TW478059B - Dynamic semiconductor-memory device and method to initialize a dynamic semiconductor-memory device - Google Patents

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478059 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1 ) 本發明涉及半導體技術之領域且是有關於一種層之結 構化的方法。 為了製造微電子組件（例如半導體記億體），多個不同 的材料必須被結構化，這些'材料例如以層的形式施加至 基礎基板上。因此該即將結構化的層須以適當的蝕刻遮 罩來遮覆且接著須施予一種蝕刻媒介。這樣會由於物理 及/或化學方式的侵蝕而使即將結構化的層自基礎基板 之未被蝕刻遮罩所遮覆之區域中被去除。但在蝕刻時由 於蝕刻媒介的侵蝕而使蝕刻遮罩之一部分被去除。結果 導致該層不可再被尺寸精確地蝕刻。這顯現於例如該即 將結構化的層之傾斜的蝕刻側面。但這種傾斜的蝕刻側 面應儘可能地避免，以減少由其所造成之額外的空間需 求。此外，由於傾斜的蝕刻方法而造成的尺寸擴張也可 觀察到。 金屬層和氧化物金屬層之蝕刻引起一些特別的困難。 例如以一種具有高的物理成分來進行的蝕刻方法來蝕刻 鉑時，吾人可得到相當陡峭的蝕刻側面，但同時會在蝕 刻遮罩上形成物質沈積現象，這些沈積很難去除。因此 ,除了該物理成分之外，須另外施加一種活性化學成分 予該蝕刻方法中，以便在蝕刻過程中壓抑或去除物質之 沈積。這種蝕刻方法敘逑於例如：日本應用物理雜誌 (Japanese Journal of Applied Physics)1996年第 35 期第2 5 0 1至2 5 0 4頁，由Yoo等人所作之”在氬/氯/氧電 漿中鉑之蝕刻過程中一種蝕刻傾斜面之控制’’（Control 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^訂---------線赢 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ _ 478059 A7 B7 五、發明說明（） of Etch Slope during Etching of P t in A r / C1 2 /〇 2 Plasmas)， J. Vac. Sci. Technol.雜誌 1997年 9 月/ 10月第B15(5)期第1747至1751頁，由Τ· Shibano等人 所作之"以氬/鹵素混合氣體電漿蝕刻鉑時之側壁沈積 薄膜"（Sidewall deposition film in platinum etching w i t h A r / h a 1 0 g e n in i x e d q a s p 1 a s id a s )以及第 2 6 期 E s s d e r c 1996年第631至634頁由Park等人所作之"在電漿性耦合之 電漿中鉛之蝕刻"（Platinium Etching in an Inductively Coupled Plasma)等專業論文中。在這些專業論文中鉑 在氬電漿中被各向異性地蝕刻，其中氯離子或氟離子添 加於氬電漿中作為化學成分以便降低物質之沈積。但在 這方法中會不利地産生非常傾斜的鉛之蝕刻側面，這樣 會使蝕刻結構不希望地變大。 在上述兩份專業論文中避免了在純氬電漿中進行鉑之 蝕刻，這是因為在蝕刻中所生成之物質沈積物非常難被 去除。由於該物質沈積物與卽將形成結構之層是由同樣 的物質所構成，所以例如此種沈積物之濕式化學方式的 去除過程中也可能會對此層造成不希望的侵蝕。 也可能在極高之的溫度下來對鉑進行蝕刻，這是因為 鉑在高溫下可與蝕刻氣體構成一種揮發性化合物。然而 此處所需的先決條件是須使用一種由溫度相對較穩定之 遮罩材料所構成的所諝硬遮罩。但該硬遮罩之隨後所須 的整平同時會導致裸露出之基板亦被整平並且因而使該 即將處理之結構之拓樸（topology)形狀不期望地增高。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -i Bm— ϋ n ϋ ·ϋ ϋβ-，· ϋ 1_ ^1 ϋ_1 1 Mtmmm I * -ί · 系 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 ^__Β7_ 五、發明說明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在日本專利案號JP 5-21405A中也不使用此種具有較 高物理成分之蝕刻方法，以防止難以去除之物質沈積物 ^形成。以CF4來對鉑進行化學蝕刻時在所使用之硬遮 睾（由自旋式（spin-on)玻璃構成）之側面邊緣上産生薄 膜，但這種薄膜可以較容易地以刷子且藉助於噴射式水 柱來去除。該薄膜以機械方式藉由刷子而由表面去除。 噴射式水柱只用來將鬆脫的薄膜沖走。因為此處不使用 物理性的蝕刻方法，所以根據日本專利案號J P 5 - 2 1 4 0 5 A 的方法可産生較平坦的蝕刻側面。此外，硬遮罩在事後 才去除會導致拓樸形狀之尖銳化。 因此本發明之目的是：提供一種層之結構化的方法， 其中産生儘可能陡峨的蝕刻側面而不會對即將結構化之 層産生進一步之侵蝕且本發明指出一種進行這種方法所 用的設備。 根據本發明，藉由一種層之結構化的方法以下列步驟 達成了上逑目的： -備置一種基板，此基板具有至少一個長久性可結構化 之層； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用層在物的 使該可的平 •，在在少定整 罩法得至穩被 遮方使刻較已 刻之以蝕性的 蝕分，種槭佈 的成刻此機分 成刻蝕，由的新 構蝕行經定重 所性進，固泛 料理層面生廣 材物該側産之 質高對刻上層 漆較來蝕板該 種刻下之基含 一 蝕況 _ 該‘包 加有狀陡在其 施具的常及 ， 上種罩非以物 層一遮成上積 該由刻形層沈 在藉蝕中該質 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 478059 A7 B7_ 五、發明說明（4 ) 材料因此是一種蝕刻殘渣；以及 -該層接著以一種指向該層的有機溶劑之流體射束來清 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 洗，藉由該流體射束可將蝕刻殘渣和可能有的蝕刻遮 罩儘可能地從該層去除。 藉助於本發明可將蝕刻殘渣以及可能殘留於基板和已 結構化之層上的蝕刻遮罩藉由指向其之流體射束儘可能 不留殘渣地清除。因此利用了下逑狀況：即，蝕刻殘渣 被指向其之流體射束之壓力而由基板中去除。待別是在 該流體射束之流速夠高時固著的蝕刻殘渣也可被去除。 該流體射束較佳是透過至少一個噴嘴來形成，流體在高 壓下經由噴嘴而發出且因此形成較尖鋭之束狀的高流速 之高壓流體射束。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經由研究結果已令人驚異地證實··藉助較佳之成束狀 的流體射束，則強固附著之與即將蝕刻之層或基板相連 接的蝕刻殘渣可自層之表面被去除。這種蝕刻殘渣通常 是由非晶形（amorphous)的或多晶的混合物（其由層之殘 渣成份和蝕刻遮罩成份所構成）所構成，上逑這些成份 係機槭式地與即將結構化之層固定地相連結的。此種層 之殘渣（也就是物質沈積物）至少一部分在蝕刻過程中沈 澱於蝕刻遮罩之側面遴緣和蝕刻遮罩之上側上且在該處 與部份鬆脱之靠近表面的蝕刻遮罩層一起形成一種多成 分的牢固的層，因此可稱之為生成之蝕刻殘渣或物質沈 積物。這些殘渣以化學方式選擇性地不會對卽將結構化 之層造成侵蝕時是難以去除的，因為此種物質沈積物以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 478059 A7 ____B7 五、發明說明（5 ) 化學方式而被整平時同時也會侵蝕此種即將結構化之層 。雖然以下將論及該層上之蝕刻殘渣，但亦應一同包括 此種在附著基板上的蝕刻殘渣。 藉由流體射束而使蝕刻殘渣儘可能地以物理方式而被 去除。因此，該已結構化之層上之化學方式的侵蝕即可 排除。對於該層較佳是使用儘可能是鈍性的流體。 藉由本發明的方法可使該層幾乎只以具有物理性成分 的蝕刻方法來蝕刻且由此而可獲得該已被蝕刻之層之非 常陡峭的蝕刻側面（7 0°〜9 0 ° )。但此種於蝕刻時（例 如純的氬濺鍍）所生成之非所希望的位於蝕刻遮罩上之 物質沈積物根據本發明隨後須儘可能沒有殘渣地而且簡 單地藉由流體射束來清除。在蝕刻時使用活性氣體是沒 有必要的，活性氣體將導致一些具有許多小刻面的側面 且因而提高了由該層所蝕刻出之結構之橫向的大小。 較佳是使用一種對於該即將結構化之層在化學上儘可 能不會造成侵蝕的流體。這樣在藉由該流體射束來清洗 時即不會使該已結構化之層被整平。確切而言這樣可保 持尺寸之固定。在該流體中可以輔助性地包含一種侵蝕 該蝕刻遮罩或蝕刻該遮罩殘留物所用的物質。這樣會在 原本純粹的物理性清洗成分之外另外加入了一種化學性 成分，但此種化學成份只會造成蝕刻遮罩或蝕刻遮罩殘 留物之剝蝕。較有利的是例如使用N -甲基吡咯烷酮（N -methylpyrrolidon)〇 另一可選擇之方式是在蝕刻殘渣和物質沈積物去除之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----^—--—訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478059 A7 B7 五、發明說明（6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 前將蝕刻遮罩之至少一部分去除掉。該蝕刻殘渣藉此可 在某一程度上失去其由該蝕刻遮罩而來的機槭性支撐且 因此能夠輕易地被該流體射束所去除。該蝕刻遮罩可以 例如藉由蝕刻遮罩材料之焚化成灰或藉由濕式化學方式 之剝蝕而去除。此外，有利的是一種已被蝕刻之層之最 終的清洗，以去除仍附著的殘渣。這最終的清除較佳是 以超音波或超高音波來達成。 以本發明的方法能夠使金屬層，金屬氧化物層或此種 至少由一金屬層和一含有金屬氧化物的層所構成之堆昼 以非常陡峭的輪廓侧面而被結構化。因此較佳是使用本 方法於：金屬層之結構化，這些金屬層特別是由下列金 屬所構成：鉑，釕，銥，銶，鼦，鐵，鈷，鎳；由銥之 氧化物和釕之氧化物所構成的層之結構化；以及於半導 體記億體之製造非晶形和多晶之含有金屬氧化物的層之 結構化，這些層是用來製造半導體記億體。 根據本發明該目的之第二個部分是藉由自此層中去除 該蝕刻殘渣所用之設備來達成，其中 -該設備僳可防污染地與一個蝕刻室相連接， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -具有此種即將蝕刻之層的基板可以自蝕刻室導入該設 備中， -該設備具有至少一個可對準該層的噴嘴以形成至少一 個已對準的流體射束，其用來自該層和基板中去除該 蝕刻殘渣和可能存在的蝕刻遮罩，其中該噴嘴與該層 是可相對移動的且該噴嘴適合用來形成至少20巴（bar) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 478059 A7 B7 五、發明說明（7 ) 的高壓流體射束。 根據本發明，在該設備中於該層被蝕刻後可藉由流體 射束來清洗該層，而不會使該層於蓮輸至該設備時受到 有害的環境所影響。為要達成這目的，本發明的設備是 以防污染之方式而與蝕刻室相連接，這例如可藉由適當 之可密封的突緣支件來達成。藉由此種突緣支件同時也 可將該位於基板上的層自蝕刻室轉蓮至該設備。具有已 結構化之該層的基板因此不需由蝕刻室和清洗室所構成 的單元中取出即可被有利地蝕刻和清洗。 由於該設備與蝕刻室之間無污染的連接，因此也可防 止蝕刻室本身於取出基板時受到污染。有利的方式是： 該至少一個噴嘴和該具有已結構化之層的基板配置成可 相對地移動，使得整個層都可被自噴嘴所發出的流體射 束所清洗。為要改善清洗的效果可以同時以多個噴嘴和 流體射束來操作。此時讓該基板旋轉以使得該層能自所 有的方向中被清洗，這樣是有意義的。 本發明以下將依據一個實施例來説明且概括地顯示於 圖式中。圖式簡單說明： 第la至le圖.·根據本發明之方法的各別的程式步驟。 第2至3圖：殘留於一個層堆疊上的蝕刻殘渣。 第4至5圖：本發明的設備。 在第1圖中顯示一個基板5，基板5上側安置有一個 由氣化物層或氮化物層10，一個阻障層15和一個鉑層20 所構成的層結構。該铂層20和阻障層15在此一同表示此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-i^i ϋ ϋ·· BB-Hi ϋ ϋ 1 ^ ^ ϋ -ϋ ϋ I ϋ ϋ a··— I k -ί 矣I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478059 A7 B7 五、發明說明（） 種卽將結構化之層。構成該阻障層的是一個大約100毫 微米（rim)厚之氮化鈦層和一値位於其下方約2 0毫微米厚 之鈦層。該銷層2 0約為2 5 0毫微米厚。在該鈉層2 0上方 緊接著施加一個蝕刻遮罩2 5。該蝕刻遮罩2 5可由一種能 以微影術（卩11〇1:〇111:11(^^?1^)來結構化的材料（例如， 光阻）所構成，因此能夠輕易地使此蝕刻遮罩被結構化。 如果使用對光線不敏_的遮罩材料，則該蝕刻遮罩2 5之 結構化僳使用另一個能以微影術來結構化之層來達成◊ 隨後對鉛層20和阻障層15進行蝕刻，其較佳是在MERIE (Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching磁性 促進式活性離子蝕刻）反應器中完成，其中該製程室首先 抽成真空至大約10毫托（m Torr)之壓力。之後鉑層20在 純氬電漿中於大約50 °C時蝕刻約3分鐘之久，其中所用 的磁場具有約0.008T (8 0Gauss，高斯）且維持此電漿所 需的功率大約是750瓦待（Watt)。氬蝕刻程序是一種近 乎純物理式的蝕刻過程，因為鉑只能由加速的氬離子所 帶走。由於阻障層15相對於鉑層2 0而言是以各種不同之 強度利用氬（Ar)來進行蝕刻，所以該阻障層此處同時也 用作蝕刻停止層，以使得該鉑層2 0之可能出現的空間上 不均勻的蝕刻現象不會導致不均勻的蝕刻拓樸（topology) 形狀。 鉑層2Q蝕刻之後，阻障層15於純氯之電漿中被蝕刻約 3 〇秒。因為氯在已結構化之鉑的側壁上的蝕刻侵蝕只是 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------.訂--------•線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（10) 較有利的是依材質不同而選擇一種20巴和150巴（bar)之 間的壓力。就鉛而言可選擇約80巴（bar)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 流體射束45中所使用之流體較佳是N -甲基吡咯烷酮 (N-Methylpyrrolidon, NMP)溶液，其具有約 δΟΤ 的溫 度。在此溫度時特別能夠自鉑層20溶解掉有可能殘存之 軸刻遮罩殘渣。為了調整流體射束45之溫度，該噴嘴40 須設有一個加熱裝置50。 為了使通常是一種晶圓之基板5的所有區域都被流體 射束45所清洗，該基板5須大約以2D0赫（Hz)之速率來 旋轉。同時該流體射束45須自基板5之内部區域移動到 外部區域。有利的是使流體射束4 5往基板5外部區域移 動的速度減小，以便在每一回轉中考慮到此種被流體射 束45所清洗之基板5之面積。清洗過程在典型狀況下持 續約4分鐘。 當噴嘴40與基板距離約1至3公分且噴射角度約90。 時相對於基板表面可得到優良的清洗結果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的方法之一大優點在於：衝擊於該表面上的流 體能較容易地被隨後的沖洗步驟以去（de)離子之水完全 無殘留地自基板5排除。因此，本方法之成本特別低廉。 最後，可選擇性地進行濕式化學方式的清洗及/或以 軟刷（Scrubber)來清洗以去除可能殘留的微粒以及殘渣 。這較佳是於已強烈稀釋的氫氟酸或已稀釋的氨（Anioniak) 之存在下以超音波或超高音波來達成。 該流體射束之清洗效果是源自於多個互補的成分。主 _ 1 2_ 本紙張尺度適用^國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) '" 478059 A7 B7 11 五、發明說明（） 要作用是藉由流體射束之衝量作用所達成。在該層表面 上所生長之蝕刻殘渣被破壞且因此而能夠被清洗此種層 表面所用之流體（其沿著該表面而構成一種流體流）所移 去。藉由基板上或基板表面上由旁掠過之流體流而産生 一種摩擦力，其可移去上述之蝕刻殘渣。該摩擦力是取 決於該流體分子的速度，因此，由於此種在層表面直接 相鄰處中靜止不動之流體層而可使該摩擦力不再足以去 除這些強力固著的較小的蝕刻殘渣。如果相對應地提高 流體射束45之流動速度，則這樣可導致兩種可支撐該清 洗作用的效果。其中一種效果係流體之分子能以高速滑 過此種層表面而由此導致較高的摩擦力。而另一種效果 是該流體之分子自流體射束45以高速衝擊基板表面，使 該流體之分子至少在該區域内可到達此種附著於該表面 上之幾乎完全靜止之流體膜（film)而在該處也同樣可導 入一種流體流（flow)。此種靜止之流體流之厚度因此減 小了，使得只在短暫的去除層表面之後就存在一種強力 之移除蝕刻殘渣用之流體流。藉由溫熱的有機溶劑以溶 去漆質殘留物也是很重要的。

本發明的方法也可用於一種層堆疊5 5之共同的結構化 過程中，此種層堆璺55例如由一個阻障層15，一値銷層 20以及一個含有金屬氧化物的層6ϋ所構成。這種層堆叠 55例如用來製造半導體。此種含有金屬氧化物的層6〇較 佳是由一般性形成為ΑΒΟχ或BOx之材料所構成，其中A 表示鋇、緦、鈮、鉛、錯、鑭、鉍、鈣和鉀這群金屬中 -1 3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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五、發明說明（) 之至少一種金屬，B表示鈦、釕或鉅而〇表示氧。X像 在2和1 2之間。這些物質類型的代表例如緦-鉍-鉋酸鹽 (S r B i 2 T a 2 0 9 )和氣化鉅（T a 2 0 5 )。 於層堆疊55蝕刻時所産生的物質沈積物30可於蝕刻遮 罩2 5焚化成灰後彼此輕微地傾斜。此顯示於第2圖中 丨 Ο 位於層堆叠55之下的此層1M其較佳是由二氣化砂或氮 化矽所構成，於層堆疊55蝕刻時同時用作蝕刻停止層。 第3圖顯示的是由於另一値鉑層62和含有金屬氧化物 之層6G—起蝕刻時所生成的物質沈積物30。 鉑層2D或層堆昼55之結構化較佳是在一個顯示於第5 圖中之清洗室65中來進行。清洗室65具有一値閘門7〇以 導入基板75於清洗室65中。又，清洗室65是與一嫡此處 未近一步描繪的幫浦（pump)經由一値吸管80而相連接。 經由該幫浦可將清洗物質（流體射束）吸出而節省資源地 再導入至清洗過程中。基板7 5係置於一個可加熱的基板 托架85上，其由一個加熱器90所加熱。在製程室65中另 外還安置了一些可移動的噴嘴4(),其能夠網點狀地或放 ------I--------------Γ 訂 i·-------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 板渣管 基殘導 洗刻力 清蝕壓 地除該 狀去0, 4 嘴 噴 入 導 而 管 導 力 壓 由 經 傺 流 的 用 嘴 噴 和 5 9 器 容 液 貯 像 就 由 像 樣 室 〇 洗 熱清 p UbU 力種 體此 流的 該置 對裝 便之 以性 繞造 圍創 所具 5 是 置處 裝此 熱在 加 ， 之圖 式 4 形第 圈據 熱根 一S ιρτ 室 刻 蝕 與 是 Η 組 板 基 具站 輸 傳 群個 的一 謂過 所經 種站 一 入 成輸 合 個 整一 ο 1 0 中 其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公蓳） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478059 A7 B7_ 13 五、發明說明（） 存在著已降低之壓力）而被輸送至蝕刻室110中。於蝕刻 之後，遮罩在一個所謂的帶狀（S t r i p )室1 2 0中被去除且 經由另一値壓力大約與大氣壓力相同之傳輸站116而轉 送至清洗室65。只要不需此種使遮罩焚化成灰的步驟， 就不需要帶狀室120且上逑之另一個傳輪站116即能以乾 式条統來構成。 符號之説明 5 .......基板 10......氧化物層或氮化物層 15.....•阻障層/氮化鈦層 20......金屬層/鉑層 25......蝕刻遮罩 30......蝕刻殘渣/物質沈積物 32......蝕刻側面 35......殘渣 4 0......噴嘴 45......流體射束 50......加熱裝置 55......層堆疊 6 〇......含有金屬氧化物的層 62......另一金屬層/鉑層 65......清洗室 70......閘門 75......基板 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

478059 A7 _B7 14 五、發明說明（） 80......吸管 85......基板托架 9 0......加熱器 9 5......貯液容器 100.....壓力導管 110.....蝕刻室 115 .....傳輸室 116 .....另一傳輸站 120.....帶狀室 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 478059 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 .如申請專利範圍第1或第4項之方法，其中 該流體射束（4 5 )含有一種可侵蝕或可溶解該蝕刻遮 罩（2 5 )的物質。 6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中 該物質是以N-甲基吡咯烷酮（N-Methylpyrrolidon)。 7. 如申請專利範圍第1或第4項之方法，其中 該蝕刻遮罩（2 5 )先至少去除一部分以促進流體射束 (4 5 )對蝕刻殘渣（3 G )之去除。 8. 如申請專利範圍第5項之方法，其中 該蝕刻遮罩（2 5 )先至少去除一部分以促進流體射束 (4 5 )對蝕刻殘渣（3 0 )之去除。 9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中 該蝕刻遮罩（2 5 )被去除至少一部分偽藉由蝕刻遮罩 材料之焚化成灰或藉由濕式化學方式的剝蝕來達成。 1 0 .如申請專利範圍第7項之方法，其中 該蝕刻遮罩（2 5 )被去除至少一部分偽藉由蝕刻遮罩 材料之焚化成灰或藉由濕式化學方式的剝蝕來達成。 1 1 .如申請專利範圍第1項之方法，其中 於去除該蝕刻遮罩（3 0 )之後進行一種最後的清洗。 12. 如申請專利範圍第7項之方法，其中 於去除該蝕刻遮罩（3 0 )之後進行一種最後的清洗。 13. 如申請專利範圍第11項之方法，其中 最後的清冼是在超音波或超高音波的作用下完成的。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之方法，其中 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） J ---------------·訂 -------線一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 478059 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該基板（5 )具有一種蝕刻停止層（1 0， 1 5 )。 1 5 .如申請專利範圍第1或第4項之方法，其中 該層（15，20, 60，62)具有至少一種金屬層（20， 6 2 )及/或至少一個含有金屬氧化物之層（6 0 )。 16. —種去除一層之蝕刻殘渣所用之設備，其特徵為： -該設備（6 5 )是以防污染之方式而與蝕刻室（1 1 0 )相 連接， -具有即將蝕刻之層（15，2G，60，62)之此種基板（5) 可自蝕刻室（110)導入至該設備（65); -該設備（65)具有至少一個可指向該層（15，20，60, 62)之噴嘴（40)以形成至少一個已對準之流體射束 (45)，而該流體射束（45)傺用以自該層（15，20, 6 0，6 2 )和基板（5 )上去除該蝕刻殘渣（3 0 )和可能有 的蝕刻遮罩（2 5 )，其中該噴嘴（4 0 )和該層（1 5，2 0， 6 0，6 2 )可相對地移動且該噴嘴（4 0 )適合形成至少 2 0巴（b a r )之高壓流體射束（4 5 )。 -ΓΙ-----# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ ϋ ϋ ι ·ϋ ϋ ^ 訂i7------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）