JPH0521405A - ドライエツチング後の後処理方法 - Google Patents
ドライエツチング後の後処理方法Info
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- JPH0521405A JPH0521405A JP20129891A JP20129891A JPH0521405A JP H0521405 A JPH0521405 A JP H0521405A JP 20129891 A JP20129891 A JP 20129891A JP 20129891 A JP20129891 A JP 20129891A JP H0521405 A JPH0521405 A JP H0521405A
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- Japan
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- film
- sidewall
- etching
- dry etching
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 白金エッチング後、レジストマスクの側壁に
付着した側壁膜を、白金に損傷を与えることなく、側壁
膜のみを除去する。 【構成】 白金エッチング後、レジストマスクの側壁に
付着した側壁膜４は、プラズマ処理，溶液処理では除去
できず、側壁に残る。この側壁膜４を高圧力噴水（ジェ
ットスクラバー）５により除去をする。このジェットス
クラバー法は、圧力１００ｋｇ／ｃｍ2の水をウエハー
に噴出しながら、綿状のローラーにてウエハーを洗浄す
るものである。この処理によって側壁膜４は容易に除去
される。
付着した側壁膜を、白金に損傷を与えることなく、側壁
膜のみを除去する。 【構成】 白金エッチング後、レジストマスクの側壁に
付着した側壁膜４は、プラズマ処理，溶液処理では除去
できず、側壁に残る。この側壁膜４を高圧力噴水（ジェ
ットスクラバー）５により除去をする。このジェットス
クラバー法は、圧力１００ｋｇ／ｃｍ2の水をウエハー
に噴出しながら、綿状のローラーにてウエハーを洗浄す
るものである。この処理によって側壁膜４は容易に除去
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイス等の製造
プロセスに用いられたドライエッチング後の後処理方法
に関するものである。
プロセスに用いられたドライエッチング後の後処理方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近のＬＳＩ技術においては、微小領域
で容量の大きいキャパシターを形成するために、キャパ
シターとして誘電率の高い材料が検討されている。この
高誘電体材料には、酸化タンタル（ＴａＯｘ），酸化ス
トロンチウムチタン（ＳｒＴｉＯｘ）などが検討され、
高い容量を得るために、０．１μｍ以下の薄膜で形成さ
れる。
で容量の大きいキャパシターを形成するために、キャパ
シターとして誘電率の高い材料が検討されている。この
高誘電体材料には、酸化タンタル（ＴａＯｘ），酸化ス
トロンチウムチタン（ＳｒＴｉＯｘ）などが検討され、
高い容量を得るために、０．１μｍ以下の薄膜で形成さ
れる。
【０００３】この高誘電体材料の電極には、反応性の極
めて少ない白金（Ｐｔ）を用いることが検討されてい
る。これは、電極が僅かに酸化されたり、高誘電体材料
と反応して、薄い絶縁層を別に形成することで、ＤＲＡ
Ｍの容量が減少するからである。従来から、高誘電体材
料の特性を評価するために数十μｍ角サイズの電極加工
は、王水によるウェットエッチングや、ミリング等で行
われてきた。
めて少ない白金（Ｐｔ）を用いることが検討されてい
る。これは、電極が僅かに酸化されたり、高誘電体材料
と反応して、薄い絶縁層を別に形成することで、ＤＲＡ
Ｍの容量が減少するからである。従来から、高誘電体材
料の特性を評価するために数十μｍ角サイズの電極加工
は、王水によるウェットエッチングや、ミリング等で行
われてきた。
【０００４】しかし、実際の高密度素子で用いられるた
めには、電極の微細加工技術の開発が急がれている。こ
の微細加工を実現するためにドライエッチング装置を用
いて多層レジストマスクに、塩素系または臭化系のガス
にて白金をドライエッチングすることが試みられてい
る。
めには、電極の微細加工技術の開発が急がれている。こ
の微細加工を実現するためにドライエッチング装置を用
いて多層レジストマスクに、塩素系または臭化系のガス
にて白金をドライエッチングすることが試みられてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ドライエッチング装置
を用いて多層レジストマスクに、塩素系または、臭化系
のガスにて白金をドライエッチングする場合、レジスト
マスクの側壁にはエッチングされた白金または、白金化
合物が付着する。この側壁膜は、ドライ処理や溶液処理
は除去できない。
を用いて多層レジストマスクに、塩素系または、臭化系
のガスにて白金をドライエッチングする場合、レジスト
マスクの側壁にはエッチングされた白金または、白金化
合物が付着する。この側壁膜は、ドライ処理や溶液処理
は除去できない。
【０００６】本発明の目的は、このような問題点を解決
し、白金に損傷を与えることなく側壁膜のみを除去する
ドライエッチング後の後処理方法を提供することにあ
る。
し、白金に損傷を与えることなく側壁膜のみを除去する
ドライエッチング後の後処理方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によるドライエッチング後の後処理方法にお
いては、レジストマスクに付着した側壁膜を除去処理す
るドライエッチング後の後処理方法であって、前記側壁
膜の除去処理は、高圧力噴水（スクライバー）を側壁膜
に噴付けて洗浄するものである。
め、本発明によるドライエッチング後の後処理方法にお
いては、レジストマスクに付着した側壁膜を除去処理す
るドライエッチング後の後処理方法であって、前記側壁
膜の除去処理は、高圧力噴水（スクライバー）を側壁膜
に噴付けて洗浄するものである。
【０００８】
【作用】Ｐｔエッチング後、レジストマスクの側壁に付
着した側壁膜は、高圧力噴水の噴付力によりＰｔは損傷
を受けず、側壁膜のみが除去される。
着した側壁膜は、高圧力噴水の噴付力によりＰｔは損傷
を受けず、側壁膜のみが除去される。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を図によって説明す
る。
る。
【００１０】上層の光用または、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ Ｂｅａｍ）用レジストと、中間層の塗布型酸化膜
（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）と、下層の有
機膜とからなる三層レジストをマスクにＰｔをエッチン
グする。中間層のＳＯＧは、ＣＦ4＋ＣＨＦ3ガスによる
エッチング（リアクティブイオンエッチング）でパター
ニングし、下層の有機膜（厚み１μｍ）は、酸素プラズ
マでエッチングすることで形成する。
ｎ Ｂｅａｍ）用レジストと、中間層の塗布型酸化膜
（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）と、下層の有
機膜とからなる三層レジストをマスクにＰｔをエッチン
グする。中間層のＳＯＧは、ＣＦ4＋ＣＨＦ3ガスによる
エッチング（リアクティブイオンエッチング）でパター
ニングし、下層の有機膜（厚み１μｍ）は、酸素プラズ
マでエッチングすることで形成する。
【００１１】Ｐｔのエッチングガスには、塩素、または
臭化水素ガスを用い、１ｍＴｏｒｒ以下の低圧領域でエ
ッチングをする。この場合、低圧下で安定なエッチング
を行うため、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔ
ｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）ドライエッチング装置を
用いる。
臭化水素ガスを用い、１ｍＴｏｒｒ以下の低圧領域でエ
ッチングをする。この場合、低圧下で安定なエッチング
を行うため、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔ
ｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）ドライエッチング装置を
用いる。
【００１２】また、下地酸化膜との選択比を高めるた
め、エッチング時の基板を０℃以下に下げる。図１にお
いて、１は有機膜、２は白金、３は下地酸化膜である。
め、エッチング時の基板を０℃以下に下げる。図１にお
いて、１は有機膜、２は白金、３は下地酸化膜である。
【００１３】しかし、この条件では、スパッタ性の高い
エッチングがなされるため、図１に示すようにマスクで
ある有機膜１の側壁には、白金または、白金化合物によ
る側壁膜４が付着する。有機膜１の除去は、通常の酸素
プラズマで剥離できるが、側壁膜４は、酸素プラズマ後
も図２に示すように残る。
エッチングがなされるため、図１に示すようにマスクで
ある有機膜１の側壁には、白金または、白金化合物によ
る側壁膜４が付着する。有機膜１の除去は、通常の酸素
プラズマで剥離できるが、側壁膜４は、酸素プラズマ後
も図２に示すように残る。
【００１４】この側壁膜４は、酸素プラズマによる剥離
時にＣＦ4を添加したり、溶液処理を試みても除去でき
ないため、本発明においては、高圧力噴水５（ジェット
スクラバー）を噴付けてこれを除去する。
時にＣＦ4を添加したり、溶液処理を試みても除去でき
ないため、本発明においては、高圧力噴水５（ジェット
スクラバー）を噴付けてこれを除去する。
【００１５】このジェットスクラバー法は、圧力１００
ｋｇ／ｃｍ2の水を側壁膜４を含むウエハーに噴出しな
がら、綿状のローラー６にてウエハーを洗浄するもので
ある。この処理によって図３に示すように側壁膜４は容
易に除去される。
ｋｇ／ｃｍ2の水を側壁膜４を含むウエハーに噴出しな
がら、綿状のローラー６にてウエハーを洗浄するもので
ある。この処理によって図３に示すように側壁膜４は容
易に除去される。
【００１６】上記の除去方法は、メタル系の材料をスパ
ッタ性の高いエッチングやミリングエッチングを施した
場合に生じる側壁膜の除去にも用いることができる。
ッタ性の高いエッチングやミリングエッチングを施した
場合に生じる側壁膜の除去にも用いることができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明の後処理方法によれば、ドライ処
理や溶液処理では除去できない側壁膜の除去を容易に行
うことができる。
理や溶液処理では除去できない側壁膜の除去を容易に行
うことができる。
【図１】Ｐｔドライエッチング後、レジストマスクの側
面に付着した膜を示した説明図である。
面に付着した膜を示した説明図である。
【図２】レジストを酸素プラズマで除去した後、残った
側壁膜を示した説明図である。
側壁膜を示した説明図である。
【図３】高圧力噴水（ジェットスクラバー）により側壁
膜を除去した後のＰｔ電極を示した図である。
膜を除去した後のＰｔ電極を示した図である。
１ 有機膜 ２ 白金 ３ 下地酸化膜 ４ 側壁膜 ５ 高圧力噴水 ６ 綿状のローラー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 レジストマスクに付着した側壁膜を除去
処理するドライエッチング後の後処理方法であって、 前記側壁膜の除去処理は、高圧力噴水（スクライバー）
を側壁膜に噴付けて洗浄するものであることを特徴とす
るドライエッチング後の後処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201298A JP2985396B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | ドライエッチング後の後処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201298A JP2985396B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | ドライエッチング後の後処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521405A true JPH0521405A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2985396B2 JP2985396B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=16438675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3201298A Expired - Lifetime JP2985396B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | ドライエッチング後の後処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2985396B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19860084A1 (de) * | 1998-12-23 | 2000-07-06 | Siemens Ag | Verfahren zum Strukturieren eines Substrats |
| WO2000042646A1 (de) * | 1999-01-13 | 2000-07-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum strukturieren einer schicht |
| US6092537A (en) * | 1995-01-19 | 2000-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Post-treatment method for dry etching |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240915A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パターン化金属層形成法 |
| JPH03148825A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP3201298A patent/JP2985396B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240915A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パターン化金属層形成法 |
| JPH03148825A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Ebara Corp | ジェットスクラバー |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6092537A (en) * | 1995-01-19 | 2000-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Post-treatment method for dry etching |
| DE19860084A1 (de) * | 1998-12-23 | 2000-07-06 | Siemens Ag | Verfahren zum Strukturieren eines Substrats |
| DE19860084B4 (de) * | 1998-12-23 | 2005-12-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Strukturieren eines Substrats |
| WO2000042646A1 (de) * | 1999-01-13 | 2000-07-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum strukturieren einer schicht |
| DE19901002A1 (de) * | 1999-01-13 | 2000-07-27 | Siemens Ag | Verfahren zum Strukturieren einer Schicht |
| DE19901002B4 (de) * | 1999-01-13 | 2005-09-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Strukturieren einer Schicht |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2985396B2 (ja) | 1999-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990112 |
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