit des Flüssigkeitsstrahls 45 ist be
vorzugt eine N-Methylpyrrolidon-Lösung (NMP), die eine Tempe
ratur von etwa 80°C aufweist. Bei dieser Temperatur lösen
sich besonders gut eventuell verbliebene Ätzmaskenreste von
der Platinschicht 20 ab. Zur Temperierung des Flüssigkeits
strahls 45 ist die Düse 40 mit einer Heizvorrichtung 50 ver
sehen.
Um alle Bereiche des Grundsubstrats 5, das üblicherweise ein
Wafer ist, mit dem Flüssigkeitsstrahl 45 zu überstreichen,
wird das Grundsubstrat 5 mit etwa 200 Hz rotiert. Gleichzei
tig wird der Flüssigkeitstrahl 45 vom Innenbereich zum Außen
bereich des Grundsubstrats 5 bewegt. Günstig ist, die Bewe
gungsgeschwindigkeit des Flüssigkeitsstrahls 45 zum Außenbe
reich des Grundsubstrats 5 hin zu verringern, um der vom
Flüssigkeitsstrahl 45 pro Umdrehung zu überstreichenden Flä
che des Grundsubstrats 5 Rechnung zu tragen. Typischerweise
dauert ein Reinigungsvorgang etwa 4 min.
Gute Reinigungsergebnisse werden bei einem Abstand der Düse
40 vom Grundsubstrat von etwa 1 bis 3 cm und einem Abstrahl
winkel von etwa 90° zur Grundsubstratoberfläche erhalten.
Ein großer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht
darin, daß die auf die Oberfläche auftreffende Flüssigkeit
relativ leicht durch einen nachfolgenden Spülschritt mit
deionisiertem Wasser weitestgehend rückstandsfrei vom Grund
substrat 5 beseitigt werden kann. Daher ist dieses Verfahren
auch besonders kostengünstig.
Abschließend kann optional eine naßchemische Reinigung
und/oder eine Reinigung mit weichen Bürsten (Scrubber) zum
Entfernen von eventuell verbliebenen Partikeln bzw. Resten
durchgeführt werden. Dies erfolgt bevorzugt in Anwesenheit
einer stark verdünnten Flußsäure (HF) oder verdünntem
Ammoniak unter Einwirkung von Ultraschall bzw. Megaschall.
Die Reinigungswirkung des Flüssigkeitsstrahls beruht auf
mehreren sich ergänzenden Komponenten. Die Hauptwirkung wird
durch die Impulseinwirkung des Flüssigkeitsstrahles erzielt.
Dabei brechen die auf der Schichtoberfläche aufgewachsenen
Ätzrückstände ab und können dadurch von der die
Schichtoberfläche überstreichenden Flüssigkeit, die entlang
der Oberfläche einen Flüssigkeitsstrom bildet, fortgetragen
werden. Durch den am Grundsubstrat bzw. an der
Substratoberfläche vorbeistreichenden Flüssigkeitsstrom wird
eine Reibungskraft erzeugt, die zu einem Forttragen der
Ätzrückstände führt. Diese Reibungskraft hängt von der
Geschwindigkeit der Flüssigkeitsmoleküle ab, so daß es
aufgrund der in unmittelbarer Nähe der Schichtoberfläche
ruhenden Flüssigkeitsschicht dazu kommen kann, daß die
Reibungskraft zum Entfernen von fest anhaftenden und relativ
kleinen Ätzrückständen nicht mehr ausreicht. Wird die
Strömungsgeschwindigkeit des Flüssigkeitsstrahls 45
entsprechend erhöht, führt dies zu zwei die Reinigungswirkung
unterstützenden Effekten. Zum einen gleiten die
Flüssigkeitsmoleküle mit höherer Geschwindigkeit über die
Schichtoberfläche und führen dadurch zu einer höheren
Reibungskraft. Andererseits treffen die Flüssigkeitsmoleküle
aus dem Flüssigkeitsstrahl 45 mit hoher Geschwindigkeit auf
die Substratoberfläche, so daß die Flüssigkeitsmoleküle
zumindest in diesem Bereich bis zu dem an der Oberfläche
anhaftenden und weitestgehend ruhenden Flüssigkeitsfilm
gelangen und dort ebenfalls eine Flüssigkeitsströmung herbei
führen. Die Dicke des ruhenden Flüssigkeitsstroms wird somit
verringert, so daß bereits nach kurzer Entfernung von der
Schichtoberfläche ein starker, die Ätzrückstände forttragen
der Flüssigkeitsstrom herrscht. Auch das Anlösen von Lackre
sten 35 durch das warme organische Lösungsmittel ist ent
scheidend.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch zum gemeinsamen
Strukturieren eines Schichtenstapels 55 verwendet werden, der
z. B. aus einer Barrierenschicht 15, einer Platinschicht 20
sowie einer metalloxidhaltigen Schicht 60 besteht. Derartige
Schichtenstapel 55 werden beispielsweise zur Herstellung von
Halbleiterspeichern verwendet. Die metalloxidhaltige Schicht
60 besteht bevorzugt aus einem Material der allgemeinen Form
ABOx oder BOx, wobei A für zumindestens ein Metall aus der
Gruppe Barium, Strontium, Niob, Blei, Zirkon, Lanthan, Wis
mut, Kalzium und Kalium, B für Titan, Ruthenium oder Tantal
und O für Sauerstoff steht. X liegt zwischen 2 und 12. Ver
treter dieser Stoffklassen sind beispielsweise Strontium-
Wismut-Tantalat (SrBi2Ta2O9) und Tantaloxid (Ta2O5).
Die beim Ätzen dieses Schichtenstapels 55 entstehenden Mate
rialablagerungen 30 können nach dem Veraschen der Ätzmaske 25
auch zueinander leicht geneigt sein. Dies ist in Fig. 2 dar
gestellt. Die unter dem Schichtenstapel 55 befindliche
Schicht 10, die bevorzugt aus Siliziumdioxid oder Siliziumni
trid besteht, wirkt beim Ätzen des Schichtenstapels 55
gleichzeitig als Ätzstoppschicht.
In Fig. 3 sind die Materialablagerungen 30 infolge des ge
meinsamen Ätzens einer weiteren Platinschicht 62 und der me
talloxidhaltigen Schicht 60 dargestellt.
Das Strukturieren der Platinschicht 20 bzw. des Schichtensta
pels 55 erfolgt bevorzugt in einer Reinigungskammer 65, die
in der Fig. 5 dargestellt ist. Diese weist eine Schleuse 70
zum Einführen des Grundsubstrats 75 in die Reinigungskammer
65 auf. Weiterhin ist die Reinigungskammer 65 mit einer hier
nicht näher dargestellten Pumpe über einen Absaugstutzen 80
verbunden über diese Pumpe kann z. B. auch das Reinigungsmedi
um (Flüssigkeitsstrahl) abgesaugt und dem Reinigungsprozeß
ressourcensparend wieder zugeführt werden. Das Grundsubstrat
75 liegt auf einem beheizbaren Substratträger 85, der über
eine Heizung 90 beheizt wird. In der Prozeßkammer 65 sind
weiterhin bewegbare Düsen 40 angeordnet, die rasterförmig
bzw. radial das Grundsubstrat 75 überstreichen können.
Die Flüssigkeit zum Entfernen der Ätzrückstände 30 wird den
Düsen 40 über eine Druckleitung 100 zugeführt. Diese, wie
auch das Reservoir 95 und die Düsen 40, sind von einer Heiz
vorrichtung 50 in Form von elektrischen Heizwendeln zum Er
wärmen des Flüssigkeit umgeben.
Gemäß Fig. 4 ist die Reinigungskammer 65, die hier die er
finderische Vorrichtung darstellt, mit der Ätzkammer 110 zu
einem sogenannten Cluster tool zusammengefaßt. Das Grundsub
strat 75 wird von einer Inputstation über eine Transportsta
tion 115, in der ein reduzierter Druck herrscht, in die Ätz
kammer 110 transportiert. Nach dem Ätzen wird die Maske in
einer sogenannten Stripkammer 120 entfernt und durch eine
weitere Transportstation 116, in der bevorzugt etwa atmosphä
rischer Druck herrscht, zur Reinigungskammer 65 überführt.
Sofern auf ein Veraschen der Maske verzichtet werden kann,
wird keine Stripkammer 120 benötigt und die weitere Trans
portstation 116 kann als Trockensystem ausgeführt werden.
Bezugszeichenliste
5
Grundsubstrat/Substrat
10
Oxid- oder Nitridschicht
15
Barrierenschicht/Titannitrid-Schicht
20
Metallschicht/Platinschicht
25
Ätzmaske
30
Ätzrückstände/Materialablagerungen
32
Ätzflanken
35
Rückstände
40
Düse
45
Flüssigkeitsstrahl
50
Heizvorrichtung
55
Schichtenstapel
60
metalloxidhaltige Schicht
62
weitere Metallschicht/Platinschicht
65
Reinigungskammer
70
Schleuse
75
Grundsubstrat
80
Absaugstutzen
85
Substratträger
90
Heizung
95
Reservoir
100
Druckleitung
110
Ätzkammer
115
Transportstation
116
Weitere Transportstation
120
Stripkammer