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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zum Erfassen sowohl eines Normalbetriebes als auch eines Einbrennbetriebes einer Halbleitervorrichtung.
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Gewöhnlich liegt eine Spannung höher als in einem Normalbetrieb während eines Einbrenntests eines Halbleiterchips an, um eine Prüfung auf einen Defekt innerhalb kurzer Zeit frühzeitig auszuführen. Ein interner Energie- oder Leistungsgenerator ist in dem Halbleiterchip vorgesehen, und ein internes Chipelement ist so ausgerichtet, daß es gemäß einer niedrigeren Spannung als einer extern angelegten Spannung in einem normalen Betriebsbereich arbeitet, um eine Abnahme der Zuverlässigkeit des Halbleiterelementes zu verhindern und wenig Energie bzw. Leistung zu verbrauchen. Der interne Leistungs- bzw. Energiegenerator erzeugt eine regelmäßige Spannung unabhängig von den externen Spannungsschwankungen während des normalen Betriebsbereiches, um Zuverlässigkeit und Stabilität zu gewährleisten.
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Wenn ein externer Spannungspegel höher als in einem normalen Betriebsbereich ist, erkennt der interne Leistungs- bzw. Energiegenerator den höheren Spannungspegel eines Einbrennbereiches. Der interne Leistungs- bzw. Energiegenerator erzeugt eine Spannung proportional zu einem höheren externen Spannungspegel und legt die Spannung an jedes Element des Chips. Eine Einbrenn-Sensorschaltung erfaßt, ob der Pegel einer an einen Chip gelegten externen Spannung in einem normalen Betriebsbereich oder in einem Einbrennbereich ist, um die obige Operation auszuführen.
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1 veranschaulicht eine herkömmliche Einbrenn-Sensorschaltung mit einem Vorspannungsgenerator 10, einem externen Spannungssensor 20, einem Einbrennsignalgenerator 40 und einem Sicherungswähler 60. Der Vorspannungsgenerator 10 erzeugt eine Vorspannung Vbias gemäß einer dort anliegenden externen Spannung Vbbokb. Der externe Spannungssensor 20 läßt eine externe Spannung Vdd auf einen vorbestimmten Pegel gemäß der dort anliegenden Vorspannung Vbias abfallen und gewinnt eine Hysterese-Kennlinie für den Pegel der abgefallenen Spannung. Der Einbrennsignalgenerator 40 liefert ein Einbrennsignal, wenn der von dem externen Spannungssensor 20 ausgegebene Spannungspegel höher ist als ein vorbestimmter Pegel, und steuert die Hysterese-Kennlinie. Der Sicherungswähler 60 stellt eine externe Spannung des externen Spannungssensors 20 gemäß der dort anliegenden externen Spannung Vbbokb ein.
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Der externe Spannungssensor 20 umfaßt eine Vielzahl von NMOS-Transistoren 21 bis 28 in einer Diodenkonfiguration, wobei die Gates wechselseitig mit den Drains verbunden sind. Die NMOS-Transistoren 21 bis 28 lassen die an ihren jeweiligen Gate-Drain-Verbindungspunkten liegende Spannung auf eine vorbestimmte Schwellenwertspannung abfallen. Ein NMOS-Transistor 29 hat ein Drain, das mit der Source des NMOS-Transistors 28 verbunden ist, eine Source, die mit Masse verbunden ist, und ein Gate, das mit der Vorspannung Vbias verbunden ist, und arbeitet als eine elektrische Stromquelle. Ein NMOS-Kondensator 30 hat Source und Drain, die mit Masse verbunden sind, und Gate, das mit der Vorspannung Vbias beaufschlagt ist, um an der Gate des NMOS-Transistors 29 liegendes Rauschen zu entfernen. Ein NMOS-Transistor 31 hat eine Drain, die mit dem Source-Drain-Verbindungspunkt der NMOS-Transistoren 28 und 29 verbunden ist, eine Source, die an Masse angeschlossen ist, und ein Gate, das mit der Vorspannung Vbias beaufschlagt ist. Die Sources und Drains von PMOS-Transistoren 32 und 33 sind jeweils mit den Drains und Sources der NMOS-Transistoren 22 bzw. 23 verbunden, um den Pegel des Spannungsabfalles durch überbrücken der NMOS-Transistoren 22 und 23 gemäß einem dort anliegenden Ausgangssignal des Sicherungswählers 60 einzustellen. Ein PMOS-Transistor 34 umfaßt eine Source, die mit dem Source-Drain-Verbindungspunkt der NMOS-Transistoren 26 und 27 verbunden ist, eine Drain, die an den Drain-Source-Verbindungspunkt der NMOS-Transistoren 28 und 29 angeschlossen ist, und ein Gate, das mit dem Ausgangssignal BIB des Einbrennsignalgenerators 40 beaufschlagt ist, so daß ein Ausgangssignal des externen Signalsensors 20 eine Hysterese-Kennlinie aufweist. Die NMOS-Transistoren 21 bis 28 haben eine niedrige Schwellenwertspannung.
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Der Einbrennsignalgenerator 40 umfaßt PMOS-Transistoren 41 und 42 und einen NMOS-Transistor 43, der in Reihe zwischen einer Ausgangsspannung und Masse liegt. Die Gates empfangen ein Ausgangssignal des externen Spannungssensors 20 über einen Knoten A. Ein NMOS-Kondensator 44 hat ein Gate, das gemeinsam an die Gates der NMOS-Transistoren 41 bis 43 angeschlossen ist, und Drain sowie Source, die jeweils mit Masse verbunden sind, um Rauschen zu entfernen, das durch das Ausgangssignal des externen Spannungssensors 20 erzeugt ist. Ein Inverter 45 invertiert an einem Knoten B ein von dem Drain-Verbindungspunkt der NMOS-Transistoren 42 und 43 ausgegebenes Signal.
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MOS-Transistoren 46 bis 48 liegen in Reihe zwischen der externen Spannung und Masse, und die Gates der Transistoren 46 und 47 empfangen ein Ausgangssignal des Inverters 45, und das Gate des NMOS-Transistors 48 empfängt eine Vorspannung Vbias. Inverter 49 bis 51 invertieren sequentiell das von dem Drain-Verbindungspunkt der MOS-Transistoren 46 und 47 bei einem Knoten C ausgegebene Signal. MOS-Kondensatoren 52 bis 54 umfassen Gates, die mit einem Knoten C verbunden sind, und Drains sowie Sources, die an Masse angeschlossen sind.
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Wenn eine externe Spannung Vbbokb an den Vorspannungsgenerator 10 angelegt wird, erzeugt der Vorspannungsgenerator 10 eine Vorspannung Vbias, um die NMOS-Transistoren 29 und 48 einzuschalten. Bei eingeschaltetem Transistor 29 liegt eine externe Spannung Vdd an dem Gate-Drain-Verbindungspunkt eines NMOS-Transistors 21, die anschließend durch die NMOS-Transistoren 21 bis 28, die in Reihe verbunden sind, abgesenkt und zu dem Knoten A ausgegeben wird.
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Die NMOS-Transistoren 21 bis 28 lassen die an den jeweiligen Gates und Drains liegende Spannung so weit wie den Wert von deren eigener Schwellenwertspannung abfallen. Im Normalbetrieb ist der Pegel der eingestellten Spannung, die durch den Knoten A ausgegeben ist, niedriger als der Schwellenwertspannungspegel des NMOS-Transistors 43 des Einbrennsignalgenerators 40. Wenn die Spannung am Knoten A niedriger als die Schwellenwertspannung des NMOS-Transistors 43 ist, wird der NMOS-TRansistor 43 abgeschaltet, die PMOS-Transistoren 41 und 42 werden eingeschaltet, und ein Knoten B empfängt ein Hochpegelsignal. Das Hochpegelsignal wird in einen niedrigen Pegel invertiert und an die Gates der MOS-Transistoren 46 und 47 gelegt.
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Da ein Niederpegelsignal an dem Gate der MOS-Transistoren 46 und 47 liegt, ist die Vorspannung Vbias dem Gate des mit dem MOS-Transistor 47 verbundenen NMOS-Transistors 48 zugeführt, und ein Hochpegelsignal wird zu dem Knoten C ausgegeben. Da das Hochpegelsignal nacheinander durch Inverter 49 bis 51 invertiert wird, wird ein Einbrennsignal BI eines Niederpegelsignales geliefert, was anzeigt, daß ein Chip in einem normalen Betriebsbereich ist.
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Wenn die externe Spannung Vdd des externen Spannungssensors 20 graduell gesteigert wird, nimmt das elektrische Potential des Knotens A entsprechend zu. Wenn das elektrische Potential des Knotens A einen höheren Pegel als die Schwellenwertspannung des NMOS-Transistors 43 hat, wird der NMOS-Transistor 43 eingeschaltet, wobei jedoch die PMOS-Transistoren 41 und 42 ausgeschaltet sind. Ein Niederpegelsignal wird zu dem Knoten B ausgegeben, das in ein Hochpegelsignal durch den Inverter 45 invertiert wird und das dann den Gates der MOS-Transistoren 46 und 47 zugeführt wird. Da damit die PMOS-Transistoren 46 und 47 jeweils aus- und eingeschaltet sind, wird ein Niederpegelsignal zu dem Knoten C ausgegeben. Das Niederpegelsignal wird nacheinander durch die Inverter 49 bis 51 invertiert, und ein Einbrennsignal BI nimmt einen hohen Pegel an, was anzeigt, daß der Pegel der externen Spannung BI in einen Einbrennmodus eingetreten ist.
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In einem Einbrennmodus liefert der Einbrennsignalgenerator 40 ein Hochpegel-Einbrennsignal BI und ein invertiertes Niederpegel-Einbrennsignal BIB. Das invertierte Niederpegel-Einbrennsignal BIB schaltet den PMOS-Transistor 34 des externen Spannungssensors 20 ein. Da der eingeschaltete PMOS-Transistor 34 eine Strecke zum Überbrücken der NMOS-Transistoren 27 und 28 bildet, fällt die externe Spannung Vdd nicht durch die NMOS-Transistoren 27 und 28 ab. Im Vergleich mit dem Pegel vor der Bildung der Überbrückungsstrecke in einem Normalbetrieb nimmt die Spannung an dem Knoten A in einem Einbrennmodus um soviel wie die Summe 2Vth der Schwellenwertspannung NMOS-Transistoren 27 und 28 zu. Der Spannungspegel vermindert die Spannung 2Vth, so daß ein Chip in einem Einbrennmodus den Einbrennmodus verlassen kann. Mit anderen Worten, das Einbrennsignal BI sollte bei einem niedrigen Pegel sein.
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Es sollte eine Hysterese-Kennlinie vorliegen, wo eine Breite von 2Vth zwischen der Einbrenn-Zugangsspannung und der Einbrenn-Abgangsspannung vorliegt, wie dies in 2 gezeigt ist. Wenn die hysterese Kennlinie vorliegt, tritt keine Änderung im Pegel des Einbrennsignales BI ein, und die Spannung des Knotens A geht nicht unter 2Vth. Im Vergleich mit der Einbrenn-Zugangsspannung nimmt die Spannung des Knotens A leicht ab. Obwohl damit der Spannungspegels des Knotens A instabil ist, kann eine oszillierende Erscheinung verhindert werden, bei der der Einbrennmodus-Zugang und der Einbrennmodus-Abgang wiederholt sind.
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Entsprechend einer externen Spannung Vbbokb, die an dem Sicherungswähler 60 anliegt, liefert der Sicherungswähler 60 ein vorbestimmtes Signal zu den Gates der PMOS-Transistoren 32 und 33. Wenn der Sicherungswähler 60 eine Niederpegelspannung an den PMOS-Transistor 32 abgibt, schaltet der Transistor 32 ein und überbrückt die Strecke durch den NMOS-Transistor 22. Damit wird die von dem externen Spannungssensor 20 abgefallene Spannung im Vergleich zu dem Fall niedrig, in welchem keine Überbrückungsstrecke durch den MOS-Transistor 32 gebildet ist. Der Sicherungswähler 60 stellt extern eine Breite der Spannung ein, die durch den externen Spannungssensor 20 abgefallen ist.
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Inzwischen steuert der NMOS-Transistor 11 eine Einbrennsensoroperation. Wenn die an dem Gate des NMOS-Transistors 11 liegende Spannung Vbbokb niedrig ist, wird der Transistor 11 ausgeschaltet, und diese Niederpegelspannung hat keine Auswirkung auf die Einbrennsensoroperation. Wenn die an dem Gate des NMOS-Transistors liegende Spannung auf einem hohen Pegel ist, wird der Transistor 11 eingeschaltet, und das elektrische Potential an dem Knoten A fällt auf den Massepegel ab. Damit wird die Einbrennsensoroperation nicht durchgeführt. Der NMOS-Kondensator 44 entfernt das aus der Spannung des Knotens A erzeugte Rauschen, und die MOS-Kondensatoren 52 bis 54 entfernen ein Wechselstromrauschen, das mit dem Signal des Knotens C gemischt ist.
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Ob in der herkömmlichen Einbrennsensorschaltung für eine Halbleiterspeichervorrichtung der Betrieb eines Chips in einen Einbrennmodus eintritt oder den Enbrennmodus verläßt, wird vollständig durch die Spannung an dem Knoten A bestimmt. Die Spannung des Knotens A wird durch die Anzahl der Transistoren 21 bis 28 gesteuert, um eine Spannung auf einen vorbestimmten Pegel abfallenzulassen. Da jedoch diese Transistoren 21 bis 28 sehr empfindlich auf Änderungen des Herstellungsprozesses sind, ist es schwierig, die Spannung an dem Knoten A einzustellen. Weiterhin gibt es ein anderes Problem, daß ein Transistor mit einer niedrigen Schwellenwertspannung für die Transistoren 21 bis 28 verwendet werden sollte, um die Spannung abfallenzulassen.
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Zum Stand der Technik hinsichtlich Schaltungen für die Erkennung eines beabsichtigten Einbrenntests und die Erzeugung einer geeigneten Einbrennspannung für Halbleiterbauteile wird des weiteren verwiesen auf
DE 42 01 516 C2 ,
DE 42 26 047 C2 ,
DE 42 26 048 A1 ,
DE 43 32 618 A1 sowie
US 5,373,472 . Aus diesen Druckschriften sind bereits Sensoranordnungen bekannt, die einen auf ein externes Spannungssignal ansprechenden Spannungssensor aufweisen, welcher mittels einer Kette von Transistoren eine Absenkung des Pegels des externen Spannungssignals bewirkt. Außerdem sind aus diesem Stand der Technik bereits Signalgeneratoren bekannt, welche abhängig vom Pegel eines von einem Spannungssensor bereitgestellten abgesenktem Spannungssignals ein Ausgangssignal erzeugen, das auf einen Normalbetrieb oder einen Einbrennbetrieb hinweist.
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Erfindungsgemäß ist zur Überwindung der weiter oben genannten Schwierigkeiten eine Schaltung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 vorgesehen. Diese Schaltung dient zur Erfassung sowohl eines Normalbetriebs als auch eines Einbrennbetriebs einer Halbleitervorrichtung und umfasst einen ein externes Spannungssignal empfangenden und dessen Pegel absenkenden Sensor, welcher das abgesenkte elektrische Potential an einem ersten Knoten ausgibt. Ferner umfasst die erfindungsgemäße Schaltung einen Signalgenerator mit einer eingangsseitig mit dem ersten Knoten gekoppelten Inverterschaltung, welche ausgangsseitig an einem zweiten Knoten ein Ausgangssignal ausgibt, dessen Pegel auf den Normalbetrieb hinweist, wenn das an dem ersten Knoten anliegende Potential einen vorgeschriebenen ersten Wert hat, jedoch auf den Einbrennbetrieb hinweist, wenn das an dem ersten Knoten anliegende Potenzial einen von dem ersten Wert verschiedenen vorgeschriebenen zweiten Wert hat.
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Erfindungsgemäß weist der Signalgenerator einen Schaltungsteil zur Beeinflussung des logischen Schaltpegels des Ausgangssignals der Inverterschaltung auf, wobei der Schaltungsteil einen mit dem zweiten Knoten gekoppelten ersten Transistor sowie einen ersten Schalter umfasst, welcher das Potential des ersten Knotens an einem Steueranschluss des ersten Transistors überträgt, wenn ein durch Invertierung des Ausgangssignals der Inverterschaltung gebildetes Signal einen vorbestimmten Pegelerreicht, wobei der erste Transistor eine Absenkung des logischen Schaltpegels des Ausgangssignals der Inverterschaltung bewirkt, wenn er eingeschaltet ist.
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Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Unteransprüchen angegeben.
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Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
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1 ein Diagramm einer herkömmlichen Einbrenn-Sensorschaltung,
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2 einen Graph einer hysteresen Kennlinie zwischen einer Einbrenn-Zugangsspannung und einer Einbrenn-Abgangsspannung, und
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3 ein Diagramm einer Einbrenn-Sensorschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung.
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Im folgenden wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert.
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3 zeigt eine Einbrenn-Sensorschaltung für eine Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung. Ein externer Spannungssensor 70 läßt eine externe Spannung Vdd gemäß einer dort anliegenden Vorspannung abfallen, und ein Einbrennsignalgenerator 80 erzeugt ein Einbrennsignal BI, das einen vor bestimmten Pegel hat und eine Hysterese-Kennlinie zwischen einer Einbrennmodus-Zugangsspannung und einer Einbrennmodus-Abgangsspannung aufweist. Eine Spannungseinstelleinheit 100 stellt eine Spannungsbreite zwischen einer Einbrennzugangsspannung und einer Einbrennabgangsspannung ein In 3 sind ein Vorspannungsgenerator 10 und ein Sicherungs- bzw. Fusewähler 60 nicht gezeigt und in der folgenden Beschreibung weggelassen, da Aufbau und Betrieb hiervon gleich sind, wie dies anhand der 1 erläutert wurde.
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In dem externen Spannungssensor 70 sind NMOS-Transistoren 71 und 72, die beide an Gate und Drain verbunden sind, und ein NMOS-Transistor 73, der an Gate eine Vorspannung Vbias empfängt, in Reihe zwischen einer externen Spannung Vdd und Masse geschaltet. Ein Ausgangssignal wird von dem Source-Drain-Verbindungspunkt der NMOS-Transistoren 72 und 73 an einem Knoten D geliefert. Ein MOS-Kondensator 74 wird verwendet, um an dem Knoten D erzeugtes Kopplungsrauschen zu entfernen.
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Der Einbrennsignalgenerator 80 umfaßt einen PMOS-Transistor 81 und einen NMOS-Transistor 82, die in Reihe zwischen einer externen Spannung Vdd und Masse liegen, und die Gates empfangen ein Ausgangssignal des externen Spannungssensors 70. Inverter 83 bis 85 invertieren ein durch einen Knoten E ausgegebenes Ausgangssignal, und ein NMOS-Transistor 86 überträgt zu der anderen Seite ein Signal bei dem Knoten D, das an einer Seite anliegt, gemäß einem Ausgangssignal BI des Inverters 85, das an dessen Gate anliegt. Drain von einem NMOS-Transistor 87 ist mit dem Knoten E verbunden, und Source hiervon ist geerdet, um eine logische Schwellenwertspannung der MOS-Transistoren 81 und 82 gemäß einem Signal abzusenken, das von dem NMOS-Transistor 86 eingespeist ist und an den Gates der MOS-Transistoren 81 und 82 über einen Knoten F liegt.
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Die NMOS-Transistoren 88 und 89 sind in Reihe zwischen dem Knoten E und Masse verbunden, und die Gates der Transistoren 88 und 89 empfangen jeweils ein Ausgangssignal von der Spannungseinstelleinheit 100 und ein Signal von dem Knoten F. NMOS-Transistoren 90 und 91 haben die gleiche Konfiguration wie die NMOS-Transistoren 88 und 89. Ein NMOS-Transistor 92 hat eine Drain, die mit dem Knoten F verbunden ist, eine Source, die an Masse angeschlossen ist, und ein Gate, das ein Ausgangssignal des Inverters 84 empfängt.
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Wenn eine Vorspannung Vbias an dem Gate des NMOS-Transistors 73 des externen Spannungssensors 70 anliegt, senken die Transistoren 71 und 72 eine externe Spannung Vdd ab, die an dem Gate-Drain-Verbindungspunkt des NMOS-Transistors 71 anliegt. Die abgefallene oder abgesenkte Spannung liegt jeweils an den Gates der MOS-Transistoren 81 und 82. Da die abgesenkte Spannung niedriger als eine logische Schwellenwertspannung des NMOS-Transistors 82 in einem Normalbetrieb ist, wird der NMOS-Transistor 82 abgeschaltet, der PMOS-Transistor 81 wird eingeschaltet, und das Potential an dem Knoten E nimmt einen hohen Pegel an. Das Hochpegelsignal wird durch die Inverter 83 bis 85 invertiert, und ein Niederpegel-Einbrennsignal BI wird schließlich ausgegeben, das anzeigt, daß ein Chip in einem Normalbetrieb ist.
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Der NMOS-Transistor 86, der als ein erster Schalter arbeitet, ist abgeschaltet, und der NMOS-Transistor 92, der als ein zweiter Schalter arbeitet, ist eingeschaltet. Damit fällt ein elektrisches Potential des Knotens F auf einen Massepegel ab, und es liegt keine Änderung in der logischen Schwellenwertspannung der NMOS-Transistoren 81 und 82 vor. Die Transistoren 81 und 82 arbeiten als ein logischer Inverter gemäß den NMOS-Transistoren 87, 89 und 91, die alle abgeschaltet sind.
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Wenn die externe Spannung Vdd des externen Spannungssensors 70 ansteigt, nimmt die Spannung an dem Knoten D entsprechend zu. Die angewachsene Spannung des Knotens D liegt jeweils an den Gates der MOS-Transistoren 81 und 82. Wenn der angewachsene Spannungspegel des Knotens D höher als der logische Schwellenwert-Spannungspegel des NMOS-Transistors 82 wird, wird der NMOS-Transistor 82 eingeschaltet, und der PMOS-Transistor 81 wird ausgeschaltet, um so die Spannung des Knotens E auf einen niedrigen Pegel zu verändern. Die Niederpegelspannung wird durch die Inverter 83 bis 85 invertiert, und ein Hochpegel-Einbrennsignal BI wird ausgegeben, um einen Einbrennmodus eines Chips anzuzeigen. Wenn so eine externe Spannung ansteigt und der Chip in einen Einbrennmodus eintritt, erfaßt der Einbrennsignalgenerator 80 der Einbrenn-Sensorschaltung den Zugang eines Einbrennmodus. Der Einbrennsignalgenerator 80 erzeugt ein Hochpegel-Einbrennsignal BI, was in der Durchführung einer Einbrennoperation in einer Halbleiterspeichervorrichtung resultiert.
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Das Hochpegel-Einbrennsignal BI und das Niederpegel-Einbrennsignal BIB wirken jeweils zum Einschalten und Ausschalten des NMOS-Transistoren 86 bis 92, und die Transistoren 86 bis 92 arbeiten jeweils als ein erster Schalter und ein zweiter Schalter. Der eingeschaltete NMOS-Transistor 86 überträgt eine vorbestimmte Spannung entsprechend der Spannung an dem Knoten D zu dem Knoten F. Daher wird der NMOS-Transistor 87, der eine logische Schwellenwertspannung reduziert, eingeschaltet. Entsprechend dem Einschalten der NMOS-Transistoren 82 und 87 werden zwei parallele Strecken zwischen dem Knoten E und Masse gebildet.
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Ein logischer Schwellenwert-Spannungspegel des logischen Inverters wird niedriger, wenn der NMOS-Transistor 87 in der Schaltung enthalten ist, im Vergleich zu einem Fall, in welchem lediglich die Transistoren 81 und 82 vorliegen. Mit anderen Worten, ein Einbrennmodus-Zugang wird gemäß einer Einschaltoperation des NMOS-Transistors 82 ausgeführt. Sobald jedoch der Spannungspegel in einen Einbrennmodus eintritt, wird der NMOS-Transistor 87 eingeschaltet. Da der Abgang von einem Einbrennmodus bei einer niedrigeren Spannung als einer Einbrenn-Zugangsspannung auftritt, wird eine gewünschte Hysterese-Kennlinie zwischen einer Einbrenn-Zugangsspannung und einer Einbrenn-Abgangsspannung erreicht, wie dies in 2 gezeigt ist.
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Eine gewünschte Hysterese-Kennlinie kann erhalten werden, indem die NMOS-Transistoren 88 bis 91 gemäß einer Steuerung der Spannungseinstelleinheit 100 betrieben werden. Wenn die NMOS-Transistoren 89 und 91 gemäß dem eingeschalteten NMOS-Transistor 86 eingeschaltet sind und die Spannungseinstelleinheit 100 den NMOS-Transistor 88 einschaltet, bilden die NMOS-Transistoren 88 und 89 eine andere Parallelstrecke einschließlich des NMOS-Transistors 87. Da das Parallelstreckensystem stark die logische Schwellenwertspannung absenkt, wird eine Potentialpegeldifferenz zwischen einer Einbrenn-Zugangsspannung und einer Einbrenn-Abgangsspannung verstärkt. Die NMOS-Transistoren 90 und 91 bilden auch eine andere Parallelstrecke gemäß einer Steuerung der Spannungseinstelleinheit 100. Die NMOS-Transistioren 88 bis 91 arbeiten als eine logische Schwellenwertspannung-Einstelleinheit, um jeweils eine logische Schwellenwertspannung des logischen Inverters zu reduzieren. Wenn so eine vorbestimmte Pegeldifferenz zwischen einer Einbrenn-Zugangsspannung und einer Einbrenn-Abgangsspannung gesteigert ist, wird der eingetretene Einbrennmodus nicht leicht verlassen, selbst wenn die externe Spannung Vdd instabil wird.
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Wie oben beschrieben ist, werden in einer Einbrenn-Sensorschaltung für eine Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung eine Einbrenn-Zugangsspannung und eine Einbrenn-Abgangsspannung in hohem Maß unempfindlich gegenüber Änderungen eines Prozesses, wenn eine Hysterese-Kennlinie zwischen einer Einbrenn- Zugangsspannung und einer Einbrenn-Abgangsspannung erhalten wird, indem eine logische Schwellenspannung eines Einbrennsignalgenerators eingestellt wird. Außerdem ist es bei der vorliegenden Erfindung nicht erforderlich, einen Transistor mit niedrigem Pegel der Schwellenwertspannung zu verwenden, um eine externe Spannung abfallen zu lassen.
